JPH11176797A - 半導体ウェーハの乾燥方法及び乾燥装置 - Google Patents
半導体ウェーハの乾燥方法及び乾燥装置Info
- Publication number
- JPH11176797A JPH11176797A JP10089655A JP8965598A JPH11176797A JP H11176797 A JPH11176797 A JP H11176797A JP 10089655 A JP10089655 A JP 10089655A JP 8965598 A JP8965598 A JP 8965598A JP H11176797 A JPH11176797 A JP H11176797A
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- JP
- Japan
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- semiconductor wafer
- liquid
- drying
- water
- isopropyl alcohol
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-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10P72/00—Handling or holding of wafers, substrates or devices during manufacture or treatment thereof
- H10P72/04—Apparatus for manufacture or treatment
- H10P72/0402—Apparatus for fluid treatment
- H10P72/0406—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like
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- Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 乾燥後の半導体ウェーハ上に水の跡が形成さ
れない半導体ウェーハの乾燥方法及び乾燥装置を提供す
る。 【解決手段】 水よりも揮発性に富み、かつ水と混和で
きる第１の液体Ｌ1 に半導体ウェーハ３０を浸漬し、こ
の半導体ウェーハ３０をＩＰＡドライヤ３００を使用し
て乾燥させる。乾燥工程では、まず、ＩＰＡドライヤ３
００の底部に設置された加熱板３４を使用してイソプロ
ピルアルコールを蒸発させ、ＩＰＡドライヤ３００の内
壁に設置された冷却用コイル３３０を使用してイソプロ
ピルアルコールの蒸気を半導体ウェーハ３０上に凝縮さ
せる。
れない半導体ウェーハの乾燥方法及び乾燥装置を提供す
る。 【解決手段】 水よりも揮発性に富み、かつ水と混和で
きる第１の液体Ｌ1 に半導体ウェーハ３０を浸漬し、こ
の半導体ウェーハ３０をＩＰＡドライヤ３００を使用し
て乾燥させる。乾燥工程では、まず、ＩＰＡドライヤ３
００の底部に設置された加熱板３４を使用してイソプロ
ピルアルコールを蒸発させ、ＩＰＡドライヤ３００の内
壁に設置された冷却用コイル３３０を使用してイソプロ
ピルアルコールの蒸気を半導体ウェーハ３０上に凝縮さ
せる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体ウェーハの
乾燥方法及び乾燥装置に関するものであり、特に、半導
体ウェーハを液体に浸漬後、ＩＰＡドライヤで乾燥させ
ることを特徴とする、ＩＰＡドライヤを使用した半導体
ウェーハの乾燥方法及び乾燥装置に関するものである。
乾燥方法及び乾燥装置に関するものであり、特に、半導
体ウェーハを液体に浸漬後、ＩＰＡドライヤで乾燥させ
ることを特徴とする、ＩＰＡドライヤを使用した半導体
ウェーハの乾燥方法及び乾燥装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】近年、半導体ウェーハの乾燥方法とし
て、イソプロピルアルコール（ＩＰＡ）を用いるＩＰＡ
ドライヤが使用されてきた。このＩＰＡドライヤは、遠
