JPS6381609A - 磁気ヘツド - Google Patents
磁気ヘツドInfo
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- JPS6381609A JPS6381609A JP22611786A JP22611786A JPS6381609A JP S6381609 A JPS6381609 A JP S6381609A JP 22611786 A JP22611786 A JP 22611786A JP 22611786 A JP22611786 A JP 22611786A JP S6381609 A JPS6381609 A JP S6381609A
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- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 claims abstract description 18
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- 229910018598 Si-Co Inorganic materials 0.000 claims abstract description 7
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（技術分野）
本発明は磁気ヘッドに関し、さらに詳しくは磁気ヘッド
のギャップ部分の構造に関する。
のギャップ部分の構造に関する。
（従来技術）
現在、磁気記録再生装置においては、生産コストの低減
、装置の簡素化などの面から、記録と再生を同一の磁気
ヘッドで行う記録再生兼用の磁気ヘッドが広く用いられ
ている。
、装置の簡素化などの面から、記録と再生を同一の磁気
ヘッドで行う記録再生兼用の磁気ヘッドが広く用いられ
ている。
磁気ヘッドのギャップ長は、記録時には記録効率の面か
ら大きい方が良いが、再生時には短波長の信号を十分に
再生できるように小さい方が良い、従って、兼用型のｒ
ａ９ｃ記録ヘッドのギャップ長は各専用磁気ヘッドの中
間に設定されるため、記録及び再生のいずれにおいても
専用磁気ヘッドよりも特性が劣るという欠陥があった。
ら大きい方が良いが、再生時には短波長の信号を十分に
再生できるように小さい方が良い、従って、兼用型のｒ
ａ９ｃ記録ヘッドのギャップ長は各専用磁気ヘッドの中
間に設定されるため、記録及び再生のいずれにおいても
専用磁気ヘッドよりも特性が劣るという欠陥があった。
この問題を解決するために可変ギャップを有する記録再
生兼用磁気ヘッドが提案されている（特開昭６０−６６
Ｓｉ０号等）、すなわち、磁気ヘッドのキャップ部にヘ
ッド本体部よりも飽和磁東密度の小さい磁性層を挿入し
た構造の′Ｅａ気ヘッドを用い、記録時に印加される大
きい磁束に対してはこの磁性層を飽和させ、それにより
実効的に大きいギャップ長を有する磁気ヘッドとして動
作させ、再生時に磁気ディスク等の記録媒体から加わる
磁束に対してはこの磁性層を飽和させず、それにより小
さいギャップ長を有する磁気ヘッドとして動作させるも
のである。この可変ギャップ磁気ヘッドは記録及び再生
専用の２個の磁気ヘッドと回等の特性を有する点ですぐ
れたものである。
生兼用磁気ヘッドが提案されている（特開昭６０−６６
Ｓｉ０号等）、すなわち、磁気ヘッドのキャップ部にヘ
ッド本体部よりも飽和磁東密度の小さい磁性層を挿入し
た構造の′Ｅａ気ヘッドを用い、記録時に印加される大
きい磁束に対してはこの磁性層を飽和させ、それにより
実効的に大きいギャップ長を有する磁気ヘッドとして動
作させ、再生時に磁気ディスク等の記録媒体から加わる
磁束に対してはこの磁性層を飽和させず、それにより小
さいギャップ長を有する磁気ヘッドとして動作させるも
のである。この可変ギャップ磁気ヘッドは記録及び再生
専用の２個の磁気ヘッドと回等の特性を有する点ですぐ
れたものである。
（従来技術の問題点）
上記の可変ギャップ磁気ヘッドのギャップ部近くの構造
は、第１図に示すように飽和磁束密度が大きい高透率磁
性材料より成る本体１と、ギャップ部において本体１の
対向面の一方に形成された飽和磁束密が小さい高透磁率
磁性７＃２、または第２図に示すように両面に形成され
