JPH0369147A - タングステンペースト - Google Patents
タングステンペーストInfo
- Publication number
- JPH0369147A JPH0369147A JP1206265A JP20626589A JPH0369147A JP H0369147 A JPH0369147 A JP H0369147A JP 1206265 A JP1206265 A JP 1206265A JP 20626589 A JP20626589 A JP 20626589A JP H0369147 A JPH0369147 A JP H0369147A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- powder
- tungsten
- organic vehicle
- green sheet
- aln
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims abstract description 30
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 title claims abstract description 17
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- 238000005245 sintering Methods 0.000 abstract description 2
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- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K1/00—Printed circuits
- H05K1/02—Details
- H05K1/09—Use of materials for the conductive, e.g. metallic pattern
- H05K1/092—Dispersed materials, e.g. conductive pastes or inks
Landscapes
- Paints Or Removers (AREA)
- Non-Adjustable Resistors (AREA)
- Die Bonding (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
(産業上の利用分野)
この発明はタングステンペーストに関し、特にAlN基
板の表面をメタライズするために用いられるタングステ
ンペーストに関する。
板の表面をメタライズするために用いられるタングステ
ンペーストに関する。
(従来技術)
半導体デバイスの高密度化、高速化および高出力化に伴
う発熱量の増大に対応するため、これらの半導体デバイ
スを取り付ける基板材料として放熱性に優れたものが要
求されている。放熱性に優れた基板材料としては、従来
よりAIZO:lが使用されてきたが、最近ではAj!
!Nからなる基板が注目されている。
う発熱量の増大に対応するため、これらの半導体デバイ
スを取り付ける基板材料として放熱性に優れたものが要
求されている。放熱性に優れた基板材料としては、従来
よりAIZO:lが使用されてきたが、最近ではAj!
!Nからなる基板が注目されている。
しかしながら、半導体デバイスを実装するためには、基
板表面をメタライズする必要がある。従来1,6/lN
基板表面をメタライズするには、タングステン粉末と有
機ビヒクルとを混合したタングステンペーストをAIN
グリーンシート上に印刷し、坑底する方法が採用されて
いた。
板表面をメタライズする必要がある。従来1,6/lN
基板表面をメタライズするには、タングステン粉末と有
機ビヒクルとを混合したタングステンペーストをAIN
グリーンシート上に印刷し、坑底する方法が採用されて
いた。
(発明が解決しようとする課題)
しかしながら、タングステン粉末と有機ビヒクルとから
なるタングステンペーストを用いた場合、AINと金属
との濡れ性が悪いため、基板とメタライズ層との間に十
分な接合強度を得ることが困難であった。
なるタングステンペーストを用いた場合、AINと金属
との濡れ性が悪いため、基板とメタライズ層との間に十
分な接合強度を得ることが困難であった。
それゆえに、この発明の主たる目的は、AlN基板とメ
タライズ層との間に十分な接合強度を得ることができる
、タングステンペーストを提供することである。
タライズ層との間に十分な接合強度を得ることができる
、タングステンペーストを提供することである。
(課題を解決するための手段)
この発明は、タングステン粉末を含む粉末材料と有機ビ
ヒクルとからなるタングステンペーストであって、粉末
材料は、10〜99重量%のタングステン粉末と、1〜
90重量%のT i N粉末とからなる、タングステン
ペーストである。
ヒクルとからなるタングステンペーストであって、粉末
材料は、10〜99重量%のタングステン粉末と、1〜
90重量%のT i N粉末とからなる、タングステン
ペーストである。
(発明の効果)
この発明によれば、従来のタングステンペーストを用い
