JPH0481855B2 - - Google Patents
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- JPH0481855B2 JPH0481855B2 JP59248162A JP24816284A JPH0481855B2 JP H0481855 B2 JPH0481855 B2 JP H0481855B2 JP 59248162 A JP59248162 A JP 59248162A JP 24816284 A JP24816284 A JP 24816284A JP H0481855 B2 JPH0481855 B2 JP H0481855B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- mask
- film
- aluminum nitride
- ray
- nitride film
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-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
- G03F1/22—Masks or mask blanks for imaging by radiation of 100nm or shorter wavelength, e.g. X-ray masks, extreme ultraviolet [EUV] masks; Preparation thereof
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野］
本発明はＸ線リソグラフイー用マスク構造体の
製造方法に関する。
製造方法に関する。
［従来の技術］
Ｘ線リソグラフイーは、Ｘ線固有の直進性、非
干渉性、低回折性などに基づき、これまでの可視
光や紫外光によるリソグラフイーより優れた多く
の点を持つており、サブミクロンリソグラフイー
の有力な手段として注目されつつある。
干渉性、低回折性などに基づき、これまでの可視
光や紫外光によるリソグラフイーより優れた多く
の点を持つており、サブミクロンリソグラフイー
の有力な手段として注目されつつある。
Ｘ線リソグラフイーは可視光や紫外光によるリ
ソグラフイーに比較して多くの優位点を持ちなが
らも、Ｘ線源のパワー不足、レジストの低感度、
アラインメントの困難さ、マスク材料の選定及び
加工方法の困難さなどから、生産性が低く、コス
トが高いという欠点があり、実用化が遅れてい
る。
ソグラフイーに比較して多くの優位点を持ちなが
らも、Ｘ線源のパワー不足、レジストの低感度、
アラインメントの困難さ、マスク材料の選定及び
加工方法の困難さなどから、生産性が低く、コス
トが高いという欠点があり、実用化が遅れてい
る。
その中でＸ線リソグラフイー用マスクを取上げ
てみると、可視光および紫外光リソグラフイーで
は、マスク保持体（即ち光線透過体）としてガラ
ス板および石英板が利用されてきたが、Ｘ線リソ
グラフイーにおいては利用できる光線の波長が１
〜200Åとされており、これまでのガラス板や石
英板はこのＸ線波長域での吸収が大きく且つ厚さ
も１〜２mmと厚くせざるを得ないためＸ線を充分
に透過させないので、これらはＸ線リソグラフイ
ー用マスク保持体の材料としては不適である。
てみると、可視光および紫外光リソグラフイーで
は、マスク保持体（即ち光線透過体）としてガラ
ス板および石英板が利用されてきたが、Ｘ線リソ
グラフイーにおいては利用できる光線の波長が１
〜200Åとされており、これまでのガラス板や石
英板はこのＸ線波長域での吸収が大きく且つ厚さ
も１〜２mmと厚くせざるを得ないためＸ線を充分
に透過させないので、これらはＸ線リソグラフイ
ー用マスク保持体の材料としては不適である。
Ｘ線透過率は一般に物質の密度に依存するた
め、Ｘ線リソグラフイー用マスク保持体の材料と
して密度の低い無機物や有機物が検討されつつあ
る。この様な材料としては、たとえばベリリウム
（Be）、チタン（Ti）、ケイ素（Si）、ホウ素(B)の
単体およびそれらの化合物などの無機物、または
ポリイミド、ポリアミド、ポリエステル、パリレ
ンなどの有機物が挙げられる。
め、Ｘ線リソグラフイー用マスク保持体の材料と
して密度の低い無機物や有機物が検討されつつあ
