JPH036812A - 膜除去装置 - Google Patents
膜除去装置Info
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- JPH036812A JPH036812A JP1141506A JP14150689A JPH036812A JP H036812 A JPH036812 A JP H036812A JP 1141506 A JP1141506 A JP 1141506A JP 14150689 A JP14150689 A JP 14150689A JP H036812 A JPH036812 A JP H036812A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は、基板に被覆されたレジスト膜を選択的に除去
するのに用いられるレジスト膜除去装置に閃する。
するのに用いられるレジスト膜除去装置に閃する。
従来の技術
例えば、薄膜トランジスタ(TPT)をマトリクス状に
配列した表示電極基板を用いて構成されるアクティブ・
マトリクス盟液晶表示装置の製造工程においては、矩形
平板状のガラス基板の表面上に、透明導電膜、各種の金
lKM、半導体膜、絶縁膜などのamパターンを形成す
る必要があり、この微細パターンの加工にはホトエツチ
ング法が用いられる。このホトエツチング法の工程では
、上記ガラス基板上にホトレジスト液を滴下してガラス
基板を回転させ、このとき生じる遠心力によって滴下さ
れたホトレジスト液をガラス基板の表面上に拡げてコー
ティングを行うスピンコータと称される塗布装置が用い
られる。
配列した表示電極基板を用いて構成されるアクティブ・
マトリクス盟液晶表示装置の製造工程においては、矩形
平板状のガラス基板の表面上に、透明導電膜、各種の金
lKM、半導体膜、絶縁膜などのamパターンを形成す
る必要があり、この微細パターンの加工にはホトエツチ
ング法が用いられる。このホトエツチング法の工程では
、上記ガラス基板上にホトレジスト液を滴下してガラス
基板を回転させ、このとき生じる遠心力によって滴下さ
れたホトレジスト液をガラス基板の表面上に拡げてコー
ティングを行うスピンコータと称される塗布装置が用い
られる。
第3図は、上述したホトレジスト液の塗布動ず1′:を
説明するために示したガラス基板1の断面図である。−
鍛的に、ホトレジスト液2の塗布動作においては、まず
低速回転でガラス基itを回転させて滴下されたホトレ
ジスト液2をガラス基板1の表面1a全面に拡げ、この
あと高速回転にしてホトレジスト液2を振り切り、それ
によってホトレジスト膜の膜厚を決定する。
説明するために示したガラス基板1の断面図である。−
鍛的に、ホトレジスト液2の塗布動作においては、まず
低速回転でガラス基itを回転させて滴下されたホトレ
ジスト液2をガラス基板1の表面1a全面に拡げ、この
あと高速回転にしてホトレジスト液2を振り切り、それ
によってホトレジスト膜の膜厚を決定する。
このようにガラス基板1の回転速度は、低速回転から高
速回転l\と2段階に亘って変えられるが、低速回転時
には遠心力が小さいので余分なホトレジスト液2は外部
に飛び散ることなく、ガラス基板1の側面1[)から裏
面1cへ回り込むという現象が生じる。
速回転l\と2段階に亘って変えられるが、低速回転時
には遠心力が小さいので余分なホトレジスト液2は外部
に飛び散ることなく、ガラス基板1の側面1[)から裏
面1cへ回り込むという現象が生じる。
従来、ガラス基板1の裏面1cにけ着したホトレジスト
液11は、ガラス基板1の裏面ICに向けて洗浄液を吹
き付けてホトレジスト液2を溶解するバックリンス法に
よ−)で除去されている。
液11は、ガラス基板1の裏面ICに向けて洗浄液を吹
き付けてホトレジスト液2を溶解するバックリンス法に
よ−)で除去されている。
発明が解決しようとする課題
しかしながら、上述したバックリンス法の場き、ガラス
基Fj、 t y)裏面1(に付着したホトレジスト液
2の除去は可能だが、四面1bに付着した余分なホトレ
ジスト液2を除去することは困難である。
基Fj、 t y)裏面1(に付着したホトレジスト液
2の除去は可能だが、四面1bに付着した余分なホトレ
ジスト液2を除去することは困難である。
そこで、ガラス基板1 />側面IL+などに余分なホ
トレジスト液2が付着したままで次のレジスト焼成カニ
程が行われることになるが、余分にf+着したホトレジ
