JPH0372481A

JPH0372481A - ナフタロシアニン誘導体及びその製造方法

Info

Publication number: JPH0372481A
Application number: JP1205594A
Authority: JP
Inventors: Yoshiaki Noda; 野田　慶明; Shigeru Murakami; 茂村上; Naoji Kurata; 倉田　直次; Shigeo Sugita; 杉田　恵雄
Original assignee: Nippon Shokubai Co Ltd
Current assignee: Nippon Shokubai Co Ltd
Priority date: 1989-08-10
Filing date: 1989-08-10
Publication date: 1991-03-27

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】本発門は、新規なナフタロシアニン誘導体およびその製
造方法に関する。更に詳細に述べると、本発用は、近赤
外領域（７５０〜８５０　ｎｍ）に吸収をＵするナフタ
ロシアニン誘導体およびその製造方法に閣する。

（従来の技術）近年、コンピュータ外部メモリー、画像、音声等の各挿
情報の記録に関して、記録の保存ならびに再生を可能と
する半導体レーザー光を用いる光学記録法が注目されて
いる。

このような光学記録法における記録の一例としては、照
Ｉ・Ｉされたレーザーエネルギーの吸収により、その個
所に生じた記録層（記録媒体）の分解、蒸発、溶解等の
貼的変形により行なわれ、さ応にその記録された情報の
再生は、レーザー光によって、変形が起きている部分と
起きていない部分の反射率の差を読み取ることにより行
なわれる。従って、半導体レーザー光を用いる光学記録
において用いられる記録媒体には、近赤外線、特に半導
体レザー光を効率よく吸収する性能が要求される。

従来、このような記録媒体としては、テルルやその合金
等の無機化合物が知られているが、これらの化合物の問
題点は毒性があることであった。

その他に、シアニン系化合物、スクアリウム系化合物、
ナフトキノン系化合物などのｈ°機色素や、ジチオール
金属錯体、オキシム金属錯体などの６機化合物等の近赤
外吸収色素が提案されているが、これらの化合物は、一
般に、光や島に対する安定性に乏しく、さらにレーザー
光に対する反射率が低いために情報の読みだしが困難で
あるといった欠点を有していた。

最近、記録媒体として、ナフタロシアニン化合物を用い
ることが提案されている（例えば、米国特許第４，７２
５，５２５号、特開昭６１−２１５．６６３−号および
向６２−９０，２９１号）。

ナフタロシアニン化合物は、光や熱に対して安定である
ことのみならず、耐薬品性にも優れており、また、近称
外線吸収能が大きく、かつ近赤外線反射性能も良好であ
り、光記録媒体としての優れた性能をＧしている。

一方、光記録媒体は、一般に、ディスクあるいはテープ
様式の基板面に薄層として形成されてなるものである。

かかる薄層の形成は、基板の材質、形状の他、光記録媒
体の物性の制限下に、塗布法や真空蒸発法、スパッタリ
ング法、イオンブレーティング法、スピンコード法等に
よって行なわれている。従って、光記録媒体として使用
するためには、光記録媒体としての特性の他に簡単に薄
層を形成する材料であることも要求される。

（発明が解決しようとする課題）前記の如く光記録媒体の薄層形成においては、主として
経済的観点から、特に生産性の高いスピンコード法と称
される塗布法が利用されている。