る。この様な材料としては、たとえばベリリウム
（Be）、チタン（Ti）、ケイ素（Si）、ホウ素(B)の
単体およびそれらの化合物などの無機物、または
ポリイミド、ポリアミド、ポリエステル、パリレ
ンなどの有機物が挙げられる。
これらの物質をＸ線リソグラフイー用マスク保
持体の材料として実際に用いるためには、Ｘ線透
過量をできるだけ大きくするために薄膜化するこ
とが必要であり、無機物の場合で数μｍ以下、有
機物の場合で数十μｍ以下の厚さに形成すること
が要求されている。このため、たとえば無機物薄
膜およびその複合膜からなるマスク保持体の形成
にあたつては、平面性に優れたシリコンウエハー
上に蒸着などによつて窒化シリコン、酸化シリコ
ン、窒化ボロン、炭化シリコンなどの薄膜を形成
した後にシリコンウエハーをエツチングによつて
除去するという方法が提案されている。
持体の材料として実際に用いるためには、Ｘ線透
過量をできるだけ大きくするために薄膜化するこ
とが必要であり、無機物の場合で数μｍ以下、有
機物の場合で数十μｍ以下の厚さに形成すること
が要求されている。このため、たとえば無機物薄
膜およびその複合膜からなるマスク保持体の形成
にあたつては、平面性に優れたシリコンウエハー
上に蒸着などによつて窒化シリコン、酸化シリコ
ン、窒化ボロン、炭化シリコンなどの薄膜を形成
した後にシリコンウエハーをエツチングによつて
除去するという方法が提案されている。
一方、以上の様な保持体上に保持されるＸ線リ
ソグラフイー用マスク（即ちＸ線吸収体）として
は、一般に密度の高い物質たとえば金、白金、タ
ングステン、タンタル、銅、ニツケルなどの薄膜
望ましくは0.5〜1μｍ厚の薄膜からなるものが好
ましい。この様なマスクは、たとえば上記Ｘ線透
過膜上に一様に上記高密度物質の薄膜を形成した
後、レジストを塗布し、該レジストに電子ビー
ム、光などにより所望のパターン描画を行ない、
しかる後にエツチングなどの手段を用いて所望パ
ターンに作成される。
ソグラフイー用マスク（即ちＸ線吸収体）として
は、一般に密度の高い物質たとえば金、白金、タ
ングステン、タンタル、銅、ニツケルなどの薄膜
望ましくは0.5〜1μｍ厚の薄膜からなるものが好
ましい。この様なマスクは、たとえば上記Ｘ線透
過膜上に一様に上記高密度物質の薄膜を形成した
後、レジストを塗布し、該レジストに電子ビー
ム、光などにより所望のパターン描画を行ない、
しかる後にエツチングなどの手段を用いて所望パ
ターンに作成される。
しかして、以上の如き従来のＸ線リソグラフイ
ーにおいては、マスク保持体のＸ線透過率が低
く、このため十分なＸ線透過量を得るためにはマ
スク保持体をかなり薄くする必要があり、その製
造が困難になり、特にマスク保持体の十分な平面
性を得ることが困難であるという問題があつた。
ーにおいては、マスク保持体のＸ線透過率が低
く、このため十分なＸ線透過量を得るためにはマ
スク保持体をかなり薄くする必要があり、その製
造が困難になり、特にマスク保持体の十分な平面
性を得ることが困難であるという問題があつた。
るという問題があつた。
［発明の目的］
本発明は、以上の様な従来技術に鑑み、Ｘ線透
過性が良好で且つ十分な平面性を有するマスク保
持体とマスクフレームとからなるＸ線リソグラフ
イー用マスク構造体を提供することを目的とす
る。
過性が良好で且つ十分な平面性を有するマスク保
持体とマスクフレームとからなるＸ線リソグラフ
イー用マスク構造体を提供することを目的とす
る。
［発明の概要］
本発明によれば、以上の如き目的は、基板上に
窒化アルミニウムからなるマスク保持体または少
なくとも窒化アルミニウムを含む積層体からなる
マスク保持体を形成し、該マスク保持体にマスク
フレームを接着した後に上記基板を除去すること
を特徴とする、Ｘ線リソグラフイー用マスク構造
体の製造方法により達成される。
窒化アルミニウムからなるマスク保持体または少
なくとも窒化アルミニウムを含む積層体からなる
マスク保持体を形成し、該マスク保持体にマスク
フレームを接着した後に上記基板を除去すること
を特徴とする、Ｘ線リソグラフイー用マスク構造
体の製造方法により達成される。
［実施例］
本発明により得られるマスク構造体におけるマ
スク保持体は窒化アルミニウムの単層からなるも
のでもよいし、あるいは窒化アルミニウムと他の