た飽和磁束密度が小さい高透磁率磁性層２．２（第２図
）より成っている６本体１は通常フェライトを基体とす
るパーマロイ（Ｎｉ−Ｆｅ合金）、フェライトを基体と
するセンダスト（Ｆｅ−Ｓｉ −Ａ Ｉ合金）、フェラ
イト等で構成され、そして磁性層２．２はガーネット等
で構成されている。
は、第１図に示すように飽和磁束密度が大きい高透率磁
性材料より成る本体１と、ギャップ部において本体１の
対向面の一方に形成された飽和磁束密が小さい高透磁率
磁性７＃２、または第２図に示すように両面に形成され
た飽和磁束密度が小さい高透磁率磁性層２．２（第２図
）より成っている６本体１は通常フェライトを基体とす
るパーマロイ（Ｎｉ−Ｆｅ合金）、フェライトを基体と
するセンダスト（Ｆｅ−Ｓｉ −Ａ Ｉ合金）、フェラ
イト等で構成され、そして磁性層２．２はガーネット等
で構成されている。
このように、本体とギャップ部の磁性層とは別々の材料
で構成されるため磁気ヘッドの製造に非常な手間がかか
る。他の問題点は本体と磁性層の材質が異なるために摩
耗が一様にならないで片減りし、特性の変化や目詰りな
どが起きることである。
で構成されるため磁気ヘッドの製造に非常な手間がかか
る。他の問題点は本体と磁性層の材質が異なるために摩
耗が一様にならないで片減りし、特性の変化や目詰りな
どが起きることである。
（発明の目的）
本発明は実効的にギャップ長が可変の記録再生兼用磁気
ヘッドを経済的に製造することを目的とする。本発明の
他の目的は片減りのないこの種の磁気ヘッドを提供する
ことを目的とする。
ヘッドを経済的に製造することを目的とする。本発明の
他の目的は片減りのないこの種の磁気ヘッドを提供する
ことを目的とする。
（発明の概要）
本発明の磁気ヘッドは、安価なフェライトを本体として
用い、そのギャップ部突き合せ面に高透磁率で高飽和磁
束密度のＦｅ−Ａ Ｉ−Ｓｉ −Ｇ 。
用い、そのギャップ部突き合せ面に高透磁率で高飽和磁
束密度のＦｅ−Ａ Ｉ−Ｓｉ −Ｇ 。
合金層を形成し１次いでその表面に、高透磁率でしかも
低飽和磁束密度のＦｅ−Ａ ｌ−Ｓ Ｉ −Ｃ。
低飽和磁束密度のＦｅ−Ａ ｌ−Ｓ Ｉ −Ｃ。
又はＦｅ−Ａｌ−３Ｌ合金層を形成したことを特徴とす
る。
る。
（効果の概要）
上記の構成によると、高飽和磁束密度の磁性層と低飽和
磁束密度の磁性層とはＣｏ含有量が違うだけあるから同
一の製造手法により両磁性層を容易に製造することがで
き、経済性が高くなり、磁気ヘッドのコストを低下する
ことができる。また両磁性層の機械的特性はほとんど異
ならないから、磁気へツーの片減り摩耗が無くなる。
磁束密度の磁性層とはＣｏ含有量が違うだけあるから同
一の製造手法により両磁性層を容易に製造することがで
き、経済性が高くなり、磁気ヘッドのコストを低下する
ことができる。また両磁性層の機械的特性はほとんど異
ならないから、磁気へツーの片減り摩耗が無くなる。
（発明の詳細な説明）
本発明者等の研究によると、低飽和磁束密度のＦｅ−Ａ
ｌ−５Ｌ合金にＣｏを添加することにより高飽和磁束密
度の磁性層を構成できことが判明した。こうした磁性層
は録音、再生時に高透磁率を持たなければならないが、
この磁性合金はこの要求も満足する。
ｌ−５Ｌ合金にＣｏを添加することにより高飽和磁束密
度の磁性層を構成できことが判明した。こうした磁性層
は録音、再生時に高透磁率を持たなければならないが、
この磁性合金はこの要求も満足する。
従来の磁気ヘッドは通常はフェライトを本体に用い、ギ
ャップ部に高透ｒａ率のパーマロイ、センダストを用い
るが、本発明でも本体には安価なフェライトを用い、ギ
ャップ部の少なくとも一方の面に高透Ｂ１率で高飽和磁
束密度のＦｅ−Ａｌ−５ｉ−Ｃｏ合金磁性層を形成し、
その上に同等の高透磁率と低飽和磁束密度のＦｅ−Ａｌ
−５Ｌ−Ｇｏ又はＦｅ−Ａｌ−Ｓｉ合金磁性層を形成す
る。
ャップ部に高透ｒａ率のパーマロイ、センダストを用い
るが、本発明でも本体には安価なフェライトを用い、ギ
ャップ部の少なくとも一方の面に高透Ｂ１率で高飽和磁
束密度のＦｅ−Ａｌ−５ｉ−Ｃｏ合金磁性層を形成し、
その上に同等の高透磁率と低飽和磁束密度のＦｅ−Ａｌ
−５Ｌ−Ｇｏ又はＦｅ−Ａｌ−Ｓｉ合金磁性層を形成す
る。
これらの磁性層は、フェライトヨークのギャップ部突き
合せ面となる部分を基体として周知のスパッタ法による
成膜技術など任意の方法により製造できる。しかし、本
発明では両磁性層が極めて近似した組成を有するから、
同一の手法で両磁性層を形成するのが得策である６本発
明の実施例ではＲＦマグネトロンスパッタ法を用いた。
合せ面となる部分を基体として周知のスパッタ法による
成膜技術など任意の方法により製造できる。しかし、本
発明では両磁性層が極めて近似した組成を有するから、
同一の手法で両磁性層を形成するのが得策である６本発
明の実施例ではＲＦマグネトロンスパッタ法を用いた。
好ましい合金組成はＦｅ−Ａｌ−３Ｌ合金についてはＳ
ｉ ５〜１１ ｗ ｔ％、Ａ Ｉ ３．０−８．Ｏｖ
ｒ ｔ％、残部Ｆｅであり、Ｃｏ含有合金はこの組成に
全ｍ基準で３０ｗｔ％までＣｏを含有させたものである
。
ｉ ５〜１１ ｗ ｔ％、Ａ Ｉ ３．０−８．Ｏｖ
ｒ ｔ％、残部Ｆｅであり、Ｃｏ含有合金はこの組成に
全ｍ基準で３０ｗｔ％までＣｏを含有させたものである
。
実施例
第３図は本発明の磁気ヘッドの構成を示し、Ｍｎ−Ｚｎ
ｔｒｉ結晶フェライトのヨーク１０のギャップ部の面に
Ｃｏ含有量の多いＦｅ−Ａｌ−５ｉ−Ｃｏ合金磁性層１
１が形成され、その上にＦｅ −ＡＩ−Ｓｉ又はＣｏ金
含有％（７）少ないＦｅ−Ａｌ−３！−Ｃｏ合金磁性ｌ
９１２が形成されている。
ｔｒｉ結晶フェライトのヨーク１０のギャップ部の面に
Ｃｏ含有量の多いＦｅ−Ａｌ−５ｉ−Ｃｏ合金磁性層１
１が形成され、その上にＦｅ −ＡＩ−Ｓｉ又はＣｏ金
含有％（７）少ないＦｅ−Ａｌ−３！−Ｃｏ合金磁性ｌ
９１２が形成されている。
ギャップ部１３にはＳｉＯギャップ材が用いられている
。これらの磁性層はＲＦマグネトロンスパッタ法により
形成されている。
。これらの磁性層はＲＦマグネトロンスパッタ法により
形成されている。
Ｆｅ８６．５ｗｔ％、Ａ ｌ ５ 、 Ｏｗ ｔ％及び
Ｓ＋８．５ｗｔ％ノＦ ｅ −Ａ Ｉ −Ｓ Ｉ合金に
Ｃｏを０〜３５ｗｔ％の範囲で添加したＦｅ−Ａｌ−Ｓ
ｉ−Ｃｏを製造し、その磁気特性を測定した。第４図に
この結果を示す。
Ｓ＋８．５ｗｔ％ノＦ ｅ −Ａ Ｉ −Ｓ Ｉ合金に
Ｃｏを０〜３５ｗｔ％の範囲で添加したＦｅ−Ａｌ−Ｓ
ｉ−Ｃｏを製造し、その磁気特性を測定した。第４図に
この結果を示す。
先ず比透磁率 はＣｏ ２５ ｗ ｔ％まで一定であり
、それ以上になると急激に減少する。約３０ｗｔ％以上
になると透磁率は小さくなり過ぎる。保磁力ＨＣも約３
０ｗｔ％以上で急激に大きくなる。一方、飽和磁束密度
はＣｏの含有率に対して直線的に増加する。従って、な
るべく ２５ ｗ ｔ％近＜ （７） Ｃｏ含有率を有
するＦｅ−Ａ Ｉ−５１−Ｃｏ合金を第３図の磁性層１
１として用い、Ｆｅ −Ａ Ｉ−５ｉ合金又はそれに近
いＣｏ合含有率Ｆｅ−Ａｌ−Ｓｉ−Ｃｏ合金を磁性層１
２に用いることにより、磁性層１２を録音時に飽和し、
再生時に高透磁率となる可変ギャップ手段として用いる
ことができる。
、それ以上になると急激に減少する。約３０ｗｔ％以上
になると透磁率は小さくなり過ぎる。保磁力ＨＣも約３
０ｗｔ％以上で急激に大きくなる。一方、飽和磁束密度
はＣｏの含有率に対して直線的に増加する。従って、な
るべく ２５ ｗ ｔ％近＜ （７） Ｃｏ含有率を有
するＦｅ−Ａ Ｉ−５１−Ｃｏ合金を第３図の磁性層１
１として用い、Ｆｅ −Ａ Ｉ−５ｉ合金又はそれに近
いＣｏ合含有率Ｆｅ−Ａｌ−Ｓｉ−Ｃｏ合金を磁性層１
２に用いることにより、磁性層１２を録音時に飽和し、
再生時に高透磁率となる可変ギャップ手段として用いる
ことができる。
なお、実際の可変ギャップ磁気ヘッドは、例えば次のよ
うに構成できる。
うに構成できる。
ギャップ材 Ｓｉ０ ０．４ 体ギ
ヤツブ深さ １０ 川水体
Ｍ ｎ −Ｚ ｎ Ｆｎ結晶フェライト磁性Ｍ１
２（低Ｍ ｓ ） Ｆｅ８Ｇ、５ｗｔ％ ０．４
ＡＬＡｔ ５．０ｗｔ％ Ｓｉ ８．５ｗｔ％ 磁性層１１（高Ｍ ｓ ） Ｆｅ６４．９ｗｔ％
２８ μＡＩ ３．？ ｗｔ： Ｓｉ ６．４ｗｔ％ Ｃｏ ２５ｗｔ％ （作用効果） 以上のように、本発明は実効ギャップを変える低飽和磁
束密度の磁性層１２をＦｅ−Ａｌ−Ｓｉ合金またはＣｏ
含有量の少ないＦｅ−Ａｌ−Ｓｉ−Ｃｏ合金で構成し、
高飽和磁束密度の磁性層１１をこれに極めて近似したＦ
ｓ−Ａ Ｉ−３Ｌ −Ｃ。
ヤツブ深さ １０ 川水体
Ｍ ｎ −Ｚ ｎ Ｆｎ結晶フェライト磁性Ｍ１
２（低Ｍ ｓ ） Ｆｅ８Ｇ、５ｗｔ％ ０．４
ＡＬＡｔ ５．０ｗｔ％ Ｓｉ ８．５ｗｔ％ 磁性層１１（高Ｍ ｓ ） Ｆｅ６４．９ｗｔ％
２８ μＡＩ ３．？ ｗｔ： Ｓｉ ６．４ｗｔ％ Ｃｏ ２５ｗｔ％ （作用効果） 以上のように、本発明は実効ギャップを変える低飽和磁
束密度の磁性層１２をＦｅ−Ａｌ−Ｓｉ合金またはＣｏ
含有量の少ないＦｅ−Ａｌ−Ｓｉ−Ｃｏ合金で構成し、
高飽和磁束密度の磁性層１１をこれに極めて近似したＦ
ｓ−Ａ Ｉ−３Ｌ −Ｃ。
合金によって構成したから、ターゲットを切換えるだけ
でスパッタ法で容易に製造できる。また青磁性層の透磁
率はほとんど同一の高い値を示すから特性の良い磁気ヘ
ッドを構成できる。さらに、青磁性層の機ＪＩＡ特性は
極めて近似しているから、片減りを生じない。
でスパッタ法で容易に製造できる。また青磁性層の透磁
率はほとんど同一の高い値を示すから特性の良い磁気ヘ
ッドを構成できる。さらに、青磁性層の機ＪＩＡ特性は
極めて近似しているから、片減りを生じない。
Claims (3)
- （１）ギャップ部の突合せ面の少なくとも一方に、高飽
和磁束密度でＣｏ含有量が多いＦｅ−Ａｌ−Ｓｉ−Ｃｏ
合金第１層を形成し、次いで低飽和磁束密度で第１層よ
りもＣｏ含有量が少ないＦｅ−Ａｌ−Ｓｉ−Ｃｏ合金ま
たはＦｅ−Ａｌ−Ｓｉ合金第２層を形成したことを特徴
とする磁気ヘッド。 - （２）第１層は３０ｗｔ％以下のＣｏを含有している前
記第１項記載の磁気ヘッド。 - （３）第１及び第２層はＳｉ５〜１１ｗｔ％、Ａｌ３．
０〜８．０ｗｔ％、Ｆｅ残部を基本組成とし、これに３
０ｗｔ％以下のＣｏを含有するものである前記第１項記
載の磁気ヘッド。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22611786A JPS6381609A (ja) | 1986-09-26 | 1986-09-26 | 磁気ヘツド |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22611786A JPS6381609A (ja) | 1986-09-26 | 1986-09-26 | 磁気ヘツド |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6381609A true JPS6381609A (ja) | 1988-04-12 |
Family
ID=16840101
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP22611786A Pending JPS6381609A (ja) | 1986-09-26 | 1986-09-26 | 磁気ヘツド |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6381609A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01303614A (ja) * | 1988-06-01 | 1989-12-07 | Fuji Elelctrochem Co Ltd | 磁気ヘッド |
| JPH0254409A (ja) * | 1988-08-18 | 1990-02-23 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 磁気ヘッド |
-
1986
- 1986-09-26 JP JP22611786A patent/JPS6381609A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01303614A (ja) * | 1988-06-01 | 1989-12-07 | Fuji Elelctrochem Co Ltd | 磁気ヘッド |
| JPH0254409A (ja) * | 1988-08-18 | 1990-02-23 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 磁気ヘッド |
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