JPH0490155A - 光磁気記録媒体 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 ｉ更ゑ韮ｆ１１ 本発明（戴　特定の金属膜を有する光磁気記録媒体に関
し　さらに詳しく頃　ソリが小さいなど機械的特性、耐
食性に便法　しかも記録感度に優れるとともに記録パワ
ーのマージンが広くかつ記録パワーの線速依存性が小さ
い光磁気記録媒体に関する。

久」Ｉλ反１」Ｖ毘り 鉄、コバルトなどの遷移金属と、テルビウム（Ｔｂ）、
カドリニウム（Ｇｄ）などの希土類元素との合金からな
る光磁気記録膜は、膜面と垂直な方向に磁化容易軸を有
し、一方向に全面磁化された膜面にこの全面磁化方向と
は逆向きの小さな反転磁区を形成することができること
が知られている。この反転磁区の有無を「１」、　ｒＯ
Ｊに対応させることによって、上記のような光磁気記録
膜にデジタル信号を記録させることが可能となる。

このような光磁気記録膜を基板上に積層してなる光磁気
記録媒体では、ソリが小さいなど機械的特性に優れてい
ることが望まれている。

またこのような光磁気記録膜を基板上に積層してなる光
磁気記録媒体代　耐酸化性および記録感度（Ｃ／、Ｎ比
）の向上も望まれていたさらにこのような光磁気記録媒
体に情報を書込む際には、記録パワーマージンが広く、
　しかも記録パワーの線速依存性が）Ｊｚさいことが望
まれている。ここで情報を書込む際の記録パワーマージ
ンが広いとは、光磁気記録媒体にレーザ光などによって
情報を書込む際に、書込み光としてのレーザ光のパワー
が多少変化しても正確に光磁気記録媒体に情報を書込む
ことができることを意味し、記録パワーの線速依存性が
小さいとは、光磁気記録媒体にレーザ光などによって情
報を書込む際に、記録媒体の内周部と外周部とで書込み
光としてのレーザ光の最適記録パワーの変化のしがたが
小さいことを意味している。

このようにソリが小さく耐酸化性に便法　しかもＣ／Ｎ
比が高く、かつ記録パワーマージンが広く、その上記録
パワーの線速依存性が小さいような光磁気記録媒体の８
現が望まれている。

本発明者ら６表　このような従来技術に鑑みて鋭意検討
したところ、基板上に、保護膜と、光磁気記録膜と、保
護膜と、高熱伝導金属または高熱伝導金属−ニッケル合
金からなる金属膜とをこの順序で積層してなる光磁気記
録媒体は、ソリが小さく機械的特性に便法　記録パワー
の線速依存性が小さく、かつ記録パワーマージンが広く
、しかも耐酸化性および記録感度に優れていることを見
いだして、本発明を完成するに至った ｉ里Ｌ１濃 本発明は、ソリが小さいなど機械的特性にｆＬかつ記録
パワーマージンが広く、シかも記録パワーの線速依存性
が小さく、かつＣ／Ｎ比が高いような光磁気記録媒体を
提供することを目的としている。

兄」則ＯＳ！ 本発明に係る第１の光磁気記録媒体は、基板上に、保護
膜と、光磁気記録膜と、高熱伝導金属または高熱伝導金
属−ニッケル合金からなる金属膜とがこの順序で積層さ
れてなることを特徴としている。

また本発明に係る第２の光磁気記録媒体は、基板上に、
保護膜と、光磁気記録膜と、保護膜と、高熱伝導金属ま
たは高熱伝導金属−ニッケル合金からなる金属膜とがこ
の順序で積層されてなることを特徴としている。

このような本発明に係る光磁気記録媒体は、ソリが小さ
いなど機械的特性に便法　記録パワーの線速依存性が／
］・さく、かつ記録パワーマージンが広く、　しかも耐
酸化性および記録感度に優れている。

又思ぶりＵ（昨叉旦 以下、本発明に係る光磁気記録媒体について具体的に説
明する。

本発明に係る第１の光磁気記録媒体１０は、たとえば第
１図に示すように、基板１上に、保護膜２と、光磁気記
録膜３と、高熱伝導金属または高熱伝導金属−ニッケル
合金からなる金属膜５とがこの順序で積層されて形成さ
れている。