心分離式の乾燥装置であるスピンドライヤに比べ、半導
体ウェーハにダメージを与えにくいうえ、半導体ウェー
ハの表面をよりクリーンにすることができるからであ
る。
て、イソプロピルアルコール（ＩＰＡ）を用いるＩＰＡ
ドライヤが使用されてきた。このＩＰＡドライヤは、遠
心分離式の乾燥装置であるスピンドライヤに比べ、半導
体ウェーハにダメージを与えにくいうえ、半導体ウェー
ハの表面をよりクリーンにすることができるからであ
る。
【０００３】図３は、典型的なＩＰＡドライヤの概要を
示した図である。ＩＰＡドライヤ１００はシャッタ２０
１，２０２で隔離することによって、乾燥工程が円滑に
行われるようにする。例えば、ウェットエッチングを施
した後に洗浄した半導体ウェーハ１０は、自動アーム２
０によってＩＰＡドライヤ１００に運ばれ、乾燥され
る。
示した図である。ＩＰＡドライヤ１００はシャッタ２０
１，２０２で隔離することによって、乾燥工程が円滑に
行われるようにする。例えば、ウェットエッチングを施
した後に洗浄した半導体ウェーハ１０は、自動アーム２
０によってＩＰＡドライヤ１００に運ばれ、乾燥され
る。
【０００４】イソプロピルアルコールＬ1 は加熱板１４
によって沸点に達するまで加熱されることにより、ＩＰ
Ａドライヤ１００の中でイソプロピルアルコールＬ1 の
蒸気が生成される。半導体ウェーハ１０はホルダ１１０
によって支えられ、ＩＰＡドライヤ１００の内壁に設置
された凝縮器である冷却用コイル１３０に周囲を囲まれ
ている。イソプロピルアルコールの蒸気Ｌ2 は、冷却用
コイル１３０の高さまで上昇すると半導体ウェーハ１０
上に凝縮し、半導体ウェーハ１０上の汚染物質を取り除
く。そして、汚染物質を含有したイソプロピルアルコー
ルの凝縮体は、半導体ウェーハ１０から落下して、ＩＰ
Ａドライヤ１００の底部に設置された回収トレイ１２０
に回収され、排出口１２１から排出される。
によって沸点に達するまで加熱されることにより、ＩＰ
Ａドライヤ１００の中でイソプロピルアルコールＬ1 の
蒸気が生成される。半導体ウェーハ１０はホルダ１１０
によって支えられ、ＩＰＡドライヤ１００の内壁に設置
された凝縮器である冷却用コイル１３０に周囲を囲まれ
ている。イソプロピルアルコールの蒸気Ｌ2 は、冷却用
コイル１３０の高さまで上昇すると半導体ウェーハ１０
上に凝縮し、半導体ウェーハ１０上の汚染物質を取り除
く。そして、汚染物質を含有したイソプロピルアルコー
ルの凝縮体は、半導体ウェーハ１０から落下して、ＩＰ
Ａドライヤ１００の底部に設置された回収トレイ１２０
に回収され、排出口１２１から排出される。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、もし、
乾燥される前の半導体ウェーハ１０上に、洗浄の段階で
生じた水滴Ｗが残留している場合には、乾燥後の半導体
ウェーハ１０の表面に水の跡（water marks ）が形成さ
れてしまう。
乾燥される前の半導体ウェーハ１０上に、洗浄の段階で
生じた水滴Ｗが残留している場合には、乾燥後の半導体
ウェーハ１０の表面に水の跡（water marks ）が形成さ
れてしまう。
【０００６】以上の問題点に鑑み、本発明は、乾燥後の
半導体ウェーハ上に水の跡が形成されない半導体ウェー
ハの乾燥方法及び乾燥装置を提供することを目的とする
ものである。
半導体ウェーハ上に水の跡が形成されない半導体ウェー
ハの乾燥方法及び乾燥装置を提供することを目的とする
ものである。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明による半導体ウェ
ーハの乾燥方法は、ＩＰＡドライヤで乾燥させる前の工
程で半導体ウェーハを液体に浸漬することによって、本
目的を達成するものである。該工程では、水よりも揮発
性に富み、かつ水と混和できる液体が使用される。ま
た、水よりも揮発性に富み、かつ水と混和できる第１の
液体に半導体ウェーハを浸漬し、そして、水よりも揮発
性に富み、かつ水と混和できる第２の液体を使用して半
導体ウェーハを乾燥させることを特徴とする。乾燥工程
は、第２の液体を蒸発させ、蒸気となった第２の液体を
半導体ウェーハ上に凝縮させるという２段階から成る。
ーハの乾燥方法は、ＩＰＡドライヤで乾燥させる前の工
