JPH0369112A - ホットプレートオーブン - Google Patents
ホットプレートオーブンInfo
- Publication number
- JPH0369112A JPH0369112A JP1206469A JP20646989A JPH0369112A JP H0369112 A JPH0369112 A JP H0369112A JP 1206469 A JP1206469 A JP 1206469A JP 20646989 A JP20646989 A JP 20646989A JP H0369112 A JPH0369112 A JP H0369112A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- wafer
- hot plate
- air
- chuck
- bernoulli
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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- Electric Stoves And Ranges (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔概 要〕
ウェーハを非接触状態で保持するウェーハチャックを具
備するホットプレートオーブンに関し、ウェーハのレジ
スト膜形成面を下向きにした状態で、ウェーハを非接触
で保持することが可能なウェーハチャックを具備するホ
ントプレートオーブンの提供を目的とし、 ウェーハをホットプレートによって加熱するホットプレ
ートオーブンであって、エア供給口とエア吸入口とを備
え、前記ウェーハを非接触状態でベルヌーイ吸着面に保
持するウェーハチャックと、前記ウェーハに接近して前
記ウェーハを加熱するホントプレートとを具備するよう
構成する。
備するホットプレートオーブンに関し、ウェーハのレジ
スト膜形成面を下向きにした状態で、ウェーハを非接触
で保持することが可能なウェーハチャックを具備するホ
ントプレートオーブンの提供を目的とし、 ウェーハをホットプレートによって加熱するホットプレ
ートオーブンであって、エア供給口とエア吸入口とを備
え、前記ウェーハを非接触状態でベルヌーイ吸着面に保
持するウェーハチャックと、前記ウェーハに接近して前
記ウェーハを加熱するホントプレートとを具備するよう
構成する。
本発明は、ウェーハを非接触状態で保持するウェーハチ
ャックを具備するホットプレートオーブンに関するもの
である。
ャックを具備するホットプレートオーブンに関するもの
である。
近年の半導体装置の製造工程においては、ウェーハを加
熱するホットプレートオーブンに対しては、ウェーハ面
内の均一な温度分布を得ることができる加熱と塵埃が付
着しないことが要求されている。
熱するホットプレートオーブンに対しては、ウェーハ面
内の均一な温度分布を得ることができる加熱と塵埃が付
着しないことが要求されている。
以上のような状況からウェーハに塵埃を付着させず、ウ
ェーハ面内の均一な温度分布を得ることが可能なホット
プレートオーブンが要望されている。
ェーハ面内の均一な温度分布を得ることが可能なホット
プレートオーブンが要望されている。
従来のホットプレートオーブンを、半導体ウェーへの表
面にレジストを塗布し、このレジストをベーキングする
場合について第2図により詳細に説明する。
面にレジストを塗布し、このレジストをベーキングする
場合について第2図により詳細に説明する。
第2図(a)に示すホットプレートオーブンは直接加熱
型ホットプレートオーブンであり、第2回出)はプロキ
シミティ型ホットプレートオーブンである。
型ホットプレートオーブンであり、第2回出)はプロキ
シミティ型ホットプレートオーブンである。
第2図(a)に示す直接加熱型のホットプレートオーブ
ンにおいては、ヒータ12aを内蔵して加熱されている
ホットプレート12の上部の平坦面12bの上にレジス
ト膜を形成した面を上にしてウェーハ3を搭載し、ウェ
ーハ3と平坦面12bとを密着させて伝導にまりウェー
ハ3を加熱している。
ンにおいては、ヒータ12aを内蔵して加熱されている
ホットプレート12の上部の平坦面12bの上にレジス
ト膜を形成した面を上にしてウェーハ3を搭載し、ウェ
ーハ3と平坦面12bとを密着させて伝導にまりウェー
ハ3を加熱している。
第2図(b)に示すプロキシξティ型ホットプレートオ
ーブンにおいては、ヒータ22aを内蔵して加熱されて
いるホットプレート22の上部の平坦面22bに長さ0
.1〜0.9 msの支持ピン22cを設け、この支持
ビン22cの先端にレジスト膜面I 4を形成した面を
上にしてウェーハ3を搭載し、ホットプレート22の平
坦面22bとウェーハ3との間に0.1〜0 、9 璽
*の間隔を設けて輻射によりウェーハ3を加熱している
。
ーブンにおいては、ヒータ22aを内蔵して加熱されて
いるホットプレート22の上部の平坦面22bに長さ0
.1〜0.9 msの支持ピン22cを設け、この支持
ビン22cの先端にレジスト膜面I 4を形成した面を
上にしてウェーハ3を搭載し、ホットプレート22の平
坦面22bとウェーハ3との間に0.1〜0 、9 璽
*の間隔を設けて輻射によりウェーハ3を加熱している
。
このようなホットプレートオーブンにおいては、何れの
場合においてもレジスト膜を形成した面を上にしてウェ
ーハ3を搭載して加熱している。
場合においてもレジスト膜を形成した面を上にしてウェ
ーハ3を搭載して加熱している。