これらの塗布方法に使用するためには、光記録媒体とな
る化合物が特定の溶剤に対する溶解性が高いことが要求
される。

しかしながら、ナフタロシアニン化合物は耐楽品性に優
れているが逆に溶解性が低く、そのままでは串布方法に
適用できないという欠点があった。

このため、かかる欠点を排除して、基板に均一な薄層を
形成できる溶解性のあるナフタロシアニン化合物の出現
が望まれていた。

槌って、本発明の目的は、特定の溶剤に対して溶解性の
高い新規なナフタロシアニン誘導体およびその装填方法
を提供することにある。

また、本発明の他の目的は、光記録媒体としてｆｉ用な
新規なナフタロシアニン誘導体および該誘導体を簡便か
つ経済的に一６利に製造する方法を提供することにある
。

（課題を解決するための手段）前記諸Ｕ的は、（ただし、式中Ｍは、５ｉ、ＳｎおよびＧｅから選ばれ
た一種の元素を示し、Ｘは））ロゲン、アルキル基、ア
リール基、アシル基、アミノ基、置摸アミノ基、ニトロ
基、アルコキシ基、スルホン酸基、スルホニルアミド基
およびヒドロキシ基から選ばれた、同一でも異種でもよ
い一種または二押以上の基を示し、ｐはＯ〜２の整数を
示し、ｑは０〜４の整数を示し、Ｙ、およびＹ２は下記
一般式■ 一ズＯ３ｉナー−Ｒ３（ＩＩ　）（ただし、式中、ｎは３〜１０の整数を示し、Ｒ１、Ｒ
２、Ｒ３は、同一でも異種でもよい炭素数１〜１２のア
ルキル基、アルコキシ基、炭素数６〜１２のアリール基
、炭素数４〜１０のシクロアルキル基、ハロゲン、ヒド
ロキン基を示す。）で表される基を示す。）で表わされ
るナフタロシアニン誘導体によって達成される。

また、前記諸口的は、（ただし、式中、Ｍ、Ｘ、Ｐおよびｑは前記とＩＣ１１
じものを示す。）で表わされるジヒドロキシ金層ナフタ
ロシアニン化合物と一般弐■ Ｘ世Ｏ３ｉフー−Ｒ：ｌ　　　　　　　　　　（ｍＶ）
■ （ただし、式中、Ｘはハロゲンを示し、ｎＳＲ＋。

Ｒ２およびＲ３は前記と同じものを示す。）で表される
ハロゲン化シロキサン化合物とを溶媒のＨ扛下で反応さ
せることを特徴とする一般式Ｉで表されるナフタロシア
ニン誘導体の製造方法によって達成される。

（作用）一般式Ｉで表される本発明のナフタロシアニン誘導体は
、新規な化合物であり、従来知られているナフタロシア
ニン誘導体と異なり７８媒への溶解性が極めて高いもの
である。ここで使用可能な特定の溶媒としては、アルコ
ール、エチルセロソルブ、ハロゲン化炭化水素等が挙げ
られる。

しかして、本発明のナフタロシアニン誘導体は、その溶
解性を利用して、基板への薄層形成が塗布方法、特にス
ピンコード法と称される簡便かつ経済的な方法で実施で
きるので、特に光記録媒体用材料としてｈ用である。

次に、本発明の一般式Ｉで表されるナフタロシアニン誘
導体は、以下の方法によって製造し得る。

一般式■で表わされるジヒドロキシ金属ナフタロシアニ
ン化合物と一般式■で表わされるハロゲン化シロキサン
化合物を溶媒の存在下で反応させることによって、一般
式Ｉで表わされるナフタロシアニン誘導体が得られる。

ここで、一般式■で表われさるジヒドロキシ全屈ナフタ
ロシアニン化合物１モルに対する一般式■で表わされる
ハロゲン化シロキサン化合物の使ＪＴ］ＦａＧ、ｔ、５
〜１００モル、ｋｒましくは１０〜４０モルである。該
使用量が５モル未満であると高収率でＵ約物を得ること
が国難であり、また１００モルを越えると、その使用量
に対応するＵ約物を得ることができず経済的でない。

一般式■で表わされるジヒドロキシ金属ナツタロンシア
ニン誘導体は、固形であり、本発明において使用される
６機溶媒としては、例えば、β−ピコリン、キノリン、
ピコリン、アニリン、トリブチルアミン、シアミルアミ
ン、オクチルアミン等の塩基性溶媒を、単独もしくは、
混合物を用いて懸濁状態で行なう。

