JPH037157B2 - - Google Patents
Info
- Publication number
- JPH037157B2 JPH037157B2 JP59035770A JP3577084A JPH037157B2 JP H037157 B2 JPH037157 B2 JP H037157B2 JP 59035770 A JP59035770 A JP 59035770A JP 3577084 A JP3577084 A JP 3577084A JP H037157 B2 JPH037157 B2 JP H037157B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- film
- aromatic
- wiring pattern
- polyamide
- photopolymer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/004—Photosensitive materials
- G03F7/038—Macromolecular compounds which are rendered insoluble or differentially wettable
- G03F7/0387—Polyamides or polyimides
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
- C08G—MACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED OTHERWISE THAN BY REACTIONS ONLY INVOLVING UNSATURATED CARBON-TO-CARBON BONDS
- C08G69/00—Macromolecular compounds obtained by reactions forming a carboxylic amide link in the main chain of the macromolecule
- C08G69/02—Polyamides derived from amino-carboxylic acids or from polyamines and polycarboxylic acids
- C08G69/26—Polyamides derived from amino-carboxylic acids or from polyamines and polycarboxylic acids derived from polyamines and polycarboxylic acids
- C08G69/265—Polyamides derived from amino-carboxylic acids or from polyamines and polycarboxylic acids derived from polyamines and polycarboxylic acids from at least two different diamines or at least two different dicarboxylic acids
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/46—Manufacturing multilayer circuits
- H05K3/4644—Manufacturing multilayer circuits by building the multilayer layer by layer, i.e. build-up multilayer circuits
- H05K3/4673—Application methods or materials of intermediate insulating layers not specially adapted to any one of the previous methods of adding a circuit layer
- H05K3/4676—Single layer compositions
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K2201/00—Indexing scheme relating to printed circuits covered by H05K1/00
- H05K2201/09—Shape and layout
- H05K2201/09209—Shape and layout details of conductors
- H05K2201/095—Conductive through-holes or vias
- H05K2201/09563—Metal filled via
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/0011—Working of insulating substrates or insulating layers
- H05K3/0017—Etching of the substrate by chemical or physical means
- H05K3/0023—Etching of the substrate by chemical or physical means by exposure and development of a photosensitive insulating layer
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/10—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which conductive material is applied to the insulating support in such a manner as to form the desired conductive pattern
- H05K3/18—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which conductive material is applied to the insulating support in such a manner as to form the desired conductive pattern using precipitation techniques to apply the conductive material
- H05K3/181—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which conductive material is applied to the insulating support in such a manner as to form the desired conductive pattern using precipitation techniques to apply the conductive material by electroless plating
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Health & Medical Sciences (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Medicinal Chemistry (AREA)
- Polymers & Plastics (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Polyamides (AREA)
- Production Of Multi-Layered Print Wiring Board (AREA)
Description
本発明は、多層プリント配線板の製造方法、詳
しくは、多層プリント配線板の層間絶縁膜形成材
料として、高分子鎖中に感光基を含有する高感度
の新規な芳香族ポリアミドからなり、耐熱性、機
械的性質及び電気的性質の優れた、高感度、高解
像度を有し有機溶媒可溶性ポリアミドを感光材料
として含む感光性樹脂組成物を用いる、多層プリ
ント配線板の製造方法に関するものである。 プリント配線板に搭載する素子及び部品は、従
来、能動素子、受動素子を含めた個別部品が主で
あつたが、技術の進展に伴い今後はIC、LSIを高
密度に搭載する方向に向うものと考えられる。従
つて、プリント配線板は、その実装形態が複雑で
密度の高いものになつていく傾向にある。 しかし、従来のプリント配線技術でプリント配
線板の高密度化に対処することは到底不可能であ
り、新たな高密度細線回路形成技術及び多層化技
術が必要である。 即ち、例えば、プリント配線板において、布線
収容数の向上をはかるために、従来、メツキスル
ホール法による多層化技術が広く応用されてきた
が、この技術はランド部分スペースのために回路
パターンの配線領域が制限される欠点がある。即
ち、上記の従来技術によりプリント配線板の多層
化を行うと、層数が増えると層間接続のためのス
ルーホール数が多くなり、逆に平面内の配線領域
が減少する欠点がある。従つて、従来技術では、
層数を10以上に増やし、線巾やスルーホール径を
小さくすることは材料的にも精度的にも限界に達
しつつあり、プリント配線板の多層化には新しい
配線技術が要請される。 而して、上記の新しい配線技術として、バイヤ
ホール形成にフオトフアブリケーシヨンを応用し
た方法、即ち、絶縁基板上に第１層目の配線パタ
ーンを形成し、該配線パターン上にフオトポリマ
ーの膜を形成した後、該フオトポリマーの膜を、
露光して光硬化させ、現像し所定位置にバイヤホ
ールの形成された光硬化膜を形成し、次いで、上
記フオトポリマーの光硬化膜を層間絶縁膜として
使用して該層間絶縁膜上及び上記バイヤホール部
に第２層目の配線パターを形成し、更に上記のフ
オトポリマーの膜形成工程以下の工程を順次繰り
返して多層配線パターンを形成する多層プリント
配線板の製造方法が考えられる。 然し乍ら、上記の方法により多層プリント配線
板を製造するには、上記のフオトポリマーが感光
材料として種々の適性を具備している他に、層間
絶縁膜の形成能を有する等の特性を併有していな
ければならないが、従来のフオトポリマーは、必
ずしも欺る特性を有しておらず、上記の多層プリ
ント配線板の製造方法に適用し難かつた。 本発明者等は、フオトフアブリケーシヨンの応
