JPH04134652A - 光磁気記録媒体 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 発１し以退」薔１厨 本発明＋Ｌ　　特定の金属膜を有する光磁気記録媒体に
関し　さらに詳しく　＋Ｌ　　記録パワーの線速依存性
が１Ｊｚさく、かつソリが小さいなど機械的特性に便法
　しかも記録感度に優れるとともに記録パワーマージン
が広い光磁気記録媒体に関する。

日の　術的　１ 鉄、コバルトなどの遷移金属と、テルビウム（Ｔｂ）、
カドリニウム（Ｇｄ）などの希土類元素との合金からな
る光磁気記録層表　膜面と垂直な方向に磁化容易軸を有
し　一方向に全面磁化された膜面にこの全面磁化方向と
は逆向きの１Ｊｚさな反転磁区を形成することができる
ことが知られている。

この反転磁区の有無を「１」、　「０」に対応させるこ
とによって、上記のような光磁気記録膜にデジタル信号
を記録させることが可能となる。

通常、光磁気ディスクなどの情報記録媒体で１ｉ。

基板上に上記のような光磁気記録層に加えて金属層が設
けられている。

このように基板上に光磁気記録層と金属層を有する光磁
気記録媒体で代　レーザー光などによって情報を書込む
際へ　書込み光としてのレーザー光のパワーが多少変化
しても正確に光磁気記録媒体に情報を書込むことができ
るように記録パワーマージンを広くすることが望まれて
おり、また、光磁気記録媒体にレーザ光などによって情
報を書込む際に、記録媒体の内周部と外周部とで書込み
光としてのレーザ光の最適記録パワーの変化のしかたが
小くなるように、　記録パワーの線速依存性を小さくす
ることが望まれている。

さら＆ミ　ソリが小さいなど機械的特性に優れているこ
と、記録感度（Ｃ／Ｎ比）の向ム　耐酸化性なども望ま
れている。

本発明者ら（戴　このような従来技術に鑑みて鋭意検討
したところ、基板上へ　保護膜と、光磁気記録膜と、ニ
ッケルを含有するアルミニウム合金膜またはニッケルと
クロムを含有するアルミニウム合金膜とがこの順序で積
層してなる光磁気記録層朱　あるいは基板上＆ミ　保護
膜と、光磁気記録膜と、保護膜と、ニッケルを含有する
アルミニウム合金膜またはニッケルとクロムを含有する
アルミニウム合金膜とをこの順序で積層してなる光磁気
記録媒体１戴　ソリが小さく機械的特性に便法記録パワ
ーの線速依存性が小さく、かつ記録パワーマージンが広
く、　しかも耐酸化性および記録感度に優れていること
を見いだして、本発明を完成するに至った ｉ見立１１ 本発明（戴　ソリが／Ｊ％さいなど機械的特性に便法か
つ記録パワーマージンが広く、シかも記録パワーの線速
依存性が小さく、かつＣ／Ｎ比が高いような光磁気記録
媒体を提供することを目的としている。

只」ＬΩ」１！ 本発明に係る光磁気記録媒体１４　　基板上に保護膜と
、光磁気記録膜と、ニッケルを含有するアルミニウム合
金膜またはニッケルとクロムを含有するアルミニウム合
金膜とがこの順序で積層されてなることを特徴としてい
る。

本発明に係る光磁気記録媒体１表　基板上に保護膜と、
光磁気記録膜と、保護膜と、ニッケルを含有するアルミ
ニウム合金Ｍ（以下、アルミニウムニッケル合金膜と記
載する）またはニッケルとクロムを含有するアルミニウ
ム合金膜（以下、アルミニウム・ニッケル・クロム合金
膜と記載する）とがこの順序で積層されてなることを特
徴としている。

このような本発明に係る光磁気記録媒体：戴　ソリが不
さいなど機械的特性に優汰　記録パワーの線速依存性が
ノ」１さく、かつ記録パワーマージンが広く、しかも耐
酸化性および記録感度に優れている。

日の　　・日 以下、本発明に係る光磁気記録媒体について具体的に説
明する。

本発明の光磁気記録媒体表　たとえば第１図に示すよう
を−基板１上に保護膜２と、光磁気記録膜３と、アルミ
ニウム・ニッケル合金膜５とがこの順序で積層されて形
成されている。

また、たとえば第２図に示すよう番−基板１上に保護膜
２と、光磁気記録膜３と、保護膜４と、アルミニウム・
ニッケル合金膜５とがこの順序で積層されて形成されて
いる。

以下、基板１、保護膜２、光磁気記録膜３、保護膜４と
、アルミニウム・ニッケル合金Ｍ５について順次説明す
る。

革−」〔−」 本発明で（戯　基板１の材質は特に限定されないが、基
板ｌ側（矢印Ａ）からレーザ光が入射する場合に１３　
　透明基板であることが好ましく、具体的に（戴　ガラ
スやアルミニウム等の無機材料の他＆ミ　ポリメチルメ
タクリレート、ポリカーボネート、ポリカーボネートと
ポリスチレンのポリマーアロイ、米国特許第４．６１４
．７７８号明細書に開示しであるような環状オレフィン
ランダム共重合化以下に説明するような環状オレフィン
ランダム共重合倣　ポリ４−メチル−１−ペンテン、エ
ポキシ樹ｊ１　　ポリエーテルサルフォン、ポリサルフ
ォン、ポリエーテルイミド等の有機材料を用いることが
できる。この中でｉｉ、ポリメチルメタクリレート、ポ
リカーボネート、米国特許第４．６１４．７７８号明細
書に記載のような共重合体および下記の環状オレフィン
ランダム共重合体が好ましい。

本発明において、基板として特に好ましい材料として１
４　　保護膜あるいは記録膜との密着性が特に良く、複
屈折率がノ」１さいという観点から、エチレンと、下記
一般式［Ｉ］または［工゛］で表される環状オレフィン
との共重合体からなる環状オレフィンランダム共重合体
が挙げられる。

一般式［Ｉ］ 正の整数であって、 Ｒ１５Ｒ１Ｂ鷹４　　それぞれ独立＆−水素原子、ハロ
ゲン原子および炭化水素基よりなる群から選ばれる原子
もしくは基を表し Ｒ１５〜Ｒ１Ｂ鷹　互いに結合して単環または多環を形
成していてもよく、かつ該単環または多環が二重結合を
有していてもよく、 また、　Ｒ１５とＲＩＢとで、　またはＲ１７とＲＩＢ
とでアルキリデン基を形成していてもよい）。

一般式［工゛］ （式中、ｎは０または１であり、ｍは０または（式［Ｉ
’］中、ｐはＯまたは１以上の整数であり、ｑおよびｒ
　ＬＬ　α　１または２であり、Ｒ１〜ＲＩＳはそれぞ
れ独立に水素原子、ハロゲン原子、脂肪族炭化水素基　
芳香族炭化水素基　およびアルコキシ基よりなる群から
原子もしくは基を表しＲ５（またはＲｅ）とＲ９（また
はＲ７）とは、炭素数１〜３のアルキレン基を介して結
合していてもよく、また何の基も介さずに直接結合して
いてもよい。　） ただし　上記式［Ｉ］において、ｎは０または１であり
、好ましくは０である。また、ｍは０または正の整数で
あり、好ましくは０〜３である。