反応は、不活性ガス、例えば窒素ガス、二酸化酸素ガス
雰囲気下において、加熱下、通常８０〜２５０℃、仔ま
しくは１１０〜１５０℃の温度で１〜１０時間行なう。

次いで得られた反応物は、未反応ジヒドロキシ金属ナフ
タロシアニン化合物や、固形副生物を濾過分離した後、
晶析や抽出による方法で高純度化され、溶解性の良好な
新規なナフタロシアニン誘導体を製造することができる
。

（実施例）以下、実施例を挙げて本発明をさらに具体的に説明する
。

実施例１攪件機、混度計およびジムロート型冷却管を備えた３、
０００ｍ１４ツロフラスコに、ジヒドロキシシリコンナ
フタロシアニン１５ｇ、無水トリー〇−ブチルアミン１
１５ｇ、無水β−ピコリン２゜２８０ｇを仕込み、撹袢
、懸濁させて、窒素雰囲気下に、１．　１．　３．　３
．　５．　５−へキサメチル−１，５−ジクロロシロキ
サン９２ｇを添加したのち、加熱し、１３３〜１３６℃
の温度で４時間反応させた。冷去ｌｌ後、−夜装置した
のちに、１１ｇ緑りの反応物を濾過分離し、得られたケ
ーキをβピコリン４００ｇで洗浄した。ａ岐及び洗浄液
を７５〜８０℃の温度、６０Ｔｏｒｒの圧力でｉ層線し
、１６５ｇの濃縮ｌ皮を得た。

得られた濃縮液にアセトニトリル４，４００ｇを注加し
、結品を析出させてこれを濾過し、／！ｌ皮は前記の条
件で濃縮し、１０７ｇのｌ層線液を得た。

これにイオン交換水７，５００ｇを加えて納品を析出さ
せ、濾過分離して得られたケーキをイオン交換水２２２
ｇで洗浄し、このケーキを８０°Ｃ１６０１’ｏｒｒで
乾燥して潰緑色の桔＋’ｉｉ’＋２７．５ｇを得た。こ
の結晶にｎ−ヘキサン２．４００ｇを加え、室温で撹押
抽出し、？ｆｉ！過し、濾液を濃縮して１６゜２ｇの濃
縮液を得た。これにメタノール２５０ｇを加え、よく撹
押した後、析出した結晶を濾過した。得られた納品をメ
タノール６７ｇで洗浄したのち、１１０℃、６０Ｔｏｒ
ｒで乾燥して、緑巴桔品０．５７ｇを得た。この化合物
は、ＩＲおよびＵＶ分析の粘果、ビス（ヘキサメチルク
口ロトリンロキサン）シリコンナフタロシアニンである
固定された。ＩＲおよびＵＶチャー１・四をそれぞれ第
１図および第２図に示した。

実施例２攪ＦＰ機、温度計およびジムロート型冷却管を備えた２
００ｍ１４ツロフラスコに、ジヒドロキシシリコンナフ
タロシアニン１ｇ、無水トリー〇−ブチルアミン１０ｇ
１無水β−ピコリン１６０ｇを仕込み、撹ｒ１＼懸濁さ
せて、窒素雰囲気下に、１゜７−ジクロロオクタメチル
トリシロキサン６ｇを添加したのち、加凸し、１３３〜
１３６℃の温度で４時間反応させた。冷却後、−夜装置
したのちに、暗緑巴の反応物を濾過分離し、得られたケ
ーキをβ−ピコリン２００ｇで洗浄した。濾液及びｔｌ
Ｌ；浄ｉ＋’ｔを７５〜８０℃の温度、６０１’ｏｒｒ
の圧力で濃縮し、２１．９ｇの濃縮液を得た。