程で半導体ウェーハを液体に浸漬することによって、本
目的を達成するものである。該工程では、水よりも揮発
性に富み、かつ水と混和できる液体が使用される。ま
た、水よりも揮発性に富み、かつ水と混和できる第１の
液体に半導体ウェーハを浸漬し、そして、水よりも揮発
性に富み、かつ水と混和できる第２の液体を使用して半
導体ウェーハを乾燥させることを特徴とする。乾燥工程
は、第２の液体を蒸発させ、蒸気となった第２の液体を
半導体ウェーハ上に凝縮させるという２段階から成る。
【０００８】本発明による半導体ウェーハの乾燥装置
は、水よりも揮発性に富み、かつ水と混和できる第１の
液体に半導体ウェーハを浸漬させる部位と、水よりも揮
発性に富み、かつ水と混和できる第２の液体を使用し
て、前記第１の液体に浸漬した後の前記半導体ウェーハ
を乾燥させる部位と、から成ることを特徴とする。後者
は、さらに、第２の液体を気化する蒸発器と、気化され
た第２の液体を半導体ウェーハ上に凝縮させる凝縮器と
から成る。
は、水よりも揮発性に富み、かつ水と混和できる第１の
液体に半導体ウェーハを浸漬させる部位と、水よりも揮
発性に富み、かつ水と混和できる第２の液体を使用し
て、前記第１の液体に浸漬した後の前記半導体ウェーハ
を乾燥させる部位と、から成ることを特徴とする。後者
は、さらに、第２の液体を気化する蒸発器と、気化され
た第２の液体を半導体ウェーハ上に凝縮させる凝縮器と
から成る。
【０００９】本発明で使用される第１の液体及び第２の
液体は、イソプロピルアルコール、アセトン、又はエタ
ノールである。
液体は、イソプロピルアルコール、アセトン、又はエタ
ノールである。
【００１０】
【発明の実施の形態】本発明の半導体ウェーハの乾燥方
法及び乾燥装置の特徴及び長所をさらに判り易く説明す
るため、以下に好ましい実施の形態を挙げる。但し、以
下の実施の形態は、本発明を限定するものではない。
尚、従来技術と同一部材には同一符号を付し、詳細な説
明を省略する。
法及び乾燥装置の特徴及び長所をさらに判り易く説明す
るため、以下に好ましい実施の形態を挙げる。但し、以
下の実施の形態は、本発明を限定するものではない。
尚、従来技術と同一部材には同一符号を付し、詳細な説
明を省略する。
【００１１】図１は、本発明の好ましい実施の形態によ
る半導体ウェーハの乾燥装置の概要図である。この半導
体ウェーハの乾燥装置では、ＩＰＡドライヤ３００が使
用されており、半導体ウェーハ３０を浸漬するための第
１の液体Ｌ1 が満たされた部位５０が追加されている。
該部位５０は、シャッタ２００とＩＰＡドライヤ３００
のシャッタ２０１とによって隔離されている。自動アー
ム２０は、ウェットエッチングを施され洗浄された後の
半導体ウェーハ３０を部位５０に運び、第１の液体Ｌ1
に浸漬した後に、さらにＩＰＡドライヤ３００まで運ぶ
ためのものである。
る半導体ウェーハの乾燥装置の概要図である。この半導
体ウェーハの乾燥装置では、ＩＰＡドライヤ３００が使
用されており、半導体ウェーハ３０を浸漬するための第
１の液体Ｌ1 が満たされた部位５０が追加されている。
該部位５０は、シャッタ２００とＩＰＡドライヤ３００
のシャッタ２０１とによって隔離されている。自動アー
ム２０は、ウェットエッチングを施され洗浄された後の
半導体ウェーハ３０を部位５０に運び、第１の液体Ｌ1
に浸漬した後に、さらにＩＰＡドライヤ３００まで運ぶ
ためのものである。
【００１２】本発明の実施の形態で使用されているＩＰ
Ａドライヤ３００の構造及び機能は、図３のＩＰＡドラ
イヤ３００と同様である。このＩＰＡドライヤ３００の
上部には、第１の液体Ｌ１に浸漬された後の半導体ウェ
ーハ３０を支えるためのホルダ３１０が提供されてい
る。このホルダ３１０は、ＩＰＡドライヤ３００の内壁
に設置されている冷却用コイル３３０に周囲を囲まれて
いる。ＩＰＡドライヤ３００の底部には、加熱板３４が
設置され、第２の液体Ｌ2 であるイソプロピルアルコー
ルを沸点まで加熱して、イソプロピルアルコールの蒸気
Ｌ3 を生成する。イソプロピルアルコールの蒸気Ｌ
3 は、冷却用コイル３３０の高さまで上昇すると半導体
ウェーハ３０上に凝縮し、汚染物質を除去する。汚染物
質を含んだイソプロピルアルコールの凝縮体は、半導体