用による多層プリント配線板の製造方法及び該製
造方法の実施を可能にするフオトポリマーについ
て種々検討した結果、フオトポリマーとして感光
基を含有する特定の芳香族ポリアミドを用いるこ
とにより、充分な工業的価値を有する多層プリン
ト配線板を製造できることを見出し本発明に到達
した。 即ち、本発明は、絶縁基板上に第１層目の配線
パターンを形成し、該配線パターン上にフオトポ
リマーの膜を形成した後、該フオトポリマーの膜
を、露光して光硬化させ、現像し所定位置にバイ
ヤーホールの形成された光硬化膜を形成し、次い
で、上記フオトポリマーの光硬化膜を層間絶縁膜
として使用して該層間絶縁膜上及び上記バイヤホ
ール部に第２層目の配線パターンを形成し、更に
上記のフオトポリマーの膜形成工程以下の工程を
順次繰り返して多層配線パターンを形成する多層
プリント配線板の製造方法において、上記フオト
ポリマーの膜形成を、下記一般式（ａ）に表さ
れる構成単位を10モル％以上有し、その残部とし
て下記一般式（ｂ）で表される構成単位を０〜
90モル％有する芳香族ポリアミドが約３〜50重量
％の割合で有機溶媒に溶解されている感光性樹脂
組成物を用い、該組成物を配線パターン上に塗布
し、乾燥させることにより行うことを特徴とする
多層プリント配線板の製造方法を提供するもので
ある。 （但し、上式中、R1及びR2は水素原子又は反応
性有機化合物の残基を示し、Ar1は芳香族ジカル
ボン酸又は芳香族ジカルボン酸の酸ハロゲン化物
の芳香族残基を示し、Ar2は感光基を含有する芳
香族残基を示す。） （但し、上式中、R3及びR4は水素原子又は反応
性有機化合物の残基を示し、Ar3は芳香族ジカル
ボン酸又は芳香族ジカルボン酸の酸ハロゲン化物
の芳香族残基を示し、Ar4は感光基を含有しない
芳香族残基を示す。） 以下に本発明の多層プリント配線板の製造方法
について詳述する。 先ず、本発明の製造方法において用いられる感
光性樹脂組成物について説明する。 本発明で用いられる感光樹脂組成物の感光材料
である、前記一般式（ａ）で表される構成単位
を10モル％以上、好ましくは20モル％以上、更に
好ましくは40モル％以上の割合で有する芳香族ポ
リアミドは、前記一般式（ａ）で表される構成
単位を80〜100モル％の割合で有するポリアミド
であつてもよいが、その構成単位の他に、次の一
般式（ｂ）で表される構成単位を０〜90モル
％、特に０〜80モル％、更に０〜60モル％の割合
で有する芳香族ポリアミドであつてもよい。 （但し、上式中、R3及びR4は水素原子又は反応
性有機化合物の残基を示し、Ar3及びAr4は芳香
族残基を示す。） 前記一般式（ａ）及び（ｂ）においてAr1
及びAr3で示される芳香族残基としては、芳香族
ジカルボン酸の芳香族残基があげられ、該芳香族
ジカルボン酸としては、例えば、テレフタル酸、
イソフタル酸、４，4′−ジカルボキシ−ビフエニ
ル、４，4′−ジカルボキシ−ジフエニルメタン、
４，4′−ジカルボキシ−ジフエニルエーテルなど
の芳香族ジカルボン酸とそれらの酸ハロゲン化物
をあげることができる。これらの芳香族ジカルボ
ン酸成分のうちでも、上記芳香族ジカルボン酸の
酸ハロゲン化物、特に酸塩化物が好ましい。 また、前記一般式（ａ）において、Ar2で示
される感光基を含有する芳香族残基としては、感
光基を有する芳香族ジアミンの芳香族残基があげ
られ、該芳香族ジアミンとしては、例えば、３，
５−ジアミノ安息香酸エチルアクリル酸エステ
ル、２，４−ジアミノ安息香酸エチルアクリル酸
エステル、３，５−ジアミノ安息香酸エチルメタ
クリル酸エステル、２，４−ジアミノ安息香酸エ
チルメタクリル酸エステル、３，５−ジアミノ安
息香酸グリシジルアクリレートエステル、２，４
−ジアミノ安息香酸グリシジルアクリレートエス
テル、３，５−ジアミノ安息香酸グリシジルメタ
クリレートエステル、２，４−ジアミノ安息香酸
グリシジルメタクリレートエステル、３，５−ジ
アミノ安息香酸ケイ皮エステル、２，４−ジアミ
ノ安息香酸ケイ皮エステルなどの安息香酸エステ
ル類；３，５−ジアミノベンジルアクリレート、
３，５−ジアミノベンジルメタクリレート、２，
４−ジアミノベンジルアクリレート、２，４−ジ
アミノベンジルメタクリレートなどのベンジルア
クリレート類；４−アクリルアミド−３，4′−ジ
アミノジフエニルエーテル、２−アクリルアミド
−３，4′−ジアミノジフエニルエーテル、４−シ
ンナムアミド−３，4′−ジアミノジフエニルエー
テル、３，4′−ジアクリルアミド−3′，４−ジア
ミノジフエニルエーテル、３，4′−ジシンナムア
ミド−3′，４−ジアミノフエニルエーテル、４−
メチル−2′−カルボキシエチルメタクリル酸エス
テル−３，4′−ジアミノフエニルエーテル〔カル
ボキシエチルメタクリル酸エステルはCH2＝Ｃ
（CH3）COOCH2CH2OOC−を示す〕、４−メチ
ル−2′−カルボキシエチルアクリル酸エステル−
３，4′−ジアミノジフエニルエーテル〔カルボキ
シエチルアクリル酸エステルはCH2＝
CHCOOCH2CH2OOC−を示す〕などのジフエニ
ルエーテル類；及び４，4′−ジアミノカルコン、
３，3′−ジアミノカルコン、３，4′−ジアミノカ
ルコン、3′，４−ジアミノカルコン、4′−メチル
−3′，４−ジアミノカルコン、4′−メトキシ−3′，
４−ジアミノカルコン、3′−メチル−３，５−ジ
アミノカルコンなどのカルコンなどをあげること
ができる。 また、前記一般式（ｂ）において、Ar4で示
される芳香族残基としては、感光基を有さない芳
香族ジアミンの芳香族残基があげられ、該芳香族
ジアミンとしては、例えば、パラフエニレンジア
ミン、メタフエニレンジアミン、２，４−ジアミ
ノトルエン、４−4′−ジアミノジフエニルエーテ
ル、４，4′−ジアミノジフエニルメタン、Ｏ−ト
ルイジン、１，４−ビス（４−アミノフエノキ
シ）ベンゼン、２，2′−ビス（４−アミノフエノ
キシフエニル）プロパン、Ｏ−トルイジンスルホ
ンなどのジアミン、及び９，９−ビス（４−アミ
ノフエニル）−10−アンスロン、１，５−ジアミ
ノアントラキノン、１，４−ジアミノアントラキ
ノン、３，3′−ジアミノベンゾフエノン、4′−
Ｎ，Ｎ−ジメチルアミノ−３，５−ジアミノベン
ゾフエノン、１−ジメチルアミノ−４−（３，５
−ジアミノベンドイル）−ナフタレンなどのケト
ン基を含有するジアミンをあげることができる。
これらのうちでも特に、ケトン基を含有するジア
ミンがポリアミドの感度、解像度を一層向上させ
得るので好ましい。 また、前記一般式（ａ）及び（ｂ）におい
て、R1、R2、R3及びR4で示される反応性有機化
合物の残基は、ポリアミドのアミド結合の水素原
子に対して反応性を有する有機化合物（反応性有
機化合物）がポリアミドのアミド結合の水素原子
と置換反応した結果形成された有機基であり、例
えば、アセチル基、アクリロイル基、メタクリロ
イル基、シンナモイル基、パラアジドベゾイル基
などをあげることができ、特にアクリロイル基、
メタクリロイル基、シンナモイル基などの感光基
を含有する有機基がポリアミドの感度、解像度を
一層向上させ得るので好ましい。これらの残基を
有する反応性有機化合物としては、例えば、メタ
クリル酸クロライド、アクリル酸クロライド、ケ
イ皮酸クロライド、酢酸クロライド、塩化ベンジ
ル、パラアジド塩化ベンゾイルなどがあげられ
る。また、本発明で使用されるポリアミドにおい
て、前記一般式（ｂ）
しくは、多層プリント配線板の層間絶縁膜形成材
料として、高分子鎖中に感光基を含有する高感度
の新規な芳香族ポリアミドからなり、耐熱性、機
械的性質及び電気的性質の優れた、高感度、高解
像度を有し有機溶媒可溶性ポリアミドを感光材料
として含む感光性樹脂組成物を用いる、多層プリ
ント配線板の製造方法に関するものである。 プリント配線板に搭載する素子及び部品は、従
来、能動素子、受動素子を含めた個別部品が主で
あつたが、技術の進展に伴い今後はIC、LSIを高
密度に搭載する方向に向うものと考えられる。従
つて、プリント配線板は、その実装形態が複雑で
密度の高いものになつていく傾向にある。 しかし、従来のプリント配線技術でプリント配
線板の高密度化に対処することは到底不可能であ
り、新たな高密度細線回路形成技術及び多層化技
術が必要である。 即ち、例えば、プリント配線板において、布線
収容数の向上をはかるために、従来、メツキスル
ホール法による多層化技術が広く応用されてきた
が、この技術はランド部分スペースのために回路
パターンの配線領域が制限される欠点がある。即
ち、上記の従来技術によりプリント配線板の多層
化を行うと、層数が増えると層間接続のためのス
ルーホール数が多くなり、逆に平面内の配線領域
が減少する欠点がある。従つて、従来技術では、
層数を10以上に増やし、線巾やスルーホール径を
小さくすることは材料的にも精度的にも限界に達
しつつあり、プリント配線板の多層化には新しい
配線技術が要請される。 而して、上記の新しい配線技術として、バイヤ
ホール形成にフオトフアブリケーシヨンを応用し
た方法、即ち、絶縁基板上に第１層目の配線パタ
ーンを形成し、該配線パターン上にフオトポリマ
ーの膜を形成した後、該フオトポリマーの膜を、
露光して光硬化させ、現像し所定位置にバイヤホ
ールの形成された光硬化膜を形成し、次いで、上
記フオトポリマーの光硬化膜を層間絶縁膜として
使用して該層間絶縁膜上及び上記バイヤホール部
に第２層目の配線パターを形成し、更に上記のフ
オトポリマーの膜形成工程以下の工程を順次繰り
返して多層配線パターンを形成する多層プリント
配線板の製造方法が考えられる。 然し乍ら、上記の方法により多層プリント配線
板を製造するには、上記のフオトポリマーが感光
材料として種々の適性を具備している他に、層間
絶縁膜の形成能を有する等の特性を併有していな
ければならないが、従来のフオトポリマーは、必
ずしも欺る特性を有しておらず、上記の多層プリ
ント配線板の製造方法に適用し難かつた。 本発明者等は、フオトフアブリケーシヨンの応
用による多層プリント配線板の製造方法及び該製
造方法の実施を可能にするフオトポリマーについ
て種々検討した結果、フオトポリマーとして感光
基を含有する特定の芳香族ポリアミドを用いるこ
とにより、充分な工業的価値を有する多層プリン
ト配線板を製造できることを見出し本発明に到達
した。 即ち、本発明は、絶縁基板上に第１層目の配線
パターンを形成し、該配線パターン上にフオトポ
リマーの膜を形成した後、該フオトポリマーの膜
を、露光して光硬化させ、現像し所定位置にバイ
ヤーホールの形成された光硬化膜を形成し、次い
で、上記フオトポリマーの光硬化膜を層間絶縁膜
として使用して該層間絶縁膜上及び上記バイヤホ
