JPH0368330B2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPH0368330B2 JPH0368330B2 JP23456582A JP23456582A JPH0368330B2 JP H0368330 B2 JPH0368330 B2 JP H0368330B2 JP 23456582 A JP23456582 A JP 23456582A JP 23456582 A JP23456582 A JP 23456582A JP H0368330 B2 JPH0368330 B2 JP H0368330B2
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- suction cup
- semiconductor wafer
- pressure sensor
- sample
- adsorption
- Prior art date
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- Expired
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- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 23
- 238000001179 sorption measurement Methods 0.000 claims description 12
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 19
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
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- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01L—MEASURING FORCE, STRESS, TORQUE, WORK, MECHANICAL POWER, MECHANICAL EFFICIENCY, OR FLUID PRESSURE
- G01L5/00—Apparatus for, or methods of, measuring force, work, mechanical power, or torque, specially adapted for specific purposes
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01L—MEASURING FORCE, STRESS, TORQUE, WORK, MECHANICAL POWER, MECHANICAL EFFICIENCY, OR FLUID PRESSURE
- G01L5/00—Apparatus for, or methods of, measuring force, work, mechanical power, or torque, specially adapted for specific purposes
- G01L5/0061—Force sensors associated with industrial machines or actuators
- G01L5/0076—Force sensors associated with manufacturing machines
- G01L5/009—Force sensors associated with material gripping devices
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Force Measurement Appropriate To Specific Purposes (AREA)
- Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の技術分野〕
本発明は半導体ウエハの吸着度測定装置に関す
る。
る。
EB描画装置などを使用して半導体ウエハに直
接描画するに際しては、テーブルホルダ上の吸着
盤に半導体ウエハを確実に固定しなければならな
い。
接描画するに際しては、テーブルホルダ上の吸着
盤に半導体ウエハを確実に固定しなければならな
い。
その固定手段として、機械的チヤツク、真空チ
ヤツク、静電チヤツクが知られている。
ヤツク、静電チヤツクが知られている。
静電チヤツクにおいては、半導体ウエハの吸着
力を知る方法として、印加電圧の値から、次式を
使用して逆算するか、または概略値として半導体
ウエハに流れるリーク電流を測定する方法が用い
られていた。
力を知る方法として、印加電圧の値から、次式を
使用して逆算するか、または概略値として半導体
ウエハに流れるリーク電流を測定する方法が用い
られていた。
吸着力Ｆ＝Ａ（Va−Vb）2／8πD2・εB〔Kg〕
〔εB：半導体ウエハとチヤツクとの間における絶
縁層の比誘電率、 Va：半導体ウエハ上の電位 Vb：チヤツク上の電位 Ａ：チヤツク上の面積 Ｄ：チヤツクの電極と半導体ウエハとの間の距
離 しかしながら、周知のように半導体ウエハは