ウェーハ３０から落下し、ＩＰＡドライヤ３００の底部
に設置された回収トレイ３２０に集められ、排出口３２
１から排出される。
Ａドライヤ３００の構造及び機能は、図３のＩＰＡドラ
イヤ３００と同様である。このＩＰＡドライヤ３００の
上部には、第１の液体Ｌ１に浸漬された後の半導体ウェ
ーハ３０を支えるためのホルダ３１０が提供されてい
る。このホルダ３１０は、ＩＰＡドライヤ３００の内壁
に設置されている冷却用コイル３３０に周囲を囲まれて
いる。ＩＰＡドライヤ３００の底部には、加熱板３４が
設置され、第２の液体Ｌ2 であるイソプロピルアルコー
ルを沸点まで加熱して、イソプロピルアルコールの蒸気
Ｌ3 を生成する。イソプロピルアルコールの蒸気Ｌ
3 は、冷却用コイル３３０の高さまで上昇すると半導体
ウェーハ３０上に凝縮し、汚染物質を除去する。汚染物
質を含んだイソプロピルアルコールの凝縮体は、半導体
ウェーハ３０から落下し、ＩＰＡドライヤ３００の底部
に設置された回収トレイ３２０に集められ、排出口３２
１から排出される。
【００１３】図２は、本発明による半導体ウェーハの乾
燥方法を示すもので、（ａ）エッチング工程で洗浄され
た半導体ウェーハ３０を、水よりも揮発性に富み、かつ
水と混和できる第１の液体Ｌ1 に浸漬し（ステップＳ
１）、（ｂ）水よりも揮発性に富み、かつ水と混和でき
る第２の液体Ｌ2 をＩＰＡドライヤ（乾燥器）３００の
中で蒸発させ（ステップＳ２）、（ｃ）第１の液体Ｌ1
に浸漬後の前記半導体ウェーハ３０の表面に、蒸気Ｌ3
となった第２の液体Ｌ2 を凝縮させる（ステップＳ
３）、という工程から成る。
燥方法を示すもので、（ａ）エッチング工程で洗浄され
た半導体ウェーハ３０を、水よりも揮発性に富み、かつ
水と混和できる第１の液体Ｌ1 に浸漬し（ステップＳ
１）、（ｂ）水よりも揮発性に富み、かつ水と混和でき
る第２の液体Ｌ2 をＩＰＡドライヤ（乾燥器）３００の
中で蒸発させ（ステップＳ２）、（ｃ）第１の液体Ｌ1
に浸漬後の前記半導体ウェーハ３０の表面に、蒸気Ｌ3
となった第２の液体Ｌ2 を凝縮させる（ステップＳ
３）、という工程から成る。
【００１４】第１の液体Ｌ1 は、イソプロピルアルコー
ル、アセトン、又はエタノールに成り得る。アセトンや
エタノールに比べて水と混和し易いイソプロピルアルコ
ールが好ましい。
ル、アセトン、又はエタノールに成り得る。アセトンや
エタノールに比べて水と混和し易いイソプロピルアルコ
ールが好ましい。
【００１５】本発明では、半導体ウェーハ３０を、室温
で２００〜４００秒間、第１の液体Ｌ1 に浸漬するが、
できれば２８０〜３２０秒間が好ましい。半導体ウェー
ハ３０が酸化されるのを防ぐため、できれば、不活性の
環境下で浸漬するのが好ましく、例えば窒素などを使用
すると良い。第１の液体Ｌ1 は、半導体ウェーハ３０に
残留した水分と混和するため、第１の液体Ｌ1 に浸漬し
てから引き上げた半導体ウェーハ３０上には、水と第１
の液体Ｌ1 との混合物が残留している。
で２００〜４００秒間、第１の液体Ｌ1 に浸漬するが、
できれば２８０〜３２０秒間が好ましい。半導体ウェー
ハ３０が酸化されるのを防ぐため、できれば、不活性の
環境下で浸漬するのが好ましく、例えば窒素などを使用
すると良い。第１の液体Ｌ1 は、半導体ウェーハ３０に
残留した水分と混和するため、第１の液体Ｌ1 に浸漬し
てから引き上げた半導体ウェーハ３０上には、水と第１
の液体Ｌ1 との混合物が残留している。
【００１６】第１の液体Ｌ１に浸漬された半導体ウェー
ハ３０は、続いて、ＩＰＡドライヤ３００に運ばれ、蒸
気Ｌ3 となった第２の液体Ｌ2 が半導体ウェーハ３０上
に凝縮する。半導体ウェーハ３０は、ＩＰＡドライヤ３
００内で２００〜４００秒間保持されるが、できれば、
２８０〜３２０秒間が好ましい。第２の液体Ｌ2 は、イ
ソプロピルアルコール、アセトン、又はエタノールに成
り得るが、できれば、イソプロピルアルコールが好まし
い。また、第１の液体Ｌ1 及び第２の液体Ｌ2は、同種
の液体を使用するのが好ましい。
ハ３０は、続いて、ＩＰＡドライヤ３００に運ばれ、蒸
気Ｌ3 となった第２の液体Ｌ2 が半導体ウェーハ３０上
に凝縮する。半導体ウェーハ３０は、ＩＰＡドライヤ３
００内で２００〜４００秒間保持されるが、できれば、