本発明に係る第２の光磁気記録媒体１０１Ｌ　　たとえ
ば第２図に示すように、基板ｌ上に、保護膜２と、光磁
気記録膜３と、保護膜４と、高熱伝導金属または高熱伝
導金属−ニッケル合金からなる金属膜５とがこの順序で
積層されて形成されている。

以下、基板１、保護膜２、光磁気記録膜３、保護膜４、
高熱伝導金属または高熱伝導金属−ニッケル合金からな
る金Ｒ膜５について順次説明する。

羨−一１ 本発明では、基板ｌの材質は特に限定されないが、基板
ｌ側（矢印Ａ）がらレーザ光が入射する場合には、透明
基板であることが好ましく、具体的には、ガラスやアル
ミニウム等の無機材料の他に、ポリメチルメタクリレー
ト、ポリカーボネート、ポリカーボネートとポリスチレ
ンのポリマーアロイ、米国特許第４．６１４．７７８号
明細書に開示しであるような環状オレフィンランダム共
電合本　以下に説明するような環状オレフィンランダム
共電合本　ポリ４−メチル−１−ペンテン、エポキシ樹
脂、ポリエーテルサルフォン、ポリサルフォン、ポリエ
ーテルイミド等の有機材料を用いることができる。この
中で１　ポリメチルメタクリレート、ポリカーボネート
、米国特許第４．６１４．７７８号明細書に記載のよう
な共重合体および下記の環状オレフィンランダム共重合
体が好ましい。

本発明において、基板として特に好ましい材料としては
、特に保護膜あるいは記録膜との密着性がよく、複屈折
率が小さいという観点から、エチレンと、下記一般式［
Ｉ］または［Ｉ°］で表される環状オレフィンとの共重
合体からなる環状オレフィンランダム共重合体が挙げら
れる。

一般式［１コ ＲＩＳ〜Ｒ１１１は、互いに結合して単環または多環を
形成していてもよく、かつ該単環または多環が二重結合
を有していてもよく、 また、　Ｒ’ＳとＲｅ６とで、　またはＲｌ　７とＲ１
８とでアルキリデン基を形成していてもよい）。

一般式［Ｉ゛］ （式中、ｎはＯまたは１であり、ｍは０または正の整数
であって、 ＲＩ　−Ｒ１１は、それぞれ独立に、水素原子、ハロゲ
ン原子および炭化水素基よりなる群から選ばれる原子も
しくは基を表し、 （式［Ｉ°］中、ｐはＯまたは１以上の整数であり、　
ｑおよびｒは、ｏＳ　ｌまたは２であり、Ｒ１〜Ｒａｓ
はそれぞれ独立に水素原子、ハロゲン原子、脂肪族炭化
水素基　芳香族炭化水素基　およびアルコキシ基よりな
る群から原子もしくは基を表し、Ｒも（またはＲ６）と
Ｒ９（またはＲ７）とは、炭素数１〜３のアルキレン基
を介して結合していてもよく、また何の基も介さずに直
接結合していてもよい。　） ただし、上記式［ｒ］において、ｎは０または１であり
、好ましくは○である。また、ｍは０または正の整数で
あり、好ましくは０〜３である。

また上記式［Ｉ°］において、ｐはＯまたは１以上の整
数であり、好ましくは０〜３の整数である。

そして、　Ｒ１−Ｒｅ８　（式［■コ）、　またはＲ１
−Ｒ１５（式［Ｉ’］）１４　　それぞれ独立に、水素
原子、ハロゲン原子および炭化水素基よりなる群から選
ばれる原子もしくは基を表す。ここで、ハロゲン原子と
しては、たとえば、フッ素原子、塩素原子、臭素原子お
よびヨウ素原子を挙げることができる。

また、炭化水素基としては、それぞれ独立く　通常は炭
素原子数１〜６のアルキル基　炭素原子数３〜６のシク
ロアルキル基を挙げることが°でき、アルキル基の具体
的な例として；戯　メチル基　エチル基　イソプロピル
基　イソブチル基　アミル基をあげることができ、シク
ロアルキル基の具体的な例としては、シクロへキシル忍
　シクロプロピル基　シクロブチル五　シクロペンチル
基を挙げることができる。

また上記式［■°］において、Ｒ５（またはＲｅ）とＲ
９（またはＲ））とは、炭素数１〜３のアルキレン基を
介して結合していてもよく、また何の基も介さずに直接
結合していてもよい。