以上説明した従来のホットプレートオーブンにおいては
、何れの場合においてもレジスト膜形成面を上にしてウ
ェーハをホットプレート上に搭載して加熱しているため
、レジスト膜面に異物が付着するという問題点があり、
更に直接加熱型ホットプレートオーブンにおいては、ウ
ェーハがホットプレートの表面の平坦面に密着している
ため、ホットプレート面上にあった異物がウェーハに付
着するという問題点があった。
、何れの場合においてもレジスト膜形成面を上にしてウ
ェーハをホットプレート上に搭載して加熱しているため
、レジスト膜面に異物が付着するという問題点があり、
更に直接加熱型ホットプレートオーブンにおいては、ウ
ェーハがホットプレートの表面の平坦面に密着している
ため、ホットプレート面上にあった異物がウェーハに付
着するという問題点があった。
本発明は以上のような状況から、ウェーハのレジスト膜
形成面を下向きにした状態で、ウェーハを非接触で保持
することが可能なウェーハチャックを具備するホットプ
レートオーブンの提供を目的としたものである。
形成面を下向きにした状態で、ウェーハを非接触で保持
することが可能なウェーハチャックを具備するホットプ
レートオーブンの提供を目的としたものである。
本発明のホットプレートオーブンは、ウェーハをホット
プレートによって加熱するホットプレートオーブンであ
って、エア供給口とエア吸入口とを備え、このウェーハ
を非接触状態でベルヌーイ吸着面に保持するウェーハチ
ャックと、このウェーハに接近してこのウェーハを加熱
するホットプレートとを具備するよう構成する。
プレートによって加熱するホットプレートオーブンであ
って、エア供給口とエア吸入口とを備え、このウェーハ
を非接触状態でベルヌーイ吸着面に保持するウェーハチ
ャックと、このウェーハに接近してこのウェーハを加熱
するホットプレートとを具備するよう構成する。
即ち本発明においてはウェーハチャックのエア供給口及
びエア吸入口を設けた面を下向きにし、エア供給口から
空気を供給し、エア吸入口から空気を吸入するので、ウ
ェーハチャ・ノクのベルヌーイ吸着面の下を空気が流れ
るため、この部分の気圧が低下する。したがってこのベ
ルヌーイ吸着面の下にレジスト膜形成面を下にしてウエ
ーノ\を接近させると、ウェーハの下部の気圧と、ウェ
ーハとウェーハチャックとの間の気圧との差圧により非
接触状態でウェーハをウェーハチャックに保持すること
が可能となる。
びエア吸入口を設けた面を下向きにし、エア供給口から
空気を供給し、エア吸入口から空気を吸入するので、ウ
ェーハチャ・ノクのベルヌーイ吸着面の下を空気が流れ
るため、この部分の気圧が低下する。したがってこのベ
ルヌーイ吸着面の下にレジスト膜形成面を下にしてウエ
ーノ\を接近させると、ウェーハの下部の気圧と、ウェ
ーハとウェーハチャックとの間の気圧との差圧により非
接触状態でウェーハをウェーハチャックに保持すること
が可能となる。
このようにしてウェーハチャックに保持したウェーハを
ホットプレートに接近させると、ウェーハに形成したレ
ジスト膜に異物を付着させないでウェーハを加熱するこ
とが可能となる。
ホットプレートに接近させると、ウェーハに形成したレ
ジスト膜に異物を付着させないでウェーハを加熱するこ
とが可能となる。
以下第1図により本発明の一実施例を半導体ウェーへの
表面にレジストを塗布し、このレジストをベーキングす
る場合について説明する。
表面にレジストを塗布し、このレジストをベーキングす
る場合について説明する。
第1図は本発明による一実施例を示す側断面図であり、
図示するようにウェーハチャック1には図示しないエア
フィルタにて濾過された清浄な空気を供給するエア供給
口1a及びエア吸入口1bにつながる空気の流路が設け
られており、空気は矢印の方向に流れている。
図示するようにウェーハチャック1には図示しないエア
フィルタにて濾過された清浄な空気を供給するエア供給
口1a及びエア吸入口1bにつながる空気の流路が設け
られており、空気は矢印の方向に流れている。
ウェーハ3に近接するベルヌーイ吸着面1c上でのエア
の供給口とエアの吸入口との距離は2〜31鵬である。
の供給口とエアの吸入口との距離は2〜31鵬である。
レジスト膜4の形成面の反対面でウェーハ3を真空によ
って吸着する搬送チャック5を、ウェーハチャック1の
下面の図示の位置に移動させて、ウェーハ3のレジスト
膜4の形成面の反対面をウェーハチャック1のベルヌー
イ吸着面1cに接近すせると、ウェーハ3の上面とベル
ヌーイ吸着面1cとの間を空気が流れるので、この部分
の気圧が低下する。
って吸着する搬送チャック5を、ウェーハチャック1の
下面の図示の位置に移動させて、ウェーハ3のレジスト
膜4の形成面の反対面をウェーハチャック1のベルヌー
イ吸着面1cに接近すせると、ウェーハ3の上面とベル
ヌーイ吸着面1cとの間を空気が流れるので、この部分
の気圧が低下する。
この部分の気圧とウェーハ3の下部の空気の気圧との差
が大きくなると、ウェーハ3を上方向に押し上げる力が
生じ、ウェーハ3をウェーハチャック1のベルヌーイ吸
着面1cの近傍に保持することが可能となる。このとき
のウェーハ3とベルヌーイ吸着面1cとの間隔は0 、
3 +u以下である。
が大きくなると、ウェーハ3を上方向に押し上げる力が
生じ、ウェーハ3をウェーハチャック1のベルヌーイ吸
着面1cの近傍に保持することが可能となる。このとき
のウェーハ3とベルヌーイ吸着面1cとの間隔は0 、
3 +u以下である。
このようにして保持したウェーハ3を、ヒータ2aを内
蔵して加熱されているホントプレート2との間隔がIN