“そり”があるので、印加電圧値だけではどの程
度の力で半導体ウエハ全面が固定されているのか
が不明である。また、半導体ウエハに流れるリー
ク電流は、nAオーダであるから、これは電極を
支える絶縁物に流れるリーク電流の値とほとんど
変わらない。従つて半導体ウエハに流れるリーク
電流から半導体ウエハの吸着力を測定することは
困難である。
縁層の比誘電率、 Va：半導体ウエハ上の電位 Vb：チヤツク上の電位 Ａ：チヤツク上の面積 Ｄ：チヤツクの電極と半導体ウエハとの間の距
離 しかしながら、周知のように半導体ウエハは
“そり”があるので、印加電圧値だけではどの程
度の力で半導体ウエハ全面が固定されているのか
が不明である。また、半導体ウエハに流れるリー
ク電流は、nAオーダであるから、これは電極を
支える絶縁物に流れるリーク電流の値とほとんど
変わらない。従つて半導体ウエハに流れるリーク
電流から半導体ウエハの吸着力を測定することは
困難である。
本発明は上記事情に基づいてなされたもので、
半導体ウエハがどの程度の力で、チヤツク面（吸
着盤上）に吸着固定されているかを定量的に測定
することができる半導体ウエハの吸着度測定装置
を得ることを目的としている。
半導体ウエハがどの程度の力で、チヤツク面（吸
着盤上）に吸着固定されているかを定量的に測定
することができる半導体ウエハの吸着度測定装置
を得ることを目的としている。
〔発明の概要）
本発明においては、テーブルホルダ上の吸着盤
の少なくとも１箇所に、その上面上に吸着される
半導体ウエハによつて相対的に押されるように圧
力センサを埋設し、この圧力センサの出力信号に
基づいて半導体ウエハの吸着度を知るようにする
ことによつて、前記目的を達成している。
の少なくとも１箇所に、その上面上に吸着される
半導体ウエハによつて相対的に押されるように圧
力センサを埋設し、この圧力センサの出力信号に
基づいて半導体ウエハの吸着度を知るようにする
ことによつて、前記目的を達成している。
第１図はこの発明の一実施例を示す断面図であ
る。図中１はテーブルホルダであり、実際描画の
場合はこのテーブルホルタ１がＸ、Ｙ軸平面上を
移動する。２は全面にアルミナ等の絶縁被膜を施
こした吸着盤であり、この吸着盤２はテーブルホ
ルダ１上に固定用板バネ１３によつて取付けられ
ている。３は吸着盤２上面に吸着されるシリコン
ウエハなどの試料である。４及び５は、それぞれ
吸着盤２および試料３に電気的接続した電極であ
る。これら電極４，５に、電源６から高電圧を印
加し、吸着翻２と試料３との間に静電力を発生さ
せることによつて、試料３は吸着盤２上面上に吸
着固定される。
る。図中１はテーブルホルダであり、実際描画の
場合はこのテーブルホルタ１がＸ、Ｙ軸平面上を
移動する。２は全面にアルミナ等の絶縁被膜を施
こした吸着盤であり、この吸着盤２はテーブルホ
ルダ１上に固定用板バネ１３によつて取付けられ
ている。３は吸着盤２上面に吸着されるシリコン
ウエハなどの試料である。４及び５は、それぞれ
吸着盤２および試料３に電気的接続した電極であ
る。これら電極４，５に、電源６から高電圧を印
加し、吸着翻２と試料３との間に静電力を発生さ
せることによつて、試料３は吸着盤２上面上に吸
着固定される。
吸着盤２には、上下に貫通した孔２ａが形成さ
れており、この孔２ａ中に半導体圧力センサ７が
挿入されている。圧力センサ７の出力信号は、吸
着度を測定して得た値を演算するための演算器８
に入力される。
れており、この孔２ａ中に半導体圧力センサ７が
挿入されている。圧力センサ７の出力信号は、吸
着度を測定して得た値を演算するための演算器８
に入力される。
９はテーブルホルダ１上に置かれたスプリング
であり、このスプリング９上には圧力センサ７が
載置されている。スプリング９は、圧力センサ７
の上端面が、吸着盤２の上面上より若干（0.1〜
0.2mm程度）突出するようにその高さが選定され
ている。
であり、このスプリング９上には圧力センサ７が
載置されている。スプリング９は、圧力センサ７
の上端面が、吸着盤２の上面上より若干（0.1〜
0.2mm程度）突出するようにその高さが選定され
ている。
以上のようにこの実施例は構成されているので
吸着盤２と試料３とに高電圧を印加して吸着盤２
に試料３を吸着させると、試料３が圧力センサ７
を下方に押し付ける。このため圧力センサ７はこ
の押付力を受けて、スプリング９の弾力に抗して
沈み、試料３は吸着盤２上面に吸着固定される。
一方、このときの圧力センサ７の出力信号の値を
演算器８において測定することによつて、試料３
の吸着度が定量的に得られる。スプリング９のバ
テ定数を変えることによつて、圧力センサ７の検
出感度を調節することができる。
吸着盤２と試料３とに高電圧を印加して吸着盤２
に試料３を吸着させると、試料３が圧力センサ７
を下方に押し付ける。このため圧力センサ７はこ
の押付力を受けて、スプリング９の弾力に抗して
沈み、試料３は吸着盤２上面に吸着固定される。
一方、このときの圧力センサ７の出力信号の値を
演算器８において測定することによつて、試料３
の吸着度が定量的に得られる。スプリング９のバ
テ定数を変えることによつて、圧力センサ７の検
出感度を調節することができる。
なお、第２図に平面図で示すように、吸着盤の
数ケ所に、圧力センサ７を設けることによつて、
吸着盤２の全体における試料３の密着度を知るこ