無機物及び／または有機物との積層体からなるも
のでもよい。
スク保持体は窒化アルミニウムの単層からなるも
のでもよいし、あるいは窒化アルミニウムと他の
無機物及び／または有機物との積層体からなるも
のでもよい。
積層体を構成する無機物としては少なくとも膜
形成性及びＸ線透過性を有するものを使用するこ
とができる。この様な無機物としては、たとえば
窒化ボロン、窒化シリコン、酸化シリコン、炭化
シリコン、チタン等が例示される。
形成性及びＸ線透過性を有するものを使用するこ
とができる。この様な無機物としては、たとえば
窒化ボロン、窒化シリコン、酸化シリコン、炭化
シリコン、チタン等が例示される。
積層体を構成する有機物としては少なくとも膜
形成性及びＸ線透過性を有するものを使用するこ
とができる。この様な有機物としては、たとえば
ポリイミド、ポリアミド、ポリエステル、パレリ
ン（ユニオンカーバイド社製）等が例示される。
形成性及びＸ線透過性を有するものを使用するこ
とができる。この様な有機物としては、たとえば
ポリイミド、ポリアミド、ポリエステル、パレリ
ン（ユニオンカーバイド社製）等が例示される。
積層体は窒化アルミニウムと無機物及び／また
は有機物との２層または３層からなるものであつ
てもよいし、または窒化アルミニウムと無機物及
び／または有機物との少なくとも一方を２層以上
用いて全体として３層以上からなるものとしても
よい。
は有機物との２層または３層からなるものであつ
てもよいし、または窒化アルミニウムと無機物及
び／または有機物との少なくとも一方を２層以上
用いて全体として３層以上からなるものとしても
よい。
本発明により得られるマスク構造体におけるマ
スク保持体の厚さは特に制限されることはなく適
宜の厚さとすることができるが、たとえば２〜
20μｍ程度とするのが有利である。
スク保持体の厚さは特に制限されることはなく適
宜の厚さとすることができるが、たとえば２〜
20μｍ程度とするのが有利である。
本発明により得られるマスク構造体においては
マスク保持体にマスクのパターニングがなされて
いてもよいし、あるいはなされていなくてもよ
い。
マスク保持体にマスクのパターニングがなされて
いてもよいし、あるいはなされていなくてもよ
い。
以下、実施例により本発明を更に詳細に説明す
る。
る。
実施例 １
第１図ａに示される様に、直径10cmの円形のシ
リコンウエハー１の片面上にPIQ液（ポリイミド
前駆体、日立化成社製）をスピンコートした後、
50〜350℃で４時間のキユアーを行なつて1.5μｍ
厚のポリイミド膜２を形成した。
リコンウエハー１の片面上にPIQ液（ポリイミド
前駆体、日立化成社製）をスピンコートした後、
50〜350℃で４時間のキユアーを行なつて1.5μｍ
厚のポリイミド膜２を形成した。
次に、第１図ｂに示される様に、リアクテイブ
スパツタ法によりアルミニウム（Al）ターゲツ
ト、アルゴン（Ar）：窒素（N2）＝１：１の混合
ガス、ガス圧５×10-3Torr、放電電力200Wで、
ポリイミド膜２の上に3μｍ厚の窒化アルミニウ
ム膜３を形成した。
スパツタ法によりアルミニウム（Al）ターゲツ
ト、アルゴン（Ar）：窒素（N2）＝１：１の混合
ガス、ガス圧５×10-3Torr、放電電力200Wで、
ポリイミド膜２の上に3μｍ厚の窒化アルミニウ
ム膜３を形成した。
次に、第１図ｃに示される様に、リングフレー
ム（パイレツクス製、内径7.5cm、外径９cm、厚
さ５mm）４の一面にエポキシ系接着剤５を塗布
し、該接着剤塗布面に上記窒化アルミニウム膜３
の面を接着した。
ム（パイレツクス製、内径7.5cm、外径９cm、厚
さ５mm）４の一面にエポキシ系接着剤５を塗布
し、該接着剤塗布面に上記窒化アルミニウム膜３
の面を接着した。
次に、第１図ｄに示される様に、リングフレー
ム４の外周に沿つて窒化アルミニウム膜３及びポ
リイミド膜２に切込みを入れた。
ム４の外周に沿つて窒化アルミニウム膜３及びポ
リイミド膜２に切込みを入れた。
次に、第１図ｅに示される様に、界面活性剤
（アルキルベンゼンスルホン酸ソーダ）添加水溶
液中で超音波を作用させて、シリコンウエハー１
を分離、除去した。
（アルキルベンゼンスルホン酸ソーダ）添加水溶
液中で超音波を作用させて、シリコンウエハー１
を分離、除去した。
次に、第１図ｆに示される様に、ヒドラジン系