また上記式［Ｉ’ｌにおいて、ｐは０または１以上の整
数であり、好ましくは０〜３の整数である。

そして、Ｒ１−Ｒ１８（式［工］）、またはＲ１−Ｒ１
＋５　（式［Ｉ’］　）　ｉＬ　　それぞれ独立を−水
素原子、ハロゲン原子および炭化水素基よりなる群から
選ばれる原子もしくは基を表す。ここで、ハロゲン原子
として哄　たとえ番戴　　フッ素原子、塩素原子、臭素
原子およびヨウ素原子を挙げることができる。

また、炭化水素基としてｉＬ　　それぞれ独立に、通常
は炭素原子数１〜６のアルキル基　炭素原子数３〜６の
シクロアルキル基を挙げることができ、アルキル基の具
体的な例として鷹　メチル基　エチル基　イソプロピル
基　イソブチル基　アミル基を挙げることができ、シク
ロアルキル基の具体的な例として（戴　シクロヘキシル
基　シクロプロピル基　シクロブチル基　シクロペンチ
ル基を挙げることができる。

また上記式［工′］において、Ｒ５（またはＲ８）とＲ
９（またはＲ７）と檄　炭素数１〜３のアルキレン基を
介して結合していてもよく、また何の基も介さずに直接
結合していてもよい。

さらく　上記式［Ｉ］において、１ｌｊ１５〜Ｒ１１ｌ
は互いに結合して（共同して）単環または多環を形成し
ていてもよく、かつ該単環または多環が二重結合を有し
ていてもよい。また、Ｒ１５とＲ１１３とで、またはＲ
１７とＲｌＢとでアルキリデン基を形成していてもよい
。このようなアルキリデン基（戴　通常は炭素原子数２
〜４のアルキリデン基を挙げることができ、その具体的
な例として（戴　エチリデン基　プロピリデン基　イソ
プロピリデン基およびイソブチリデン基を挙げることが
できる。

前記式［Ｉ］または［■°］で表される環状オレフィン
（戯　シクロペンタジェン類と、相応するオレフィン類
あるいは環状オレフィン類とをディールス・アルダ−反
応により縮合させることにより容易に製造することがで
きる。

前記式［Ｉ］または［工°］で表される環状オレフィン
として鷹　具体的に（戴　たとえば下記のような化合物
を挙げることができる。

（以下余白） などのようなピックロ ［２，２，１］ヘプト エン誘導体： などのテトラシクロ［４，４，０，１”、１’゛”］　
−３ドデセン誘導体； などのヘキサシクロ［６，６，１，！”　、１１６１１
．７．ｏ”ｌ−］−］４−ヘプタデセン誘導体：０゜ オクタシクロ ＝５ トコセン などのペンタシクロ［６，６，１，Ｉ”　、０”　７．
０＠”］４−へキサデセン誘導体 トコセン −５−トコセン などのオクタシクロ［８，８，０，１″１．１４７．１
目Ｉ　Ｉｌｌ＠　、　０目　ｏ　１１１７　］−］ｓ−
トコセン誘導体なとのへブタシクロ−５−エイコセン誘
導体あるいはへブタシクロ−５−ヘンエイコセン誘導体
：なとのトリシクロ ［４，３，０，１”　］ デセン誘導体： なとのペンタシクロ［６，５，１，１！１．０”　、０
＠・Ｉｆｆ］４−ペンタデセン誘導体。

などのトリシクロ［４，４，０，１”　］　−］３−ウ
ンデセン誘導体などのジエン化合物； などのペンタシクロ［７，４，０，１”、１”°Ｉｆ、
　Ｏａ・＋′］３−ペンタデセン誘導体。

なとのへブタシクロ［８，７，０，Ｂ　’、１１０ｏ！
、７．ｏ比Ｉ＠］−４−エイコセン誘導体：、１ −５−ベンタコセン などのへブタシクロ［８，４，０，１”″、１組Ｉｆ、
　ｏＬ　Ｉｆｆ］　−３−ハ＼キサデセン誘導体；０コ
」、０叩１０．０１１．１１゜ １、＋１コ ５−ベンタコセン誘導体。

−５−ヘンエイコセン などのヘプタシクロ［８，８，０，１’　ｔ、　１５−
ヘンエイコセン誘導体： １、１＋３．１１．０３．１．□Ｂ、＋７］なとのノナ
シクロ［１０，Ｉ　Ｏ，１，１６１，ｌ＋４”、１１′
１１．０１０４、＠、ＯＨ，ｔ″ｏ　１１．−６　］−
］ｓ−ヘキサコセン誘導体そしてさらには、 を挙げることができる。

（以下余白） 上記のようなエチレンと、一般式［Ｉ］または［工°］
で表される環状オレフィンとの共重合体としては、１３
５℃のデカリン中で測定した極限粘度［η］が０．０５
〜１０ｄｌ／ｇの範囲にあり、軟化温度（ＴＭＡ）が７
０℃以上である環状オレフィン系ランダム共重合体（以
下、環状オレフィン系ランダム共重合体［Ａ］　という
）が好ましく用いられる。

また所望により、環状オレフィン系ランダム共重合体［
Ａ］Ｅ、　　エチレンと、一般式［Ｉ］または［Ｉ’］
で表される環状オレフィンとの共重合体であって、１３
５℃のデカリン中で測定した極限粘度［ワコが０．０５
〜５ｄｌ／ｇの範囲にあり、軟化温度（ＴＭＡ）が７０
℃未満である環状オレフィン系ランダム共重合体（以下
、環状オレフィン系ランダム共重合体［Ｂ］　という）
を配合して用いてもよい。

上記のような環状オレフィン類とエチレンとの共重合体
である環状オレフィン系ランダム共重合体［Ａ］および
ＣＢ］ＩＬ　　エチレンおよび前記環状オレフィンを必
須成分とするものであるが、該必須の二成分の他に本発
明の目的を損なわない範囲で、必要に応じて他の共重合
可能な不飽和単量体成分を含有していてもよい。

任意に共重合されていてもよい該不飽和単量体として、
具体的に１戴　たとえば生成するランダム共重合体中の
エチレン成分単位と等モル未満の範囲のプロピレン、１
−ブテン、４−メチル−１−ペンテン、　１−ヘキセン
、　１−オクテン、　１−デセン、　１−ドデセン、１
−テトラデセン、１−へキサデセン、１−オクタデセン
、１−エイコセンなどの炭素原子数が３〜２０のａ−オ
レフィンなどを例示することができる。

上記のような環状オレフィン系ランダム共重合体［Ａ］
で＋４　　エチレンに由来する繰り返し単位（ａ）は４
０〜８５モル％、好ましくは５０〜７５モル％の範囲で
存在しており、また該環状オレフィンに由来する繰り返
し単位（ｂ）は１５〜６０モル％、好ましくは２５〜５
０モル％の範囲で存在しており、エチレンに由来する繰
り返し単位（ａ）および該環状オレフィンに由来する繰
り返し単位（ｂ）ＬＬ　　ランダムに実質上線状に配列
している。なお、エチレン組成および環状オレフィン組
成は１３Ｃ−ＮＭＲによって測定した　この環状オレフ
ィン系ランダム共重合体が実質上線状であり、ゲル状架
橋構造を有していないことは、該共重合体が１３５℃の
デカリン中に完全に溶解することによって確認できる。