２８０〜３２０秒間が好ましい。第２の液体Ｌ2 は、イ
ソプロピルアルコール、アセトン、又はエタノールに成
り得るが、できれば、イソプロピルアルコールが好まし
い。また、第１の液体Ｌ1 及び第２の液体Ｌ2は、同種
の液体を使用するのが好ましい。
【００１７】半導体ウェーハ３０上の汚染物質は、第２
の液体Ｌ2 の凝縮体と前記の混合物とが、第２の液体Ｌ
2 の蒸気Ｌ3 と共に蒸発することによって取り除かれ
る。第２の液体Ｌ2 も第１の液体Ｌ1 と同様に、水より
も揮発性に富んでおり、また、半導体ウェーハ３０上に
残留していた水滴Ｗは、水と第１の液体Ｌ1 との混合物
になるため、半導体ウェーハ３０上に水の跡は形成され
ない。
の液体Ｌ2 の凝縮体と前記の混合物とが、第２の液体Ｌ
2 の蒸気Ｌ3 と共に蒸発することによって取り除かれ
る。第２の液体Ｌ2 も第１の液体Ｌ1 と同様に、水より
も揮発性に富んでおり、また、半導体ウェーハ３０上に
残留していた水滴Ｗは、水と第１の液体Ｌ1 との混合物
になるため、半導体ウェーハ３０上に水の跡は形成され
ない。
【００１８】
【発明の効果】以上述べたように、本発明によると、半
導体ウェーハに残留している水滴は、半導体ウェーハが
第１の液体に浸漬された後には水と第１の液体との混合
物となり、該混合物は、第２の液体が凝縮した際に第２
の液体と共に完全に蒸発するため、乾燥後の半導体ウェ
ーハには水の跡が形成されない。
導体ウェーハに残留している水滴は、半導体ウェーハが
第１の液体に浸漬された後には水と第１の液体との混合
物となり、該混合物は、第２の液体が凝縮した際に第２
の液体と共に完全に蒸発するため、乾燥後の半導体ウェ
ーハには水の跡が形成されない。
【図１】本発明の半導体ウェーハの乾燥装置の概要図で
ある。
ある。
【図２】本発明の半導体ウェーハの乾燥方法における工
程のフローチャートである。
程のフローチャートである。
【図３】従来のＩＰＡドライヤの概要図である。
２０ 自動アーム ３０ 半導体ウェーハ ２００，２０１，２０２ シャッタ ３００ ＩＰＡドライヤ ３１０ ホルダ ３２０ 回収トレイ ３２１ 排出口 ３３０ 冷却用コイル Ｌ1 第１の液体 Ｌ2 第２の液体 Ｌ3 蒸気 Ｗ 水滴
Claims (18)
- 【請求項１】 半導体ウェーハを、水よりも揮発性に富
み、かつ水と混和できる第１の液体に浸漬する工程と、 水よりも揮発性に富み、かつ水と混和できる第２の液体
を乾燥器の中で蒸発させる工程と、 前記第２の液体の蒸気を前記乾燥器の中で前記半導体ウ
ェーハ上に凝縮させる工程と、から成ることを特徴とす
る半導体ウェーハの乾燥方法。 - 【請求項２】 前記第１の液体が、イソプロピルアルコ
ール、アセトン、エタノールから成るグループから選択
されたものであることを特徴とする請求項１記載の半導
体ウェーハの乾燥方法。 - 【請求項３】 前記第２の液体が、イソプロピルアルコ
ール、アセトン、エタノールから成るグループから選択
されたものであることを特徴とする請求項１記載の半導
体ウェーハの乾燥方法。 - 【請求項４】 第１の液体がイソプロピルアルコールで
あることを特徴とする請求項２記載の半導体ウェーハの
乾燥方法。 - 【請求項５】 第２の液体がイソプロピルアルコールで
あることを特徴とする請求項３記載の半導体ウェーハの
乾燥方法。 - 【請求項６】 前記半導体ウェーハが前記第１の液体に
２００〜４００秒間浸漬されることを特徴とする請求項
１記載の半導体ウェーハの乾燥方法。 - 【請求項７】 前記半導体ウェーハが前記第１の液体に
２８０〜３２０秒間浸漬されることを特徴とする請求項
６記載の半導体ウェーハの乾燥方法。 - 【請求項８】 前記半導体ウェーハを室温下で浸漬する
ことを特徴とする請求項１記載の半導体ウェーハの乾燥
方法。 - 【請求項９】 前記半導体ウェーハが乾燥器の中で２０
０〜４００秒間保持されることを特徴とする請求項１記
載の半導体ウェーハの乾燥方法。 - 【請求項１０】 前記半導体ウェーハが乾燥器の中で２
８０〜３２０秒間保持されることを特徴とする請求項９
記載の半導体ウェーハの乾燥方法。 - 【請求項１１】 水よりも揮発性に富み、かつ水と混和
できる第１の液体に半導体ウェーハを浸漬させる部位
と、 水よりも揮発性に富み、かつ水と混和できる第２の液体