溶剤でポリイミド膜２を除去した。尚、この溶剤
処理の際に窒化アルミニウム膜３の保護のため該
膜３上にタール系塗料を塗布しておき、ポリイミ
ド膜２を除去した後にアセトンにより該タール系
塗料層を除去した。
溶剤でポリイミド膜２を除去した。尚、この溶剤
処理の際に窒化アルミニウム膜３の保護のため該
膜３上にタール系塗料を塗布しておき、ポリイミ
ド膜２を除去した後にアセトンにより該タール系
塗料層を除去した。
かくして、窒化アルミニウム膜３がリングフレ
ーム４に固定されてなるＸ線リソグラフイー用マ
スク構造体を得た。
ーム４に固定されてなるＸ線リソグラフイー用マ
スク構造体を得た。
実施例 ２
実施例１において得られたマスク構造体の窒化
アルミニウム膜３上に、抵抗加熱蒸着機を用いて
0.5μｍ厚の金（Au）膜を一様に形成した。
アルミニウム膜３上に、抵抗加熱蒸着機を用いて
0.5μｍ厚の金（Au）膜を一様に形成した。
次に、該金膜上に一様にフオトレジストAZ−
1350（シプレー社製）を0.5μｍ厚に塗布した。
1350（シプレー社製）を0.5μｍ厚に塗布した。
次に、レジスト上にマスターマスクを密着せし
め遠紫外光を用いてレジストの焼付を行なつた後
に規定の処理を行ない、マスターマスクに対しポ
ジ型のレジストパターンを得た。
め遠紫外光を用いてレジストの焼付を行なつた後
に規定の処理を行ない、マスターマスクに対しポ
ジ型のレジストパターンを得た。
次に、ヨウ素（I2）系金エツチヤントを使用し
て金膜のエツチングを行ない、マスターマスクに
対しポジ型の金膜パターンを得た。
て金膜のエツチングを行ない、マスターマスクに
対しポジ型の金膜パターンを得た。
次に、ケトン系溶剤でレジストを除去した。
かくして、金膜パターンの形成されている窒化
アルミニウム膜がリングフレームに固定されてな
るＸ線リソグラフイー用マスク構造体を得た。
アルミニウム膜がリングフレームに固定されてな
るＸ線リソグラフイー用マスク構造体を得た。
実施例 ３
実施例１の工程において、ポリイミド膜２を除
去しないことを除いて、実施例１と同様の工程を
行なつた。
去しないことを除いて、実施例１と同様の工程を
行なつた。
かくして、ポリイミド膜と窒化アルミニウム膜
との積層体がリングフレームに固定されてなるＸ
線リソグラフイー用マスク構造体を得た。
との積層体がリングフレームに固定されてなるＸ
線リソグラフイー用マスク構造体を得た。
実施例 ４
実施例１の工程において、窒化アルミニウム膜
３を形成した後に、抵抗加熱蒸着機を用いて窒化
アルミニウム膜上に0.5μｍ厚の金（Au）膜を一
様に形成した。
３を形成した後に、抵抗加熱蒸着機を用いて窒化
アルミニウム膜上に0.5μｍ厚の金（Au）膜を一
様に形成した。
次に、該金膜上に一様にフオトレジストAZ−
1350（シプレー社製）を0.5μｍ厚に塗布した。
1350（シプレー社製）を0.5μｍ厚に塗布した。
次に、レジスト上にマスターマスクを密着せし
め遠紫外光を用いてレジストの焼付を行なつた後
に規定の処理を行ない、マスターマスクに対しポ
ジ型のレジストパターンを得た。
め遠紫外光を用いてレジストの焼付を行なつた後
に規定の処理を行ない、マスターマスクに対しポ
ジ型のレジストパターンを得た。
次に、ヨウ素（I2）系金エツチヤントを使用し
て金膜のエツチングを行ない、マスターマスクに
対しポジ型の金膜パターンを得た。
て金膜のエツチングを行ない、マスターマスクに
対しポジ型の金膜パターンを得た。
次に、ケトン系溶剤でレジストを除去した後、
実施例１と同様にしてリングフレーム（パイレツ
クス製、内径7.5cm、外径９cm、厚さ５mm）の一
面にエポキシ系接着剤を塗布し、該接着剤塗布面
に上記金膜パターン付の窒化アルミニウム膜面を
接着した。
実施例１と同様にしてリングフレーム（パイレツ
クス製、内径7.5cm、外径９cm、厚さ５mm）の一
面にエポキシ系接着剤を塗布し、該接着剤塗布面
に上記金膜パターン付の窒化アルミニウム膜面を
接着した。
以下、実施例１と同様にして、リングフレーム
の外周に沿つて窒化アルミニウム膜及びポリイミ
ド膜に切込みを入れ、界面活性剤（アルキルベン
ゼンスルホン酸ソーダ）添加水溶液中で超音波を
作用させて、シリコンウエハーを分離、除去し
た。
の外周に沿つて窒化アルミニウム膜及びポリイミ
ド膜に切込みを入れ、界面活性剤（アルキルベン