このような環状オレフィン系ランダム共重合体［Ａ］の
１３５℃のデカリン中で測定した極限粘度［ηコは０．
０５〜１０ｄｌ／ｇ　、好ましくは０．０８〜５ｄ１／
ｇの範囲にある。

また、環状オレフィン系ランダム共重合体［Ａ］のサー
マル・メカニカル・アナライザーで測定した軟化温度（
ＴＭＡ）は７０℃以上、好ましくは９０〜２５０℃、よ
り好ましくは１００〜２００℃の範囲にある。

なお、軟化温度（ＴＭＡ、）は、デュポン社製Ｔｈｅｒ
ｍｏｍｅｃｈａｎｉｃａｌ　Ａｎａｌｙｓｅｒを用いて
厚さ１ｍｍのシートの熱変形挙動により測定し＋４　　
すなわちシート上に石英製針をのせ、荷重４９　　ｇを
かけ、５℃／分で昇温していき、針が０．６３５ｍｍ侵
入した温度をＴＭＡとした また、該環状オレフィン系ランダム共重合体のガラス転
移温度（Ｔｇ）Ｌ　　通常５０〜２３０℃、好ましくは
７０〜２１０℃の範囲にあることが望ましい。

また、この環状オレフィン系ランダム共重合体［Ａ］の
Ｘ線回折法によって測定した結晶化度は０〜１０％、好
ましくは０〜７％、より好ましくは０〜５％の範囲であ
る。

本発明で（ミ　また上記のような軟化温度（ＴＭＡ）が
７０℃以上である環状オレフィン系ランダム共重合体［
Ａコく エチレンと、前記式［Ｉ］または［１１で表わされる環
状オレフィンとの共重合体であって、１３５℃のデカリ
ン中で測定した極限粘度［η］が０．０５〜５ｄｉ／ｇ
の範囲にあり、軟化温度（ＴＭＡ）が７０℃未満である
環状オレフィン系ランダム共重合体［Ｂ］を配合してな
る環状オレフィン系ランダム共重合体組成物から基板を
形成することが好ましい。

上記のような軟化点（ＴＭＡ）が７０℃未満である環状
オレフィン系ランダム共重合体［Ｂ］で（戴エチレンに
由来する繰り返し単位（ａ）は６０〜９８モル％、好ま
しくは６０〜９８モル％の範囲で存在しており、また該
環状オレフィンに由来する繰り返し単位（ｂ）は２〜４
０モル％、好ましくは５〜４０モル％の範囲で存在して
おり、エチレンに由来する繰り返し単位（ａ）および該
環状オレフィンに由来する繰り返し単位（ｂ）＋Ｌ　　
ランダムに実質上線状に配列している。なお、エチレン
組成および環状オレフィン組成は１３Ｃ−ＮＭＲによっ
て測定したこの環状オレフィン系ランダム共重合体［Ｂ
］が実質上線状であり、ゲル状架橋構造を有していない
こと鷹　該共重合体が１３５℃のデカリン中に完全に溶
解することによって確認できる。

このような環状オレフィン系ランダム共重合体［Ｂ］の
１３５℃のデカリン中で測定した極限粘度［７］は０．
０５〜５ｄｉ／ｇ　、好ましくは０．０８〜３ｄｉ／　
ｇの範囲にある。

また、環状オレフィン系ランダム共重合体［Ｂ］のサー
マル・メカニカル・アナライザーで測定した軟化温度（
ＴＭＡ）は７０℃未滌　好ましくは一１０〜６０℃、よ
り好ましくは１０〜５５℃の範囲にある。さらく　該環
状オレフィン系ランダム共重合体［Ｂ］のガラス転移温
度（Ｔｇ）　Ｌ　　通常−３０〜６０℃、好ましくは一
２０〜５０℃の範囲にあることが望ましい。

また、この環状オレフィン系ランダム共重合体［Ｂ］の
Ｘ線回折法によって測定した結晶化度は０〜１０覧　　
好ましくは０〜７％、より好ましくは０〜５％の範囲で
ある。

本発明において、基板として環状オレフィンランダム共
重合体［Ａ］および［Ｂ］を用いる場合にＩＬ　　該環
状オレフィン系ランダム共重合体［Ａ］／該環状オレフ
ィン系ランダム共重合体［Ｂ］の重量比は１００１０．
１〜１００／１０、好ましくは１００１０．３〜１００
／７、より好ましくは１００１０．５〜１００１５の範
囲であることが望ましい。

［Ｂ］酸成分この範囲で［Ａ］酸成分配合することによ
って、基板自体の優れた透明性と表面平滑性を維持した
まま、本発明で用いる保護膜との苛酷な条件下での密着
性が［Ａ］酸成分みの場合に比べさらに向上するという
効果があり、　［Ａ］と［Ｂ］とのブレンドよりなるこ
の上記の環状オレフィンランダム共重合体組成物を基板
に用いれば本発明で用いる保護膜との優れた密着性は高
温、高温条件下放置後においてさえも変化がなし）とし
）う特性を有している。

本発明における基板を構成する上記の環状オレフィン共
重合体［Ａ］および［Ｂ］１４特開昭６０−１６８７０
８号公ＩＬ　　’Ｉｐ　Ｈ昭６１−１２０８１６号公転
特開昭６１−１１５９１２号公社　特開昭６１−１１５
９１６号公転特開昭６２−２５２４０６号公転　特開昭
６２−２５２４０７号公転特開昭６１−２７１３０８号
公転　特開昭６１−２７２２１６号公報などにおいて本
出願人が提案した方法に従しム適宜条件を選択すること
により、製造することができる。

このような環状オレフィン系ランダム共重合体中におい
て、前記式［Ｉ］または［Ｉ’ｌで表される環状オレフ
ィンから導かれる構成単位（ｂ）は下記式［ｎｌまたは
［■°］で表される構造の繰り返し単位を形成している
と考えられる２５−　一部の構成単位（ｂ）が開環重合
によって結合している場合もあり、また必要に応じて水
素添加することも可能である。

［■コ （式［■コ中、ｍ、、ｎおよびＲ１〜Ｒ”！８は前記式
［Ｉ］における定義と同様である。） （式［■°］中、ｐ、　　ｑＳｒおよびＲ１−Ｒ１５は
前記式［Ｉ’］における定義と同様である。）本発明に
係る光磁気記録媒体の基板として１戴前述したとおり、
上記のエチレンと環状オレフィンとのランダム共重合体
のほかを−同種または異種の環状オレフィン単量体を開
環して得られる環状オレフィン開環型合本　開環共重合
体またはそれらの水素添加物を用いることもできる。こ
のような環状オレフィン開環重合化　開環共重合体およ
びこれらの水素添加物について、前記式［Ｉ］で表され
る環状オレフィンを例にして説明すると、以下に記載す
るように反応して開環共重合体およびこれらの水素添加
物を構成していると考えられる。

（以下余白） ・・　［■　°］ ↓水素添加 ↓開環 このような重合体の例として、テトラシクロドデセンと
ノルボルネン及びそれらの誘導体との開環共重合本　お
よびその水素添加物を挙げることができる。

なお、本発明においては上記のような開環重合木　開環
共重合朱　これらの水素添加物および環状オレフィン系
ランダム共重合体の一部が無水マレイン酸等の不飽和カ
ルボン酸等で変性されていてもよい。このような変性物
（戯　上記のような環状オレフィン系樹脂と、不飽和カ
ルボン酸、これらの無水執　および不飽和カルボン酸の
アルキルエステル等の誘導体とを反応させることにより
製造することができる。

また、この場合の環状オレフィン系樹脂の変性物中にお
ける変性剤から導かれる構成単位の含有率（戴　通常は
５０〜１０モル％以下である。このような環状オレフィ
ン系樹脂変性物置　所望の変性率になるように環状オレ
フィン系樹脂に変性剤を配合してグラフト重合させて製
造することもできるし　予め高変性率の変性物を調製し
　次いでこの変性物と未変性の環状オレフ１°ン系樹脂
とを混合することによっても製造することができる。

本発明において、上記の開環型合本　開環共重合朱　こ
れらの水素添加物および環状オレフィン系ランダム共重
合体ならびにその変性物Ｇ飄　　単独で、あるいは組み
合わせて使用することができる。

さら＆−本発明においてＩＬ　　上記のような環状オレ
フィン系ランダム共重合体を製造するに際して、得られ
る重合体等の物性を損なわない範囲で、前記式［Ｉ］ま
たは［Ｉ°］で表される環状オレフィン以外の環状オレ
フィンを重合させることもできる。

このような環状オレフィンとして（戴　たとえば、シク
ロブテン、 シクロペンテン、 シクロヘキセン、 ３．４−ジメチルシクロヘキセン、 ３−メチルシクロヘキセン、 ２−　（２−メチルブチル）−１−シクロヘキセン、２
、３．３ａ、　７ａ−テトラヒトＯ−４，７−メタノ−
ＩＨ−インデン ３ａ、　５．６．７ａ−テトラヒドロ−４，７−メタノ
−ＩＨ−インデンなどを挙げることができる。

このような他の環状オレフィンは単独・で、あるいは組
み合わせて使用することができ、通常、０〜５０モル％
の量で用いられる。

また本発明に係る光磁気記録媒体の基板にＩＬ前記［Ａ
］およびＣＢ］成分の他＆へ　衝撃強度を向上させるた
めのゴム成分を配合したり、耐熱安定舷　耐候安定舷　
帯電防止舷　スリップ舷　アンチブロッキングＩＰＫ　
　防曇斉ｋ　滑舷　染料、顔料、天然源　合成法　ワッ
クスなどを配合することができ、その配合割合は適宜量
である。

たとえば、任意成分として配合される安定剤として具体
的に（戴 テトラキス［メチレン−３（３，５−ジ−ｔ−ブチル−
４−ヒドロキシフェニル）プロピオネートコメタン、β
−（３，５−ジ−ｔ−ブチル−４−ヒドロキシフェニル
）　プロピオン酸アルキルエステル、２．２′−オキザ
ミドビス［エチル−３（３，５−ジ−ｔ−ブチル−４−
ヒドロキシフェニル）コプロピオネートなどのフェノー
ル系酸化防止剤ニ ステアリン酸亜鉛、ステアリン酸カルシウム、１２−ヒ
ドロキシステアリン酸カルシウムなどの脂肪酸金属塩 グリセリンモノステアレート、グリセリンモノラウレー
ト、グリセリンジステアレート、ペンタエリスリトール
モノステアレート、ペンタエリスリトールジステアレー
ト、ペンタエリスリトールトリステアレート等の多価ア
ルコールの脂肪酸エステルなどを挙げることができる。

これらは単独で配合してもよいが、組み合わせて配合し
てもよく、たとえば、テトラキス［メチレン−３（３，
５−ジ−ｔ−ブチル−４−ヒドロキシフェニル）プロピ
オネートコメタンとステアリン酸亜鉛およびグリセリン
モノステアレートとの組合せなどを例示することができ
る。

本発明では特に、　フェノール系酸化防止剤および多価
アルコールの脂肪酸エステルとを組み合わせて用いるこ
とが好ましく、該多価アルコールの脂肪酸エステルは３
価以上の多価アルコールのアルコール性水酸基の一部が
エステル化された多価アルコール脂肪酸エステルである
ことが好ましし旭。

このような多価アルコールの脂肪酸エステルとして６戴
　具体的に（戴 グリセリンモノステアレート、グリセリンモノラウレー
ト、グリセリンモノミリステート、グリセリンモノパル
ミテート、グリセリンジステアレート、グリセリンジラ
ウレートなどのグリセリン脂肪酸エステル。

ペンタエリスリトールモノステアレート、ペンタエリス
リトールモノラウレート、ペンタエリスリトールジラウ
レート、ペンタエリスリトールジステアレート、ペンタ
エリスリトールトリステアレートなどのペンタエリスリ
トールの脂肪酸エステルが用いられる。

このようなフェノール系酸化防止剤は、前記［Ａ］酸成
分よび［Ｂ］酸成分合計重量１００重量部に対してＯ〜
１０重量敵　好ましくはＯ〜５重量仏より好ましくは０
〜２重量部の量で用いら瓢　また多価アルコールの脂肪
酸エステルは［Ａ］酸成分よび［Ｂ］酸成分合計重量１
００重量部に対してＯ〜１０重量服　好ましくは０〜５
重量部の量で用いられる。

本発明に係る光磁気記録媒体の基板に１）本発明の目的
および透明性を損なわない範囲で、シリカ、ケイ藻土、
アルミナ、酸化チタン、酸化マグネシウム、軽石粉、軽
石バルーン、水酸化アルミニウム、水酸化マグネシウム
、塩基性炭酸マグネシウム、　ドロマイト、硫酸カルシ
ウム、チタン酸カリウム、硫酸バリウム、亜硫酸カルシ
ウム、タルク、クレー　マイカ、アスベスト、ガラス繊
維ガラスフレーク、ガラスピーズ、ケイ酸カルシウム、
モンモリロナイト、ベントナイト、グラファイト、アル
ミニウム粉、硫化モリブデン、ポロン繊維　炭化ケイ素
繊維　ポリエチレン繊維　ポリプロピレン繊維　ポリエ
ステル繊維、ポリアミド繊維などの充填剤を配合しても
よい。

本発明において、基板として上記のような環状オレフィ
ン系ランダム共重合体または環状オレフィン系ランダム
共重合体組成物を用いると、理由は定かではないが、記
録感度が特に優れているという特長を有する。またこの
環状オレフィン系ランダム共重合体または該共重合体を
含む組成物からなる基板と記録層積層体とは密着性に優
れており、したがって記録膜は長期安定性に優れるとと
もに記録膜の酸化が効果的に防止される。したがってこ
の環状オレフィン系ランダム共重合体からなる基板上に
記録膜を積層してなる光記録媒体（礼記録感度に便法　
また耐久性および長期安定性にも優れている。また本発
明に係る光記録媒体は反りがなく割れが生ずることがな
い。

このような基板１の厚みは特に限定されないが０．５〜
５ｍｍ、好ましくは１〜２皿である。

象１双−」 本発明に係る光磁気記録媒体で用いられる保護＠２は、
たとえばＳｉＮｘ、　ＺｎＳ、　Ｚｎ５ｅ、　ＣｄＳ。

＆、ＡＩＮなどで示される組成の膜から形成されており
、このうち５ｉＮｙ膜が特に好ましい。

５ｉＮ）Ｂで示される保護膜で１０＜ｘ≦４７３である
ことが好ましく、具体的に１４　　Ｓｉ３Ｎ４　（四窒
化三ケイ素）などの窒化ケイ素膜あるいはＯ＜ｘ＜４７
３となるようにＳｉ３Ｎ４とＳｉとを混合した混合膜が
特に好ましく用いられる。

このような５ｉＮｚで示される保護膜Ｃ戴　　たとえば
ターゲットとして、Ｓｉ３Ｎ４また（戴　Ｓｉ３Ｎ４と
Ｓｉとを用いて、スパッタリング法により成膜すること
ができる。このような５ｉＮ）（からなる保護膜２ｔｉ
、通常２．０以上の屈折率を有していることが好ましく
、後述する光磁気記録膜３を酸化などから保護する働き
、または光磁気記録膜の記録特性を高めるエンハンス膜
としての働き、あるいはその両方の働きをしている。

また、５ｉＮＸ（０＜：ｃ≦４／３）からなる保護膜２
（戴　特に耐クラツク性に優れている。

本発明において、保護膜２の膜厚は５００〜２０００　
人、好ましくは８００〜１５００Ａ程度であることが望
ましい。

本発明において１戴　保護膜の膜厚を上記のような範囲
にすることによって、良好なＣ／Ｎ比と広い記録パワー
マージンを有する光磁気記録媒体を得ることができる。

磁　記録　　３ 本発明に係る光磁気記録媒体で用いられる光磁気記録膜
３Ｌ（ｉ）３ｄ遷移金属から選ばれる少なくとも１種と
、　（１ｉｉ）希土類から選ばれる少なくとも１種の元
素とからなるか、あるいは（ｉ）３ｄ遷移金属から選ば
れる少なくとも１種と、　（１１）耐腐食性金属と、　
（ｉｉｉ）希土類から選ばれる少なくとも１種の元素と
からなっている。

このうち（ｉ）３ｄ遷移金属から選ばれる少なくとも１
種と、　（１１）耐腐食性金属と、　（ｉｉｉ）希土類
から選ばれる少なくとも１種の元素とからなる光磁気記
録膜が好ましい。

（ｉ）３ｄ遷移金属としてｌ叡Ｆｅ、Ｃｏ、Ｔｉ、■、
Ｃｒ、　Ｍｎ、　Ｎｉ、Ｃｕ、　Ｚｎなどが用いられる
が、このうちＦｅまたはＣＯあるいはこの両者であるこ
とが好ましい。

この３ｄ遷移金属版　光磁気記録膜中に好ましくは２０
〜９０原子％、より好ましくは３０〜８５原子％、とく
に好ましくは３５〜８０原子％の量で存在している。

（１１）耐腐食性金属は、光磁気記録膜に含ませること
によって、この光磁気記録膜の耐酸化性を高めることが
できる。このような耐腐食性金属としてｉｔ、　　Ｐｔ
、　Ｐｄ５ＴｉＸＺｒ、　Ｔａ、　Ｎｂなどが用いられ
るが、　このうちＰｔ、ＰｄＸＴｉが好ましく、　とく
にＰｔまたはＰｄあるいはこの両者であることが好まし
い。

この耐腐食性金属法　光磁気記録膜中に３０原子％以下
、好ましくは５〜２５原子翫　より好ましくは１０〜２
５原子％ＳＩｆ！ｆに好ましくは１０〜２０遼千％の量
で存在している。

希土類元素としては　下記のような元素が挙げられる。

Ｇｄ５Ｔｂ、　Ｄｙ、　Ｈｏ、　Ｅｒ、　Ｔｍ、　Ｙｂ
、　Ｌｕ５Ｌａ、　Ｃｅ。

Ｐｒ、　Ｎｄ、　Ｐｍ、　Ｓｍ５Ｅｕ このうちＧｄ５Ｔｂ、　Ｄｙ、　Ｈｏ、Ｎｄ、　Ｓｍ、
　Ｐｒが好ましく用いられる。

上記のような群から選ばれる少なくとも１種の希土類元
素法　光磁気記録膜中に５〜５ｏ原子％、好ましくは８
〜４５原子％、より好ましくは１０〜４０譚子％の量で
存在している。

本発明で叫　光磁気記録膜が、特に、　下記に記載する
ような組成を有することが好ましい。

（ｉ）３ｄ遷移元素 本発明に係る光磁気記録膜中に１３（ｉ）３ｄ遷移元素
として、好ましくはＦｅたはＣＯあるいはこの両者が含
まれており、Ｆｅおよび／またはＣＯ鷹４０原子％以上
８０原子％以下、好ましくは４０ｆｆｌ子％以上７５原
子％未鳳　より好ましくは４０原子％以上５９原子％以
下の量で存在していることが望ましい。

さらにＦｅおよび／またはＣｏＬ　　Ｃｏ／　（Ｆｅ＋
　Ｃｏ）比［ｆｆ子比］が０以上０．３以下、好ましく
は０以上０．２以下、より好ましくは０．０１以上０．
２以下であるような量で、光磁気記録膜中に存在してい
ることが望ましい。

Ｆｅおよび／またはＣｏの量が４０原子％以上で８０原
子％以下の範囲にあると、耐酸化性に便法　かつ膜面に
垂直な方向に磁化容易軸をもった光磁気記録膜が得られ
るという利点を有する。

ところで光磁気記録膜中し−〇〇を添加すると、（イ）
光磁気記録膜のキュリー点が上昇し　また（口）カー回
転角（θｋ）が大きくなるという現象が認めら瓢　その
結果、Ｃｏの添加量により、光磁気記録膜の記録感度を
調整することができ、しかもＣｏの添加により、再生信
号のキャリアレベルを増加することができる。本発明に
係る光磁気記録膜では、ノイズレベル、Ｃ／Ｎ比の点か
らＣｏ／（Ｆｅ＋　Ｃｏ）比［原子比コは０以上０．３
以下、好ましくは０以上０．２以下、より好ましくは０
．０１以上０．２以下であることが望ましい。

このような本発明に用いる光磁気記録膜は、記録および
消去を繰り返し行なっても、膜装置が生ずることはない
。たとえば本発明に係るＰｔ１３Ｔｂ２ＢＦｅ５０ＣＯ
９（Ｗ子％）なる組成を有する光磁気記録膜は、　１０
万回の記録および消去を繰り返し行なってもＣ／Ｎ比の
低下は認められない。

（１１）耐腐食性金属 本発明に用いる光磁気記録膜中に１４　　（ｉｉ）耐腐
食性金属として、好ましくはｐｔまたはＰｄあるいはこ
の両者が含まれており、ｐｔおよび／またはＰｄ　１４
　　光磁気記録膜中に５〜３０遼子％、好ましくは１０
原子％を超えて３０原子％以下、　より好ましくは１０
原子％を超えて２０ｆｆ子％未糞　特に好ましくは１１
原子％以上１９Ｗ、子％以下の量で存在していることが
望ましい。

光磁気記録膜中のｐｔおよび／またはＰｄの量が５原子
％以ム　特に１０原子％を超えて存在すると、光磁気記
録膜の耐酸化性に優へ　長期間使用しても孔食が発生せ
ず、Ｃ／Ｎ比も劣化しないという利点を有する。

たとえばＰｔ１３　Ｔｂ２　Ｂ　Ｆｅ５　ｏ　ＣＯ９（
原子％〕あるいはＰｃｈ　２　Ｔｂ２　ｓ　Ｆｅｓ　３
　ＣＯ７（ｆＪｆｉ子％）で示される組成を有する本発
明に係る光磁気記録膜は、相対湿度８５％、８０℃の環
境下に１０００時間保持しても、　Ｃ／Ｎ比は全く変化
しない。

また光磁気記録膜中にｐｔおよび／またはＰｄを上記の
ような範囲の量で添加することにより、光磁気記録膜に
情報を記録したりあるいは情報を読出す際レミ　　小さ
なバイアス磁界で充分に高いＣ／Ｎ比が得られる。小さ
なバイアス磁界で充分に高いＣ／Ｎ比が得られると、バ
イアス磁界発生用のマグネットを／ＪＮさくすることが
でき、　しかもマグネットからの発熱も押えることがで
きるため、光磁気記録膜を有する光ディスクのドライブ
装置を簡素化することができる。　しかも小さなバイア
ス磁界で充分に大きなＣ／Ｎ比が得られるため、オーバ
ーライド可能な磁界変調記録用のマグネットの設計も容
易となる。

（ｉｉｉ）希土類元素（ＲＥ） 本発明に係る光磁気記録膜中に１　希土類元素（ＲＥ）
が含まれており、この希土類元素として１ｉ、　　Ｎｄ
、　Ｓｍ、　Ｐｒ、　Ｃｅ、　Ｅｕ、　Ｇｄ、　Ｔｂ、
　ＤｙまたはＨＯが用いられる。

これらの中でｉｔ、　　Ｎｄ５Ｐｒ、　Ｇｄ、　Ｔｂ５
ＤＹが好ましく用いらｆｌ、　　Ｔｂが特に好ましい。

また希土類元素は２種以上併用してもよく、この場合に
Ｔｂを希土類元素のうち５０Ｗ子％以上含有しているこ
とが好ましい。

この希土類元素は、膜面に垂直な方向に磁化容易軸をも
った光磁気を得るという点からＲＥ／（ＲＥ＋Ｆｅ＋Ｃ
ｏ）比［ｍ子比コをＸで表わした場合＆：、、　　０．
１５≦Ｘ≦０．４５、好ましくは０．２０≦Ｘ≦０．４
であるような量で光磁気記録膜中に存在していることが
望ましい。

本発明において（戴　光磁気記録膜に種々の元素を少量
添加して、キュリー温度や補償温度あるいは保磁力Ｈｃ
やカー回転角θにの改善あるいは低コスト化を計ること
もできる。これらの元素（戴　記録膜を構成する全原子
数に対してたとえば１０原子％未満の割合で用いること
ができる。

併用できる他の元素の例としてｉｉ、以下のような元素
が挙げられる。

（ｒ　）Ｆｅ、Ｃｏ以外の３ｄ遷移元素具体的に１Ｊｓ
ｃＳＴｉ、Ｖ、　Ｃｒ、　Ｍｎ、　Ｎｉ５Ｃｕ。

Ｚｎが用いられる。

これらのうちＴｉ、Ｎｉ、ＣｕＳＺｎなどが好ましく用
いられる。

（ｎ）Ｐｄ以外の４ｄ遷移元素 具体的ニ＋３　　Ｙ、　　Ｚｒ、　Ｎｂ、　Ｍｏ、Ｔｃ
、　Ｒｕ、　Ｒｈ。

Ａｇ、Ｃｄが用いられる。

これらのうちＺｒ、Ｎｂが好ましく用いられる。

（ｍ）Ｐｔ以外の５ｄ遷移元素 具体的にＩｆ、　　Ｈｆ、　Ｔａ、　Ｗ、　Ｒｅ、　０
ｓ１１ｒ、　ＡｕｌＨｇが用いられる。

これらのうちＴａが好ましく用いられる。

（ｒｖ）ｍＢ族元素 具体的に１４　　Ｂ５Ａｌ、　Ｇａ、　Ｉｎ、　Ｔｌが
用いられる。

これらのうちＢ、ＡＩ、Ｇａが好ましく用いられる。

（ｖ）■Ｂ族元素 具体的に哄Ｃ，Ｓｉ、　Ｇｅ、　５ｎＳＰｂが用いられ
る。

これらのうち、Ｓｌ、Ｇｅ５Ｓｎ、Ｐｂが好ましく用い
られる。

（ｖｒ）ｖＢ族元素 具体的ニ１４　　Ｎ、　　Ｐ、　　Ａｓ、　５ｂＳＢｉ
が用いられる。

これらのうちｓｂが好ましく用いられる。

（Ｖｌ）ＶＩＢ族元素 具体的に１４　５ＳＳｅ、　Ｔｅ、　Ｐｏが用いられる
。

このうちＴｅが好ましく用いられる。

上記のような組成を有する光磁気記録膜１ミ　膜面に垂
直な磁化容易軸を有し　多くはカー・ヒステリシスが良
好な角形ループを示す垂直磁気および光磁気記録可能な
非晶質薄膜となることが、広角Ｘ線回折などにより確か
められる。

なお本明細書において、カー・ヒステリシスが良好な角
形ループを示すと１戴　最大外部磁場におけるカー回転
角である飽和カー回転角（θに＋）と外部磁場ゼロにお
けるカー回転角である残留カー回転角（θに２）との比
θに２／θに、が０．８以上であることを意味している
。

この光磁気記録膜３の膜厚は１００〜６００Ａ、好まし
くは１００〜４００人、より好ましくは１５０〜３５０
人程度である程 度ｔ４ 本発明に係る光磁気記録媒体で（戯　上記のような光磁
気記録膜３上へ　保護膜４を有していてもよい。

この保護膜４として１礼　上述したような保護膜２と同
様なものが用いられる。

このような保護膜４の膜厚は５０〜１０００人、好まし
くは５０〜７００人、さらに好ましくは１００〜４００
人であることが望ましい。

本発明において１４　　保護膜４の膜厚を上記のような
範囲にすることによって、良好なＣ／Ｎ比と広い記録パ
ワーマージンを有する光磁気記録媒体を得ることができ
る。

アルミニウム・ニッケル合金　　５ 本発明に係る光磁気記録媒体で（戴　上記のような光磁
気記録膜３または保護膜４上へ　アルミニウム・ニッケ
ル合金！７Ｘ５が設けられている。

このようなアルミニウム・ニッケル合金からなる金属膜
５頃　Ａｌｘ　Ｎｉ１ｏｏ−ｘで示される組成（Ｗ子比
）の膜から形成されている。式中、Ｘは６０≦Ｘ〈１＠
　好ましくは７５≦Ｘ≦９５である。

このようなアルミニウム・ニッケル合金からなる金属膜
５庸　アルミニウム、ニッケル以外に下記のような金属
（元素）を１種または２種以上含んでいてもよい。

このような金属としては、たとえば、チタン（Ｔ１）、
クロム（Ｃｒ）、シリコン（Ｓｌ）、タンタル（Ｔａ）
、鋼（Ｃｕ）、タングステン（Ｗ）、ジルコニウム（Ｚ
ｒ、）、マンガン（Ｍｎ）、マグネシウム（Ｍｇ）、バ
ナジウム（Ｖ）などが挙げられるが、本発明ではＣｒが
特に好ましい。このような他の金属は合金を形成する全
原子数を基準として、通常１０厘子％以下、好ましくは
８原子％以下の量でアルミニウム・ニッケル合金からな
る金属膜５に含まれる。

また、アルミニウム、ニッケル以外の金属元素としてＣ
ｒを含む場合、Ｎｉ／Ｃｒ比（原子比）は１００１０〜
７０／翅　特に９０／　１０〜７０／　３０の範囲が好
ましい。

このようなアルミニウム・ニッケル合金からなる金属膜
５の膜厚は１００〜５０００人、好ましくは５００〜４
０００人、　より好ましくは８００〜３０００人、特に
好ましくは１０００〜２５００人であることが望ましし
）。

このアルミニウム・ニッケル合金膜５鷹　熱良伝導体層
としての機能を果たしており、このアルミニウム・ニッ
ケル合金膜が存在することによって記録層が記録レーザ
光によって過度に高温になることが防止さ瓢　その結果
、記録パワーの線速依存性が小さくなると考えられる。

また本発明におけるアルミニウム・ニッケル合金膜１３
　　耐腐食性に優れているため、長期間使用した後にお
いても、記録媒体の線速依存性が小さいという特徴を有
しており、記録層に対する保護作用にも優れている。

なお、本発明に係る光磁気記録媒体では最外層であるア
ルミニウム・ニッケル合金層の上にオーバーコートを施
してもよい。オーバーコート剤として鷹　紫外線硬化樹
脂、例えばアクリル型紫外線硬化樹脂が用いらＬ　通常
、　１〜１００μｍ程度の膜厚にコートされる。また、
保護膜とは反対側の基板上にトップコートを施してもよ
い。

本発明に係る光磁気記録媒体１戴　基板上置　保護膜　
光磁気記録膜　アルミニウム・二・７ケル合金膜を、あ
るいは基板上をミ　保護膜　光磁気記録膜　保護膜　ア
ルミニウム・ニッケル合金膜をたとえば真空蒸着法、ス
パッタリング法あるいは電子ビーム蒸着法などの成膜法
を採用して成膜することによって製造することができる
。

ｉ見二皇Ｊ 本発明に係る光磁気記録媒体ｔｉ、基板上に保護膜と、
光磁気記録膜と、アルミニウム・ニッケル合金膜または
アルミニウム・ニッケル・クロム合金膜を有し　かつ基
板上に保護膜と、光磁気記録膜と、保護膜と、アルミニ
ウム・ニッケル合金膜またはアルミニウム・ニッケル・
クロム合金膜とがこの順序で積層されている。

また、本発明に係る光磁気記録媒体は、基板上に保護膜
と、光磁気記録膜と、保護膜と、アルミニウム・ニッケ
ル合金膜またはアルミニウム・ニッケル・クロム合金膜
とを有し　かつ基板上に保護膜と、光磁気記録膜と、保
護膜と、アルミニウム・ニッケル合金膜またはアルミニ
ウム・ニッケル・クロム合金膜とがこの順序で積層され
ているので、ソリが７ノ）さいなど機械的特性に便法　
記録パワーの線速依存性が／Ｉ−さく、かつ記録パワー
マージンが広く、　しかも耐酸化性および記録感度に優
れている。

［実施例］ 以下本発明を実施例によって説明するが、本発明はこれ
ら実施例に限定されるものではない。

なお、本発明（本明細書）において頃　光磁気記録媒体
の特性を、下記のようにして測定した最適記録パワー、
記録周波数ＩＭ胤　デユーティ−比（Ｄｕｔｙ比）５０
％で記録し　再生レーザーパ”）−１ｍＷで線速５．７
ｍ　７秒（５ｅｃｏｎｄ）、１１、３ｍ　７秒（５ｅｃ
ｏｎｄ）について評価したパワーマージン、下記の条件
で測定したＣ／Ｎの最高値（Ｃ／　Ｎ　ｍａｘ）から３
ｄＢ低下するまでの記録パワーの範囲をパワーマージン
とした　すなわち本発明において、パワーマージンとは
、Ｃ／　Ｎｍａｘ　−３ｄＢ以上が得られる記録パワー
の範囲のことである。

Ｃ／Ｎ（ｄＢ）　　記録周波数３．７ＭＨｚ、　Ｄｕｔ
ｙ比３３．３％再生レーザーパワーは１．０ｍＷとした
実４１例」。

エチレンと１．４．５．８−ジメタノ−１，２，３，４
，４ａ、　５．８゜以下ＤＭＯＮと略記する）の非品性
の共重合体（１３ＣＮＭＲ分析で測定したエチレン含量
５９モル％、ＤＭＯＮ含量４含量４翫 極限粘度［η］が０．　４２　ｄｌ／　ｇ、軟化温度（
ＴＭＡ）１５４℃）からなる基板上＆：，Ｓｉ３　Ｎ　
４ターゲツトを用いて、スパッタリング法により保護膜
としてのＳｉ３Ｎ４膜をｌ１００Ａの膜厚で被着させ九
このＳｉ３Ｎ４膜上に、ＦｅとＣｏとからなるターゲッ
トにｐｔおよびＴｂを載置してなる複合ターゲットを用
いて、スパッタリング法により原子比でＰｔ１０Ｔｂ２
ＢＦｅ６ｏＣＯ２の組成を有する膜を２８０人の膜厚で
被着させた さらにこのＰｔ１０　Ｔｂ２Ｂ　ＦｅＢＯＣ○２膜上に
Ｓｉ３Ｎ４ターゲットを用いて、スパッタリング法によ
り第２保護膜としてのＳｉ３Ｎ４膜を２５０人の膜厚で
被着させた 次＆ミ　　このＳｉ３Ｎ４膜上に、アルミニウムーニッ
ケルークロムの複合ターゲットを用いてスパッタリング
法により、原子比でＡ１６０　Ｎｉ１６　Ｃｒ４の組成
を有する膜を１８００人の膜厚で被着させたこの光磁気
記録媒体は線速５．’１ｍ１秒における最適記録パワー
が４．３ｍＷであり、線速１１．３ｍ　７秒における最
適記録パワーが６．０ｍＷであったまた、　ｆ　＝　３
．７Ｍ　Ｈｚ−ｄｕｔｙ３３．３％、線速５．１ｍ７秒
において、パワーマージン（Ｐｍ）は４．５ｍＷであり
、Ｃ／Ｎ比は４８．０ｄＢであったこの光磁気記録媒体
の、相対湿度８５％、７０℃の環境下で５００時間経過
後の反り変化を調べた結果変化がなかった（　１．５ｍ
　ｒａｄ）。

災臭眉」 実施例１で用いたのと同様の基板上に、Ｓｉ３Ｎ４ター
ゲットを用いて厚さ、スパッタリング法により保護膜と
してのＳｉ３Ｎ４膜を１１００人の膜厚で被着させた このＳｉ３Ｎ４膜上に、ＦｅとＣｏとからなるターゲッ
トにｐｔおよびＴｂを載置してなる複合ターゲットを用
いて、スパッタリング法により原子比でＰ　ｔｌ　０　
Ｔｂ２　Ｂ　Ｆｅ６０　Ｃｏ２　　の組成を有する膜を
２５Ｊの膜厚で被着させた さらにこのＰｔｌ　ＯＴｂ２　Ｂ　Ｆｅ６（３Ｃｏ２膜
上にＳｉ３Ｎ４ターゲットを用いて、スパッタリング法
により第２保護膜としてのＳｉ３Ｎ４膜を２２０人の膜
厚で被着させた 次＆ミ　　このＳｉ３Ｎ４膜上＆ミ　アルミニウムーニ
ッケルの複合ターゲットを用いてスパッタリング法によ
り、原子比でＡＩＢｏＮｉ２（１の組成を有する膜を２
５００人の膜厚で被着させμ この光磁気記録媒体は緩速５７ｍ／秒における最適記録
パワーが４．５ｍＷであり、線速１１．３ｍ　７秒にお
ける最適記録パワーが６．４ｍＷであっｆ。

また、　ｆ　＝　３．７Ｍ　弘ｄｕｔｙ３３．３％、線
速５．７ｍ７秒において、パワーマージン（Ｐｍ）は４
．６ｍＷであり、Ｃ／Ｎ比は４８．０ｄＢであったこの
光磁気記録媒体の、相対湿度８５％、７０℃の環境下で
５００時間経過後の反り変化を調べた結果変化がなかっ
た（　１．６ｍ　ｒａｄ）。

叉ム扁」 実施例１で用いたのと同様の基板上ｌミ　Ｓｉ３Ｎ４タ
ーゲットを用いて厚さ、スパッタリング法により保護膜
としての５ｉ３Ｎ　４膜をｌ１００Ａの膜厚で被着させ
九 このＳｉ３Ｎ４膜上に、ＦｅとＣｏとからなるターゲッ
トにｐｔおよびＴｂを載置してなる複合ターゲットを用
いて、スパッタリング法により原子比でＰｔ１ＯＴｂ２
＠Ｆｅ５＠ＣＯ２の組成を有する膜を３００人ノ膜厚で
被着させた さらにこのＰｔ１０Ｔｂ２ｇＰｔ１０Ｔｂ２膜上は　ア
ルミニウムーニッケルの複合ターゲットを用いてスパッ
タリング法により、原子比でＡｌｇ　ＯＮｉ２０の組成
を有する膜を１８００人の膜厚で被着させたこの光磁気
記録媒体は線速５．７ｍ　７秒における最適記録パワー
が４．２ｍＷであり、線速１１．３ｍ／秒における最適
記録パワーが６．０ｍＷであっ九また、　ｆ　＝　３．
７Ｍ　Ｈｚ、　　ｄｕｔｙ３３．３％、線速５．７ｍ　
７秒において、パワーマージン（Ｐｍ）は４．０ｍ　Ｗ
であり、Ｃ／Ｎ比は４８．０ｄＢであっ島この光磁気記
録媒体の、相対湿度８５％、７０℃の環境下で５００時
間経過後の反り変化を調べた結果変化がなかった（　２
．０ｍ　ｒａｄ）。

夫器簿」 実施例１で用いたのと同様の基板上へＳｉ３　Ｎ　４タ
ーゲツトを用いて厚さ、スパッタリング法により保護膜
としてのＳｔ３　Ｎ　４膜を１０００人の膜厚で被着さ
せた このＳｉ：５ＮａｌｌＬ上に、ＦｅとＣｏとからなるタ
ーゲットにＰ七およびＴｂを載置してなる複合ターゲッ
トを用いて、スパッタリング法により原子比でｐ　ｔｌ
　０　Ｔｂ２７　Ｆｅ６０　Ｃｏ３　　の組成を有する
膜を２９Ｊ　１７）ｊＵ厚で被着させた さらにこのＰｔ１０　Ｔｂ２７　Ｆｅ６０　Ｃｏ３膜上
レミ　アルミニウムーニッケルークロムの複合ターゲッ
トを用いてスパッタリング法により、浮子比でＡ１７Ｂ
　Ｎｉｌ　７　Ｃｒ５の組成を有する膜を１８００人の
膜厚で被着させたこの光磁気記録媒体は線速５．’１ｍ
／秒における最適記録パワーが４．３ｍＷであり、線速
１１．３ｍ　７秒における最適記録パワーが６．２ｍＷ
であったまた、　ｆ　＝　３．７Ｍ　Ｌ　　ｄｕｔｙ３
３．３％、線速５．’１ｍ／秒において、パワーマージ
ン（Ｐｍ）は４．１ｍＷであり、Ｃ／Ｎ比は４８．０ｄ
Ｂであったこの光磁気記録媒体の、相対湿度８５％、７
０℃の環境下で５００時間経過後の反り変化を調べた結
果変化がなかった（１．９ｍｒａｄ）。

（以下余白）

【図面の簡単な説明】

第１図および第２図１戴　本発明に係る光磁気記録媒体
の概略断面図である。 基板　　　　　２　保護膜 光磁気記録膜　４　保護膜 アルミニウム・ニッケル合金膜 光磁気記録媒体

Claims (4)

【特許請求の範囲】
1. （１）基板上に、保護膜と、光磁気記録膜と、ニッケル
   を含有するアルミニウム合金膜とがこの順序で積層され
   てなることを特徴とする光磁気記録媒体。
2. （２）基板上に、保護膜と、光磁気記録膜と、保護膜と
   、ニッケルを含有するアルミニウム合金膜とがこの順序
   で積層されてなることを特徴とする光磁気記録媒体。
3. （３）基板上に、保護膜と、光磁気記録膜と、ニッケル
   とクロムを含有するアルミニウム合金膜とがこの順序で
   積層されてなることを特徴とする光磁気記録媒体。
4. （４）基板上に、保護膜と、光磁気記録膜と、保護膜と
   、ニッケルとクロムを含有するアルミニウム合金膜とが
   この順序で積層されてなることを特徴とする光磁気記録
   媒体。