た場合に比べて、AI!N基板とメタライズ層との間の
接合強度を大きくすることができる。
た場合に比べて、AI!N基板とメタライズ層との間の
接合強度を大きくすることができる。
したがって、この発明のタングステンペーストを用いる
ことによって、半導体デバイスの高密度化、高速化およ
び高出力化に対応することができる基板を得ることがで
きる。
ことによって、半導体デバイスの高密度化、高速化およ
び高出力化に対応することができる基板を得ることがで
きる。
この発明の上述の目的、その他の目的、特徴および利点
は、以下の実施例の詳細な説明から一層明らかとなろう
。
は、以下の実施例の詳細な説明から一層明らかとなろう
。
(実施例)
まず、焼結助剤としてのY2O3を3重量%添加したA
INグリーンシートを準備した。また、メタライズ用の
タングステンペーストとして、タングステン粉末および
TiN粉末を別表に示す割合で混合し、必要量の有機ビ
ヒクルを加えたものを準備した。
INグリーンシートを準備した。また、メタライズ用の
タングステンペーストとして、タングステン粉末および
TiN粉末を別表に示す割合で混合し、必要量の有機ビ
ヒクルを加えたものを準備した。
次に、AINグリーンシートの表面にタングステンペー
ストを直径3flの円形状に塗布し、乾燥した。そして
、/INグリーンシート中のバインダおよびタングステ
ンペースト中の有機ビヒクルを飛散させるため、脱バイ
ンダ処理を行った。その後、タングステンペーストを塗
布したAfNグリーンシートを窒素雰囲気中において1
850℃で5時間焼成し、メタライズ層を有するAlN
基板を得た。
ストを直径3flの円形状に塗布し、乾燥した。そして
、/INグリーンシート中のバインダおよびタングステ
ンペースト中の有機ビヒクルを飛散させるため、脱バイ
ンダ処理を行った。その後、タングステンペーストを塗
布したAfNグリーンシートを窒素雰囲気中において1
850℃で5時間焼成し、メタライズ層を有するAlN
基板を得た。
このAlN基板上のメタライズ層に電解めっきによって
Ni層を形成した。さらに、NiN0上に直径211I
のワイヤをはんだ付けし、試料を得た。
Ni層を形成した。さらに、NiN0上に直径211I
のワイヤをはんだ付けし、試料を得た。
これらの試料について、ワイヤを引っ張って引張り強度
を測定し、その結果を別表に示した。
を測定し、その結果を別表に示した。
別表の試料番号lかられかるように、TiN粉末含有量
が1重量%未満では、AlN基板とメタライズ層との接
合強度が向上せず、2. 0kg/mm2未満となった
。また、試料番号9かられかるように、TiN粉末含有
量が90重量%を超えると、メタライズ層そのものの強
度が低下し、引張り強度が2.0し7m−未満となった
。
が1重量%未満では、AlN基板とメタライズ層との接
合強度が向上せず、2. 0kg/mm2未満となった
。また、試料番号9かられかるように、TiN粉末含有
量が90重量%を超えると、メタライズ層そのものの強
度が低下し、引張り強度が2.0し7m−未満となった
。
それに対して、この発明のタングステンペーストを用い
た場合、AI!N基板とメタライズ層との間の引張り強
度は4.0kg/mm2以上、となり、接合強度を飛躍
的に高め得ることがわかる。
た場合、AI!N基板とメタライズ層との間の引張り強
度は4.0kg/mm2以上、となり、接合強度を飛躍
的に高め得ることがわかる。
表
*印はこの発明の範囲外
Claims (1)
- タングステン粉末を含む粉末材料と有機ビヒクルとか
らなるタングステンペーストであって、前記粉末材料は
、10〜99重量%のタングステン粉末と、1〜90重
量%のTiN粉末とからなる、タングステンペースト。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1206265A JPH0369147A (ja) | 1989-08-08 | 1989-08-08 | タングステンペースト |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1206265A JPH0369147A (ja) | 1989-08-08 | 1989-08-08 | タングステンペースト |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0369147A true JPH0369147A (ja) | 1991-03-25 |
Family
ID=16520468
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1206265A Pending JPH0369147A (ja) | 1989-08-08 | 1989-08-08 | タングステンペースト |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0369147A (ja) |
-
1989
- 1989-08-08 JP JP1206265A patent/JPH0369147A/ja active Pending
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