JPH0370394B2 - - Google Patents
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- JPH0370394B2 JPH0370394B2 JP58152021A JP15202183A JPH0370394B2 JP H0370394 B2 JPH0370394 B2 JP H0370394B2 JP 58152021 A JP58152021 A JP 58152021A JP 15202183 A JP15202183 A JP 15202183A JP H0370394 B2 JPH0370394 B2 JP H0370394B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- thick film
- drawing nozzle
- substrate
- arbitrary point
- substrate surface
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
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-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/10—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which conductive material is applied to the insulating support in such a manner as to form the desired conductive pattern
- H05K3/12—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which conductive material is applied to the insulating support in such a manner as to form the desired conductive pattern using thick film techniques, e.g. printing techniques to apply the conductive material or similar techniques for applying conductive paste or ink patterns
- H05K3/1241—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which conductive material is applied to the insulating support in such a manner as to form the desired conductive pattern using thick film techniques, e.g. printing techniques to apply the conductive material or similar techniques for applying conductive paste or ink patterns by ink-jet printing or drawing by dispensing
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10D—INORGANIC ELECTRIC SEMICONDUCTOR DEVICES
- H10D84/00—Integrated devices formed in or on semiconductor substrates that comprise only semiconducting layers, e.g. on Si wafers or on GaAs-on-Si wafers
- H10D84/01—Manufacture or treatment
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K2203/00—Indexing scheme relating to apparatus or processes for manufacturing printed circuits covered by H05K3/00
- H05K2203/01—Tools for processing; Objects used during processing
- H05K2203/0104—Tools for processing; Objects used during processing for patterning or coating
- H05K2203/0126—Dispenser, e.g. for solder paste, for supplying conductive paste for screen printing or for filling holes
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Manufacturing Of Printed Wiring (AREA)
- Coating Apparatus (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は、ラジオ受信機、テレビ受像機、ビデ
オテープレコーダー、通信機器等に利用可能な厚
膜回路の形成方法に関するものである。
オテープレコーダー、通信機器等に利用可能な厚
膜回路の形成方法に関するものである。
従来例の構成とその問題点
第１図は厚膜回路の一例を示す断面図である。
厚膜回路は一般にアルミナセラミツク製基板１０
０の上に銀−パラジウム系等の導体ペーストをス
クリーン印刷法により所望の形状に塗布し、導体
中の有機溶剤を比較的低い温度で加熱することに
より乾燥したのち、高温で焼成し導体１０１を形
成する。次いで導体１０１を形成したアルミナセ
ラミツク製基板１００の導体１０１にその一部が
重なるように酸化ルテニウム系の抵抗体ペースト
をスクリーン印刷法により塗布し、次いで前記導
体と同様に乾燥と焼成を行ない、抵抗体１０２が
形成される。
厚膜回路は一般にアルミナセラミツク製基板１０
０の上に銀−パラジウム系等の導体ペーストをス
クリーン印刷法により所望の形状に塗布し、導体
中の有機溶剤を比較的低い温度で加熱することに
より乾燥したのち、高温で焼成し導体１０１を形
成する。次いで導体１０１を形成したアルミナセ
ラミツク製基板１００の導体１０１にその一部が
重なるように酸化ルテニウム系の抵抗体ペースト
をスクリーン印刷法により塗布し、次いで前記導
体と同様に乾燥と焼成を行ない、抵抗体１０２が
形成される。
このように従来の厚膜回路の形成法はスクリー
ン印刷法により導体および抵抗体を塗布していた
ので、版が必要であり、品種の切替え、または回
路の変更のたびに版の作り替えが必要であるとい
う問題があつた。これに対し、ノズルから厚膜ペ
ーストを押し出し、アルミナセラミツク基板上に
塗布し、所望の導体パターンまたは抵抗パターン
を形成する方法が1978 International
Microelectronics Symposium of ISHM，
Minneapolis，MN，September17，1978で発表
され、また雑誌Electronic Packaging and
Production January，1981 Page98〜109に招介
されている。この方法はNC制御によりパターニ
ングする描画方式のための版を必要とせず、品種
の切替えまたは、回路の変更が即座に行えるとい
う利点がある。
ン印刷法により導体および抵抗体を塗布していた
ので、版が必要であり、品種の切替え、または回
路の変更のたびに版の作り替えが必要であるとい
う問題があつた。これに対し、ノズルから厚膜ペ
ーストを押し出し、アルミナセラミツク基板上に
塗布し、所望の導体パターンまたは抵抗パターン
を形成する方法が1978 International
Microelectronics Symposium of ISHM，
Minneapolis，MN，September17，1978で発表
され、また雑誌Electronic Packaging and
Production January，1981 Page98〜109に招介
されている。この方法はNC制御によりパターニ
ングする描画方式のための版を必要とせず、品種
の切替えまたは、回路の変更が即座に行えるとい
う利点がある。
しかしながらこの種の描画方式では、高速でパ
ターニングする場合に、所望の位置にパターニン
グできない場合があつた。すなわち電気制御系の
応答遅れ、電磁空気弁の応答遅れ、空気の圧力伝
ぱ遅れ等により第２図のように抵抗体２０２の一
端が導体に重ならず不良となつたり、第３図のよ
うに抵抗体２０２ａと抵抗体２０２ｂが接触する
場合があつた。このため、ノズルの移動速度を遅
くしたり、細いノズルを用いて少しずつ位置をず
らせながら走査し描画させることにより、端部を
平準化せざるを得なかつた。したがつて厚膜回路
の試作検討用には用いることができるが、量産用
には向かないという欠点があつた。
ターニングする場合に、所望の位置にパターニン
グできない場合があつた。すなわち電気制御系の
応答遅れ、電磁空気弁の応答遅れ、空気の圧力伝
ぱ遅れ等により第２図のように抵抗体２０２の一
端が導体に重ならず不良となつたり、第３図のよ
うに抵抗体２０２ａと抵抗体２０２ｂが接触する
場合があつた。このため、ノズルの移動速度を遅
くしたり、細いノズルを用いて少しずつ位置をず
らせながら走査し描画させることにより、端部を
平準化せざるを得なかつた。したがつて厚膜回路
の試作検討用には用いることができるが、量産用
には向かないという欠点があつた。
発明の目的
本発明は前記従来の欠点をなくし、基板上に厚
膜ペーストを高速で精度よくパターニングするも
のである。
膜ペーストを高速で精度よくパターニングするも
のである。
発明の構成
前記従来の厚膜回路の描画法の欠点をなくすた
め本発明では、上下に動作可能な描画ノズルが上
昇した状態で基板上の任意の点まで移動する工程
Ａと、描画ノズルが基板上の前記任意の点に下降
して接近する工程Ｂと、描画ノズルが基板表面に
接近した状態のままで描画ノズルを基板表面上の
他の任意の点に移動するのと同時に、描画ノズル
から厚膜ペーストを吐出し、基板表面上に付着さ
せる工程Ｃと、描画ノズルが基板表面上の前記他
の任意の点から上昇して離脱する工程とからなる
厚膜回路の形成法であつて、前記工程Ｃ内の時間
に厚膜ペーストの吐出機構の作用を停止させる厚
膜回路の形成方法とすることにより、描画終端部
のぼたつきを防止している。また前記工程Ａまた
は前記工程Ｂ内の時間に厚膜ペーストの吐出機構
の作用を開始させることにより描画始点部の位置
ずれや、かすれ現象を防止している。
め本発明では、上下に動作可能な描画ノズルが上
昇した状態で基板上の任意の点まで移動する工程
Ａと、描画ノズルが基板上の前記任意の点に下降
して接近する工程Ｂと、描画ノズルが基板表面に
接近した状態のままで描画ノズルを基板表面上の
他の任意の点に移動するのと同時に、描画ノズル
から厚膜ペーストを吐出し、基板表面上に付着さ
せる工程Ｃと、描画ノズルが基板表面上の前記他
の任意の点から上昇して離脱する工程とからなる
厚膜回路の形成法であつて、前記工程Ｃ内の時間
に厚膜ペーストの吐出機構の作用を停止させる厚
膜回路の形成方法とすることにより、描画終端部
のぼたつきを防止している。また前記工程Ａまた
は前記工程Ｂ内の時間に厚膜ペーストの吐出機構
の作用を開始させることにより描画始点部の位置
ずれや、かすれ現象を防止している。
またさらに好ましくは、前記工程Ｃの描画ノズ
ルの移動速度および立上がり時、立下がり時の加
速度を任意に可変式とするのが良い。これは、抵
抗ペーストを描画する際に、単位時間当りの厚膜
ペーストの吐出量に対し、描画ノズルの移動速度
を都合よく選択することにより、膜厚、線幅を適
切にし、所望の抵抗値を得るためであると同時
に、描き始めの部分と描き終りの部分でのかすれ
現象や、ぼた付き現象を防止するに有利である。
ルの移動速度および立上がり時、立下がり時の加
速度を任意に可変式とするのが良い。これは、抵
抗ペーストを描画する際に、単位時間当りの厚膜
ペーストの吐出量に対し、描画ノズルの移動速度
を都合よく選択することにより、膜厚、線幅を適
切にし、所望の抵抗値を得るためであると同時
に、描き始めの部分と描き終りの部分でのかすれ
現象や、ぼた付き現象を防止するに有利である。
実施例の説明
第４図により本発明の実施例を説明する。描画
ノズル３には厚膜ペーストの通路４があり、開口
部は幅１mm、長さ0.1mmのスリツト状で、その先
端部には描画面と描画ノズル３の距離を一定にす
るためのダイヤモンドチツプで構成された触針５
が取り付けられており、ノズル開口部を基板１よ
り40μmの位置に保つようになつている。描画ノ
ズル３はマイクロコンピユーターにより制御さ
れ、任意の点から移動し、ついでアルミナセラミ
ツク製基板１（以下単に基板という）に向つて下
降しつつ触針５が基板１に接する以前のイの位置
に達した時、予めセツトされているとうりに電磁
空気弁を開いて、描画ノズル３に直結されたペー
ストタンク（図示せず）に空気圧をかける。この
際、電磁空気弁に電気が供給されてから弁が開く
まで若干の時間経過があり、また、電磁空気弁か
らペーストタンクに至る空気配管内を伝わる空気
圧力の伝ぱに若干の時間経過があるが、描画ノズ
ル３がさらに下降して、ロの位置に達し、触針５
が基板１または導体２ａに接する時には描画ノズ
ル３の先端に厚膜ペースト（図示せず）が出てい
るようにマイクロコンピユーターにより電磁空気
弁への電気の供給タイミングを約10ミリ秒早めて
制御している。
ノズル３には厚膜ペーストの通路４があり、開口
部は幅１mm、長さ0.1mmのスリツト状で、その先
端部には描画面と描画ノズル３の距離を一定にす
るためのダイヤモンドチツプで構成された触針５
が取り付けられており、ノズル開口部を基板１よ
り40μmの位置に保つようになつている。描画ノ
ズル３はマイクロコンピユーターにより制御さ
れ、任意の点から移動し、ついでアルミナセラミ
ツク製基板１（以下単に基板という）に向つて下
降しつつ触針５が基板１に接する以前のイの位置
に達した時、予めセツトされているとうりに電磁
空気弁を開いて、描画ノズル３に直結されたペー
ストタンク（図示せず）に空気圧をかける。この
際、電磁空気弁に電気が供給されてから弁が開く
まで若干の時間経過があり、また、電磁空気弁か
らペーストタンクに至る空気配管内を伝わる空気
圧力の伝ぱに若干の時間経過があるが、描画ノズ
ル３がさらに下降して、ロの位置に達し、触針５
が基板１または導体２ａに接する時には描画ノズ
ル３の先端に厚膜ペースト（図示せず）が出てい
るようにマイクロコンピユーターにより電磁空気
弁への電気の供給タイミングを約10ミリ秒早めて
制御している。
次に厚膜ペーストを空気圧により連続的に吐出
しながら描画ヘツド３を導体２ｂに向つて毎秒30
〜50ミリメートルの高速で移動し、ハの位置に達
した時に前記電磁空気弁への電気の供給を中止
し、電磁空気弁を閉じると同時にペーストタンク
内の圧力を大気圧と等しくするように除圧する。
このとき電磁空気弁の動作遅れと、ペーストタン
ク内の空気が大気に放出されるのに要する時間に
より、厚膜ペーストはすぐには吐出が止らない
が、描画ノズル３がニの位置まで移動した時に止
まるようにマイクロコンピユーターにより電磁空
気弁への電気の供給停止タイミングを約10ミリ秒
早めて制御している。次に描画ノズル３はホの位
置まで上昇してから他の任意の位置へ移動し、同
様にして順次描画するものである。以上のように
して描画した厚膜抵抗の位置精度は0.1mm以内で
あり、描き始め部分、描き終り部分とも、かすれ
現象や、ぼた付き現象はなかつた。
しながら描画ヘツド３を導体２ｂに向つて毎秒30
〜50ミリメートルの高速で移動し、ハの位置に達
した時に前記電磁空気弁への電気の供給を中止
し、電磁空気弁を閉じると同時にペーストタンク
内の圧力を大気圧と等しくするように除圧する。
このとき電磁空気弁の動作遅れと、ペーストタン
ク内の空気が大気に放出されるのに要する時間に
より、厚膜ペーストはすぐには吐出が止らない
が、描画ノズル３がニの位置まで移動した時に止
まるようにマイクロコンピユーターにより電磁空
気弁への電気の供給停止タイミングを約10ミリ秒
早めて制御している。次に描画ノズル３はホの位
置まで上昇してから他の任意の位置へ移動し、同
様にして順次描画するものである。以上のように
して描画した厚膜抵抗の位置精度は0.1mm以内で
あり、描き始め部分、描き終り部分とも、かすれ
現象や、ぼた付き現象はなかつた。
なお、描画ノズルと基板との相対的位置関係お
よび速度はマイクロコンピユーターにより数値制
御されておれば良く、実施例では、描画ノズルが
前後左右上下に移動し、基板が固定されている
が、描画ノズルを固定し、基板を前後左右上下に
移動しても良く、また描画ノズルが上下に移動
し、基板を前後左右に移動しても良い。
よび速度はマイクロコンピユーターにより数値制
御されておれば良く、実施例では、描画ノズルが
前後左右上下に移動し、基板が固定されている
が、描画ノズルを固定し、基板を前後左右上下に
移動しても良く、また描画ノズルが上下に移動
し、基板を前後左右に移動しても良い。
発明の効果
以上説明したように本発明によれば、描画ノズ
ルが実際に描画開始すべき位置に移動完了する以
前に厚膜ペーストの吐出機構を作用させ、描画終
了すべき位置に移動完了する以前に厚膜ペースト
の吐出機構の作用を停止させているので、高速で
回路描画を行なつても描画位置の精度が良く、し
たがつて描画法による回路形成法が量産用に適用
でき、その工業的価値は大なるものがある。
ルが実際に描画開始すべき位置に移動完了する以
前に厚膜ペーストの吐出機構を作用させ、描画終
了すべき位置に移動完了する以前に厚膜ペースト
の吐出機構の作用を停止させているので、高速で
回路描画を行なつても描画位置の精度が良く、し
たがつて描画法による回路形成法が量産用に適用
でき、その工業的価値は大なるものがある。
第１図は厚膜回路の一例を示す断面図、第２
図、第３図は従来の描画法による厚膜回路の断面
図、第４図は本発明の厚膜回路の形成法の一実施
例を示す側面図である。 １……基板、２ａ，２ｂ……導体、３……描画
ノズル、５……触針。
図、第３図は従来の描画法による厚膜回路の断面
図、第４図は本発明の厚膜回路の形成法の一実施
例を示す側面図である。 １……基板、２ａ，２ｂ……導体、３……描画
ノズル、５……触針。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 上下に動作可能な描画ノズルが上昇した状態
で基板上の任意の点まで移動する工程Ａと、描画
ノズルが基板上の前記任意の点に下降して接近す
る工程Ｂと、描画ノズルが基板表面に接近した状
態のままで描画ノズルを基板表面上の他の任意の
点に移動するのと同時に、描画ノズルから厚膜ペ
ーストを吐出し、基板表面上に付着させる工程Ｃ
と、描画ノズルが基板表面上の前記他の任意の点
から上昇して離脱する工程Ｄとからなる厚膜回路
の形成法であつて、前記工程Ｃが完了する直前に
厚膜ペーストの吐出機構の作用を停止させる厚膜
回路の形成方法。 ２ 上下に動作可能な描画ノズルが上昇した状態
で基板上の任意の点まで移動する工程Ａと、描画
ノズルが基板上の前記任意の点に下降して接近す
る工程Ｂと、描画ノズルが基板表面に接近した状
態のままで描画ノズルを基板表面上の他の任意の
点に移動するのと同時に、描画ノズルから厚膜ペ
ーストを吐出し、基板表面上に付着させる工程Ｃ
と、描画ノズルが基板表面上の前記他の任意の点
から上昇して離脱する工程Ｄとからなる厚膜回路
の形成法であつて、前記工程Ａまたは前記工程Ｂ
が完了する直前に厚膜ペーストの吐出機構の作用
を開始させ、前記工程Ｃが完了する直前に厚膜ペ
ーストの吐出機構の作用を停止させる厚膜回路の
形成方法。
Priority Applications (5)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58152021A JPS6043894A (ja) | 1983-08-19 | 1983-08-19 | 厚膜回路の形成方法 |
| US06/638,713 US4664945A (en) | 1983-08-19 | 1984-08-08 | Method of forming thick film circuits |
| EP84305439A EP0136020B1 (en) | 1983-08-19 | 1984-08-09 | Method and apparatus of forming patterns in thick film circuit or the like |
| DE8484305439T DE3468153D1 (en) | 1983-08-19 | 1984-08-09 | Method and apparatus of forming patterns in thick film circuit or the like |
| CA000461027A CA1231464A (en) | 1983-08-19 | 1984-08-15 | Method and apparatus of forming thick film circuits |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58152021A JPS6043894A (ja) | 1983-08-19 | 1983-08-19 | 厚膜回路の形成方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6043894A JPS6043894A (ja) | 1985-03-08 |
| JPH0370394B2 true JPH0370394B2 (ja) | 1991-11-07 |
Family
ID=15531323
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58152021A Granted JPS6043894A (ja) | 1983-08-19 | 1983-08-19 | 厚膜回路の形成方法 |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4664945A (ja) |
| EP (1) | EP0136020B1 (ja) |
| JP (1) | JPS6043894A (ja) |
| CA (1) | CA1231464A (ja) |
| DE (1) | DE3468153D1 (ja) |
Families Citing this family (20)
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| JPH01319990A (ja) * | 1988-06-22 | 1989-12-26 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 厚膜形成方法 |
| US5232736A (en) * | 1989-07-24 | 1993-08-03 | Motorola, Inc. | Method for controlling solder printer |
| JPH0494592A (ja) * | 1990-08-10 | 1992-03-26 | Cmk Corp | プリント配線板におけるスルーホールに対する充填材の充填方法 |
| JPH0496400A (ja) * | 1990-08-13 | 1992-03-27 | Cmk Corp | シールド層を備えるプリント配線板の製造方法 |
| US5298288A (en) * | 1991-02-14 | 1994-03-29 | Microelectronics And Computer Technology Corporation | Coating a heat curable liquid dielectric on a substrate |
| US5151377A (en) * | 1991-03-07 | 1992-09-29 | Mobil Solar Energy Corporation | Method for forming contacts |
| US5641644A (en) * | 1994-12-09 | 1997-06-24 | Board Of Regents, The University Of Texas System | Method and apparatus for the precise positioning of cells |
| DE10004976C1 (de) | 2000-02-04 | 2001-09-13 | Foerdergemeinschaft Baeume Fue | Verfahren zum großflächigen Aufforsten |
| US6701835B2 (en) | 2001-07-31 | 2004-03-09 | Pilkington North America, Inc. | Method for placing indicia on substrates |
| JP4039035B2 (ja) * | 2001-10-31 | 2008-01-30 | セイコーエプソン株式会社 | 線パターンの形成方法、線パターン、電気光学装置、電子機器、非接触型カード媒体 |
| US20040238202A1 (en) * | 2003-06-02 | 2004-12-02 | Ohmcraft Inc. | Method of making an inductor with written wire and an inductor made therefrom |
| US20070169806A1 (en) * | 2006-01-20 | 2007-07-26 | Palo Alto Research Center Incorporated | Solar cell production using non-contact patterning and direct-write metallization |
| US7999175B2 (en) * | 2008-09-09 | 2011-08-16 | Palo Alto Research Center Incorporated | Interdigitated back contact silicon solar cells with laser ablated grooves |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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