ール部に第２層目の配線パターンを形成し、更に
上記のフオトポリマーの膜形成工程以下の工程を
順次繰り返して多層配線パターンを形成する多層
プリント配線板の製造方法において、上記フオト
ポリマーの膜形成を、下記一般式（ａ）に表さ
れる構成単位を10モル％以上有し、その残部とし
て下記一般式（ｂ）で表される構成単位を０〜
90モル％有する芳香族ポリアミドが約３〜50重量
％の割合で有機溶媒に溶解されている感光性樹脂
組成物を用い、該組成物を配線パターン上に塗布
し、乾燥させることにより行うことを特徴とする
多層プリント配線板の製造方法を提供するもので
ある。 （但し、上式中、R1及びR2は水素原子又は反応
性有機化合物の残基を示し、Ar1は芳香族ジカル
ボン酸又は芳香族ジカルボン酸の酸ハロゲン化物
の芳香族残基を示し、Ar2は感光基を含有する芳
香族残基を示す。） （但し、上式中、R3及びR4は水素原子又は反応
性有機化合物の残基を示し、Ar3は芳香族ジカル
ボン酸又は芳香族ジカルボン酸の酸ハロゲン化物
の芳香族残基を示し、Ar4は感光基を含有しない
芳香族残基を示す。） 以下に本発明の多層プリント配線板の製造方法
について詳述する。 先ず、本発明の製造方法において用いられる感
光性樹脂組成物について説明する。 本発明で用いられる感光樹脂組成物の感光材料
である、前記一般式（ａ）で表される構成単位
を10モル％以上、好ましくは20モル％以上、更に
好ましくは40モル％以上の割合で有する芳香族ポ
リアミドは、前記一般式（ａ）で表される構成
単位を80〜100モル％の割合で有するポリアミド
であつてもよいが、その構成単位の他に、次の一
般式（ｂ）で表される構成単位を０〜90モル
％、特に０〜80モル％、更に０〜60モル％の割合
で有する芳香族ポリアミドであつてもよい。 （但し、上式中、R3及びR4は水素原子又は反応
性有機化合物の残基を示し、Ar3及びAr4は芳香
族残基を示す。） 前記一般式（ａ）及び（ｂ）においてAr1
及びAr3で示される芳香族残基としては、芳香族
ジカルボン酸の芳香族残基があげられ、該芳香族
ジカルボン酸としては、例えば、テレフタル酸、
イソフタル酸、４，4′−ジカルボキシ−ビフエニ
ル、４，4′−ジカルボキシ−ジフエニルメタン、
４，4′−ジカルボキシ−ジフエニルエーテルなど
の芳香族ジカルボン酸とそれらの酸ハロゲン化物
をあげることができる。これらの芳香族ジカルボ
ン酸成分のうちでも、上記芳香族ジカルボン酸の
酸ハロゲン化物、特に酸塩化物が好ましい。 また、前記一般式（ａ）において、Ar2で示
される感光基を含有する芳香族残基としては、感
光基を有する芳香族ジアミンの芳香族残基があげ
られ、該芳香族ジアミンとしては、例えば、３，
５−ジアミノ安息香酸エチルアクリル酸エステ
ル、２，４−ジアミノ安息香酸エチルアクリル酸
エステル、３，５−ジアミノ安息香酸エチルメタ
クリル酸エステル、２，４−ジアミノ安息香酸エ
チルメタクリル酸エステル、３，５−ジアミノ安
息香酸グリシジルアクリレートエステル、２，４
−ジアミノ安息香酸グリシジルアクリレートエス
テル、３，５−ジアミノ安息香酸グリシジルメタ
クリレートエステル、２，４−ジアミノ安息香酸
グリシジルメタクリレートエステル、３，５−ジ
アミノ安息香酸ケイ皮エステル、２，４−ジアミ
ノ安息香酸ケイ皮エステルなどの安息香酸エステ
ル類；３，５−ジアミノベンジルアクリレート、
３，５−ジアミノベンジルメタクリレート、２，
４−ジアミノベンジルアクリレート、２，４−ジ
アミノベンジルメタクリレートなどのベンジルア
クリレート類；４−アクリルアミド−３，4′−ジ
アミノジフエニルエーテル、２−アクリルアミド
−３，4′−ジアミノジフエニルエーテル、４−シ
ンナムアミド−３，4′−ジアミノジフエニルエー
テル、３，4′−ジアクリルアミド−3′，４−ジア
ミノジフエニルエーテル、３，4′−ジシンナムア
ミド−3′，４−ジアミノフエニルエーテル、４−
メチル−2′−カルボキシエチルメタクリル酸エス
テル−３，4′−ジアミノフエニルエーテル〔カル
ボキシエチルメタクリル酸エステルはCH2＝Ｃ
（CH3）COOCH2CH2OOC−を示す〕、４−メチ
ル−2′−カルボキシエチルアクリル酸エステル−
３，4′−ジアミノジフエニルエーテル〔カルボキ
シエチルアクリル酸エステルはCH2＝
CHCOOCH2CH2OOC−を示す〕などのジフエニ
ルエーテル類；及び４，4′−ジアミノカルコン、
３，3′−ジアミノカルコン、３，4′−ジアミノカ
ルコン、3′，４−ジアミノカルコン、4′−メチル
−3′，４−ジアミノカルコン、4′−メトキシ−3′，
４−ジアミノカルコン、3′−メチル−３，５−ジ
アミノカルコンなどのカルコンなどをあげること
ができる。 また、前記一般式（ｂ）において、Ar4で示
される芳香族残基としては、感光基を有さない芳
香族ジアミンの芳香族残基があげられ、該芳香族
ジアミンとしては、例えば、パラフエニレンジア
ミン、メタフエニレンジアミン、２，４−ジアミ
ノトルエン、４−4′−ジアミノジフエニルエーテ
ル、４，4′−ジアミノジフエニルメタン、Ｏ−ト
ルイジン、１，４−ビス（４−アミノフエノキ
シ）ベンゼン、２，2′−ビス（４−アミノフエノ
キシフエニル）プロパン、Ｏ−トルイジンスルホ
ンなどのジアミン、及び９，９−ビス（４−アミ
ノフエニル）−10−アンスロン、１，５−ジアミ
ノアントラキノン、１，４−ジアミノアントラキ
ノン、３，3′−ジアミノベンゾフエノン、4′−
Ｎ，Ｎ−ジメチルアミノ−３，５−ジアミノベン
ゾフエノン、１−ジメチルアミノ−４−（３，５
−ジアミノベンドイル）−ナフタレンなどのケト
ン基を含有するジアミンをあげることができる。
これらのうちでも特に、ケトン基を含有するジア
ミンがポリアミドの感度、解像度を一層向上させ
得るので好ましい。 また、前記一般式（ａ）及び（ｂ）におい
て、R1、R2、R3及びR4で示される反応性有機化
合物の残基は、ポリアミドのアミド結合の水素原
子に対して反応性を有する有機化合物（反応性有
機化合物）がポリアミドのアミド結合の水素原子
と置換反応した結果形成された有機基であり、例
えば、アセチル基、アクリロイル基、メタクリロ
イル基、シンナモイル基、パラアジドベゾイル基
などをあげることができ、特にアクリロイル基、
メタクリロイル基、シンナモイル基などの感光基
を含有する有機基がポリアミドの感度、解像度を
一層向上させ得るので好ましい。これらの残基を
有する反応性有機化合物としては、例えば、メタ
クリル酸クロライド、アクリル酸クロライド、ケ
イ皮酸クロライド、酢酸クロライド、塩化ベンジ
ル、パラアジド塩化ベンゾイルなどがあげられ
る。また、本発明で使用されるポリアミドにおい
て、前記一般式（ｂ）
【式】で表される構成単
位の存在は、ポリアミドの熱的性質を向上させる
効果があるが、多過ぎると感光基濃度が低くなり
光感度が低下するので適当ではない。 また、前記芳香族ポリアミドは、ポリアミド
0.5ｇ／Ｎ−メチル−２−ピロリドン100mlの濃度
の溶液として30℃において測定した対数粘度が
0.1〜3.5特に0.2〜2.0の範囲内にあるものが好ま
しい。 そして、前記ポリアミドは、次のようにして製
造することができる。 即ち、前記ポリアミドにおいて、R1、R2、R3
及びR4が水素原子であるものは、前記Ar1（又は
Ar3）を有する芳香族ジカルボン酸成分と、下記
一般式（）で表される感光基を有する芳香族ジ
アミン100〜10モル％、好ましくは100〜20モル
％、更に好ましくは100〜40モル％、及び下記一
般式（）で表される感光基を有さない芳香族ジ
アミン０〜90モル％、好ましくは０〜80モル％、
更に好ましくは０〜60モル％からなる芳香族ジア
ミン成分と重縮合又は共重縮合して重縮合物又は
共重縮合物（芳香族ポリアミド）を合成すること
により得られる。 H2N−Ar2−NH2 （） （但し、式中、Ar2は感光基を含有する芳香族残
基を示す。） H2N−Ar4−NH2 （） （但し、式中、Ar4は感光基を有さない芳香族残
基を示す。） 上記の合成反応は、有機溶媒中で100℃以下、
好ましくは80℃以下の反応温度で0.1〜48時間重
合反応を行うのが好ましい。 上記重合反応における有機溶媒としては、例え
ばＮ，Ｎ−ジメチルスルホキシド、Ｎ，Ｎ−ジメ
チルホルムアミド、Ｎ，Ｎ−ジエチルホルムアミ
ド、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド、Ｎ，Ｎ−ジ
エチルアセトアミド、Ｎ−メチル−２−ピロリド
ン、ヘキサメチレンホスホアミドなどが用いられ
る。 また、前記芳香族ポリアミドにおいて、R1、
R2、R3及びR4の少なくとも一つが反応性有機化
合物の残基であるものは、上述の如くして合成し
たR1、R2、R3及びR4が水素原子である前記の重
縮合物又は共重縮合物（芳香族ポリアミド）を、
その合成反応溶液中に、前述のR1、R2、R3及び
R4に相当する有機基を有する反応性有機化合物
を添加し、−５〜100℃の反応温度で0.1〜48時間
反応させることにより得られる。 尚、前記芳香族ポリアミドの製造に用いられ
る、前記一般式（）で表される芳香族ジアミン
において、ジアミノジフエニルエーテル類、ジア
ミノ安息香酸エステル類及びジアミノベンジルア
クリレート類は、新規化合物であり、その合成法
には制限されないが、その好ましい合成法として
は次のような方法をあげることができる。 (1) ジアミノジフエニルエーテル類の合成法 （モノ又はジ）アセチルアミド−ジニトロフ
エニルエーテルを加水分解して得られる（モノ
又はジ）アミノ−ジニトロフエニルエーテル
と、アクリル酸クロリドなどとを反応させ、次
いで反応物を還元することによつて目的とする
芳香族ジアミン化合物を合成する方法をあげる
ことができる。 (2) ジアミノ安息香酸エステル類の合成法 ジニトロ安息香酸クロリドと、ヒドロキシエ
チルメタクリレートなどとを反応させ、次いで
反応物を還元することによつて目的とする芳香
族ジアミン化合物を合成する方法をあげること
ができる。 (3) ジアミノベンジルアクリレート類の合成法 ジニトロベンジルアルコールと、アクリル酸
クロリドなどとを反応させ、次いで反応物を還
元することによつて目的とする芳香族ジアミン
化合物を合成する方法をあげることができる。 また、前記芳香族ポリアミドの製造に用いられ
る、前記一般式（）で表される芳香族ジアミン
のうちAr4で示される芳香族残基が
効果があるが、多過ぎると感光基濃度が低くなり
光感度が低下するので適当ではない。 また、前記芳香族ポリアミドは、ポリアミド
0.5ｇ／Ｎ−メチル−２−ピロリドン100mlの濃度
の溶液として30℃において測定した対数粘度が
0.1〜3.5特に0.2〜2.0の範囲内にあるものが好ま
しい。 そして、前記ポリアミドは、次のようにして製
造することができる。 即ち、前記ポリアミドにおいて、R1、R2、R3
及びR4が水素原子であるものは、前記Ar1（又は
Ar3）を有する芳香族ジカルボン酸成分と、下記
一般式（）で表される感光基を有する芳香族ジ
アミン100〜10モル％、好ましくは100〜20モル
％、更に好ましくは100〜40モル％、及び下記一
般式（）で表される感光基を有さない芳香族ジ
アミン０〜90モル％、好ましくは０〜80モル％、
更に好ましくは０〜60モル％からなる芳香族ジア
ミン成分と重縮合又は共重縮合して重縮合物又は
共重縮合物（芳香族ポリアミド）を合成すること
により得られる。 H2N−Ar2−NH2 （） （但し、式中、Ar2は感光基を含有する芳香族残
基を示す。） H2N−Ar4−NH2 （） （但し、式中、Ar4は感光基を有さない芳香族残
基を示す。） 上記の合成反応は、有機溶媒中で100℃以下、
好ましくは80℃以下の反応温度で0.1〜48時間重
合反応を行うのが好ましい。 上記重合反応における有機溶媒としては、例え
ばＮ，Ｎ−ジメチルスルホキシド、Ｎ，Ｎ−ジメ
チルホルムアミド、Ｎ，Ｎ−ジエチルホルムアミ
ド、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド、Ｎ，Ｎ−ジ
エチルアセトアミド、Ｎ−メチル−２−ピロリド
ン、ヘキサメチレンホスホアミドなどが用いられ
る。 また、前記芳香族ポリアミドにおいて、R1、
R2、R3及びR4の少なくとも一つが反応性有機化
合物の残基であるものは、上述の如くして合成し
たR1、R2、R3及びR4が水素原子である前記の重
縮合物又は共重縮合物（芳香族ポリアミド）を、
その合成反応溶液中に、前述のR1、R2、R3及び
R4に相当する有機基を有する反応性有機化合物
を添加し、−５〜100℃の反応温度で0.1〜48時間
反応させることにより得られる。 尚、前記芳香族ポリアミドの製造に用いられ
る、前記一般式（）で表される芳香族ジアミン
において、ジアミノジフエニルエーテル類、ジア
ミノ安息香酸エステル類及びジアミノベンジルア
クリレート類は、新規化合物であり、その合成法
には制限されないが、その好ましい合成法として
は次のような方法をあげることができる。 (1) ジアミノジフエニルエーテル類の合成法 （モノ又はジ）アセチルアミド−ジニトロフ
エニルエーテルを加水分解して得られる（モノ
又はジ）アミノ−ジニトロフエニルエーテル
と、アクリル酸クロリドなどとを反応させ、次
いで反応物を還元することによつて目的とする
芳香族ジアミン化合物を合成する方法をあげる
ことができる。 (2) ジアミノ安息香酸エステル類の合成法 ジニトロ安息香酸クロリドと、ヒドロキシエ
チルメタクリレートなどとを反応させ、次いで
反応物を還元することによつて目的とする芳香
族ジアミン化合物を合成する方法をあげること
ができる。 (3) ジアミノベンジルアクリレート類の合成法 ジニトロベンジルアルコールと、アクリル酸
クロリドなどとを反応させ、次いで反応物を還
元することによつて目的とする芳香族ジアミン
化合物を合成する方法をあげることができる。 また、前記芳香族ポリアミドの製造に用いられ
る、前記一般式（）で表される芳香族ジアミン
のうちAr4で示される芳香族残基が
【式】（式中、Arは芳香族環を
示し、Ｒはメチル基又はエチル基を示す）である
化合物（前記の4′−Ｎ，Ｎ−ジメチルアミノ−
３，５−ジアミノベンゾフエノンなど）も、新規
化合物であり、その合成法には制限されないが、
その好ましい合成法としては、先ずジニトロ塩化
ベンゾイルとアニリンとを反応させてジニトロベ
ンズアニリドを合成し、次ぎにこれと
化合物（前記の4′−Ｎ，Ｎ−ジメチルアミノ−
３，５−ジアミノベンゾフエノンなど）も、新規
化合物であり、その合成法には制限されないが、
その好ましい合成法としては、先ずジニトロ塩化
ベンゾイルとアニリンとを反応させてジニトロベ
ンズアニリドを合成し、次ぎにこれと
【式】とオキシ塩化リンとを反応させ、得ら
れる反応物に濃塩酸を加えることによつて
【式】を合成し、
次いでこれを還元することによつて目的とする
ジアミン化合物を合成する方法をあげることがで
きる。 また、本発明で用いられる感光性樹脂組成物を
構成する有機溶媒としては、Ｎ，Ｎ−ジメチルホ
ルムアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド、Ｎ
−メチル−２−ピロリドン、ジメチルスルホキシ
ド、１，３−ジメチル−２−イミダリジノン、ヘ
キサメチルホスホリツトトリアミド、ヘキサメチ
レンホスホアミドなどをあげることができる。こ
の感光性樹脂組成物は、前記芳香族ポリアミドが
約３〜50重量％、好ましくは５〜40重量％の割合
で有機溶媒に均一に溶解されている溶液組成物で
ある。 本発明で用いられる上記感光性樹脂組成物に
は、必要に応じ、熱重合防止剤を配合させること
ができる。かかる熱重合防止剤としては、ハイド
ロキノン、２，６−ジ−ｔ−ブチル−４−メチル
フエノール（BHT）、メチルエーテルハイドロキ
ノン、ベンゾキノンなどをあげることができる。
この熱重合防止剤の配合量は、前記ポリアミド
100重量部に対し０〜３重量部程度が適当である。 また、本発明で用いられる感光性樹脂組成物に
は、必要に応じ、増感剤及び光重合開始剤を添加
させることができる。かかる増感剤及び光重合開
始剤としては、ミヒラーズケトン、ベンゾイン、
ベンゾインメチルエーテル、ベンゾインエチルエ
ーテル、ベンゾインイソプロピルエーテル、２−
ｔ−ブチルアントラキノン、１，２−ベンゾ−
９，10−アントラキノン、４，4′−ビス（ジエチ
ルアミノ）ベンゾフエノン、アセトフエノン、ベ
ンゾフエノン、１，５−アセナフテン、チオキサ
ントン又はその誘導体（例えばクロルチオキサン
トン、メチルチオキサントン）、アントラニル酸
ジメチルアミノベンゾエーテトなどをあげること
ができ、これらは単独で又は２種以上混合して用
いられる。この増感剤及び光重合開始剤の配合量
は、前記ポリアミド100重量部に対し１〜10重量
部程度が適当である。 本発明に使用する感光性樹脂組成物は、常温で
測定した回転粘度が約１〜5000ポイズ、特に５〜
1000ポイズ、更に最適には10〜500ポイズである
粘稠で、無色透明な前記ポリアミド溶液組成物で
あることが好ましい。 次に、上述の感光性樹脂組成物を用いた、本発
明の多層プリント配線板の製造方法の一実施態様
の概略を図面を参照し乍ら説明する。 本発明の代表的な実施態様は、次の４工程を基
本工程とするものである。 工程() 第１層目の配線パターンの形成 絶縁基板上に、第１層目の配線パターン２を
アデイテイブプロセス又はフオトエツチングプ
ロセスにより形成する。この工程は、通常、銅
張をした絶縁基板に対して通常の感光性樹脂を
用い、常法通り実施される。 工程() フオトポリマー膜の形成 工程（）で得られた第１層目の配線パター
ン２上に、前述の本発明の感光性樹脂組成物を
約５〜2000μｍ、好ましくは10〜1000μｍ、更
に好ましくは30〜800μｍの平均厚さの薄膜状
に塗布、乾燥して、約２〜200μｍ、好ましく
は５〜150μｍの平均厚さのフオトポリマーの
膜３を形成する。このフオトポリマーの膜３の
形成により第１層目の配線パターン２は該膜３
で被覆埋設される。 工程() バイヤホールを有する光硬化膜の形成 工程（）で得られたフオトポリマーの膜３
を所定のポジマスクで覆い、紫外光等により露
光し、Ｎ−メチル−２−ピロリドン等の溶剤を
用いて未硬化部を洗い落とし現像し、水洗し
て、第１層目の配線パターンを導通する所定の
位置にバイヤホール４の形成された光硬化膜を
形成する。そして、この光硬化膜は層間絶縁膜
３′を形成する。 工程()第２層目の配線パターンの形成 工程（）で得られた層間絶縁膜３′上及びバ
イヤホール４部に第２層目の配線パターン５を形
成する。この第２層目の配線パターン５の形成に
はセミアデイテイブ法が適用される。即ち、先
ず、上記層間絶縁膜３′上及びバイヤホール４部
に、それらを表面処理後無電解銅メツキを施し、
その上に通常の配線パターン形成用の感光性樹脂
を用いて第２層目の配線パターン形成部を形成
し、該形成部に銅を電気メツキした後、上記感光
性樹脂の硬化膜を剥離して銅の電気メツキ部以外
の無電解銅メツキ部をエツチングし、電気メツキ
銅からなる第２層目の配線パターン５を形成す
る。 上述の工程（）〜（）を終了後、更に工程
（）〜（）を必要回数繰り返すことにより所
望の多層プリント配線板を製造する。 上述の工程（）及び工程（）における感光
性樹脂組成物の塗布、乾燥、及びフオトポリマー
の膜の露光、現像は、次のようにして行う。 上記感光性樹脂組成物の基板への塗布は、例え
ば回転塗布機で行うことができる。塗布膜の乾燥
は150℃以下、好ましくは100℃以下で行う。この
際減圧はしてもしなくてもよい。乾燥後、塗布膜
にネガ型のフオトマスクチヤートを置き、紫外
線、可視光線、電子線、Ｘ線などの活性光線を照
射する。次いで未露光の部分を現像液で洗い流す
ことによりポリアミドのレリーフパターンを得
る。上記の現像液としては、Ｎ，Ｎ−ジメチルホ
ルムアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド、ジ
メチルスルホキシド、Ｎ−メチル−２−ピロリド
ン、ヘキサメチレンホスホアミド、ジグライムな
どの溶剤又は該溶剤とメタノール、エタノールと
の混合系を用いることができる。 本発明の多層プリント配線板の製造方法に用い
られる感光性樹脂組成物の感光材料、即ち、前記
芳香族ポリアミドは、感光基が高分子鎖中に導入
されているものであり、有機溶媒に対する溶解性
が優れているため、有機溶媒に溶解し感光性樹脂
組成物として使用することにより光化学的手段に
よつて配線パターンを容易に形成することがで
き、且つ配線パターンを形成する場合、高い感光
性を有し、光透過性及び光架橋性に優れているた
め、かなり厚い膜に光硬化することが容易に短時
間で行え、いずれの光硬化膜にも所望の位置に、
従来の感光材料では到底不可能であつた約300μ
ｍ程度の小径のバイヤホールの形成が容易に可能
し、また従来の非感光性の、ポリイミドやポリア
ミドのように、画像形成用の別の光硬化性物質を
特に必要としない。また、感光性ポリアミツク酸
（ポリイミド前駆体）やポリアミドアミツク酸の
ように画像形成後イミド化工程を必要としないた
め、工程の簡略化のみならず、素子への熱的影響
や収縮による歪や応力を与えることがないなどの
多くの優れた効果がある。 しかも、前記芳香族ポリアミドを用いて形成さ
れる光硬化膜の層間絶縁膜は、耐熱性、機械的性
質及び電気的性質に優れ、且つ基板への接着性が
良好なものであり、また前記ポリアミドは、光透
過性及び光架橋性に優れているため、厚さが約30
〜80μｍの厚みのある膜を好適に形成することが
できる。 本発明の多層プリント配線板の製造方法に用い
る感光性樹脂組成物の感光材料は、上述の如き
種々の特性を有しており、配線パターン上に直
接、バイヤホールを有する絶縁膜を形成できるか
ら、斯る感光材料を用いる本発明によれば、多層
プリント配線板の製造が可能となる。 叙上の如く、本発明は、フオトポリマーとし
て、耐熱性が優れており、感度、解像度が高く、
基板に対する接着性が優れている、有機溶媒可溶
性のポリアミドを用いることにより、バイヤホー
ルの細径化等が要求される層間絶縁膜が層間に内
在された多層プリント配線板の製造を可能にした
もので、各層のいずれの位置にも自由にバイヤホ
ールを形成することができるものであり、電子工
業分野に対し大きく寄与するものである。 以下に、本発明で使用される前記ポリアミドの
製造に用いられるジアミン成分の合成例、本発明
で使用される前記ポリアミドの製造例、及び本発
明の実施例を示す。 合成例 １ ３，５−ジアミノ安息香酸エチルメタクリル酸
エステルの合成 第一工程 ３，５−ジニトロ安息香酸エチルメタクリル酸エ
ステルの合成 ２−ヒドロキシエチルメタクリレート29.6ｇと
ピリジン18.1ｇをTHF（テトラヒドロフラン）
200mlに溶解した溶液に、３，５−ジニトロ安息
香酸クロリド50ｇをTHF150mlに溶解した溶液を
滴下ロートから５〜６℃で滴下して１時間で加え
た。滴下後、更に10〜15℃で１時間撹拌した。そ
の後、ブフナーロートを用いて析出したピリジン
塩酸塩を濾別し、濾液を濃縮した後、水中に注ぎ
込み白黄色の沈澱物を析出させた。 得られた沈澱物をデカンテーシヨンにより数回
洗浄後、真空中で乾燥し、３，５−ジニトロ安息
香酸エチルメタクリル酸エステル60ｇを得た。 第二工程 ３，５−ジニトロ安息香酸エチルメタクリル酸エ
ステルの還元 第一工程で得られた３，５−ジニトロ安息香酸
エチルメタクリル酸エステル５ｇを酢酸36mlに溶
解した溶液を、鉄粉27ｇを水15ml／酢酸35mlに懸
濁させた溶液に反応温度が25℃±３℃に保持され
るように撹拌しながら２〜４mlずつ加えた。約20
分間で添加を終え、更に10分間撹拌した。 その後、ブフナーロートを用いて、過剰の鉄分
を分離した濾液に氷を入れて約０℃とした後、ア
ンモニア水でPHを８付近にし、酢酸エチルを用い
て抽出し、水洗乾燥後、酢酸エチルを除去し、粗
目的物11.2ｇ（収率67.5％）を得た。この粗目的
物の精製はカラムクロマトグラフイーにより行つ
た。即ち、65mmφのカラムにワコーゲル（Ｃ−
200）200ｇを充填し、酢酸エチルとベンゼンの
１：１の混合溶媒を展開溶媒として分離し、目的
物7.8ｇを得た。 融点 88〜89℃ 元素分析値（C13H16N2O4として） Ｃ Ｈ Ｎ 実測値（％） 59.36 6.08 10.49 計算値（％） 59.08 6.10 10.60 又、上記目的物について、赤外吸収スペクトル
及びＨ−NMRスペクトを測定し、目的物である
ことを確認した。 製造例 １ ポリアミドの製造 三口フラスコに乾燥窒素を通じてフラスコ内
を置換した後、塩化リチウム３ｇと合成例１で
得られた３，５−ジアミノ安息香酸エチルメタ
クリル酸エステル31.714ｇを入れ、これにＮ−
メチル２−ピロリドン（NMP）240mlを加え
溶解した。溶解後、３℃に冷却し撹拌しながら
テレフタル酸ジクロライド24.364ｇを加えた。
この時発熱があり、溶液の温度が34℃まで上昇
した。これを30分間氷水中で撹拌した後、室温
で１時間撹拌をつづけ反応させた。 次いで、反応溶液にNMP300mlを加え希釈
した後、これをメタノール６と水６の混合
液に加えポリアミドを析出させた。析出物を濾
集し乾燥し、白色のポリアミド粉末42.01ｇを
得た。このポリアミドの対数粘度（ポリアミド
0.5ｇ／NMP100ml濃度のポリアミド溶液、30
℃）は1.73であつた。 感光性樹脂組成物の調製 上記で得られたポリアミド粉末30ｇに、有
機溶媒としてNMP150ｇ、光重合開始剤とし
てミヒラーズケトン1.2ｇ、及び熱重合防止剤
としてハイドロキノン0.15ｇとメチルエーテル
ハイドロキノン0.15ｇを加え、よく撹拌し均一
粘稠液とした後、圧力濾過して微細なごみなど
を除去し、150ポイズの感光性樹脂組成物を調
製した。 硬化膜の作成及び種々の特性値の測定結果 銅板上に700μｍ厚のスペーサーを設け、こ
れに上記で調製された感光性樹脂組成物を流
し込み、バーコータを用いて塗布し、平均膜厚
が約700μｍである薄膜を形成し、その薄膜を
70℃の熱風乾燥器内で２時間乾燥して厚さ75μ
ｍの膜を得た。この膜を、超高圧水銀灯を用い
て、1J／cm2の照射を行つて光硬化させた後、
150℃で30分間熱処理を行い、硬化膜を作成し
た。この硬化膜について種々の特性値を測定し
た結果を下記表１に示す。
ジアミン化合物を合成する方法をあげることがで
きる。 また、本発明で用いられる感光性樹脂組成物を
構成する有機溶媒としては、Ｎ，Ｎ−ジメチルホ
ルムアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド、Ｎ
−メチル−２−ピロリドン、ジメチルスルホキシ
ド、１，３−ジメチル−２−イミダリジノン、ヘ
キサメチルホスホリツトトリアミド、ヘキサメチ
レンホスホアミドなどをあげることができる。こ
の感光性樹脂組成物は、前記芳香族ポリアミドが
約３〜50重量％、好ましくは５〜40重量％の割合
で有機溶媒に均一に溶解されている溶液組成物で
ある。 本発明で用いられる上記感光性樹脂組成物に
は、必要に応じ、熱重合防止剤を配合させること
ができる。かかる熱重合防止剤としては、ハイド
ロキノン、２，６−ジ−ｔ−ブチル−４−メチル
フエノール（BHT）、メチルエーテルハイドロキ
ノン、ベンゾキノンなどをあげることができる。
この熱重合防止剤の配合量は、前記ポリアミド
100重量部に対し０〜３重量部程度が適当である。 また、本発明で用いられる感光性樹脂組成物に
は、必要に応じ、増感剤及び光重合開始剤を添加
させることができる。かかる増感剤及び光重合開
始剤としては、ミヒラーズケトン、ベンゾイン、
ベンゾインメチルエーテル、ベンゾインエチルエ
ーテル、ベンゾインイソプロピルエーテル、２−
ｔ−ブチルアントラキノン、１，２−ベンゾ−
９，10−アントラキノン、４，4′−ビス（ジエチ
ルアミノ）ベンゾフエノン、アセトフエノン、ベ
ンゾフエノン、１，５−アセナフテン、チオキサ
ントン又はその誘導体（例えばクロルチオキサン
トン、メチルチオキサントン）、アントラニル酸
ジメチルアミノベンゾエーテトなどをあげること
ができ、これらは単独で又は２種以上混合して用
いられる。この増感剤及び光重合開始剤の配合量
は、前記ポリアミド100重量部に対し１〜10重量
部程度が適当である。 本発明に使用する感光性樹脂組成物は、常温で
測定した回転粘度が約１〜5000ポイズ、特に５〜
1000ポイズ、更に最適には10〜500ポイズである
粘稠で、無色透明な前記ポリアミド溶液組成物で
あることが好ましい。 次に、上述の感光性樹脂組成物を用いた、本発
明の多層プリント配線板の製造方法の一実施態様
の概略を図面を参照し乍ら説明する。 本発明の代表的な実施態様は、次の４工程を基
本工程とするものである。 工程() 第１層目の配線パターンの形成 絶縁基板上に、第１層目の配線パターン２を
アデイテイブプロセス又はフオトエツチングプ
ロセスにより形成する。この工程は、通常、銅
張をした絶縁基板に対して通常の感光性樹脂を
用い、常法通り実施される。 工程() フオトポリマー膜の形成 工程（）で得られた第１層目の配線パター
ン２上に、前述の本発明の感光性樹脂組成物を
約５〜2000μｍ、好ましくは10〜1000μｍ、更
に好ましくは30〜800μｍの平均厚さの薄膜状
に塗布、乾燥して、約２〜200μｍ、好ましく
は５〜150μｍの平均厚さのフオトポリマーの
膜３を形成する。このフオトポリマーの膜３の
形成により第１層目の配線パターン２は該膜３
で被覆埋設される。 工程() バイヤホールを有する光硬化膜の形成 工程（）で得られたフオトポリマーの膜３
を所定のポジマスクで覆い、紫外光等により露
光し、Ｎ−メチル−２−ピロリドン等の溶剤を
用いて未硬化部を洗い落とし現像し、水洗し
て、第１層目の配線パターンを導通する所定の
位置にバイヤホール４の形成された光硬化膜を
形成する。そして、この光硬化膜は層間絶縁膜
３′を形成する。 工程()第２層目の配線パターンの形成 工程（）で得られた層間絶縁膜３′上及びバ
イヤホール４部に第２層目の配線パターン５を形
成する。この第２層目の配線パターン５の形成に
はセミアデイテイブ法が適用される。即ち、先
ず、上記層間絶縁膜３′上及びバイヤホール４部
に、それらを表面処理後無電解銅メツキを施し、
その上に通常の配線パターン形成用の感光性樹脂
を用いて第２層目の配線パターン形成部を形成
し、該形成部に銅を電気メツキした後、上記感光
性樹脂の硬化膜を剥離して銅の電気メツキ部以外
の無電解銅メツキ部をエツチングし、電気メツキ
銅からなる第２層目の配線パターン５を形成す
る。 上述の工程（）〜（）を終了後、更に工程
（）〜（）を必要回数繰り返すことにより所
望の多層プリント配線板を製造する。 上述の工程（）及び工程（）における感光
性樹脂組成物の塗布、乾燥、及びフオトポリマー
の膜の露光、現像は、次のようにして行う。 上記感光性樹脂組成物の基板への塗布は、例え
ば回転塗布機で行うことができる。塗布膜の乾燥
は150℃以下、好ましくは100℃以下で行う。この
際減圧はしてもしなくてもよい。乾燥後、塗布膜
にネガ型のフオトマスクチヤートを置き、紫外
線、可視光線、電子線、Ｘ線などの活性光線を照
射する。次いで未露光の部分を現像液で洗い流す
ことによりポリアミドのレリーフパターンを得
る。上記の現像液としては、Ｎ，Ｎ−ジメチルホ
ルムアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド、ジ
メチルスルホキシド、Ｎ−メチル−２−ピロリド
ン、ヘキサメチレンホスホアミド、ジグライムな
どの溶剤又は該溶剤とメタノール、エタノールと
の混合系を用いることができる。 本発明の多層プリント配線板の製造方法に用い
られる感光性樹脂組成物の感光材料、即ち、前記
芳香族ポリアミドは、感光基が高分子鎖中に導入
されているものであり、有機溶媒に対する溶解性
が優れているため、有機溶媒に溶解し感光性樹脂
組成物として使用することにより光化学的手段に
よつて配線パターンを容易に形成することがで
き、且つ配線パターンを形成する場合、高い感光
性を有し、光透過性及び光架橋性に優れているた
め、かなり厚い膜に光硬化することが容易に短時
間で行え、いずれの光硬化膜にも所望の位置に、
従来の感光材料では到底不可能であつた約300μ
ｍ程度の小径のバイヤホールの形成が容易に可能
し、また従来の非感光性の、ポリイミドやポリア
ミドのように、画像形成用の別の光硬化性物質を
特に必要としない。また、感光性ポリアミツク酸
（ポリイミド前駆体）やポリアミドアミツク酸の
ように画像形成後イミド化工程を必要としないた
め、工程の簡略化のみならず、素子への熱的影響
や収縮による歪や応力を与えることがないなどの
多くの優れた効果がある。 しかも、前記芳香族ポリアミドを用いて形成さ
れる光硬化膜の層間絶縁膜は、耐熱性、機械的性
質及び電気的性質に優れ、且つ基板への接着性が
良好なものであり、また前記ポリアミドは、光透
過性及び光架橋性に優れているため、厚さが約30
〜80μｍの厚みのある膜を好適に形成することが
できる。 本発明の多層プリント配線板の製造方法に用い
る感光性樹脂組成物の感光材料は、上述の如き
種々の特性を有しており、配線パターン上に直
接、バイヤホールを有する絶縁膜を形成できるか
ら、斯る感光材料を用いる本発明によれば、多層
プリント配線板の製造が可能となる。 叙上の如く、本発明は、フオトポリマーとし
て、耐熱性が優れており、感度、解像度が高く、
基板に対する接着性が優れている、有機溶媒可溶
性のポリアミドを用いることにより、バイヤホー
ルの細径化等が要求される層間絶縁膜が層間に内
在された多層プリント配線板の製造を可能にした
もので、各層のいずれの位置にも自由にバイヤホ
ールを形成することができるものであり、電子工
業分野に対し大きく寄与するものである。 以下に、本発明で使用される前記ポリアミドの
製造に用いられるジアミン成分の合成例、本発明
で使用される前記ポリアミドの製造例、及び本発
明の実施例を示す。 合成例 １ ３，５−ジアミノ安息香酸エチルメタクリル酸
エステルの合成 第一工程 ３，５−ジニトロ安息香酸エチルメタクリル酸エ
ステルの合成 ２−ヒドロキシエチルメタクリレート29.6ｇと
ピリジン18.1ｇをTHF（テトラヒドロフラン）
200mlに溶解した溶液に、３，５−ジニトロ安息
香酸クロリド50ｇをTHF150mlに溶解した溶液を
滴下ロートから５〜６℃で滴下して１時間で加え
た。滴下後、更に10〜15℃で１時間撹拌した。そ
の後、ブフナーロートを用いて析出したピリジン
塩酸塩を濾別し、濾液を濃縮した後、水中に注ぎ
込み白黄色の沈澱物を析出させた。 得られた沈澱物をデカンテーシヨンにより数回
洗浄後、真空中で乾燥し、３，５−ジニトロ安息
香酸エチルメタクリル酸エステル60ｇを得た。 第二工程 ３，５−ジニトロ安息香酸エチルメタクリル酸エ
ステルの還元 第一工程で得られた３，５−ジニトロ安息香酸
エチルメタクリル酸エステル５ｇを酢酸36mlに溶
解した溶液を、鉄粉27ｇを水15ml／酢酸35mlに懸
濁させた溶液に反応温度が25℃±３℃に保持され
るように撹拌しながら２〜４mlずつ加えた。約20
分間で添加を終え、更に10分間撹拌した。 その後、ブフナーロートを用いて、過剰の鉄分
を分離した濾液に氷を入れて約０℃とした後、ア
ンモニア水でPHを８付近にし、酢酸エチルを用い
て抽出し、水洗乾燥後、酢酸エチルを除去し、粗
目的物11.2ｇ（収率67.5％）を得た。この粗目的
物の精製はカラムクロマトグラフイーにより行つ
た。即ち、65mmφのカラムにワコーゲル（Ｃ−
200）200ｇを充填し、酢酸エチルとベンゼンの
１：１の混合溶媒を展開溶媒として分離し、目的
物7.8ｇを得た。 融点 88〜89℃ 元素分析値（C13H16N2O4として） Ｃ Ｈ Ｎ 実測値（％） 59.36 6.08 10.49 計算値（％） 59.08 6.10 10.60 又、上記目的物について、赤外吸収スペクトル
及びＨ−NMRスペクトを測定し、目的物である
ことを確認した。 製造例 １ ポリアミドの製造 三口フラスコに乾燥窒素を通じてフラスコ内
を置換した後、塩化リチウム３ｇと合成例１で
得られた３，５−ジアミノ安息香酸エチルメタ
クリル酸エステル31.714ｇを入れ、これにＮ−
メチル２−ピロリドン（NMP）240mlを加え
溶解した。溶解後、３℃に冷却し撹拌しながら
テレフタル酸ジクロライド24.364ｇを加えた。
この時発熱があり、溶液の温度が34℃まで上昇
した。これを30分間氷水中で撹拌した後、室温
で１時間撹拌をつづけ反応させた。 次いで、反応溶液にNMP300mlを加え希釈
した後、これをメタノール６と水６の混合
液に加えポリアミドを析出させた。析出物を濾
集し乾燥し、白色のポリアミド粉末42.01ｇを
得た。このポリアミドの対数粘度（ポリアミド
0.5ｇ／NMP100ml濃度のポリアミド溶液、30
℃）は1.73であつた。 感光性樹脂組成物の調製 上記で得られたポリアミド粉末30ｇに、有
機溶媒としてNMP150ｇ、光重合開始剤とし
てミヒラーズケトン1.2ｇ、及び熱重合防止剤
としてハイドロキノン0.15ｇとメチルエーテル
ハイドロキノン0.15ｇを加え、よく撹拌し均一
粘稠液とした後、圧力濾過して微細なごみなど
を除去し、150ポイズの感光性樹脂組成物を調
製した。 硬化膜の作成及び種々の特性値の測定結果 銅板上に700μｍ厚のスペーサーを設け、こ
れに上記で調製された感光性樹脂組成物を流
し込み、バーコータを用いて塗布し、平均膜厚
が約700μｍである薄膜を形成し、その薄膜を
70℃の熱風乾燥器内で２時間乾燥して厚さ75μ
ｍの膜を得た。この膜を、超高圧水銀灯を用い
て、1J／cm2の照射を行つて光硬化させた後、
150℃で30分間熱処理を行い、硬化膜を作成し
た。この硬化膜について種々の特性値を測定し
た結果を下記表１に示す。
【表】
【表】
尚、市販のウレタン系フオトポリマーにより
形成した150μｍ厚の硬化膜について、上記の
熱衝撃試験を行つたところ、硬化膜に亀裂の発
生がみられた。 実施例 １ ３層プリント配線板の製造 () 第１層目の銅配線パターンの形成 ガラスエポキシ銅張積層板（基板）上にミ
ユーロンＡ（室町化学工業(株)製、ネガ型パタ
ーンレジスト）をラミネートし、その表面を
第１層目の配線用マスクフイルムで覆い、超
高圧水銀灯を用いて0.2J／cm2の照射し露光を
行つた後、1.3％の炭酸ナトリウム、リン酸
ナトリウムの水溶液で現像し、水洗し、第１
層目の配線部分を被覆したミユーロンＡの薄
膜を形成した。次いで、基板を、65％の塩化
第２鉄水溶液に浸漬し基板上の不用部分の銅
をエツチング除去した後、更に３％の水酸化
ナトリウム水溶液に浸漬し上記ミユーロンＡ
の薄膜を剥離して第１層目の銅配線パターン
を形成した。 () ポリアミド膜の形成 上記工程（）で得られた、第１層目の銅
配線パターンが形成された基板上に、700μ
ｍ厚のスペーサーを設け、これに、前記製造
例１ので調製された感光性樹脂組成物を塗
布し、平均厚さ約650μｍの薄膜を形成し、
70℃で２時間乾燥して厚さ70μｍのポリアミ
ドの膜を形成した。 () バイヤホールの形成 上記工程（）で形成されたポリアミドの
膜の表面をスルーホール用マスクパターンで
覆い、超高圧水銀灯を用いて1J／cm2の照射し
露光を行つた。バイヤホールの現象は、
NMP溶液中で28KHz90Wの超音波洗浄機を
用いて３分間行つた。更に、5J／cm2の照射し
後露光を行つた後、150℃で３分間の後加熱
を行い、ポリアミドの膜を硬化させ、光硬化
膜をそのまま残置し層間絶縁膜とした。 () 第２層目の銅配線パターンの形成 上記工程（）で形成された層間絶縁膜を
スクラブクリーナー（シプレー社製）を用い
て表面処理後、上記層間絶縁膜上及び上記バ
イヤホール部に無電解銅メツキ処理を室町化
学工業(株)のMKシリーズに基づき施した。 次いで、上記無電解銅メツキ部上にミユー
ロンＡをラミネートし、その表面を第２層目
の配線用マスクフイルムで覆い、超高圧水銀
灯を用いて0.08J／cm2の照射し露光を行つた
後、1.3％の炭酸ナトリウム、リン酸ナトリ
ウムの水溶液で現像し、水洗し、ミユーロン
Ａの薄膜を形成し、第２層目の配線パターン
形成部を得た。 次いで、上記第２層目の配線パターン形成
部に硫酸銅浴による電気メツキ処理を施すた
めに、荏原コージライトTHプロセスに基づ
き、陽極を銅板にし陰極に基板を装着し、
2A／ｄｍの条件で、１時間電気メツキ処理
を施した。その後、基板を、３％の水酸化ナ
トリウム水溶液に浸漬しミユーロンＡの薄膜
を剥離し、更に20％の過硫酸アンモニウム水
溶液に数秒間浸漬し、無電解銅メツキ処理で
形成された上記無電解銅メツキ部の不用部分
の銅をエツチング除去し、第２層目の銅配線
パターンを形成した。 () 第３層目の銅配線パターンの形成 上記工程（）〜（）を繰り返すことに
より第３層目の銅配線パターンを形成した。 熱衝撃性試験 上記で製造された３層プリント配線板を用
いて、MIL規格−STD−202D−107による熱
衝撃性試験（−65℃、30分間125℃、30分間、
100サイクル）を行い、亀裂の発生の有無及び
導通の信頼性を調べたところ、異常は認められ
なかつた。 製造例 ２ ポリアミドの製造 三口フラスコに乾燥窒素を通じてフラスコ内
を置換した後、塩化リチウム３ｇと合成例１で
得られた３，５−ジアミノ安息香酸エチルメタ
クリル酸エステル31.714ｇを入れ、これに
NMP240mlを加え溶解した。溶解後、２℃に
冷却し撹拌しながらテレフタル酸ジクロライド
24.364ｇを加えた。この時発熱があり、溶液の
温度が32℃まで上昇した。これを30分間氷水中
で撹拌した後、室温で１時間撹拌をつづけ反応
させた。その後、反応溶液にNMP300mlを加
え希釈した。 更に、反応溶液に、メタクリル酸クロライド
25.8ｇをNMP30mlに溶解した溶液を30分間で
滴下して加えた。この時発熱があり、溶液の温
度が35℃まで上昇した。 反応後、反応溶液をメタノール６と水６
の混合液に加えポリアミドを析出させた。析出
物を濾集し乾燥し、白色のポリアミド粉末51ｇ
を得た。このポリアミドの対数粘度（ポリアミ
ド0.5ｇ／NMP100ml濃度のポリアミド溶液、
30℃）は1.77であつた。 感光性樹脂組成物の調製 上記で得られたポリアミド粉末を用いて製
造例１のと同様にして約170ポイズの感光性
樹脂組成物を調製した。 実施例 ２ 製造例２ので調製された感光性樹脂組成物を
用いて、実施例１と同様に、３層プリント配線板
を製造し、それについて熱衝撃性試験を行い亀裂
の発生の有無及び導通の信頼性を調べたところ、
異常は認められなかつた。
形成した150μｍ厚の硬化膜について、上記の
熱衝撃試験を行つたところ、硬化膜に亀裂の発
生がみられた。 実施例 １ ３層プリント配線板の製造 () 第１層目の銅配線パターンの形成 ガラスエポキシ銅張積層板（基板）上にミ
ユーロンＡ（室町化学工業(株)製、ネガ型パタ
ーンレジスト）をラミネートし、その表面を
第１層目の配線用マスクフイルムで覆い、超
高圧水銀灯を用いて0.2J／cm2の照射し露光を
行つた後、1.3％の炭酸ナトリウム、リン酸
ナトリウムの水溶液で現像し、水洗し、第１
層目の配線部分を被覆したミユーロンＡの薄
膜を形成した。次いで、基板を、65％の塩化
第２鉄水溶液に浸漬し基板上の不用部分の銅
をエツチング除去した後、更に３％の水酸化
ナトリウム水溶液に浸漬し上記ミユーロンＡ
の薄膜を剥離して第１層目の銅配線パターン
を形成した。 () ポリアミド膜の形成 上記工程（）で得られた、第１層目の銅
配線パターンが形成された基板上に、700μ
ｍ厚のスペーサーを設け、これに、前記製造
例１ので調製された感光性樹脂組成物を塗
布し、平均厚さ約650μｍの薄膜を形成し、
70℃で２時間乾燥して厚さ70μｍのポリアミ
ドの膜を形成した。 () バイヤホールの形成 上記工程（）で形成されたポリアミドの
膜の表面をスルーホール用マスクパターンで
覆い、超高圧水銀灯を用いて1J／cm2の照射し
露光を行つた。バイヤホールの現象は、
NMP溶液中で28KHz90Wの超音波洗浄機を
用いて３分間行つた。更に、5J／cm2の照射し
後露光を行つた後、150℃で３分間の後加熱
を行い、ポリアミドの膜を硬化させ、光硬化
膜をそのまま残置し層間絶縁膜とした。 () 第２層目の銅配線パターンの形成 上記工程（）で形成された層間絶縁膜を
スクラブクリーナー（シプレー社製）を用い
て表面処理後、上記層間絶縁膜上及び上記バ
イヤホール部に無電解銅メツキ処理を室町化
学工業(株)のMKシリーズに基づき施した。 次いで、上記無電解銅メツキ部上にミユー
ロンＡをラミネートし、その表面を第２層目
の配線用マスクフイルムで覆い、超高圧水銀
灯を用いて0.08J／cm2の照射し露光を行つた
後、1.3％の炭酸ナトリウム、リン酸ナトリ
ウムの水溶液で現像し、水洗し、ミユーロン
Ａの薄膜を形成し、第２層目の配線パターン
形成部を得た。 次いで、上記第２層目の配線パターン形成
部に硫酸銅浴による電気メツキ処理を施すた
めに、荏原コージライトTHプロセスに基づ
き、陽極を銅板にし陰極に基板を装着し、
2A／ｄｍの条件で、１時間電気メツキ処理
を施した。その後、基板を、３％の水酸化ナ
トリウム水溶液に浸漬しミユーロンＡの薄膜
を剥離し、更に20％の過硫酸アンモニウム水
溶液に数秒間浸漬し、無電解銅メツキ処理で
形成された上記無電解銅メツキ部の不用部分
の銅をエツチング除去し、第２層目の銅配線
パターンを形成した。 () 第３層目の銅配線パターンの形成 上記工程（）〜（）を繰り返すことに
より第３層目の銅配線パターンを形成した。 熱衝撃性試験 上記で製造された３層プリント配線板を用
いて、MIL規格−STD−202D−107による熱
衝撃性試験（−65℃、30分間125℃、30分間、
100サイクル）を行い、亀裂の発生の有無及び
導通の信頼性を調べたところ、異常は認められ
なかつた。 製造例 ２ ポリアミドの製造 三口フラスコに乾燥窒素を通じてフラスコ内
を置換した後、塩化リチウム３ｇと合成例１で
得られた３，５−ジアミノ安息香酸エチルメタ
クリル酸エステル31.714ｇを入れ、これに
NMP240mlを加え溶解した。溶解後、２℃に
冷却し撹拌しながらテレフタル酸ジクロライド
24.364ｇを加えた。この時発熱があり、溶液の
温度が32℃まで上昇した。これを30分間氷水中
で撹拌した後、室温で１時間撹拌をつづけ反応
させた。その後、反応溶液にNMP300mlを加
え希釈した。 更に、反応溶液に、メタクリル酸クロライド
25.8ｇをNMP30mlに溶解した溶液を30分間で
滴下して加えた。この時発熱があり、溶液の温
度が35℃まで上昇した。 反応後、反応溶液をメタノール６と水６
の混合液に加えポリアミドを析出させた。析出
物を濾集し乾燥し、白色のポリアミド粉末51ｇ
を得た。このポリアミドの対数粘度（ポリアミ
ド0.5ｇ／NMP100ml濃度のポリアミド溶液、
30℃）は1.77であつた。 感光性樹脂組成物の調製 上記で得られたポリアミド粉末を用いて製
造例１のと同様にして約170ポイズの感光性
樹脂組成物を調製した。 実施例 ２ 製造例２ので調製された感光性樹脂組成物を
用いて、実施例１と同様に、３層プリント配線板
を製造し、それについて熱衝撃性試験を行い亀裂
の発生の有無及び導通の信頼性を調べたところ、
異常は認められなかつた。
第１図は本発明の多層プリント配線板の製造方
法の工程順序を示す概略図である。 １……絶縁基板、２……第１層目の配線パター
ン、３……フオトポリマーの膜、３′……層間絶
縁膜、４……バイヤホール、５……第２層目の配
線パターン。
法の工程順序を示す概略図である。 １……絶縁基板、２……第１層目の配線パター
ン、３……フオトポリマーの膜、３′……層間絶
縁膜、４……バイヤホール、５……第２層目の配
線パターン。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 絶縁基板上に第１層目の配線パターンを形成
し、該配線パターン上にフオトポリマーの膜を形
成した後、該フオトポリマーの膜を、露光して光
硬化させ、現像し所定位置にバイヤホールの形成
された光硬化膜を形成し、次いで、上記フオトポ
リマーの光硬化膜を層間絶縁膜として使用して該
層間絶縁膜上及び上記バイヤホール部に第２層目
の配線パターンを形成し、更に上記のフオトポリ
マーの膜形成工程以下の工程を順次繰り返して多
層配線パターンを形成する多層プリント配線板の
製造方法において、上記フオトポリマーの膜形成
を、下記一般式（ａ）で表される構成単位を10
モル％以上有し、その残部として下記一般式（
ｂ）で表される構成単位を０〜90モル％有する芳
香族ポリアミドが約３〜50重量％の割合で有機溶
媒に溶解されている感光性樹脂組成物を用い、該
組成物を配線パターン上に塗布し、乾燥させるこ
とにより行うことを特徴とする多層プリント配線
板の製造方法。 （但し、上式中、R1及びR2は水素原子又は反応
性有機化合物の残基を示し、Ar1は芳香族ジカル
ボン酸又は芳香族ジカルボン酸の酸ハロゲン化物
の芳香族残基を示し、Ar2は感光基を含有する芳
香族残基を示す。） （但し、上式中、R3及びR4は水素原子又は反応
性有機化合物の残基を示し、Ar3は芳香族ジカル
ボン酸又は芳香族ジカルボン酸の酸ハロゲン化物
の芳香族残基を示し、Ar4は感光基を含有しない
芳香族残基を示す。）
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59035770A JPS60180197A (ja) | 1984-02-27 | 1984-02-27 | 多層プリント配線板の製造方法 |
| US06/705,745 US4673773A (en) | 1984-02-27 | 1985-02-26 | Multilayer printed circuit board |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59035770A JPS60180197A (ja) | 1984-02-27 | 1984-02-27 | 多層プリント配線板の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60180197A JPS60180197A (ja) | 1985-09-13 |
| JPH037157B2 true JPH037157B2 (ja) | 1991-01-31 |
Family
ID=12451101
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59035770A Granted JPS60180197A (ja) | 1984-02-27 | 1984-02-27 | 多層プリント配線板の製造方法 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4673773A (ja) |
| JP (1) | JPS60180197A (ja) |
Families Citing this family (25)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4714669A (en) * | 1985-04-11 | 1987-12-22 | Ciba-Geigy Corporation | Radiation-sensitive polycondensates, their preparation, material coated therewith and the use thereof |
| IT1228515B (it) * | 1988-03-03 | 1991-06-20 | Central Glass Co Ltd | Resine poliammidi aromatiche resistenti al calore e fotosensibili e metodo per la loro preparazione |
| JP2840271B2 (ja) * | 1989-01-27 | 1998-12-24 | キヤノン株式会社 | 記録ヘッド |
| JPH0821780B2 (ja) * | 1989-06-05 | 1996-03-04 | 日本電気株式会社 | 積層複合セラミック基板およびその製造方法 |
| FR2650471B1 (fr) * | 1989-07-27 | 1991-10-11 | Bull Sa | Procede de formation de piliers du reseau multicouche d'une carte de connexion d'au moins un circuit integre de haute densite |
| FR2650472A1 (fr) * | 1989-07-27 | 1991-02-01 | Bull Sa | Procede de depot d'une couche isolante sur une couche conductrice du reseau multicouche d'une carte de connexion de circuit integre de haute densite, et carte en resultant |
| US5219669A (en) * | 1990-04-26 | 1993-06-15 | International Business Machines Corporation | Layer thin film wiring process featuring self-alignment of vias |
| JPH0710030B2 (ja) * | 1990-05-18 | 1995-02-01 | インターナシヨナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレーシヨン | 多層配線基板の製造方法 |
| JPH0636472B2 (ja) * | 1990-05-28 | 1994-05-11 | インターナシヨナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレーシヨン | 多層配線基板の製造方法 |
| JP2739726B2 (ja) * | 1990-09-27 | 1998-04-15 | インターナシヨナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレーシヨン | 多層プリント回路板 |
| EP0557278B1 (en) * | 1990-11-15 | 1994-12-07 | International Business Machines Corporation | A method of making a multilayer thin film structure |
| JPH04262593A (ja) * | 1991-02-18 | 1992-09-17 | Hitachi Ltd | 多層配線構造体およびその製造方法とその用途 |
| US5177181A (en) * | 1991-06-06 | 1993-01-05 | Occidental Chemical Corporation | Diamines and photosensitive polyimides made therefrom |
| JPH06164091A (ja) * | 1992-11-26 | 1994-06-10 | Sankyo Seiki Mfg Co Ltd | 回路基板 |
| JPH06169175A (ja) * | 1992-11-30 | 1994-06-14 | Nec Corp | 多層印刷配線板及びその製造方法 |
| JPH05343854A (ja) * | 1993-02-17 | 1993-12-24 | Ibiden Co Ltd | 多層プリント配線板及びその製造方法 |
| JP3051821B2 (ja) * | 1994-07-05 | 2000-06-12 | 信越化学工業株式会社 | 感光性樹脂組成物及びそれを用いるパターン化されたポリイミド皮膜の形成方法 |
| US5616448A (en) * | 1995-01-27 | 1997-04-01 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | Photosensitive resin composition and a process for forming a patterned polyimide film using the same |
| US5699613A (en) * | 1995-09-25 | 1997-12-23 | International Business Machines Corporation | Fine dimension stacked vias for a multiple layer circuit board structure |
| JP3398557B2 (ja) * | 1997-01-29 | 2003-04-21 | インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレーション | 表層配線プリント基板の製造方法 |
| US6281275B1 (en) | 1998-05-29 | 2001-08-28 | Alchemetal Corp. | Polymeric coating compositions, polymer coated substrates, and methods of making and using the same |
| JP3963456B2 (ja) * | 2003-06-16 | 2007-08-22 | キヤノン株式会社 | 感光性樹脂組成物およびこれを用いたインクジェット記録ヘッドおよびその製造方法 |
| CN106356355B (zh) * | 2015-07-15 | 2020-06-26 | 恒劲科技股份有限公司 | 基板结构及其制作方法 |
| CN105282982A (zh) * | 2015-11-24 | 2016-01-27 | 悦虎电路(苏州)有限公司 | 感光制孔方法 |
| KR102087261B1 (ko) * | 2017-02-16 | 2020-03-10 | 삼성에스디아이 주식회사 | 감광성 수지 조성물, 이를 이용한 블랙 화소 격벽층 및 디스플레이 장치 |
Family Cites Families (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE2933819A1 (de) * | 1979-08-21 | 1981-03-19 | Siemens AG, 1000 Berlin und 8000 München | Polyimidazol- und polyimidazopyrrolon-vorstufen sowie deren herstellung |
| EP0048221B1 (de) * | 1980-09-15 | 1986-09-24 | Ciba-Geigy Ag | Verwendung von flexiblem Basismaterial zur Herstellung von gedruckten Schaltungen |
| US4511757A (en) * | 1983-07-13 | 1985-04-16 | At&T Technologies, Inc. | Circuit board fabrication leading to increased capacity |
| JPS60101805A (ja) * | 1983-11-09 | 1985-06-05 | 株式会社日立製作所 | 配線構造体の成形方法 |
-
1984
- 1984-02-27 JP JP59035770A patent/JPS60180197A/ja active Granted
-
1985
- 1985-02-26 US US06/705,745 patent/US4673773A/en not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US4673773A (en) | 1987-06-16 |
| JPS60180197A (ja) | 1985-09-13 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JPH037157B2 (ja) | ||
| KR101010036B1 (ko) | 신규한 폴리아믹산, 이를 포함하는 감광성 수지 조성물 및 이로부터 제조된 드라이 필름 | |
| JP3721768B2 (ja) | 感光性ポリイミドシロキサン組成物および絶縁膜 | |
| JP2009048170A (ja) | 感光性ドライフィルムレジスト、これを用いたプリント配線板、及び、プリント配線板の製造方法 | |
| JP2010527047A (ja) | アルカリ水溶液で現像可能な感光性樹脂組成物およびこれによって製造されたドライフィルム | |
| JPH0526186B2 (ja) | ||
| JPS59108031A (ja) | 感光性ポリイミド | |
| JPS6072925A (ja) | 有機溶媒可溶性の感光性ポリイミド | |
| JP2014529632A (ja) | 新規なポリアミック酸、感光性樹脂組成物、ドライフィルムおよび回路基板 | |
| JP2009031344A (ja) | 感光性ドライフィルムレジスト、これを用いたプリント配線板、及び、プリント配線板の製造方法 | |
| JP4592999B2 (ja) | 新規な末端修飾したポリアミック酸及びそれを含む感光性樹脂組成物 | |
| JP2001330962A (ja) | 感光性重合体組成物 | |
| JPH0231103B2 (ja) | ||
| US4316974A (en) | Polymers for use in heat resistant photoresist composition and process for preparing the same | |
| JP4524808B2 (ja) | 感光性樹脂組成物、レリーフパターンの製造法 | |
| JPS59220730A (ja) | 溶媒可溶性の感光性ポリイミド | |
| JP2001075280A (ja) | 感光性樹脂組成物、パターンの製造法及び電子部品 | |
| JPH0531132B2 (ja) | ||
| EP1087261A1 (en) | Photosensitive resin composition, multilayer printed wiring board and process for production thereof | |
| JP2002156758A (ja) | 感光性ポリイミドを用いた高密度フレキシブル基板の製法 | |
| JPS60178446A (ja) | 有機溶媒可溶性の感光材料 | |
| JPH0259170B2 (ja) | ||
| JPS62266540A (ja) | 平坦化パタ−ンの形成方法 | |
| KR101548702B1 (ko) | 신규한 폴리아믹산, 감광성 수지 조성물, 드라이 필름 및 회로 기판 | |
| JP2542041B2 (ja) | 芳香族ポリアミド樹脂およびその製造法およびこれを用いた耐熱性感光材料 |