を蒸発させる蒸発器と、前記第１の液体に浸漬後の前記
半導体ウェーハ上に前記第２の液体の蒸気を凝縮させる
凝縮器とから成る、前記第１の液体に浸漬された前記半
導体ウェーハを乾燥させる部位と、 から成ることを特徴とする半導体ウェーハの乾燥装置。 - 【請求項１２】 前記第１の液体が、イソプロピルアル
コール、アセトン、エタノールから成るグループから選
択されたものであることを特徴とする請求項１１記載の
半導体ウェーハの乾燥装置。 - 【請求項１３】 前記第２の液体が、イソプロピルアル
コール、アセトン、エタノールから成るグループから選
択されたものであることを特徴とする請求項１１記載の
半導体ウェーハの乾燥装置。 - 【請求項１４】 第１の液体がイソプロピルアルコール
であることを特徴とする請求項１１記載の半導体ウェー
ハの乾燥装置。 - 【請求項１５】 第２の液体がイソプロピルアルコール
であることを特徴とする請求項１１記載の半導体ウェー
ハの乾燥装置。 - 【請求項１６】 前記半導体ウェーハを支持するホルダ
を備え、該ホルダが前記蒸発器の上方に設置されること
を特徴とする請求項１１記載の半導体ウェーハの乾燥装
置。 - 【請求項１７】 前記半導体ウェーハの周囲に前記凝縮
器が設置され、該凝縮器が冷却用コイルであることを特
徴とする請求項１１記載の半導体ウェーハの乾燥装置。 - 【請求項１８】 前記第１の液体に浸漬後の半導体ウェ
ーハを前記ホルダまで運ぶ自動アームを備えることを特
徴とする請求項１１記載の半導体ウェーハの乾燥装置。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| TW86117081 | 1997-11-15 | ||
| TW86117081 | 1997-11-15 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11176797A true JPH11176797A (ja) | 1999-07-02 |
Family
ID=21627242
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10089655A Pending JPH11176797A (ja) | 1997-11-15 | 1998-04-02 | 半導体ウェーハの乾燥方法及び乾燥装置 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US6055743A (ja) |
| JP (1) | JPH11176797A (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6289605B1 (en) * | 2000-02-18 | 2001-09-18 | Macronix International Co. Ltd. | Method for drying a semiconductor wafer |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4090307A (en) * | 1975-10-25 | 1978-05-23 | Schoeller & Co. | Method for removing water from workpieces and apparatus therefor |
| JP3003016B2 (ja) * | 1992-12-25 | 2000-01-24 | 東京エレクトロン株式会社 | 処理装置及び処理方法 |
-
1998
- 1998-01-20 US US09/009,158 patent/US6055743A/en not_active Expired - Lifetime
- 1998-04-02 JP JP10089655A patent/JPH11176797A/ja active Pending
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US6055743A (en) | 2000-05-02 |
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