とができる。また、圧力センサ７をスプリング９
の代りに適当な昇降機構上に載置し、吸着盤２上
に試料３を吸着した後、圧力センサ７を、昇降機
構によつて、試料３の下面に押し上げて、測定ダ
イナミツクレンジを広げ吸着度を測定することも
できる。さらに、上述のような静電チヤツク構造
以外に機械的チヤツク、真空チヤツクにも本発明
は適用可能である。
数ケ所に、圧力センサ７を設けることによつて、
吸着盤２の全体における試料３の密着度を知るこ
とができる。また、圧力センサ７をスプリング９
の代りに適当な昇降機構上に載置し、吸着盤２上
に試料３を吸着した後、圧力センサ７を、昇降機
構によつて、試料３の下面に押し上げて、測定ダ
イナミツクレンジを広げ吸着度を測定することも
できる。さらに、上述のような静電チヤツク構造
以外に機械的チヤツク、真空チヤツクにも本発明
は適用可能である。
第３図に示すように、圧力センサ７の出力信号
値を、基準電圧設定器１０からの吸着力に換算し
た基準電圧値と、帰還増巾器１１において比較し
この帰還増巾器１１において比較し、この帰還増
巾器１１からの前記両入力の偏差に対応した出力
信号を、高電圧発生装置１２にフイードバツクし
て、前記偏差がなくなるように、電極４，５に高
電圧発生装置１２から印加される高電圧の値を制
御し、もつて、試料３の吸着力を一定にすること
もできる。
値を、基準電圧設定器１０からの吸着力に換算し
た基準電圧値と、帰還増巾器１１において比較し
この帰還増巾器１１において比較し、この帰還増
巾器１１からの前記両入力の偏差に対応した出力
信号を、高電圧発生装置１２にフイードバツクし
て、前記偏差がなくなるように、電極４，５に高
電圧発生装置１２から印加される高電圧の値を制
御し、もつて、試料３の吸着力を一定にすること
もできる。
以上説明したように、本発明によれば、半導体
ウエハの吸着度を極めて確実に定量的に測定する
ことができる。
ウエハの吸着度を極めて確実に定量的に測定する
ことができる。
第１図は本発明一実施例の断面図、第２図は本
発明の他の実施例の一部を示す平面図、第３図は
本発明のさらに他の実施例の断面図である。 １……テーブルホルダ、２……吸着盤、３……
試料、７……半導体圧力センサ、８……演算器。
発明の他の実施例の一部を示す平面図、第３図は
本発明のさらに他の実施例の断面図である。 １……テーブルホルダ、２……吸着盤、３……
試料、７……半導体圧力センサ、８……演算器。
Claims (1)
- １ テーブルホルダ上の吸着盤の少なくとも１箇
所に、その上面上に吸着される半導体ウエハによ
つて相対的に押されるように埋設された圧力セン
サと、前記圧力センサからの信号に基づいて前記
ウエハの吸着度を測定して得た値を演算するため
の演算器とを備えたことを特徴とする半導体ウエ
ハの吸着度測定装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23456582A JPS59122922A (ja) | 1982-12-28 | 1982-12-28 | 半導体ウエハの吸着度測定装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23456582A JPS59122922A (ja) | 1982-12-28 | 1982-12-28 | 半導体ウエハの吸着度測定装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS59122922A JPS59122922A (ja) | 1984-07-16 |
| JPH0368330B2 true JPH0368330B2 (ja) | 1991-10-28 |
Family
ID=16973002
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP23456582A Granted JPS59122922A (ja) | 1982-12-28 | 1982-12-28 | 半導体ウエハの吸着度測定装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS59122922A (ja) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH04206546A (ja) * | 1990-11-30 | 1992-07-28 | Hitachi Ltd | プラズマ処理方法および装置 |
| JP2891160B2 (ja) * | 1995-05-02 | 1999-05-17 | 日新電機株式会社 | 真空処理装置及び該装置により目的処理物を得る方法 |
| KR101362673B1 (ko) * | 2006-11-03 | 2014-02-12 | 엘아이지에이디피 주식회사 | 정전력 측정장치 및 이를 이용한 정전력 측정방법 |
-
1982
- 1982-12-28 JP JP23456582A patent/JPS59122922A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS59122922A (ja) | 1984-07-16 |
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