スト液2は焼成炉およびその雰囲気をiり染し、さらに
屹燥した余分なホトレジストは次・7)露光工程におい
てj[し空中にl(とな−)で浮遊するため露光不良の
原因はなるなどカに81題点を有する。
トレジスト液2が付着したままで次のレジスト焼成カニ
程が行われることになるが、余分にf+着したホトレジ
スト液2は焼成炉およびその雰囲気をiり染し、さらに
屹燥した余分なホトレジストは次・7)露光工程におい
てj[し空中にl(とな−)で浮遊するため露光不良の
原因はなるなどカに81題点を有する。
バックリンス法による除去が困難なガラ7、基板1の側
面1bへのホトレジスト液2の付着を回避する対策とし
て、本願出罪人は先に第一1図に斜視図を、また第5目
に一部を拡大した断面口をそれぞれ示すように、ガラス
基vi1グ)端部にテーバ1(1を形成することを提案
しているが、この場かにおいてもガラス基板1の側面に
余分なホトレジスト液がけ荀vるのを完全には回避でき
ない。
面1bへのホトレジスト液2の付着を回避する対策とし
て、本願出罪人は先に第一1図に斜視図を、また第5目
に一部を拡大した断面口をそれぞれ示すように、ガラス
基vi1グ)端部にテーバ1(1を形成することを提案
しているが、この場かにおいてもガラス基板1の側面に
余分なホトレジスト液がけ荀vるのを完全には回避でき
ない。
したが−)て、本発明の目的は、基板を被覆するレジス
ト膜のうち、余分な一部領域f)レジストを選択的に容
易に除去することのて′きるレジスト膜除去装置を提供
することを目的とする。
ト膜のうち、余分な一部領域f)レジストを選択的に容
易に除去することのて′きるレジスト膜除去装置を提供
することを目的とする。
課題を解決するための手段
本発明は、レジスト膜で被覆された基板を決み込むこと
によって、その基板のレジスト膜除去予定11域を所定
の空間内に水密状に閉じ込め基板の他の領域から隔離す
る基板挾持手段と、レジスト膜を溶かす溶剤を前記空間
内に流し込む溶剤供給手段とを備えたことを特徴とする
レジスト膜除去装置である。
によって、その基板のレジスト膜除去予定11域を所定
の空間内に水密状に閉じ込め基板の他の領域から隔離す
る基板挾持手段と、レジスト膜を溶かす溶剤を前記空間
内に流し込む溶剤供給手段とを備えたことを特徴とする
レジスト膜除去装置である。
(1用
本発明に従えば、基板のレジスト膜除去予定領域が基板
挟持手段によって所定の空間内に水密状に閏じ込められ
て基板の他のw4t!!1がへ隔離された状態J)もと
で、溶剤供給手段によ−)で上記空間内に溶剤が流し込
まれる。流し込まれた溶剤によって除去予定領域のレジ
スト膜だけが選択的に溶けて除去される。
挟持手段によって所定の空間内に水密状に閏じ込められ
て基板の他のw4t!!1がへ隔離された状態J)もと
で、溶剤供給手段によ−)で上記空間内に溶剤が流し込
まれる。流し込まれた溶剤によって除去予定領域のレジ
スト膜だけが選択的に溶けて除去される。
実施例
第1図は本発明の一実施例であるレジスト膜除去装置3
によって、レジスト膜で被覆されたガラス基板4の一部
頭域のレジスト・膜を除去する動作を説明するために示
した断面図である。
によって、レジスト膜で被覆されたガラス基板4の一部
頭域のレジスト・膜を除去する動作を説明するために示
した断面図である。
第1図において、レジスト膜除去装置3はガラス基板1
1を載置する受は治具5と、この受は治具5に載置され
たガラス基板4を上がら押さえる押さえ治具6とを有す
る。受は治具5には1!置されるガラス基板4を真空吸
引して密着させるための多数の吸気孔7が分散形成され
るとともに、載置されるガラス基板4の周端部を取り囲
む周壁部5aには複数の溶剤供給孔8と溶剤排出孔9と
が形成されている。
1を載置する受は治具5と、この受は治具5に載置され
たガラス基板4を上がら押さえる押さえ治具6とを有す
る。受は治具5には1!置されるガラス基板4を真空吸
引して密着させるための多数の吸気孔7が分散形成され
るとともに、載置されるガラス基板4の周端部を取り囲
む周壁部5aには複数の溶剤供給孔8と溶剤排出孔9と
が形成されている。
一方、上記押さえ治具6には、受は治具5上に載置され
るガラス基板4上の一部に直接押し当てられて、ガラス
基W、4のレジスト膜除去予定vA域をその他の領域か
ら水密状に隔離する押さえ用突部10が形成されており
、この押さえ用突部10と受は治具5の上記溶剤供給孔
