JPH0370366B2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPH0370366B2 JPH0370366B2 JP57151134A JP15113482A JPH0370366B2 JP H0370366 B2 JPH0370366 B2 JP H0370366B2 JP 57151134 A JP57151134 A JP 57151134A JP 15113482 A JP15113482 A JP 15113482A JP H0370366 B2 JPH0370366 B2 JP H0370366B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- film
- soft
- silicon dioxide
- ray
- dioxide film
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
- G03F1/22—Masks or mask blanks for imaging by radiation of 100nm or shorter wavelength, e.g. X-ray masks, extreme ultraviolet [EUV] masks; Preparation thereof
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、LSI、超LSIの如き高密度集積回路
の製造の際の軟Ｘ線リソグラフイー工程に使用す
る軟Ｘ線転写用マスクに関する。
の製造の際の軟Ｘ線リソグラフイー工程に使用す
る軟Ｘ線転写用マスクに関する。
従来、軟Ｘ線リソグラフイー用マスクとして
は、支持枠に固定された軟Ｘ線透過性の支持膜上
にAu、Pt等の軟Ｘ線吸収性の画像パターンを形
成したものが用いられて来た。支持枠としては一
般に表面平滑なシリコン又はガラス基板が用いら
れる。そして、軟Ｘ線透過性の支持膜材料として
は、窒化珪素、窒化硼素、硼素等を高濃度ドープ
したシリコン、炭化珪素、チタン箔等の無機材料
の薄膜あるいはポリエチレンテレフタレート、ポ
リイミド、ポリパラキシリレン等の有機材料の高
分子膜が知られている。
は、支持枠に固定された軟Ｘ線透過性の支持膜上
にAu、Pt等の軟Ｘ線吸収性の画像パターンを形
成したものが用いられて来た。支持枠としては一
般に表面平滑なシリコン又はガラス基板が用いら
れる。そして、軟Ｘ線透過性の支持膜材料として
は、窒化珪素、窒化硼素、硼素等を高濃度ドープ
したシリコン、炭化珪素、チタン箔等の無機材料
の薄膜あるいはポリエチレンテレフタレート、ポ
リイミド、ポリパラキシリレン等の有機材料の高
分子膜が知られている。
しかしながら、窒化珪素、窒化硼素等の無機材
料より成る支持膜は、熱的安定性、耐薬品性等の
利点を有するが、軟Ｘ線を透過させるため支持膜
の厚さが数μmと薄く非常にもろく破損し易いと
いう欠点がある。さらに又、窒化珪素、窒化硼素
はリソグラフイー工程に用いられるシリコン・ウ
エーハに比べて熱膨張率が大きいため、これらの
材料よりなる支持膜より構成された軟Ｘ線リソグ
ラフイー用マスクはＸ線露光転写時にパターンの
ピツチずれを生じやすく、特に大面積マスクとし
た場合のピツチずれは著しく大きい。
料より成る支持膜は、熱的安定性、耐薬品性等の
利点を有するが、軟Ｘ線を透過させるため支持膜
の厚さが数μmと薄く非常にもろく破損し易いと
いう欠点がある。さらに又、窒化珪素、窒化硼素
はリソグラフイー工程に用いられるシリコン・ウ
エーハに比べて熱膨張率が大きいため、これらの
材料よりなる支持膜より構成された軟Ｘ線リソグ
ラフイー用マスクはＸ線露光転写時にパターンの
ピツチずれを生じやすく、特に大面積マスクとし
た場合のピツチずれは著しく大きい。
二酸化珪素SiO2は熱膨張率が非常に小さく
（0.5X10-6／deg）、マスクに適した材料である
が、二酸化珪素膜単独では膜自身が圧縮応力を有
するために、二酸化珪素だけで支持膜が構成され
る軟Ｘ線マスクは支持膜にたわみを生じてしま
い、大面積マスクを得ることができない。
（0.5X10-6／deg）、マスクに適した材料である
が、二酸化珪素膜単独では膜自身が圧縮応力を有
するために、二酸化珪素だけで支持膜が構成され
る軟Ｘ線マスクは支持膜にたわみを生じてしま
い、大面積マスクを得ることができない。
一方、ポリエチレンテレフタレート、ポリイミ
ド等の高分子フイルムは比較的強く、可視光に対
し透明であるという利点を有するが、経時変化
や、耐薬品性が低く、且つ熱及び湿度の影響を受
けやすいという欠点がある。