さらに、上記式［ｒ］において、ＲＩ５〜Ｒ１８は互い
に結合して（共同して）単環または多環を形成していて
もよく、かつ該単環または多環が二重結合を有していて
もよい。　また、　Ｒｅ６とＲｅ６とで、またはＲ１７
とＲｅ８とでアルキリデン基を形成していてもよい。こ
のようなアルキリデン基は、通常は炭素原子数２〜４の
アルキリデン基をあげることができ、その具体的な例と
しては、エチリデン基　プロピリデン基　イソプロピリ
デン基およびイソブチリデン基をあげることができる。

前記式［ｒ］または［Ｉ°］で表される環状オレフィン
は、シクロペンタジェン類と、相応するオレフィン類あ
るいは環状オレフィン類とをディールス・アルダ−反応
により縮合させることにより容易に製造することができ
る。

前記式［Ｉ］または［１′］で表される環状オレフィン
としては、具体的には、たとえば下記のような化合物を
挙げることができる。

（以下余白） なとのようなビシクロ 〔２，２ ■］ヘヘン エン誘導体： などのテトラシクロ［４，４，０，１２ドデセン誘導体
： ５．１７ ０］ なとのへキサシクロ［６，６，１，１”　、１１０”　
、０２７０”’］−４−へブタデセン誘導体。

オクタンクロ なとのペンタシクロ［６，６，１，Ｉ”、０２７．０’
　＋４］４−ヘキサデセン誘導体 などのオクタシクロ［８，８，０，１”、１４７．１１
１１１５０３．１．０＋２．１７］−５−トコセン誘導
体。

なとのへブタシクロ−５−エイコセン誘導体あるいはへ
ブタシクロ−５−ヘンエイコセン誘導体なとのトリンク
ロ ［４，３ ０，１”］ デセン誘導体： なとのペンタシクロ［６，５，１，１２，ａ　、ＯＬ７
　、ＯＬ＋２コ４−ペンタデセン誘導体： なとのトリンクロ［４，４，０，１２５］ウンデセン誘
導体： なとのジエン化合物 なとのペンタンクロ［７，４，０，１２″、１１°Ｉｆ
、　Ｏａ、　Ｉｆｆ　］−］３−ペンタデセン誘導体 なとノヘン９’／クロ［８，７，０，Ｂ　”　、ｌｌ０
Ｑ２．７　　、Ｑｌ１口］−４−エイコセン誘導体。

、１１２ ５−ベンタコセン なとのペンタシクロ［８，４，０，１”、　１”・＋２
．０″Ｉコ］−３−へキサデセン誘導体；なト（７）／
ｌ−シクロ［１０，９゜１．１４．７．１１３ｔｏ、ｌ
ｌ″０１１．０２．Ｉｏ、０１ｆｆ、！＋、　　０＋４
°Ｉ＠　］　−５−’＜：／タコセン誘導体。

−５−ヘンエイコセン ナトノヘン９シ））口［８，３，Ｑ、　１４．７．　Ｉ
ｌｌ、　１１．１１３．１ｊ　Ｑ２．１．０＋２．１７
］５−ヘンエイコセン誘導体： なとのノナシクロ［１０，＋０．１．１目　］　＋１．
２１．　ｌ　Ｉｌ、　Ｉｌ、　Ｑ２０４．１．０＋２．
１２．０１！、２０コー５−ヘキサコセン誘導体。

そしてさらには、 を挙げることができる。

（以下余白） 上記のようなエチレンと、一般式［ｒ］または［＋’］
で表される環状オレフィンとの共重合体としては、１３
５℃のデカリン中で測定した極限粘度［η］が０．０５
〜１０ａ　／　ｇの範囲にあり、軟化温度（ＴＭＡ）が
７０℃以上である環状オレフィン系ランダム共重合体（
以下環状オレフィン系ランダム共重合体［Ａ］という）
が好ましく用いられる。また所望により、環状オレフィ
ン系ランダム共重合体［Ａ］に、エチレンと、下記式［
＋］！タハ［工′］で表される環状オレフィンとの共重
合体であって、１３５℃のデカリン中で測定した極限粘
度［η］が０．０５〜５ａ　／　ｇの範囲にあり、軟化
温度（ＴＭＡ）が７０℃未満である環状オレフィン系ラ
ンダム共重合体く以下環状オレフィン系ランダム共重合
体［Ｂ］　という）を配合して用いてもよい。