8および溶剤排出孔9が開口する周壁部5aとの組会わ
せによ−)て、ガラ7、基板・1のレジスト脛除去予定
mJj4を閉じ込める空間11が構成される。また、こ
の押さえ治具6には、上記押さえ用突部10によ−)で
レジスト膜除去予定領域から隔離されるガラス基板J
、7r他の領域側の空間13に向けて開口する圧縮空気
供給孔12が形成されている。
るガラス基板4上の一部に直接押し当てられて、ガラス
基W、4のレジスト膜除去予定vA域をその他の領域か
ら水密状に隔離する押さえ用突部10が形成されており
、この押さえ用突部10と受は治具5の上記溶剤供給孔
8および溶剤排出孔9が開口する周壁部5aとの組会わ
せによ−)て、ガラ7、基板・1のレジスト脛除去予定
mJj4を閉じ込める空間11が構成される。また、こ
の押さえ治具6には、上記押さえ用突部10によ−)で
レジスト膜除去予定領域から隔離されるガラス基板J
、7r他の領域側の空間13に向けて開口する圧縮空気
供給孔12が形成されている。
第2図は上記押さえ用突部10を拡大して示す断面図で
ある。この押さえ用突部10の最下端の幅寸法Wのシー
ル部10aは平坦面としてあり、その対策としてガラス
基板4の損傷を防止する目的でテフロン(商品名)付が
用いられている。ここでは、シール部10aの幅寸法W
は0.5〜1゜5mm程度に設定されている。また、こ
のシール部10aから圧縮空気供給孔8が間口する空間
13側に向けて延びる下面部には、シール部105i人
面に対して鋭角的に傾斜するテーバtobが形成されて
いる。ここでは、そのテーバtobの傾斜角度θは10
−30゛程度に設定されている。
ある。この押さえ用突部10の最下端の幅寸法Wのシー
ル部10aは平坦面としてあり、その対策としてガラス
基板4の損傷を防止する目的でテフロン(商品名)付が
用いられている。ここでは、シール部10aの幅寸法W
は0.5〜1゜5mm程度に設定されている。また、こ
のシール部10aから圧縮空気供給孔8が間口する空間
13側に向けて延びる下面部には、シール部105i人
面に対して鋭角的に傾斜するテーバtobが形成されて
いる。ここでは、そのテーバtobの傾斜角度θは10
−30゛程度に設定されている。
次に、上記レジスト膜除去装置によるガラス基[−1の
レジスト膜除去の工程手順を説明する。
レジスト膜除去の工程手順を説明する。
レジスト膜塗布装置によ−)でレジスト膜の被覆が行わ
れたガラス基板4は、レジスト膜塗布装置に備え付けら
れた自動搬送機構によ−)で第1目に示すレジスト膜除
去装置3の受は治具5上に移載される。
れたガラス基板4は、レジスト膜塗布装置に備え付けら
れた自動搬送機構によ−)で第1目に示すレジスト膜除
去装置3の受は治具5上に移載される。
移載されたガラス基数4は、吸気孔7からの真空吸引に
よって受は治具5上に密着させられ、これによ−)でガ
ラス基板4のソリが吸収される。
よって受は治具5上に密着させられ、これによ−)でガ
ラス基板4のソリが吸収される。
次に、押さえ治具6が降下し、その押さえ用突部10と
受は治具5とでガラス基板4が挟み込まれ、押さえ用突
部10のシール部10aによってガラス基板4のレジス
ト膜除去予定領域が他の領域から隔離される。すなわち
、レジスト膜除去予定領域は押さえ用突部10と受は治
具5の周壁部5aとで囲まれた空間11内に閏じ込めら
れる。
受は治具5とでガラス基板4が挟み込まれ、押さえ用突
部10のシール部10aによってガラス基板4のレジス
ト膜除去予定領域が他の領域から隔離される。すなわち
、レジスト膜除去予定領域は押さえ用突部10と受は治
具5の周壁部5aとで囲まれた空間11内に閏じ込めら
れる。
この状態で、押さえ治具6の圧縮空気供給孔12から圧
縮空気が空間13側に供給される。この場合の空気圧は
0.3〜2.Qkgt程度が適当である。
縮空気が空間13側に供給される。この場合の空気圧は
0.3〜2.Qkgt程度が適当である。
次に、1示しない溶剤供給源から受けib具5の溶剤供
給孔8を経てレジスト膜を溶かす溶剤が空間11内に流
し込まれる。流し込む溶剤の量は例えばタイマによって
制御される。この溶剤によ−)て、空間11内に閉じ込
められているガラス基板4のレジスト膜除去予定領域の
レジスl−膜が溶けて除去される。このとき、テフロン
付によって形成されている押さえ用突部10のシール部
10aは、その平面加工精度が十分高くないので、シー
ル部10aのみでは充分な水密性を確保できないが、シ