ド等の高分子フイルムは比較的強く、可視光に対
し透明であるという利点を有するが、経時変化
や、耐薬品性が低く、且つ熱及び湿度の影響を受
けやすいという欠点がある。
本発明者は上記の如き従来の方法の欠点を解消
し、熱膨張によるマスク変形及びマスクパターン
の寸法変化の少ない、大面積でかつ平面性のよい
軟Ｘ線転写用マスクを開発すべく研究の結果、
Ti層を介して配設されたポリイミド膜と二酸化
珪素膜複合膜により転写パターンの支持体を構成
し、且つ二酸化珪素膜上に石英ガラス製支持枠を
固着することにより、機会的衝撃に対して強く、
大面積にしてもたわみが少なく、且つ熱によるピ
ツチずれの小さい軟Ｘ線転写用マスクを形成し得
るのみならず、支持体の作製を表面平滑なガラス
の基板として行ない、軟Ｘ線転写用マスクを形成
した後、ガラス基板を支持体から剥離除去する方
法により、大面積マスクを簡単に製造することが
できることを見い出し、かかる知見にもとづいて
本発明を完成したものである。
し、熱膨張によるマスク変形及びマスクパターン
の寸法変化の少ない、大面積でかつ平面性のよい
軟Ｘ線転写用マスクを開発すべく研究の結果、
Ti層を介して配設されたポリイミド膜と二酸化
珪素膜複合膜により転写パターンの支持体を構成
し、且つ二酸化珪素膜上に石英ガラス製支持枠を
固着することにより、機会的衝撃に対して強く、
大面積にしてもたわみが少なく、且つ熱によるピ
ツチずれの小さい軟Ｘ線転写用マスクを形成し得
るのみならず、支持体の作製を表面平滑なガラス
の基板として行ない、軟Ｘ線転写用マスクを形成
した後、ガラス基板を支持体から剥離除去する方
法により、大面積マスクを簡単に製造することが
できることを見い出し、かかる知見にもとづいて
本発明を完成したものである。
即ち、本発明の要旨は、Ti層を介して接着さ
れたポリイミド膜と二酸化珪素膜とよりなる支持
体と、前記二酸化珪素膜上に設けられた軟Ｘ線吸
収性パターンと、前記二酸化珪素膜上に固着され
た石英ガラス製支持枠とからなることを特徴とす
る軟Ｘ線転写用マスクである。
れたポリイミド膜と二酸化珪素膜とよりなる支持
体と、前記二酸化珪素膜上に設けられた軟Ｘ線吸
収性パターンと、前記二酸化珪素膜上に固着され
た石英ガラス製支持枠とからなることを特徴とす
る軟Ｘ線転写用マスクである。
以下、本発明につき、図面を参照しながら詳細
に説明する。
に説明する。
第１図ａないしｉは本発明の製造法による軟Ｘ
線転写用マスクの製造過程を示し、第１図ｉは完
成した軟Ｘ線転写用マスクを示す。
線転写用マスクの製造過程を示し、第１図ｉは完
成した軟Ｘ線転写用マスクを示す。
第１図ｉ図示の如く本発明の軟Ｘ線転写用マス
ク１４は、Ti層９を介して接着されたポリイミ
ド膜２と二酸化珪素膜３とよりなる支持体４と、
前記二酸化珪素膜３上に設けられたAU、Pt等の
軟Ｘ線吸収性物質よりなる軟Ｘ線吸収性パターン
５と、前記二酸化珪素膜３上に接着層６を介して
接着された石英ガラス製支持枠７とよりなる。
ク１４は、Ti層９を介して接着されたポリイミ
ド膜２と二酸化珪素膜３とよりなる支持体４と、
前記二酸化珪素膜３上に設けられたAU、Pt等の
軟Ｘ線吸収性物質よりなる軟Ｘ線吸収性パターン
５と、前記二酸化珪素膜３上に接着層６を介して
接着された石英ガラス製支持枠７とよりなる。
而して、本発明においては、軟Ｘ線吸収パター
ンの支持体は引張り応力を有するポリイミド膜２
と圧縮応力を有する二酸化珪素膜３の２層をTi
膜を介して密着させている構成であるので、たわ
みがなく、且つ熱によるピツチずれが小さく、二
酸化珪素膜３とポリイミド膜２間との密着性がよ
い。
ンの支持体は引張り応力を有するポリイミド膜２
と圧縮応力を有する二酸化珪素膜３の２層をTi
膜を介して密着させている構成であるので、たわ
みがなく、且つ熱によるピツチずれが小さく、二
酸化珪素膜３とポリイミド膜２間との密着性がよ
い。
そして本発明においては、軟Ｘ線吸収性パター
ンがＸ線源側に位置するように構成されているた
め、パターンが損傷しにくい。
ンがＸ線源側に位置するように構成されているた
め、パターンが損傷しにくい。
更に本発明において、支持体はポリイミド膜２
と二酸化珪素膜３の２層をTi膜で密着させてい
る構成であるので、Ｘ線露光時に、マスク上の軟
Ｘ線吸収製パターン及び二酸化珪素膜を通過する
Ｘ線によつて発生する光電子及びオージエ電子を
ポリイミド膜によつて吸収することができ、Ｘ線
によるレジストのカブリを少なくし、高解像のレ
ジスト画像を形成し得るものである。
と二酸化珪素膜３の２層をTi膜で密着させてい
る構成であるので、Ｘ線露光時に、マスク上の軟
Ｘ線吸収製パターン及び二酸化珪素膜を通過する