ゼンスルホン酸ソーダ）添加水溶液中で超音波を
作用させて、シリコンウエハーを分離、除去し
た。
かくして、金膜パターンが形成されているポリ
イミド膜と窒化アルミニウム膜との積層体がリン
グフレームに固定されてなるＸ線リソグラフイー
用マスク構造体を得た。
イミド膜と窒化アルミニウム膜との積層体がリン
グフレームに固定されてなるＸ線リソグラフイー
用マスク構造体を得た。
実施例 ５
直径10cmの円形のシリコンウエハーの両面に
1μｍ厚の酸化シリコン膜を形成した。
1μｍ厚の酸化シリコン膜を形成した。
次に、リアクテイブスパツタ法によりシリコン
ウエハーの片面側の酸化シリコン膜上にアルミニ
ウム（Al）ターゲツト、アルゴン（Ar）：窒素
（N2）＝１：１の混合ガス、ガス圧８×10-3Torr、
放電電力300Wで2μｍ厚の窒化アルミニウム膜を
形成した後、窒化ボロンターゲツトを使用するこ
とを除いて同様なスパツタ法により窒化アルミニ
ウム膜上に2μｍ厚の窒化ボロン膜を形成した。
ウエハーの片面側の酸化シリコン膜上にアルミニ
ウム（Al）ターゲツト、アルゴン（Ar）：窒素
（N2）＝１：１の混合ガス、ガス圧８×10-3Torr、
放電電力300Wで2μｍ厚の窒化アルミニウム膜を
形成した後、窒化ボロンターゲツトを使用するこ
とを除いて同様なスパツタ法により窒化アルミニ
ウム膜上に2μｍ厚の窒化ボロン膜を形成した。
次に、実施例１と同様にしてリングフレームを
接着し、以下実施例１と同様の工程を行ない、酸
化シリコン膜付きのシリコンウエハーを分離、除
去した。
接着し、以下実施例１と同様の工程を行ない、酸
化シリコン膜付きのシリコンウエハーを分離、除
去した。
かくして、窒化アルミニウム膜と窒化ボロン膜
との積層体がリングフレームに固定されてなるＸ
線リソグラフイー用マスク構造体を得た。
との積層体がリングフレームに固定されてなるＸ
線リソグラフイー用マスク構造体を得た。
実施例 ６
実施例５の工程において、窒化ボロン膜を形成
した後に更にリアクテイブスパツタ法により1μ
ｍ厚の窒化アルミニウム膜を形成することを除い
て、実施例５と同様の工程を行なつた。
した後に更にリアクテイブスパツタ法により1μ
ｍ厚の窒化アルミニウム膜を形成することを除い
て、実施例５と同様の工程を行なつた。
かくして、窒化アルミニウム膜；窒化ボロン
膜；窒化アルミニウム膜の構成を有する積層体が
リングフレームに固定されてなるＸ線リソグラフ
イー用マスク構造体を得た。
膜；窒化アルミニウム膜の構成を有する積層体が
リングフレームに固定されてなるＸ線リソグラフ
イー用マスク構造体を得た。
［発明の効果］
以上の如き本発明方法によれば、十分な平面性
をもつてマスク保持体をマスクフレームに固定す
ることができるので、マスク保持体を薄くしてＸ
線透過量を高めることができる。
をもつてマスク保持体をマスクフレームに固定す
ることができるので、マスク保持体を薄くしてＸ
線透過量を高めることができる。
更に、以上の如き本発明方法により製造される
マスク構造体のマスク保持体の構成要素として用
いられる窒化アルミニウムはＸ線透過率及び可視
光線透過率が高く（1μｍ厚の光学濃度が約0.01）、
熱膨張率が低く（３〜４×10-6／℃）、熱伝導率
が高く、且つ成膜性が良好であるなどの特長を有
するので、以下の様な効果が得られる。
マスク構造体のマスク保持体の構成要素として用
いられる窒化アルミニウムはＸ線透過率及び可視
光線透過率が高く（1μｍ厚の光学濃度が約0.01）、
熱膨張率が低く（３〜４×10-6／℃）、熱伝導率
が高く、且つ成膜性が良好であるなどの特長を有
するので、以下の様な効果が得られる。
(1) 窒化アルミニウムはＸ線透過率が高く比較的
厚くしても比較的高いＸ線透過量が得られるの
で、マスク構造体の製造を容易且つ良好に行な
うことができる。
厚くしても比較的高いＸ線透過量が得られるの
で、マスク構造体の製造を容易且つ良好に行な
うことができる。
(2) 窒化アルミニウムは成膜性が良好であるので
極めて薄い膜からなるマスク保持体を有するマ
スク構造体を製造することができ、これにより
Ｘ線透過量を高め焼付のスループツトを向上さ
せることができる。
極めて薄い膜からなるマスク保持体を有するマ
スク構造体を製造することができ、これにより
Ｘ線透過量を高め焼付のスループツトを向上さ