濃縮波にアセトニトリル３２０ｇを添加し、結晶を析出
させてこれをｔｉ！、過し、濾液は前記の条件で濃縮し
、１４．２ｇの濃縮液を得た。これにイオン交換水５６
０ｇを加えて結晶を析出させ、濾過分離して得られたケ
ーキをイオン交換水２３０ｇで洗浄し、このケーキを８
０℃、６０Ｔｏｒｒで乾燥して濃緑色の桔品１１．５ｇ
を得た。この結晶にｎ〜へキサン１６０ｇを加え、室混
で撹件抽出して、濾過し、ｆｊｌ、液を濃縮して２．１
ｇの濃縮液を得た。これにメタノール２０ｇを加え、よ
く撹ｒ１゛シた後、析出した納品を濾過し、メタノール
１０ｇで洗浄したのち、１１０℃、６０１’ｏｒｒで乾
燥して、濃緑結晶０．０３ｇを得た。この化合物は、Ｉ
ＲおよびＵＶ分析の結果、ビス（オクタメチルクロロテ
トラシロキサン）シリコンナフタロシアニンである同定
された。ＩＲおよびＵＶチャート図をそれぞれ第３図お
よび第４図に示した。

（発門の効果）本発叩け、一般式Ｉで示される新規ナフタロシアニン誘
導体及びその製造方法に係るものであり、該誘導体が極
めて簡便な方法で得られ、得られた一般式Ｉで示される
がナフタロシアニン誘導体が溶解性に優れているので、
光記録媒体として極めてｈ°用である。

【図面の簡単な説明】

第１図は、本発明のビス（ヘキサメチルクロロトリシロ
キサン）シリコンナフタロシアニンの赤外線吸収スペク
トル、第２１￥Ｊは、本発明のビス（ヘキサメチルクロ
ロトリシロキサン）シリコンナフタロシアニンの紫外線
吸収スペクトル、第３図は、本発明のビス（オクタメチ
ルクロロテトラシロキサン）シリコンナフタロシアニン
のり１；外線吸収スペクトル、第４図は、本発明のビス
（オクタメチルクロロテトラシロキサン）シリコンナフ
タロシアニンの紫外線吸収スペクトルである。特許出廓人　　　口本蒸溜Ｔ業株式会社口本触媒化学Ｔ
業株式会社東汀紡績株式会社

Claims

【特許請求の範囲】１、一般式 I ▲数式、化学式、表等があります▼（ I ）（ただし、式中Ｍは、Ｓｉ、ＳｎおよびＧｅから選ばれ
た一種の元素を示し、Ｘはハロゲン、アルキル基、アリ
ール基、アシル基、アミノ基、置換アミノ基、ニトロ基
、アルコキシ基、スルホン酸基、スルホニルアミド基お
よびヒドロキシ基から選ばれた、同一でも異種でもよい
一種または二種以上の基を示し、Ｐは０〜２の整数を示
し、ｑは０〜４の整数を示し、Ｙ＿１およびＹ＿２は下
記一般式II ▲数式、化学式、表等があります▼（II）（ただし、式中、ｎは３〜１０の整数を示し、Ｒ＿１、
Ｒ＿２、Ｒ＿３は、同一でも異種でもよい炭素数１〜１
２のアルキル基、アルコキシ基、炭素数６〜１２のアリ
ール基、炭素数４〜１０のシクロアルキル基、ハロゲン
、ヒドロキシ基を示す。）で表される基を示す。）で表
わされるナフタロシアニン誘導体。２、一般式III ▲数式、化学式、表等があります▼（III）（ただし、式中、Ｍ、Ｘ、ｐおよびｑは前記と同じもの
を示す。）で表わされるジヒドロキシ金属ナフタロシア
ニン化合物と一般式IV ▲数式、化学式、表等があります▼（IV）（ただし、式中、Ｘはハロゲンを示し、ｎ、Ｒ＿１、Ｒ
＿２およびＲ＿３は前記と同じものを示す。）で表され
るハロゲン化シロキサン化合物とを反応させることを特
徴とする一般式 I で表されるナフタロシアニン誘導体
の製造方法。