Ｘ線によつて発生する光電子及びオージエ電子を
ポリイミド膜によつて吸収することができ、Ｘ線
によるレジストのカブリを少なくし、高解像のレ
ジスト画像を形成し得るものである。
更に本発明において、二酸化珪素膜上に二酸化
珪素と同程度の熱膨張率を有する石英ガラス製の
支持枠が固着されているため、機械的衝撃に対し
て強く、平面性が良い。
珪素と同程度の熱膨張率を有する石英ガラス製の
支持枠が固着されているため、機械的衝撃に対し
て強く、平面性が良い。
以上のように本発明に係る軟Ｘ線転写用マスク
は、機械的衝撃に対して強く、大面積にしてもた
わみが少なく、且つ熱によるピツチずれが小さい
利点を有するものである。
は、機械的衝撃に対して強く、大面積にしてもた
わみが少なく、且つ熱によるピツチずれが小さい
利点を有するものである。
以下実施例により本発明を説明する。
実施例 １
第１図ａに示す如く、光学研磨された大きさ
4X4インチ、厚さ200μmの薄板ガラス１上にポリ
イミド樹脂溶液をスピンナー塗布し、90℃、250
℃、350℃の温度で順次30分づつ加熱硬化させる
ことにより、厚さ2μmのポリイミド膜２を形成し
た。次に薄板ガラス１とポリイミド膜２との剥離
性をよくするために、紫外光（365nm、10mW／
cm2）を30分間照射した。
4X4インチ、厚さ200μmの薄板ガラス１上にポリ
イミド樹脂溶液をスピンナー塗布し、90℃、250
℃、350℃の温度で順次30分づつ加熱硬化させる
ことにより、厚さ2μmのポリイミド膜２を形成し
た。次に薄板ガラス１とポリイミド膜２との剥離
性をよくするために、紫外光（365nm、10mW／
cm2）を30分間照射した。
次に第１図ｂに示す如く、ポリイミド膜２上に
厚さ20〜50ÅのTI膜９を蒸着により形成した後、
二酸化珪素膜３を石英をターゲツト試料として高
周波スパツタリングにより1μm厚に形成させた。
ここで、Ti膜９は二酸化珪素膜３のポリイミド
膜２への密着性向上のため下引き層として設けた
ものである。
厚さ20〜50ÅのTI膜９を蒸着により形成した後、
二酸化珪素膜３を石英をターゲツト試料として高
周波スパツタリングにより1μm厚に形成させた。
ここで、Ti膜９は二酸化珪素膜３のポリイミド
膜２への密着性向上のため下引き層として設けた
ものである。
次に第１図Ｃに示す如く、二酸化珪素膜３上に
Ti膜１０を蒸着により厚さ0.02μm付着後、直ち
にAu膜１１を0.6μm厚に蒸着した。ここで、Ti
膜１０はAu膜１１の二酸化珪素膜３への密着性
向上のため設けられたものである。
Ti膜１０を蒸着により厚さ0.02μm付着後、直ち
にAu膜１１を0.6μm厚に蒸着した。ここで、Ti
膜１０はAu膜１１の二酸化珪素膜３への密着性
向上のため設けられたものである。
次に第１図ｄ図示の如く、Au膜１１上に電子
線ポジレジストPMMAを0.5μm厚に塗布し、電
子線露光し、所定の現像液で現像することにより
1μmのラインとスペースを有する電子線レジスト
パターン１２を形成した。
線ポジレジストPMMAを0.5μm厚に塗布し、電
子線露光し、所定の現像液で現像することにより
1μmのラインとスペースを有する電子線レジスト
パターン１２を形成した。
次に第１図ｅに示す如く、電子線レジストパタ
ーン１２で被膜されていない部分にTi膜１３を
0.2μm蒸着し、次いで第１図ｆに示す如く、電子
線レジストパターン１２をアセトンにより除去す
ることによりTiのリフトオフパターン１３を形
成した。
ーン１２で被膜されていない部分にTi膜１３を
0.2μm蒸着し、次いで第１図ｆに示す如く、電子
線レジストパターン１２をアセトンにより除去す
ることによりTiのリフトオフパターン１３を形
成した。
次にTiのリフトオフパターン１３をトライエ
ツチング時のマスクとして、Au膜１１をArガス
圧2X10-2Torr、高周波パワー70Wの条件でスパ
ツタエツチングした後、下地のTi膜１０及びTi
のリフトオフパターン１３をCF4ガス圧、2Torr、
高周波パワー、200Wの条件下でプラズマエツチ
ングすることにより、第２図ｇに示す如く、Ti
下地層１０とAu層１１によりなる軟Ｘ線吸収性
パターン５を形成した。
ツチング時のマスクとして、Au膜１１をArガス
圧2X10-2Torr、高周波パワー70Wの条件でスパ
ツタエツチングした後、下地のTi膜１０及びTi
のリフトオフパターン１３をCF4ガス圧、2Torr、
高周波パワー、200Wの条件下でプラズマエツチ
ングすることにより、第２図ｇに示す如く、Ti
下地層１０とAu層１１によりなる軟Ｘ線吸収性
パターン５を形成した。
次に第１図ｈに示す如く、前もつて所定の窓明