上記のような環状オレフィン類とエチレンとの共重合体
である環状オレフィン系ランダム共重合体［Ａ］および
［Ｂ］は、エチレンおよび前記環状オレフィンを必須成
分とするものである７５（、該必須の二成分の他に本発
明の目的を損なわない範囲で、必要に応じて他の共重合
可能な不飽和単量体成分を含有していてもよい。任意に
共重合されていてもよい該不飽和単量体として、具体的
には、たとえば生成するランダム共重合体中のエチレン
成分単位と等モル未満の範囲のプロピレン、１−ブテン
、４−メチル−１−ペンテン、１−ヘキセン、１−オク
テン、　１−デセン、　１−ドデセン、　１−テトラデ
セン、ｌ−へキサデセン、１−オフタデセス　１−エイ
コセンなどの炭素原子数が３〜２０のａ−オレフィンな
どを例示することができる。

上記のような環状オレフィン系ランダム共重合体［Ａ］
では、エチレンに由来する繰り返し単位（ａ）は、４０
〜８５モル％、好ましくは５０〜７５モル％の範囲で存
在しており、また該環状オレフィンに由来する繰り返し
単位（ｂ）は１５〜６０モル％、好ましくは２５〜５０
モル％の範囲で存在しており、エチレンに由来する繰り
返し単位（ａ）および該環状オレフィンに由来する繰り
返し単位（ｂ）は、ランダムに実質上線状に配列してい
る。なお、エチレン組成および環状オレフィン組成は”
Ｃ−ＮＭＲによって測定した　この環状オレフィン系ラ
ンダム共重合体が実質上線状であり、ゲル状架橋構造を
有していないことは、該共重合体が１３５℃のデカリン
中に完全に溶解することによって確認できる。

このような環状オレフィン系ランダム共重合体［Ａ］の
１３５℃のデカリン中で測定した極限粘度［η］は、　
０．０５〜１ｏａ／ｇ、　　好ましくは０．０８〜５１
１ＬＱ／ｇの範囲にある。

また環状オレフィン系ランダム共重合体［Ａ］のサーマ
ル・メカニカル・アナライザーで測定した軟化温度（Ｔ
ＭＡ）は、７０℃以上、好ましくは９０〜２５０℃、さ
らに好ましくは１００〜２００℃の範囲にある。なお軟
化温度（ＴＭＡ）は、デュポン社製Ｔｈｅｒｍｏｍｅｃ
ｈａｎｉｃａｌ　Ａｎａｌｙｓｅｒを用いて厚さｌｌｌ
１１のシートの熱変形挙動により測定しへ　すなわちシ
ート上に石英製針をのせ、荷重４９ｇをかけ、５℃／分
で昇温していき、針が０．６３５ｗ侵入した温度をＴＭ
Ａとしｔも　　また、該環状オレフィン系ランダム共重
合体のガラス転移温度（Ｔ　ｇ）は、通常５０〜２３０
℃、好ましくは７０〜２１０℃の範囲にあることが望ま
しい。

また、この環状オレフィン系ランダム共重合体［Ａ］の
Ｘ線回折法によって測定した結晶化度は、０〜１０％、
好ましくは０〜７％、とくに好ましくは０〜５％の範囲
である。

本発明では、また上記のような軟化温度（ＴＭＡ）が７
０℃以上である環状オレフィン系ランダム共重合体［Ａ
］に、 エチレンと、上記式［ｒ］または［Ｉ′］で表わされる
環状オレフィンとの共重合体であって、１３５℃のデカ
リン中で測定した極限粘度［η］が０、０５〜５　ａ　
／　ｇ（ｉ’）範囲にあり、軟化温度（ＴＭＡ）カフ０
℃未満である環状オレフィン系ランダム共重合体［Ｂ］
を配合してなる環状オレフィン系ランダム共重合体組成
物から基板を形成することが好ましい。

上記のような軟化点（ＴＭＡ）が７０℃未満である環状
オレフィン系ランダム共重合体［Ｂ］で１エチレンに由
来する繰り返し単位（ａ）Ｉ！、　　６０〜９８モル％
、好ましくは６０〜９８モル％の範囲で存在しており、
また該環状オレフィンに由来する繰り返し単位（ｂ）は
２〜４０モル％、好ましくは５〜４０モル％の範囲で存
在しており、エチレンに由来する繰り返し単位（ａ）お
よび該環状オレフィンに由来する繰り返し単位（ｂ）は
、ランダムに実質上線状に配列している。なお、エチレ
ン組成および環状オレフィン組成は１３ｃｍＮＭＲによ
って測定した　この環状オレフィン系ランダム共重合体
［Ｂ］が実質上線状であり、ゲル状架橋構造を有してい
ないことは、該共重合体が１３５℃のデカリン中に完全
に溶解することによって確認できる。

このような環状オレフィン系ランダム共重合体［Ｂ］の
１３５℃のデカリン中で測定した極限粘度［ｌ］１戴　
０．０５〜５ｄ１１／ｇ、好ましくは０．０８〜３ａｖ
／ｇの範囲にある。

また環状オレフィン系ランダム共重合体［Ｂ］のサーマ
ル・メカニカル・アナライザーで測定した軟化温度（Ｔ
ＭＡ）は、７０℃未鳳　好ましくは−１０〜６０℃、さ
らに好ましくは１０〜５５℃の範囲にある。さらに、該
環状オレフィン系ランダム共重合体［Ｂ］のガラス転移
温度（Ｔｇ）は、通常−３０〜６０℃、好ましくは一２
０〜５０℃の範囲にあることが望ましい。

また、この環状オレフィン系ランダム共重合体［Ｂ］の
Ｘ線回折法によって測定した結晶化度は、０〜１０％、
好ましくは０〜７％、とくに好ましくは０〜５％の範囲
である。

本発明において、基板として環状オレフィンランダム共
重合体［Ａ］および［Ｂ］を用いる場合には、該環状オ
レフィン系ランダム共重合体［Ａ］／該環状オレフィン
系ランダム共重合体［Ｂ］の重量比は１００１０．１〜
１００／１０、好ましくは１００７０．３〜１００／７
、とくに好ましくは１００１０．５〜１００１５の範囲
であることが望ましい。　［Ｂ］酸成分この範囲で［Ａ
］酸成分配合することによって基板自体の優れた透明性
と表面平滑性を維持したままで本発明で用いる反射膜と
の苛酷な条件下での密着性が［Ａ］酸成分みの場合に比
べさらに向上するという効果があり、　［Ａ］　と［Ｂ
］　とのブレンドよりなるこの上記の環状オレフィンラ
ンダム共重合体組成物を基板に用いれば本発明で用いる
反射膜との優れた密着性は高温、高温条件下放置後にお
いてさえも変化がないという特性を有している。

本発明における基板を構成する上記の環状オレフィン共
重合体［Ａ］および［Ｂ］は、特開昭６０１６８７０８
号公報、特開昭６１−１２０８１６号公報、特開昭６１
−１１５９１２号公報、特開昭６１−１１５９１６号公
報、特開昭６２−２５２４０６号公報、特開昭６２−２
５２４０７号公報、特開昭６１−２７１３０８号公転　
特開昭６１−２７２２１６号公報などにおいて本出願人
が提案した方法に従い適宜条件を選択することにより、
製造することができる。

このような環状オレフィン系ランダム共重合体中におい
て、前記式［Ｉ］または［ｒ’］で表される環状オレフ
ィンから導かれる構成単位（ｂ）は下記式［ｒｉ］　ま
たは［Ｕ’］で表される構造の繰り返し単位を形成して
いると考えられるが、一部の構成単位（ｂ）が開環重合
によって結合している場合もあり、また必要に応じて水
素添加することも可能である。

［ｎ］ （式［■コ中、ｍ、ｎおよびＲ１−Ｒ１８は前記式［Ｉ
］における定義と同様である。） （式［■゛］中、ｐ、ｑ、ｒおよびＲ１〜ＲＩ５は前記
式［Ｉ’ｌにおける定義と同様である。）本発明に係る
光磁気記録媒体の基板としては、前述したとおり、上記
のエチレンと環状オレフィンとのランダム共重合体のほ
かに、同種または異種の環状オレフィン単量体を開環し
て得られる環状オレフィン開環型合本　開環共重合体ま
たはそれらの水素添加物を用いることもできる。このよ
うな環状オレフィン開環重合倣　開環共重合体およびこ
れらの水素添加物について、前記式［＋］で表される環
状オレフィンを例にして説明すると、以下に記載するよ
うに反応して開環共重合体およびこれらの水素添加物を
構成していると考えられる。

