JPS6043894A - 厚膜回路の形成方法 - Google Patents
厚膜回路の形成方法Info
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- JPS6043894A JPS6043894A JP58152021A JP15202183A JPS6043894A JP S6043894 A JPS6043894 A JP S6043894A JP 58152021 A JP58152021 A JP 58152021A JP 15202183 A JP15202183 A JP 15202183A JP S6043894 A JPS6043894 A JP S6043894A
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- Japan
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- thick film
- drawing nozzle
- substrate
- nozzle
- film circuit
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- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/10—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which conductive material is applied to the insulating support in such a manner as to form the desired conductive pattern
- H05K3/12—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which conductive material is applied to the insulating support in such a manner as to form the desired conductive pattern using thick film techniques, e.g. printing techniques to apply the conductive material or similar techniques for applying conductive paste or ink patterns
- H05K3/1241—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which conductive material is applied to the insulating support in such a manner as to form the desired conductive pattern using thick film techniques, e.g. printing techniques to apply the conductive material or similar techniques for applying conductive paste or ink patterns by ink-jet printing or drawing by dispensing
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10D—INORGANIC ELECTRIC SEMICONDUCTOR DEVICES
- H10D84/00—Integrated devices formed in or on semiconductor substrates that comprise only semiconducting layers, e.g. on Si wafers or on GaAs-on-Si wafers
- H10D84/01—Manufacture or treatment
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K2203/00—Indexing scheme relating to apparatus or processes for manufacturing printed circuits covered by H05K3/00