せることができる。
第１図ａ〜ｆは本発明方法の工程を示す図であ
る。 １：シリコンウエハー、２：ポリイミド膜、
３：窒化アルミニウム膜、４：リングフレーム、
５：接着剤。
る。 １：シリコンウエハー、２：ポリイミド膜、
３：窒化アルミニウム膜、４：リングフレーム、
５：接着剤。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 基板上に窒化アルミニウムからなるマスク保
持体または少なくとも窒化アルミニウムを含む積
層体からなるマスク保持体を形成し、該マスク保
持体にマスクフレームを接着した後に上記基板を
除去することを特徴とする、Ｘ線リソグラフイー
用マスク構造体の製造方法。 ２ マスク保持体上にマスクを形成する、特許請
求の範囲第１項のＸ線リソグラフイー用マスク構
造体の製造方法。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59248162A JPS61126551A (ja) | 1984-11-26 | 1984-11-26 | Ｘ線リソグラフイ−用マスク構造体の製造方法 |
| US06/794,180 US4677042A (en) | 1984-11-05 | 1985-11-01 | Mask structure for lithography, method for preparation thereof and lithographic method |
| DE19853539201 DE3539201A1 (de) | 1984-11-05 | 1985-11-05 | Maskenstruktur fuer die lithografie, verfahren zu ihrer herstellung und lithografieverfahren |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59248162A JPS61126551A (ja) | 1984-11-26 | 1984-11-26 | Ｘ線リソグラフイ−用マスク構造体の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61126551A JPS61126551A (ja) | 1986-06-14 |
| JPH0481855B2 true JPH0481855B2 (ja) | 1992-12-25 |
Family
ID=17174137
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59248162A Granted JPS61126551A (ja) | 1984-11-05 | 1984-11-26 | Ｘ線リソグラフイ−用マスク構造体の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61126551A (ja) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0795512B2 (ja) * | 1987-05-14 | 1995-10-11 | 沖電気工業株式会社 | Ｘ線露光マスク用メンブレンの製造方法 |
| US5196283A (en) * | 1989-03-09 | 1993-03-23 | Canon Kabushiki Kaisha | X-ray mask structure, and x-ray exposure process |
| EP0834946B1 (en) | 1996-10-02 | 2002-09-11 | Japan Storage Battery Company Limited | Valve regulated type lead-acid battery and producing method thereof |
-
1984
- 1984-11-26 JP JP59248162A patent/JPS61126551A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS61126551A (ja) | 1986-06-14 |
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