ール部10aで空間11と仕切られた圧縮空気供給孔1
2側の空間13に流し込まれる圧縮空気によって、空間
11側から空間1311!!へ浸入しようとする溶剤が
押し止められる。また、空間13側へ溶剤が浸入した1
%きでも、押さえ用突部10下面のテーバ10bでの毛
細管現象によって、溶剤がガラス基板4のレジスト膜除
去予定領域以外の領域に拡散するのを防ぐことができる
。
給孔8を経てレジスト膜を溶かす溶剤が空間11内に流
し込まれる。流し込む溶剤の量は例えばタイマによって
制御される。この溶剤によ−)て、空間11内に閉じ込
められているガラス基板4のレジスト膜除去予定領域の
レジスl−膜が溶けて除去される。このとき、テフロン
付によって形成されている押さえ用突部10のシール部
10aは、その平面加工精度が十分高くないので、シー
ル部10aのみでは充分な水密性を確保できないが、シ
ール部10aで空間11と仕切られた圧縮空気供給孔1
2側の空間13に流し込まれる圧縮空気によって、空間
11側から空間1311!!へ浸入しようとする溶剤が
押し止められる。また、空間13側へ溶剤が浸入した1
%きでも、押さえ用突部10下面のテーバ10bでの毛
細管現象によって、溶剤がガラス基板4のレジスト膜除
去予定領域以外の領域に拡散するのを防ぐことができる
。
溶剤を供給して、一定時間が経過したあと、レジスト膜
を溶かし込んだ溶剤は空間11から溶剤排出孔9を経て
吸引排出される。有機溶剤については、その性質上、慎
重な取扱いを要するが、このレジスl−膜除去装置3で
は、上述したように溶剤供給孔8から供給され溶剤排出
孔9から排出されるので、溶剤が外部に洩れることがな
く安全性が確保される。なお、上記圧縮空気の供給は、
溶剤が排出されるまで連続的に行われる。
を溶かし込んだ溶剤は空間11から溶剤排出孔9を経て
吸引排出される。有機溶剤については、その性質上、慎
重な取扱いを要するが、このレジスl−膜除去装置3で
は、上述したように溶剤供給孔8から供給され溶剤排出
孔9から排出されるので、溶剤が外部に洩れることがな
く安全性が確保される。なお、上記圧縮空気の供給は、
溶剤が排出されるまで連続的に行われる。
このあと、溶剤の吸引排出および圧縮空気の供給が停止
され、さらに押さえ治具6の上昇およびガラス基板4の
真空吸引解除が行われ、ガラス基板4はレジスト膜塗布
装置に備え付けられた自動搬送機構によってレジスト膜
除去装置3から取り出され、次工程へと移送される。
され、さらに押さえ治具6の上昇およびガラス基板4の
真空吸引解除が行われ、ガラス基板4はレジスト膜塗布
装置に備え付けられた自動搬送機構によってレジスト膜
除去装置3から取り出され、次工程へと移送される。
なお、上記実施例では、シール部10aの水密性を確保
するための補助手段として、圧縮空気の供給を行う場禽
番こついて示したが、レジスト膜に対して不活性なもの
であれば空気に替えて窒素など他の圧縮気体を供給して
もよい。
するための補助手段として、圧縮空気の供給を行う場禽
番こついて示したが、レジスト膜に対して不活性なもの
であれば空気に替えて窒素など他の圧縮気体を供給して
もよい。
発明の効果
以上のように、本発明のレジスl−膜除去装置によれば
、基板挟持手段によって基板を挟み込み、その基板のレ
ジスト膜除去予定領域を所定空間内に水密状に閏じ込め
、その空間内にレジスト膜を溶かす溶剤を流し込むよう
にしているので5基板の側面などに付着した余分なレジ
スト膜を完全に除去することができる。また、空間内に
水密状に関し込める基板の領域を可変設定することによ
−)て、基板の側面に付着したレジスト膜だけでなく、
任意の表面部分に付着したレジスト膜についても容易に
除去することができる。
、基板挟持手段によって基板を挟み込み、その基板のレ
ジスト膜除去予定領域を所定空間内に水密状に閏じ込め
、その空間内にレジスト膜を溶かす溶剤を流し込むよう
にしているので5基板の側面などに付着した余分なレジ
スト膜を完全に除去することができる。また、空間内に
水密状に関し込める基板の領域を可変設定することによ
−)て、基板の側面に付着したレジスト膜だけでなく、
任意の表面部分に付着したレジスト膜についても容易に
除去することができる。
第1r′2Jは本発明の一実施例であるレジスl−膜除
去装置によるレジ゛スト膜除去動作を説明するために示
した断面口、第2図はそのレジスl−膜除去装刀の押さ
え用突部を拡大して示す断面図、第3目はスピンコータ