以下になるように接近させると、ウェーハ3の表面に形
成したレジスト膜4が加熱され、レジスト膜4に異物を
付着させないでレジスト膜4のベーキングを行うことが
可能となる。
蔵して加熱されているホントプレート2との間隔がIN
以下になるように接近させると、ウェーハ3の表面に形
成したレジスト膜4が加熱され、レジスト膜4に異物を
付着させないでレジスト膜4のベーキングを行うことが
可能となる。
以上の説明から明らかなように本発明によれば、ウェー
ハチャックの構造を変更することにより、ベルヌーイの
法則によって、ウェーハのレジスト膜形成面を下面にし
てウェーハを非接触状態で保持することが可能となり、
レジスト膜及びウェーハに異物が付着するのを防止する
ことが可能となり、半導体チップの歩留まりを向上させ
ることが可能となる等の利点があり、著しい経済的及び
、信頼性向上の効果が期待できるホットプレートオーブ
ンの提供が可能である。
ハチャックの構造を変更することにより、ベルヌーイの
法則によって、ウェーハのレジスト膜形成面を下面にし
てウェーハを非接触状態で保持することが可能となり、
レジスト膜及びウェーハに異物が付着するのを防止する
ことが可能となり、半導体チップの歩留まりを向上させ
ることが可能となる等の利点があり、著しい経済的及び
、信頼性向上の効果が期待できるホットプレートオーブ
ンの提供が可能である。
第1図は本発明による一実施例を示す側断面図、第2図
は従来のホントプレートオーブンを示す側断面図、 である。 図において、 lはウェーハチャック、 1aはエア供給口、 lbはエア吸入口、 1cはベルヌーイ吸着面、 2はホットプレート、 2aはヒータ、 3はウェーハ、 4はレジスト膜、 5は搬送チャック、 を示す。 会 本発明による一実施例を示す側断面図 第 19 53−
は従来のホントプレートオーブンを示す側断面図、 である。 図において、 lはウェーハチャック、 1aはエア供給口、 lbはエア吸入口、 1cはベルヌーイ吸着面、 2はホットプレート、 2aはヒータ、 3はウェーハ、 4はレジスト膜、 5は搬送チャック、 を示す。 会 本発明による一実施例を示す側断面図 第 19 53−
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 ウェーハ(3)をホットプレート(2)によって加熱す
るホットプレートオーブンであって、 エア供給口(1a)とエア吸入口(1b)とを備え、前
記ウェーハ(3)を非接触状態でベルヌーイ吸着面(1
c)に保持するウェーハチャック(1)と、前記ウェー
ハ(3)に接近して前記ウェーハ(3)を加熱するホッ
トプレート(2)と、 を具備することを特徴とするホットプレートオーブン。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1206469A JPH0369112A (ja) | 1989-08-08 | 1989-08-08 | ホットプレートオーブン |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1206469A JPH0369112A (ja) | 1989-08-08 | 1989-08-08 | ホットプレートオーブン |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0369112A true JPH0369112A (ja) | 1991-03-25 |
Family
ID=16523892
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1206469A Pending JPH0369112A (ja) | 1989-08-08 | 1989-08-08 | ホットプレートオーブン |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0369112A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6774445B2 (en) | 2000-10-25 | 2004-08-10 | The Nippon Signal Co., Ltd. | Actuator |
| US7384811B2 (en) * | 2003-10-06 | 2008-06-10 | Nitto Denko Corporation | Method of separating semiconductor wafer, and separating apparatus using the same |
-
1989
- 1989-08-08 JP JP1206469A patent/JPH0369112A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6774445B2 (en) | 2000-10-25 | 2004-08-10 | The Nippon Signal Co., Ltd. | Actuator |
| US7384811B2 (en) * | 2003-10-06 | 2008-06-10 | Nitto Denko Corporation | Method of separating semiconductor wafer, and separating apparatus using the same |
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