- H05K2203/01—Tools for processing; Objects used during processing
- H05K2203/0104—Tools for processing; Objects used during processing for patterning or coating
- H05K2203/0126—Dispenser, e.g. for solder paste, for supplying conductive paste for screen printing or for filling holes
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Manufacturing Of Printed Wiring (AREA)
- Coating Apparatus (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は、ラジオ受信機、テレビ受像機、ビデオテープ
レコーダー、通信機器等に利用可能な厚膜回路の形成方
法ヰＥ枦び５沖の４１淫、に関するものである。
レコーダー、通信機器等に利用可能な厚膜回路の形成方
法ヰＥ枦び５沖の４１淫、に関するものである。
従来例の構成とその問題点
第１図は厚膜回路の一例を示す断面図である。
厚膜回路は一般にアルミナセラミック製基板１００の上
に銀−パラジウム系等の導体ペーストをスクリーン印刷
法により所望の形状に塗布し、導体中の有機溶剤を比較
的低い温度で加熱することにより乾燥したのち、高温で
焼成し導体１０１を形成する。次いで導体１０１を形成
したアルミナセラミック製基板１００の導体１０１にそ
の一部が重なるように酸化ルテニウム系の抵抗体ペース
トをヌクリーン印刷法により塗布し、次いで前記導体と
同様に乾燥と焼成を行ない、抵抗体１０２が形成される
。
に銀−パラジウム系等の導体ペーストをスクリーン印刷
法により所望の形状に塗布し、導体中の有機溶剤を比較
的低い温度で加熱することにより乾燥したのち、高温で
焼成し導体１０１を形成する。次いで導体１０１を形成
したアルミナセラミック製基板１００の導体１０１にそ
の一部が重なるように酸化ルテニウム系の抵抗体ペース
トをヌクリーン印刷法により塗布し、次いで前記導体と
同様に乾燥と焼成を行ない、抵抗体１０２が形成される
。
このように従来の厚膜回路の形成法はスクリーン印刷法
により導体および抵抗体を塗布していたので、版が必要
であり、品種の切替え、または回路の変更のたびに版の
作り替えが必要であるという問題があった。これに対し
、ノズルから厚膜ペーストを押し出し、アルミナセラミ
ック基板上に塗布し、所望の導体パターンまたは抵抗パ
ターンを形成する方法が１９７８ Ｉｎｔｅｒｎａｔｉ
ｏｎａｌＭｉｃｒｏｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃｓ Ｓｙｍｐ
ｏｓｉｕｍ ｏｆ ＩＳＨＭ 。
により導体および抵抗体を塗布していたので、版が必要
であり、品種の切替え、または回路の変更のたびに版の
作り替えが必要であるという問題があった。これに対し
、ノズルから厚膜ペーストを押し出し、アルミナセラミ
ック基板上に塗布し、所望の導体パターンまたは抵抗パ
ターンを形成する方法が１９７８ Ｉｎｔｅｒｎａｔｉ
ｏｎａｌＭｉｃｒｏｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃｓ Ｓｙｍｐ
ｏｓｉｕｍ ｏｆ ＩＳＨＭ 。
Ｍｉｎｎｅａｐｏｌ ｉｓ 、ＭＮ 、 Ｓｅｐｔｅｍ
ｂｅｒ １７ 、１９７８で発表され、まだ雑誌Ｅｌｅ
ｃｔｒｏｎｉｃ Ｐａｃｋａｇｉｎｇ ａｎｄＰｒｏｄ
ｕｃｔｉｏｎ Ｊａｎｕａｒｙ、１９８１ Ｐａｇｅ
９Ｂ−１０９に紹介されている。この方法はＮＣ制御に
よりパターニングする描画方式のため版を必要とぜず、
品種の切替えまたけ、回路の変更が即座に行えるという
利点がある。
ｂｅｒ １７ 、１９７８で発表され、まだ雑誌Ｅｌｅ
ｃｔｒｏｎｉｃ Ｐａｃｋａｇｉｎｇ ａｎｄＰｒｏｄ
ｕｃｔｉｏｎ Ｊａｎｕａｒｙ、１９８１ Ｐａｇｅ
９Ｂ−１０９に紹介されている。この方法はＮＣ制御に
よりパターニングする描画方式のため版を必要とぜず、
品種の切替えまたけ、回路の変更が即座に行えるという
利点がある。
しかしながらこの種の描画方式では、高速でパターニン
グする場合に、所望の位置にパターニングできない場合
があった。すなわち電気制御系の応答遅れ、電磁空気弁
の応答遅れ、空気の圧力伝は遅れ等により第２図のよう
に抵抗体２０２の一端が導体に重ならず不良となったり
、第３図のように抵抗体２０２ａと抵抗体２０２ｂが接
触する場合があった。このため、ノズルの移動速度を遅
くし／＋、シ、細いノズルを用いて少しずつ位置をずら
せながら走査し描画させることにより、端部を平準化せ
ざるを得なかった。したがって厚膜回路の試作検討用に
は用いることができるが、量産用には向かないという欠
点があった。
グする場合に、所望の位置にパターニングできない場合
があった。すなわち電気制御系の応答遅れ、電磁空気弁
の応答遅れ、空気の圧力伝は遅れ等により第２図のよう
に抵抗体２０２の一端が導体に重ならず不良となったり
、第３図のように抵抗体２０２ａと抵抗体２０２ｂが接
触する場合があった。このため、ノズルの移動速度を遅
くし／＋、シ、細いノズルを用いて少しずつ位置をずら
せながら走査し描画させることにより、端部を平準化せ
ざるを得なかった。したがって厚膜回路の試作検討用に
は用いることができるが、量産用には向かないという欠
点があった。
発明の目的
本発明は前記従来の欠点をなくし、基板上に厚膜ペース
トを高速で精度よくパターニングするものである。
トを高速で精度よくパターニングするものである。
発明の構成
前記従来の厚膜回路の描画法の欠点をなくすため本発明
では、上下に動作可能な描画ノズルが上昇した状態で基
板上の任意の点まで移動する工程Ａと、描画ノズルが基
板上司狐賄滝の点に下降して接近する工程Ｂと、描画ノ
ズルが基板表面に接近した状態のままで描画ノズルを基
板表面上の他の任意の点に移動するのと同時に、描画ノ
ズルから厚膜ペーストを吐出し、基板表面上に付着させ
る工程Ｃと、描画ノズルが基板表面上の前記他の任意の
点から上昇して離脱する工程りとからなる厚膜回路の形
成法であって、前記工程Ａまたは前記工程Ｂ内の時間に
厚膜ペーストの吐出機構の作用を開始させ、前記工程Ｃ
内の時間に厚膜ペーストの吐出機構の作用を停止させる
厚膜回路の形成方法をとっている。
では、上下に動作可能な描画ノズルが上昇した状態で基
板上の任意の点まで移動する工程Ａと、描画ノズルが基
板上司狐賄滝の点に下降して接近する工程Ｂと、描画ノ
ズルが基板表面に接近した状態のままで描画ノズルを基
板表面上の他の任意の点に移動するのと同時に、描画ノ
ズルから厚膜ペーストを吐出し、基板表面上に付着させ
る工程Ｃと、描画ノズルが基板表面上の前記他の任意の
点から上昇して離脱する工程りとからなる厚膜回路の形
成法であって、前記工程Ａまたは前記工程Ｂ内の時間に
厚膜ペーストの吐出機構の作用を開始させ、前記工程Ｃ
内の時間に厚膜ペーストの吐出機構の作用を停止させる
厚膜回路の形成方法をとっている。
まださらに好ましくは、前記工程Ｃの描画ノズルの移動
速度および立上が９時、立下がり時の加速度を任意に可
変式とするのが良い。これは、抵抗ペーストを描画する
際に、単位時ｍｌｌクシ厚膜ペーストの吐出量に対し、
描画ノズルの移動速度を都合よく選択することにより、
膜厚、線幅を適切にし、所望の抵抗値を得るためである
と同時に、描き始めの部分と描き終シの部分でのかずれ
現象や、はた付き現象を防止するに有効である。
速度および立上が９時、立下がり時の加速度を任意に可
変式とするのが良い。これは、抵抗ペーストを描画する
際に、単位時ｍｌｌクシ厚膜ペーストの吐出量に対し、
描画ノズルの移動速度を都合よく選択することにより、
膜厚、線幅を適切にし、所望の抵抗値を得るためである
と同時に、描き始めの部分と描き終シの部分でのかずれ
現象や、はた付き現象を防止するに有効である。
実施例の説明
第４図により本発明の詳細な説明する。描画ノズル３に
は厚膜ペーストの通路４があり、開口部は幅１ｙｎｍ
、長さ０．１１１１１１のスリット状で、その先端部に
は描画面と描画ノズル３の距離を一定にするだめのダイ
ヤモンドチップで構成された触針６が取り付けられてお
り、ノズル開口部を基板１より４０μｍの位置に保つよ
うになっている。描画ノズル３はマイクロコンピュータ
−により制御され、任意の点から移動し、ついでアルミ
ナセラミック製基板１（以下単に基板という）に向って
下降しつつ触針５が基板１に接する以前のイの位置に達
した時、予めセ、７１・されていると９９に電磁空気弁
を開いて、描画ノズル３に直結されたペーストタンク（
図示せず）に空気圧をかける。この際、電磁空気弁に電
気が供給されてから弁が開く丑で若干の時間経過があり
、また、電磁空気弁からペーストタンクに至る空気配管
内を伝わる空気こ 圧力の伝ばに若干の時間過があるが、描画ノズル３がさ
らに下降して、口の位置に達し、触針５が基板１または
導体２ａに接する時には描画ノズル３の先端に厚膜ペー