によ−)でガラス基板にホトレジスト液を塗布する動作
を説明するために示した断面口、第4図および第50は
それぞれ側面部への余分なホトレジスト液の付着を回避
する基板の提案例を示すi)視図および断面図である。 3・・・レジストWA除去装置、・1・・・ガラス基板
、5・・受け10悸、6・・押さえ治具、8・・・溶剤
供給孔、10・・・押さえ用突部、10 a・・・シー
ル部、11・・・空間、12・・・圧縮空気供給孔
去装置によるレジ゛スト膜除去動作を説明するために示
した断面口、第2図はそのレジスl−膜除去装刀の押さ
え用突部を拡大して示す断面図、第3目はスピンコータ
によ−)でガラス基板にホトレジスト液を塗布する動作
を説明するために示した断面口、第4図および第50は
それぞれ側面部への余分なホトレジスト液の付着を回避
する基板の提案例を示すi)視図および断面図である。 3・・・レジストWA除去装置、・1・・・ガラス基板
、5・・受け10悸、6・・押さえ治具、8・・・溶剤
供給孔、10・・・押さえ用突部、10 a・・・シー
ル部、11・・・空間、12・・・圧縮空気供給孔
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 レジスト膜で被覆された基板を挟み込むことによって
、その基板のレジスト膜除去予定領域を所定の空間内に
水密状に閉じ込め基板の他の領域から隔離する基板挟持
手段と、 レジスト膜を溶かす溶剤を前記空間内に流し込む溶剤供
給手段とを備えたことを特徴とするレジスト膜除去装置
。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1141506A JPH06105674B2 (ja) | 1989-06-03 | 1989-06-03 | 膜除去装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1141506A JPH06105674B2 (ja) | 1989-06-03 | 1989-06-03 | 膜除去装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH036812A true JPH036812A (ja) | 1991-01-14 |
| JPH06105674B2 JPH06105674B2 (ja) | 1994-12-21 |
Family
ID=15293542
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1141506A Expired - Fee Related JPH06105674B2 (ja) | 1989-06-03 | 1989-06-03 | 膜除去装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH06105674B2 (ja) |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5898925A (ja) * | 1981-12-08 | 1983-06-13 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 半導体装置の製造方法およびその製造装置 |
| JPS61188934A (ja) * | 1985-02-15 | 1986-08-22 | Sharp Corp | レジスト除去装置 |
-
1989
- 1989-06-03 JP JP1141506A patent/JPH06105674B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5898925A (ja) * | 1981-12-08 | 1983-06-13 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 半導体装置の製造方法およびその製造装置 |
| JPS61188934A (ja) * | 1985-02-15 | 1986-08-22 | Sharp Corp | レジスト除去装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH06105674B2 (ja) | 1994-12-21 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |