JPH0373433A - 酸化ケイ素被覆光情報記録媒体およびその製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】

〔産業上の利用分野〕 本発明は、酸化ケイ素膜を全面に被覆した光情報記録媒
体に関し、さらに詳しくは、耐湿性、耐食性、耐擦傷性
の向上した酸化ケイ素被覆光情報記録媒体とその製造方
法に関する。 〔従来の技術〕 近年、光ディスクやビデオディスクなどの多積類の光情
報記録媒体が開発され、市販されている。これらの光情
報記録媒体は、回転するディスク上にレーザー光を集光
し、ディスクからの反射光の強弱を検出する基本構成を
採用しており、ポリカーボネートやポリメチルメタクリ
レートなどの透明な合成樹脂からなる基板上に記録層を
設けたものが代表的なものである。 ところで、記録層に用いられる記録媒体用材料として、
Ｔｅ、Ｔｉなどの金属または金眞合金、Ｔｅ低酸化物、
有機染料薄膜、銀塩薄膜、フォトクロミック化合物など
が広く提案され、また、使用されているが、これらはい
ずれも酸化や加水分解されやすい材料であるため、記録
層の劣化を防ぐための保護層の開発が進められている。 また、合成樹脂製の基板を用いた光情報記録媒体におい
ては、基板の吸水・膨潤によるソリが生じ、それに起因
して記録層が剥離したり、信号読み取りが不可能になっ
たり、あるいは透過水分により記録層が劣化するなどの
問題がある。そこで、これらの問題を解決して、光情報
媒体の長期信頼性をいかにして確保するかが重要な課題
となっている。 従来、保護層として、各種合成樹脂層や二酸化ケイ素な
どの透明誘電体層を記録層面上に設けることなどが提案
されている。例えば５特開昭６１−３９９４９号公報に
は、透明基板の片面に設けられた光情報記録層の表面に
シランカップリング剤もしくはチタンカップリング剤を
１〜２分子層設け、記録層の面上あるいは記録層および
基板の両表面にポリ塩化ビニリデン共重合物含有層を形
成することにより、防湿性や耐食性を向上させることが
提案されている。 しかしながら、記録層の表面のみをポリ塩化ビニリデン
共重合物含有層で保護した場合には、基板面側からの透
過水分を遮断することができないので、基板の吸水によ
るソリおよびそれに起因する記録層の剥離や透過水分に
よる記録層の劣化等を防ぐことはできない、この問題は
、記録層の表面を誘電体層で被覆した場合も同様である
。また、記録層の面上に反射層、あるいは誘電体層を介
して反射層を設けた構造の光情報記録媒体でも、基板側
からの吸水問題は解決されない。 一方、記録層および基板の両表面にポリ塩化ビニリデン
共重合物含有層を形成すると、光の通路となる基板表面
に耐擦傷性に劣る樹脂層が形成されることになるので、
信号劣化や感度の劣化など光情報記録媒体としての基本
的性能を著しく損なう恐れがある。しかも、このように
両表面にポリ塩化ビニリデン共重合物含有層を形成して
も、耐湿性は充分ではなく、透過水分による記録層の劣
化を完全に防ぐことはできない。 さらに、光情報記録媒体には、接着張り合せ構造やエア
ーサンドイッチ構造などの構造のものがあり、それらは
記録層を中心層とする両面張り合せ構造のため、ソリの
問題は軽減されるが、透過水分による記録層の劣化を防
ぐことはできない。 また、記録層の上面または上下面にＳｉＯやＳｉＯｘ、
）４ｇＦヨ、Ａｌ２Ｎなどの透明誘電体層を積層すれば
、記録層を酸化や加水分解から防ぐことができるが、こ
れらの透明誘電体材料は、基板となる合成樹脂との密着
性に劣るため、基板の保護層に用いることは困難である
。 ところで、近年、合成樹脂成形体の表面を改質するため
に、二酸化ケイ素などの酸化物の薄膜で被覆する技術が
開発され、実用化されている。従来、酸化物膜等を被覆
する方法としては、真空蒸着、スパッタ、イオンブレー
ティング、プラズマＣＶＤなと各種の方法が知られてい
るが、これらの被膜形成法では、特別の設備を要したり
、大型成形体や複雑な形状の成形体表面に被膜を形成す
ることが困難であり、しかも合成樹脂成形体と被膜との
密着性が不充分であるという問題がある。 最近、二酸化ケイ素膜を直接合成樹脂成形体表面に被覆
するのではなく、予め合成樹脂成形体表面に付着性良好
なケイ素含有被膜を第１次被膜（プライマー）として被
覆し、さらにその上に該第１次被膜と付着性良好な二酸
化ケイ素膜を作成する方法が提案されている（特開昭６
１−１２７３４号公報）、この方法によれば、プライマ
ーが硬化によってシロキサン結合を有するポリマーを形
成するため二酸化ケイ素膜とプライマーとの密着性は改
善され、従来法と比較して耐久性のよい被膜を得ること
ができる。しかも、塗布浸漬法を使用することができる
ため、大型形状あるいは複雑な形状の合成樹脂成形体に
も適用可能である。しかしながら、この方法では、プラ
イマーと合成樹脂成形体との間に強固な化学的結合がほ
とんど形成されないため、合成樹脂成形体とプライマー
どの密着性が不充分であり、したがって二酸化ケイ素膜
の合成樹脂成形体に対する密着性も充分ではない。 そこで、従来公知の酸化ケイ素被覆法を光情報記録媒体
の保護層形成に単に適用しても、基板との密着性に優れ
た被膜を形成することは困難である。 （以下余白） 〔発明が解決しようとする課題〕 本発明の０的は、耐湿性、耐食性、耐擦傷性が向上し、
かつ吸水による形状変化が極めて小さい光情報記録媒体
を提供することにある。 また、本発明の目的は、基板との密着性に優れた酸化ケ
イ素被膜を全面に有する被覆光情報記録媒体を提供する
ことにある。 本発明者らは、前記従来技術の有する問題点を克服する
ために鋭意研究した結果、合成樹脂製の透明基板上に記
録層、誘電体層および７ｇ：たば保護層を設けた光情報
記録媒体において、光情報記録媒体の全面または透明基
板表面に有機シラン化合物からなる薄膜を形成し、次い
で電子線を照射して基板と有機シラン化合物との間に化
学結合を形成させるとともに、有機シラン化合物の硬化
膜を形成しζプライマー層の形成）、シかる後、光情報
記録媒体の全面に酸化ケイ素被膜を形成することにより
、基板との密着性に優れた酸化ケイ素被膜を形成できる
ことを見出した。 そして、この酸化ケイ素被覆光情報記録媒体は、その全
面が酸化ケイ素被膜で被覆されているために、耐湿性、
耐食性および耐擦傷性が顕著に向上し、かつ吸水性が極
めて小さいことを見出した。 本発明は、これらの知見に基づいて完成するに至ったも
のである。

【課題を解決するための手段】

かくして、本発明によれば、合成樹脂製の透明基板上に
記録層、誘電体層および／または保護層を設けた光情報
記録媒体の全面または透明基板表面に、電子線を照射し
た有機シラン化合物の薄膜からなるプライマー層を設け
、次いで、光情報記録媒体の全面に酸化ケイ素被膜を形
成して成ることを特徴とする酸化ケイ素被覆光情報記録
媒体およびその製造方法が提供される。 以下、本発明の各構成要素について説明する。 （光情報記録媒体） 本発明で使用する光情報記録媒体は、合成樹脂製の透明
基板上に記録層、誘電体層および／または保護層を設け
た多層構造の光情報記録媒体である。 基板の材料となる合成樹脂としては、ポリカーボネート
樹脂、アクリル樹脂、エポキシ樹脂など一般に光情報記
録媒体用として用いられている透明性に優れた合成樹脂
であれば良く、特に制限されないが、その中でも有機ケ
イ素化合物と強固な化学結合を生じるポリカーボネート
樹脂が好ましい。 記録層としては、ＴｂＦｅＣｏ、ＧｄＦｅ、ＴｂＣｏ、
ＤｙＦｅ、ＮｄＤｙＦｅＣｏ、ＴｂＦｅ、ＧｄＦｅＢ１
．ＧｄＴｂＦｅなどからなる記録膜、あるいは相変化型
記録材料や色素系記録材料からなる膜など従来公知のも
のがいずれも使用可能である。 誘電体層および／または保護膜の材料としては、５ｉｌ
ｌ、ＳＩＮ、％ＳＩＡ℃ＯＮ、５ｉＡＩ２ＮなどＳＬ系
の透明な層を形成する誘電体が好ましく使用できる。 本発明で使用する光情報記録媒体の積層構成は、基板／
誘電体層／記録層／保護層または基板／記録層／保護層
が代表的なものである。 また、単板構成のものだけではなく、合成樹脂製の透明
基板上に記録層、誘電体層および／または保護層を設け
た２枚の光情報記録媒体を、接着層を介して記録層側の
面どうし張り合せた構造のもの、例えば、基板／誘電体
層／記録層／保護層／／接菅層／／保護層／記録層／誘
電体層／基板などの構造のものであってもよい、このよ
うな張り合せ構造のものは、ソリの問題が少ない。 （有機シラン化合物） 有機シラン化合物としては、ビニル基、メタクリロキシ
基、エポキシ基、アミノ基またはイソシアネート基を含
有する汎用のシラン系カップリング剤がある。 その中でも、下記一般式〔Ｉ〕および［１１１で示され
る有機シラン化合物が好適に使用できる。 Ｘ、５ｉＹ４−、　　　　　　　　　　　［１１〔ただ
し、Ｘはビニル基、メタクリロキシ基、エポキシ基、ア
ミノ基またはイソシアネート基を有する炭素数１〜１０
の炭化水素基、Ｙはアルコキシ基、アルコキシアルコキ
シ基、アセトキシ基または水酸基を有する炭素数１〜１
０の炭化水素基、ｎは１〜３の整数である。〕 具体的には、γ−アミノプロピルトリエトキシシラン、
γ−アミノプロピルトリメトキシシラン、γ−イソシア
ネートプロピルトリメトキシシラン、γ−イソシアネー
トプロピルトリエトキシシラン、γ−イソシアネートプ
ロピルメチルジメトキシシラン、グリシドキシプロピル
トリメトキシシラン、グリシドキシプロピルトリエトキ
シシラン、グリシドキシプロピルトリプロポキシシラン
、グリシドキシプロピルメチルジメトキシシラン、グリ
シドキシプロピルメチルジェトキシシラン、グリシドキ
シプロピルエチルジメトキシシラン、グリシドキシプロ
ピルエチルジェトキシシラン、グリシドキシプロピルブ
チルジメトキシシラン、グリシドキシプロピルブチルジ
ェトキシシラン、２−（２，３−エポキシシクロヘキシ
ル）エチルトリメトキシシラン、γ−（２−アミノエチ
ル）アミノプロピルトリメトキシシラン、γ−（２−ア
ミノエチル）アミノプロピルメチルジメトキシシラン、
γ−アニリノプロピルトリメトキシシラン、Ｎ−フェニ
ルアミノメチルトリメトキシシラン、Ｎ−（）−リエト
キシシリルブロビル）尿素、アミノメチルトリエトキシ
シラン、Ｎ−（β−アミノエチル）アミノメチルトリメ
トキシシラン、アミノメチルジェトキシシラン、ビニル
トリエトキシシラン、ビニルトリス（β−メトキシエト
キシ）シラン、ビニルアセトキシシラン、γ−メタクリ
ロキシプロピルトリメトキシシラン、γ−メルカプトプ
ロピルトリメトキシシラン、等が挙げられる。 Ｒ，ｎＳＬ　（ＯＯＲ’　）、　　　　　［ＩＴ）（式
中、Ｒは炭素数１〜６の炭化水素基、ビニル基、メタク
リロキシ基、エポキシ基、アミノ基、メルカプト基、フ
ッ素または塩素を有する有機基であり、Ｒ′はアルキル
基、アシル基、アリールアルキル基から選ばれる１種も
しくは複数の結合基であり、ｎは１〜４の整数である。 〕具体的には、例えば、ビニルトリス（ｔ−ブチルパー
オキシ）シラン、ビニルトリス（キュメンバーオキシ）
シラン、ビニルトリス（アセチルパーオキシ）シラン、
ビニルトリス（ベンゾイルパーオキシ）シラン、ビニル
トリス（ラウロイルパーオキシ）シラン、γ−グリシド
キシブロビルトリス（ｔ−ブチルパーオキシ）シラン、
γ−グリシドキシブロビルトリス（キュメンバーオキシ
）シラン、γ−グリシドキシブロビルトリス（アセチル
パーオキシ）シラン、γ−グリシドキシブロビルトリス
（ベンゾイルパーオキシ）シラン、γ−グリシドキシブ
ロビルトリス（ラウロイルパーオキシ）シラン、γ−メ
タクリロキシプロピルトリス（ｔ−ブチルパーオキシ）
シラン、γ−メタクリロキシプロピルトリス（キュメン
バーオキシ）シラン、γ−メタクリロキシプロピルトリ
ス（アセチルバーオキシンシラン、γ−メタクリロキシ
プロピルトリス（ベンゾイルパーオキシ）シラン、γ−
メタクリロキシプロピルトリス（ラウロイルパーオキシ
）シランなどを挙げることができる。 これらの有機ケイ素化合物は、それぞれ単独で、あるい
は複数＋１組み合わせて用いることができる。 （プライマー層の形成方法） シラン　Ａ　か　なる 光情報記録媒体の全面または合成樹脂基板の表面に有機
シラン化合物からなる薄膜を形成するには、有機シラン
化合物をメタノール、エタノール、イソプロパノール、
イソブタノールなどのアルコール類に溶解させ、その溶
液をスピンコード法、浸漬法、吹付は法等により塗布し
た後、乾燥させて溶剤を除去すればよい。光情報記録媒
体が単板構造の場合には、基板面へのスピンコード法が
、また、張り合せ構造の場合には、浸漬法が好ましい。 溶液中の有機シラン化合物の濃度は、適宜定め得るが塗
布効率から見て、通常、０．１〜５重量％の溶液とする
ことが好ましい、また、塗布後の乾燥は、室温または乾
燥機中で行ない、室温の場合は、約ｌ〜２時間、風乾さ
せ、加熱する場合には、熱風乾燥機中などで昇温条件下
、例えば、９０℃程度の加熱温度では約１〜５分間程度
乾燥すればよい、これらの乾燥条件は、当業者であれば
適宜選択することができる。 監王且立旦主 本発明では、光情報記録媒体の全面または合成樹脂基板
の表面に有機シラン化合物からなる薄膜を形成し、次い
で電子線を照射してプライマー層を形成する。電子線の
照射により、合成樹脂基板と有機シラン化合物との間に
化学結合が形成され、かつ、有機シラン化合物が硬化す
るものと推定される。 電子線照射は、通常、０．０５〜１０Ｍｒ　ａ　ｄ／Ｓ
、好ましくは０．１６Ｍｒａｄ／Ｓ程度の線量率で、ア
ルゴンガスなどの不活性ガス雰囲気中で、照射する。線
量は、基板を構成する合成樹脂の種類によって変化する
が、０．５〜数＋Ｍｒ　ａｄの範囲で、合成樹脂表面層
を分解ないしは劣化させない範囲とし、ポリカーボネー
ト樹脂基板では、通常、５Ｍｒａｄ以下が好ましい、な
お、予め電子線照射および被覆試験を行なうことにより
、当業者であれば１合成樹脂の種類に応じて線量の好ま
しい範囲を適宜選択することができる。 電子線を照射することにより、有機ケイ素化合物と合成
樹脂基板との間に化学結合が生じて、有機ケイ素化合物
の薄膜と基板表面との間に強固な結合が生じる。同時に
、有機ケイ素化合物の分子間において、前記一般式［１
１のＹの部分間に一８ｉ−０−Ｓｉ−結合が形成され、
Ｘ線光電子分光装置　（Ｘｒａｙ　Ｐｈｏｔｏ　Ｅｌｅ
ｃｔｏｒｏｎ　５ｐｅｃｔｏｒｏ　５ｃｏｐｙ）による
観測によると全体の７０〜８０％程度がＳ　ｉ　Ｏ＊と
して観測される。 また、式［ＩＩ　］で表わされるシリルパーオキサイド
化合物は、活性が強いため、基板の合成樹脂との結合力
は強力であるとともに、酸素原子を過剰にもっているた
め、特に表面ではほとんどが５ｉｎｓの形になっている
。 ケイ　　　の〉】゛ 電子線照射処理の後、基板上に有機シラン化合物の薄膜
を有する光情報記録媒体の全面に酸化ケイ素の被膜を形
成させる。 酸化ケイ素としては、５ｉＯｚやＳｉＯなとのＳｉｎ、
（２≧ｘ２１）、５ＬＡＩ２．ＯＮなどのＳＬ系酸化物
であれば、従来公知のものが適用可能である。被膜の形
成方法としては、蒸着法、スパッタ法、ＣＶＤ法、液相
成長法など通常の薄膜化技術が採用できる。 酸化ケイ素被膜の中でも、二酸化ケイ素被膜が好ましい
。二酸化ケイ素の被膜を形成する方法としては、シラン
ガスを用いたＣＶＤ法、石英板をターゲットとじたスパ
ッタ法、有機ケイ素化合物の有機溶媒を用いたディッピ
ング法、または二酸化ケイ素の過飽和状態のケイフッ化
水素酸溶液中に浸漬し、二酸化ケイ素被膜を析出させる
析出法などがある。この中では析出法が作業が簡単で、
しかも均一な被膜を形成することができるため好ましい
。 この析出法については、特開昭６１−１２７３４号公報
に詳細に開示されている公知の方法が適用できる。二酸
化ケイ素の過飽和状態のケイフッ化水素酸溶液とは、ケ
イフッ化水素酸溶液に二酸化ケイ素（シリカゲル、エア
ロジル、シリカガラス、その他二酸化ケイ素含有物など
）を溶解させた後、水または試薬（ホウ酸、塩化アルミ
ニウムなど）を添加し、二酸化ケイ素の過飽和状態とし
たものである。この処理液にプライマー処理した光情報
記録媒体を接触させればよい、接触は、光情報記録媒体
を処理液中に浸漬するか光情報記録媒体表面に処理液を
流下させるなどの方法があるが、均一な被膜を形成する
ためには浸漬法が好ましい。 処理液中のケイフッ化水素酸の濃度は、１〜２モル／ｇ
、が好ましく、特に２モル／βより濃いケイフッ化水素
酸水溶液に二酸化ケイ素を飽和させた後、水で希釈して
１〜２モル／Ｉ２の濃度としたものが、被膜形成速度が
早く、効率よく被覆が行なえるので望ましい、過飽和状
態とするためにホウ酸を添加する場合の添加量は、処理
液中のケイフッ化水素酸１モルに対して１ｘｉｏ−”〜
４０×１０１モル、好ましくは１．２Ｘ１０−”〜１０
×１０リモルの範囲であることが、速く均質な被膜を形
成する上で望ましい。 光情報記録媒体を処理液に浸漬中、連続的にホウ酸水溶
液を添加混合し、また、処理液を循環させ、フィルター
で濾過することが、均質な被膜を効率よく得るために好
ましい。二酸化ケイ素の供給源としてシリカゲルを使用
する場合には、孔径１．５μｍ以下のフィルターが、そ
の他シリカガラスなどを用いた場合には、孔径１０μｍ
以下のフィルターが好ましい。　また、処理液を浸漬槽
に入れて、光情報記録媒体と接触させる場合には、浸漬
中の成形体表面において、処理液が層流となって流れる
ようにすることが、むらのない均質な被膜を形成するた
めに好ましい。 酸化ケイ素の膜厚は、適宜窓めることができるが、通常
、数１００人〜数１，０００人程度で表面改質の目的を
達成することができる。 （以下余白） 〔作　用〕 従来のシラン系カップリング剤などのケイ素化合物によ
るプライマー処理では、プライマー（第工次被覆層）と
合成樹脂基板表面との間に強固な化学結合は生じていな
い。 これに対し、合成樹脂基板の表面に有機ケイ素化合物の
薄膜を形成した後、電子線を照射すると、基板とプライ
マーの有機ケイ素化合物との間に化学結合が生じて、両
者が強固に結合する。基板としては、ポリカーボネート
などのカルボニル結合（＞Ｃ＝Ｏ）を有するポリマーか
ら形成されたちのが特に効果的である。 電子線照射法によると、■エネルギーは、個々の電子が
もっているので、加速電圧を操作することにより、容易
にエネルギー量を制御することができ、また、■高エネ
ルギ一体であるため、合成樹脂基板とプライマー間の反
応部所への到達が容易であるため、短時間で、確実に両
者間に化学結合が形成される。 また、通常のシラン系カップリング剤によるプライマー
処理では、酸化ケイ素膜との密着性を向上させるために
、基材に塗布する前に、アルコキシ基などを加水分解し
て水酸基に変える必要があった。そして、プライマー分
子同士の結合性も弱いものであった。ところが、電子線
照射法によれば、合成樹脂基板表面に塗布した有機ケイ
素化合物のアルコキシ基などが一３ｔ−０−Ｓｉ−結合
を形成して、プライマー分子が同士強固に結合し、しか
もプライマー層の表面ではほとんどがＳ　ｉ　Ｏ＊の形
になっているため、酸化ケイ素膜の形成はガラス面上で
の形成と同様にできるため、非常に密着性に優れた被覆
層とすることができる。 このように、本発明によれば、プライマー層を介して合
成樹脂基板および酸化ケイ素膜の結合力を高め、密着性
に優れた酸化ケイ素膜被覆光情報記録媒体を得ることが
できる。 また、光情報記録媒体の記録層の上に設けたＳｉ系の誘
電体材料からなる保護層と酸化ケイ素膜との密着性も良
好である。 そして、本発明の光情報記録媒体は、その全面を密着性
に優れた酸化ケイ素膜で被覆した構造であるため、耐湿
性および耐食性に優れている。しかも、全面を緻密な酸
化ケイ素膜で覆うことができるため、大幅な耐擦傷性効
果を付与することができる。また、単板構造の光情報記
録媒体の場合には、吸水による形状変化が極めて小さく
、ソリなどの機械的特性の劣化を防止することができる
。さらに、酸化ケイ素被覆により耐熱性も向上する。 ［実施例〕 以下、本発明について実施例および比較例を挙げて具体
的に説明するが、本発明はこれら実施例のみに限定され
るものではない、なお、実施例および比較例における加
速劣化試験の方法は、次のとおりである。 く加速劣化試験〉 恒温恒温機にて、６５℃、９５％ＲＨの条件で、酸化ケ
イ素被覆光情報記録媒体（ディスク）を３週間保持した
後、Ｃ／Ｎ、媒体欠陥の最大バースト長、機械特性の評
価を行なった。 Ｃ１上： 回転数１．８００ｒｐｍ、周波数３．７ＭＨｚで測定。 書き込みレーザーパワーは、２次高周波が最小になるよ
うにした結果、約５ｍＷであった。測定位置は、ディス
クの最内周部、結果は１００トラツク廁定の平均碩であ
る。 の　　バースト　　バイト （２・７）ＲＬＬ変調方式により信号を書き込み、加速
劣化試験前後での比較を行なった。　ｉｔ！ＩＩ定位置
は、ディスクの最内周部、結果は１００）ラック分の測
定結果である。 棗扱笠１ ６５℃、９５％ＲＨの雰囲気下に３週間保持した後、デ
ィスクの半径方向傾きを測定した。測定位置はディスク
中心より半径方向に４５ｍｍの位置である。なお、単板
仕様ディスクについてのみ評価を行なった。 ［実施例１］ ポリカーボネート樹脂からなる光ディスク基板（直径１
３０ｍｍ、厚さ１．２ｍｍ）の上に、誘電体１１１（Ｓ
ｉＡ１２ＯＮ）／記録層（ＴｂＦｅＣ。 ）／保護層（ＳｉＡ１２ＯＮ）をこの順に設けた構造の
光情報記録媒体を作成した。 上記光情報記録媒体に、第１表に示す各種有機シラン化
合物のイソブタノール溶液（濃度１重量％）をスピンコ
ーターで塗布し、９０℃の熱風にて５分間の加熱乾燥を
行なった。膜厚は約３０人であった。 次に、有機シラン化合物が塗布された面に電子線を照射
した。電子線は、１．６Ｍｒａｄ／Ｓの線量率、線量５
．０Ｍｒａｄで、アルゴンガス雰囲気中で照射した。 上記処理を行なった、各光情報記録媒体の全面に、特開
昭６１−１２７３４号公報に示されているのと同様の二
酸化ケイ素被膜製造装置を用いて、二酸化ケイ素被膜を
析出させた。 すなわち、二酸化ケイ素被膜製造装置は、外槽と内槽か
ら成る浸漬槽を有し、内槽と外槽の間には水が満しであ
る。この水は温度が３５℃となるようヒーターで加熱さ
れ、かつ、温度分布均一化のため撹拌機で撹拌されてい
る。内槽は前部、中部、後部から成り各部には工業用シ
リカゲル粉末を二酸化ケイ素の供給源として、二酸化ケ
イ素を溶解、飽和させた２、０モル／βの濃度のケイフ
ッ化水素酸水溶液を水を用いて倍に希釈した３℃の反応
液が満たしである。ここで、循環ポンプを作動させ内槽
後部の反応液を一定量ずつ放出してフィルターで濾過し
、内槽前部へ戻す処理液循環を開始した。 その後、０．５モル／４のホウ酸水溶液を連続的に内槽
後部に摘下し１０時間保持した。この状態で反応液は適
度な二酸化ケイ素過飽和度を有する処理液となった。 ここでフィルターの絶対除去率を１．５μｍおよび処理
液循環量を２４０ｍβ／分（処理液全量が約３βである
ので、循環量は８％／分である）に調整した。 そして、上記処理を行なった光情報記録媒体な白檀中部
に垂直に浸漬し、前記条件（０，５モル／℃のホウ酸水
溶液を０．２ｍＪ２／分で添加し、８％／分の循環を行
ない、１．５μｍのフィルターで濾過する）で３時間保
持した。 得られた被覆光情報記録媒体の二酸化ケイ素被覆層の膜
厚は約９００λであった。 得られた各二酸化ケイ素被覆光情報記録媒体の加速劣化