けがなされた大きさ4X4インチ、厚さ0.009イン
チの石英ガラス製支持枠７を二酸化珪素膜３面に
アクリル系樹脂接着材（紫外光硬化、365nm、
8mW／cm2）６により接着した。
けがなされた大きさ4X4インチ、厚さ0.009イン
チの石英ガラス製支持枠７を二酸化珪素膜３面に
アクリル系樹脂接着材（紫外光硬化、365nm、
8mW／cm2）６により接着した。
最後に、薄板ガラス１とポリイミド膜２を、微
小の力を加えてゆつくりと剥離させて、第１図ｉ
に示す如く、本発明の軟Ｘ線転写用マスク１４を
得た。
小の力を加えてゆつくりと剥離させて、第１図ｉ
に示す如く、本発明の軟Ｘ線転写用マスク１４を
得た。
上記のような、構成にすることにより、機械的
衝撃に対して強く、大面積にしてもたわみが少な
く、且つ熱によるピツチずれが小さい利点を有す
る軟Ｘ線マスクの提供を可能とするものである。
衝撃に対して強く、大面積にしてもたわみが少な
く、且つ熱によるピツチずれが小さい利点を有す
る軟Ｘ線マスクの提供を可能とするものである。
第１図ａ〜ｉは、本発明の軟Ｘ線転写用マスク
１４の製造過程を示す断面図。 １……ガラス基板、２……ポリイミド膜、３…
…二酸化珪素膜、４……支持体、５……軟Ｘ線吸
収性パターン、６……接着層、７……石英ガラス
製支持枠。
１４の製造過程を示す断面図。 １……ガラス基板、２……ポリイミド膜、３…
…二酸化珪素膜、４……支持体、５……軟Ｘ線吸
収性パターン、６……接着層、７……石英ガラス
製支持枠。
Claims (1)
- １ Ti膜を介して接着されたポリイミド膜と二
酸化珪素膜とよりなる支持体と、前記二酸化珪素
膜上に設けられた軟Ｘ収線吸収性パターンと、前
記二酸化珪素膜上に固着された石英ガラス製支持
枠とからなることを特徴とする軟Ｘ線転写用マス
ク。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57151134A JPS5940645A (ja) | 1982-08-31 | 1982-08-31 | 軟ｘ線転写用マスク |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57151134A JPS5940645A (ja) | 1982-08-31 | 1982-08-31 | 軟ｘ線転写用マスク |
Related Child Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP24527891A Division JPH0793257B2 (ja) | 1991-06-20 | 1991-06-20 | 軟ｘ線転写用マスクの製造法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5940645A JPS5940645A (ja) | 1984-03-06 |
| JPH0370366B2 true JPH0370366B2 (ja) | 1991-11-07 |
Family
ID=15512107
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57151134A Granted JPS5940645A (ja) | 1982-08-31 | 1982-08-31 | 軟ｘ線転写用マスク |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5940645A (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7351503B2 (en) | 2001-01-22 | 2008-04-01 | Photronics, Inc. | Fused silica pellicle in intimate contact with the surface of a photomask |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS58207635A (ja) * | 1982-05-28 | 1983-12-03 | Seiko Epson Corp | メンブラン・マスクの製造方法 |
-
1982
- 1982-08-31 JP JP57151134A patent/JPS5940645A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5940645A (ja) | 1984-03-06 |
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