スト（図示せず）が出ているようにマイクロコンピュー
タ−によシミ磁空気弁への電気の供給タイミングを約Ｔ
ｏミ！、Ｉ秒早めて制御している・ 次に厚膜ペーストを空気圧によシ連続的に吐出しながら
描画ヘッド３を導体２ｂに向って毎秒３０〜５０ミリメ
ートルの高速で移動し、ハの位置に達した時に前記電磁
空気弁への電気の供給を中止し、電磁空気弁を閉じると
同時にペーストタンク内の圧力を大気圧と等しくするよ
うに除圧する。このとき電磁空気弁の動作遅れと、ペー
ストタンク内の空気が大気に放出されるのに要する時間
によシ、厚膜ペーストはすぐには吐出が止らないが、描
画ノズル３が二の位置まで移動した時に止まるようにマ
イクロコンピュータ−により電磁空気弁への電気の供給
停止タイミングを約１ｏミリ秒早めて制御している。次
に描画ノズル３はホの位置捷で上昇してから他の任意の
位置へ移動し、同様にして順次描画するものである。以
上のようにして描画した厚膜抵抗の位置精度は０．Ｉ
６以内であシ、描き始め部分、描き終り部分とも、かす
れ現象や、ぼた付き現象はなかった。
は厚膜ペーストの通路４があり、開口部は幅１ｙｎｍ
、長さ０．１１１１１１のスリット状で、その先端部に
は描画面と描画ノズル３の距離を一定にするだめのダイ
ヤモンドチップで構成された触針６が取り付けられてお
り、ノズル開口部を基板１より４０μｍの位置に保つよ
うになっている。描画ノズル３はマイクロコンピュータ
−により制御され、任意の点から移動し、ついでアルミ
ナセラミック製基板１（以下単に基板という）に向って
下降しつつ触針５が基板１に接する以前のイの位置に達
した時、予めセ、７１・されていると９９に電磁空気弁
を開いて、描画ノズル３に直結されたペーストタンク（
図示せず）に空気圧をかける。この際、電磁空気弁に電
気が供給されてから弁が開く丑で若干の時間経過があり
、また、電磁空気弁からペーストタンクに至る空気配管
内を伝わる空気こ 圧力の伝ばに若干の時間過があるが、描画ノズル３がさ
らに下降して、口の位置に達し、触針５が基板１または
導体２ａに接する時には描画ノズル３の先端に厚膜ペー
スト（図示せず）が出ているようにマイクロコンピュー
タ−によシミ磁空気弁への電気の供給タイミングを約Ｔ
ｏミ！、Ｉ秒早めて制御している・ 次に厚膜ペーストを空気圧によシ連続的に吐出しながら
描画ヘッド３を導体２ｂに向って毎秒３０〜５０ミリメ
ートルの高速で移動し、ハの位置に達した時に前記電磁
空気弁への電気の供給を中止し、電磁空気弁を閉じると
同時にペーストタンク内の圧力を大気圧と等しくするよ
うに除圧する。このとき電磁空気弁の動作遅れと、ペー
ストタンク内の空気が大気に放出されるのに要する時間
によシ、厚膜ペーストはすぐには吐出が止らないが、描
画ノズル３が二の位置まで移動した時に止まるようにマ
イクロコンピュータ−により電磁空気弁への電気の供給
停止タイミングを約１ｏミリ秒早めて制御している。次
に描画ノズル３はホの位置捷で上昇してから他の任意の
位置へ移動し、同様にして順次描画するものである。以
上のようにして描画した厚膜抵抗の位置精度は０．Ｉ
６以内であシ、描き始め部分、描き終り部分とも、かす
れ現象や、ぼた付き現象はなかった。
なお、描画ノズルと基板との相対的位置関係および速度
はマイクロコンピュータ−により数値制御されておれば
良く、実施例では、描画ノズルが前後左右上下に移動し
、基板が固定されているが、描画ノズルを固定し、基板
を前後左右上下に移動しても良く、また描画ノズルが上
下に移動し、基板を前後左右に移動しても良い。
はマイクロコンピュータ−により数値制御されておれば
良く、実施例では、描画ノズルが前後左右上下に移動し
、基板が固定されているが、描画ノズルを固定し、基板
を前後左右上下に移動しても良く、また描画ノズルが上
下に移動し、基板を前後左右に移動しても良い。
発明の詳細
な説明したように本発明によれば、描画ノズルが実際に
描画開始すべき位置に移動完了する以前に厚膜ペースト
の吐出機構を作用させ、描画終了すべき位置に移動完了
する以前に厚膜ペーストの吐出機構の作用を停止させて
いるので、高速で回路描画を行なっても描画位置の精度
が良く、し −たがって描画法による回路形成法が量産
用に適用でき、その工業的価値は大なるものがある。
描画開始すべき位置に移動完了する以前に厚膜ペースト
の吐出機構を作用させ、描画終了すべき位置に移動完了
する以前に厚膜ペーストの吐出機構の作用を停止させて
いるので、高速で回路描画を行なっても描画位置の精度
が良く、し −たがって描画法による回路形成法が量産
用に適用でき、その工業的価値は大なるものがある。
第１図は厚膜回路の一例を示す断面図、第２図。
第３図は従来の描画法による厚膜回路の断面図、第４図
は本発明の厚膜回路の形成法の一実施例を示す側面図で
ある。 １・・・・・・基板、２ａ、２ｂ・・・・・・導体、３
・・・・・・描画ノズル、５・・・・・・触針。
は本発明の厚膜回路の形成法の一実施例を示す側面図で
ある。 １・・・・・・基板、２ａ、２ｂ・・・・・・導体、３
・・・・・・描画ノズル、５・・・・・・触針。
Claims (1)
- 上下に動作可能な描画ノズルが上昇した状態で基板−］
二の任意の点捷で移動する工程Ａと、描画ノズルが基板
上の前記任意の点に下降して接近する工程Ｂと、描画ノ
ズルが基板表面に接近した状態のｔｌで描画ノズルを基
板表面上の他の任意の点に移動するのと同時に、描画ノ
ズルから厚膜ペーストを吐出し、基板表面上に付着させ
る工程Ｃと、描画ノズルが基板表面上の前記他の任意の
点から上昇′して離脱する工程りとからなる厚膜回路の
形成法であって、前記工程Ａまたは前記工程Ｂ内の時間
に厚膜ペーストの吐出機構の作用を開始させ、前記工程
Ｃ内の時間に厚膜ペーストの吐出機構の作用を停止させ
る厚膜回路の形成方法。
Priority Applications (5)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58152021A JPS6043894A (ja) | 1983-08-19 | 1983-08-19 | 厚膜回路の形成方法 |
| US06/638,713 US4664945A (en) | 1983-08-19 | 1984-08-08 | Method of forming thick film circuits |
| EP84305439A EP0136020B1 (en) | 1983-08-19 | 1984-08-09 | Method and apparatus of forming patterns in thick film circuit or the like |
| DE8484305439T DE3468153D1 (en) | 1983-08-19 | 1984-08-09 | Method and apparatus of forming patterns in thick film circuit or the like |
| CA000461027A CA1231464A (en) | 1983-08-19 | 1984-08-15 | Method and apparatus of forming thick film circuits |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58152021A JPS6043894A (ja) | 1983-08-19 | 1983-08-19 | 厚膜回路の形成方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6043894A true JPS6043894A (ja) | 1985-03-08 |
| JPH0370394B2 JPH0370394B2 (ja) | 1991-11-07 |
Family
ID=15531323
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58152021A Granted JPS6043894A (ja) | 1983-08-19 | 1983-08-19 | 厚膜回路の形成方法 |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4664945A (ja) |
| EP (1) | EP0136020B1 (ja) |
| JP (1) | JPS6043894A (ja) |
| CA (1) | CA1231464A (ja) |
| DE (1) | DE3468153D1 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2018003000A1 (ja) * | 2016-06-28 | 2018-01-04 | 富士機械製造株式会社 | 回路形成方法 |
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| JPH0370394B2 (ja) | 1991-11-07 |
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