試験を行なった結果を第１表に示す、また、プライマー
処理を行なわなかった以外は実施例１と同様にして二酸
化ケイ素被覆光情報記録媒体を得、同様に加速劣化試験
を行ない、その結果を併せて第１表に示す。 （以下余白）

【実施例２】 実施例１で作成した単板使用の光デイスク２枚を、記録
層側どうしをアクリル系接着剤により張り合せて、張り
合せ構造の光情報記録媒体を作成した。 上記光情報記録媒体に、第２表に示す各種有機シラン化
合物のイソブタノール溶液（濃度１重量％）をスピンコ
ーターで塗布し、９０℃の熱風にて５分間の加熱乾燥を
行なった。膜厚は約２５人であった。 次いで、実施例１と同様にして電子線を照射し、しかる
後、同様の方法で光情報記録媒体の全面に二酸化ケイ素
被膜を形成した。二酸化ケイ素膜の膜厚は９７０入であ
った。 得られた各二酸化ケイ素被覆光情報記録媒体の加速劣化
試験を行なった結果を第２表に示す、また、プライマー
処理を行なわなかった以外は実施例２と同様にして二酸
化ケイ素被覆光情報記録媒体を得、同様に加速劣化試験
を行ない、その結果を併せて第２表に示す。 第工表および第２表から明らかなように、本発明の被覆
光情報記録媒体は、優れた加速劣化試験特性を示し、耐
湿性、耐食性が向上し、かつ吸水による形状変化が極め
て小さく、耐久性に優れている。また、二酸化ケイ素膜
で被覆されているため、耐擦傷性や耐熱性も向上してい
る。 【実施例３ゴ 実施何重で作成したポリカーボネート樹脂基板を用いた
光情報記録媒体を、ビニルトリス（ｔ〜ブチルパーオキ
シ）シランのインブタノール溶液（濃度１重量％）に浸
漬した後、８０℃の熱風乾燥機中で３分間加熱乾燥した
。膜厚は１００人であった。 次いで、アルゴン雰囲気中で、５　Ｍ　ｒ　ａ　ｄ　／
　Ｓの線量率で電子線を照射した。 プライマー処理された光情報記録媒体を、実施例１と同
様に、二酸化ケイ素被膜製造装置の内槽中部に垂直に浸
漬し、１６時間保持したところ、膜厚約３０００Åの二
酸化ケイ素被膜で全面が覆われた光情報記録媒体を得た
。 ［実施例４〕 有機シラン化合物としてビニルトリス（アセチルパーオ
キシ）シランな用いたこと以外は、実施例３と同様に処
理して二酸化ケイ素被覆光情報記録媒体を得た。 ［実施例５］ 線量率を１０　Ｍ　ｒ　ａ　ｄ　／　Ｓとした以外は、
実施例３と同様に処理して二酸化ケイ素被覆光情報記録
媒体を得た。 実施例３〜・５で得られた二酸化ケイ素被覆光情報記録
媒体について加速劣化試験を行ない、その結果を第３表
に示す。 （以下余白） ［実施例６］ 実施例２で作成した張り合せ構造の光情報記録媒体を用
いたこと以外は、実施例３と同様にして、ビニルトリス
（ｔ−ブチルパーオキシ）シランのインブタノール溶液
（濃度１重量％）に浸漬し、電子線照射した後、二酸化
ケイ素被膜で全面が覆われた光情報記録媒体を製造した
。 ［実施例７ゴ 有機シラン化合物としてビニルトリス（アセチルパーオ
キシ）シランを用いたこと以外は、実施例６と同様に処
理して二酸化ケイ素被覆光情報記録媒体を得た。 ［実施例８］ 線量率を１０　Ｍ　ｒ　ａ　ｄ　／　Ｓとした以外は、
実施例６と同様に処理して二酸化ケイ素被覆光情報記録
媒体を得た。 実施例６〜８で得られた二酸化ケイ素被覆光情報記録媒
体について加速劣化試験を行ない、その結果を第４表に
示す。 〔発明の効果〕 本発明によれば、光情報記録媒体の全面に密着性の優れ
た酸化ケイ素被膜を形成することができるため、耐湿性
、耐食性、耐擦傷性が向上し、かつ吸水による形状変化
が極めて小さい光情報記録媒体を提供することができる
。したがって、広範囲の温度、湿度条件下で長期保存が
可能である。また、単板仕様の光情報記録媒体において
は、耐湿性の向上により吸水によるソリなどの機械的特
性の劣化が防止される。さらに、表面硬度が大きく、耐
擦傷性に優れているため、信号劣化や感度の劣化などが
ない。

Claims (7)

【特許請求の範囲】
1. （１）合成樹脂製の透明基板上に記録層、誘電体層およ
   び／または保護層を設けた光情報記録媒体の全面または
   透明基板表面に、電子線を照射した有機シラン化合物の
   薄膜からなるプライマー層を設け、次いで、光情報記録
   媒体の全面に酸化ケイ素被膜を形成して成ることを特徴
   とする酸化ケイ素被覆光情報記録媒体。
2. （２）光情報記録媒体が、合成樹脂製の透明基板上に記
   録層、誘電体層および／または保護層を設けた２枚の光
   情報記録媒体を、接着層を介して記録層側の面どうし張
   り合せた構造のものである請求項１記載の酸化ケイ素被
   覆光情報記録媒体。
3. （３）有機シラン化合物が下記一般式〔 I 〕および〔
   II〕で示される化合物から選ばれる少なくとも１種の化
   合物である請求項１または２記載の酸化ケイ素被覆光情
   報記録媒体。 Ｘ＿ｎＳｉＹ＿４＿−＿ｎ〔 I 〕 〔式中、Ｘはビニル基、メタクリロキシ基、エポキシ基
   、アミノ基またはイソシアネート基を有する炭素数１〜
   １０の炭化水素基、Ｙはアルコキシ基、アルコキシアル
   コキシ基、アセトキシ基または水酸基を有する炭素数１
   〜１０の炭化水素基、ｎは１〜３の整数である。〕 Ｒ＿４＿−＿ｎＳｉ（ＯＯＲ′）＿ｎ〔II〕〔式中、Ｒ
   は炭素数１〜６の炭化水素基、ビニル基、メタクリロキ
   シ基、エポキシ基、アミノ基、メルカプト基、フッ素ま
   たは塩素を有する有機基であり、Ｒ′はアルキル基、ア
   シル基、アリールアルキル基から選ばれる１種もしくは
   複数の結合基であり、ｎは１〜４の整数である。〕
4. （４）合成樹脂製の透明基板上に記録層、誘電体層およ
   び／または保護層を設けた光情報記録媒体において、光
   情報記録媒体の全面または透明基板表面に有機シラン化
   合物からなる薄膜を形成し、次いで電子線を照射してプ
   ライマー層を形成させ、しかる後、光情報記録媒体の全
   面に酸化ケイ素被膜を形成することを特徴とする酸化ケ
   イ素被覆光情報記録媒体の製造方法。
5. （５）光情報記録媒体が、合成樹脂製の透明基板上に記
   録層、誘電体層および／または保護層を設けた２枚の光
   情報記録媒体を、接着層を介して記録層側の面どうし張
   り合せた構造のものである請求項４記載の酸化ケイ素被
   覆光情報記録媒体の製造方法。
6. （６）有機シラン化合物が下記一般式〔 I 〕および〔
   II〕で示される化合物から選ばれる少なくとも１種の化
   合物である請求項４または５記載の酸化ケイ素被覆光情
   報記録媒体の製造方法。 Ｘ＿ｎＳｉＹ＿４＿−＿ｎ〔 I 〕 〔式中、Ｘはビニル基、メタクリロキシ基、エポキシ基
   、アミノ基またはイソシアネート基を有する炭素数１〜
   １０の炭化水素基、Ｔはアルコキシ基、アルコキシアル
   コキシ基、アセトキシ基または水酸基を有する炭素数１
   〜１０の炭化水素基、ｎは１〜３の整数である。〕 Ｒ＿４＿−＿ｎＳｉ（ＯＯＲ′）＿ｎ〔II〕〔式中、Ｒ
   は炭素数１〜６の炭化水素基、ビニル基、メタクリロキ
   シ基、エポキシ基、アミノ基、メルカプト基、フッ素ま
   たは塩素を有する有機基であり、Ｒ′はアルキル基、ア
   シル基、アリールアルキル基から選ばれる１種もしくは
   複数の結合基であり、ｎは１〜４の整数である。〕
7. （７）酸化ケイ素被膜が二酸化ケイ素被膜であって、か
   つ、光情報記録媒体の全面または透明基板表面に前記プ
   ライマー層を形成した後、光情報記録媒体を二酸化ケイ
   素の過飽和状態のケイフッ化水素酸溶液中に浸漬し、光
   情報記録媒体の全面に二酸化ケイ素被膜を析出させる請
   求項４ないし６のいずれか１項記載の酸化ケイ素被覆光
   情報記録媒体の製造方法。