・・　［ｎ　′］ ↓水素添加 ↓開環 このような重合体の例として、テトラシクロドデセンと
ノルボルネン及びそれらの誘導体との開環弁型合本　及
びその水素添加物をあげることができる。

なお、本発明においては上記のような開環重合倣　開環
共重合化　これらの水素添加物および環状オレフィン系
ランダム共重合体の一部が無水マレイン酸等の不飽和カ
ルボン酸等で変性されていてもよい。このような変性物
は、上記のような環状オレフィン系樹脂と、不飽和カル
ボン酸、　これらの無水物、および不飽和カルボン酸の
アルキルエステル等の誘導体とを反応させることにより
製造することができる。なお、この場合の環状オレフィ
ン系樹脂の変性物中における変性剤から導かれる構成単
位の含有率は、通常は５０〜１０モル％以下である。こ
のような環状オレフィン系樹脂変性物は、所望の変性率
になるように環状オレフィン系樹脂に変性剤を配合して
グラフト重合させて製造することもできるし、予め高変
性率の変性物を調製し、次いでこの変性物と未変性の環
状オレフィン系樹脂とを混合することによっても製造す
ることができる。

本発明において、上記の開環重合化　開環弁型合本　こ
れらの水素添加物および環状オレフィン系ランダム共重
合体ならびにその変性物は、単独で、あるいは組み合わ
せて使用することができる。

さらに、本発明においては、上記のような環状オレフィ
ン系ランダム共重合体を製造するに際して、得られる重
合体等の物性を損なわない範囲で、前記式［Ｉ］または
［Ｉ°］で表される環状オレフィン以外の環状オレフィ
ンを重合させることもできる。このような環状オレフィ
ンとして（戴　たとえば、 シクロブテン、 シクロペンテン、 シクロヘキセン、 ３．４−ジメチルシクロヘキセン、 ３−メチルシクロヘキセン、 ２−（２−メチルブチル）−１−シクロヘキセン、２、
３．３ａ、　７ａ−テトラヒドロ−４，７−メタノ−Ｉ
Ｈ−インデン ３ａ、　５．６．７ａ−テトラヒドロ−４７−メタノ−
ＩＨ−インデンなどをあげることができる。このような
他の環状オレフィンは単独で、あるいは組み合わせて使
用することができ、通常、０〜５０モル％の量で用いら
れる。

また本発明に係る光磁気記録媒体の基板には、上記［Ａ
］および［Ｂ］酸成分他に、衝撃強度を向上させるため
のゴム成分を配合したり、耐熱安定剤、耐候安定１１．
　　帯電防止斉Ｌ　スリップ斉具　アンチブロッキング
剋　防＆剋　滑舷　染料、顔料、天然源　合成液　ワッ
クスなどを配合することができ、その配合割合は適宜量
である。たとえば、任意成分として配合される安定剤と
して具体的には、テトラキス［メチレン−３（３，５−
ジ−ｔ−ブチル−４ヒドロキシフエニル）プロピオネー
トコメタン、β（３５−ジーし一ブチルー４−ヒドロキ
シフェニル）プロピオン酸アルキルエステル、２，２°
−オキザミドビス［エチル−３（３，５−ジ−ｔ−ブチ
ル−４−ヒドロキシフェニル）コプロビオネートなどの
フェノール系酸化防止剤、ステアリン酸亜鉛、ステアリ
ン酸カルシウム、１２−ヒドロキシステアリン酸カルシ
ウムなどの脂肪酸金属塩、グリセリンモノステアレート
、グリセリンモノラウレート、グリセリンジステアレー
ト、ペンタエリスリトールモノステアレート、ペンタエ
リスリトールジステアレート、ペンタエリスリトールト
リステアレート等の多価アルコールの脂肪酸エステルな
どを挙げることができる。これらは単独で配合してもよ
いが、組み合わせて配合しでもよく、たとえば、テトラ
キス［メチレン−３（３゜５−ジ−ｔ−ブチル−４−ヒ
ドロキシフェニル）プロピオネートコメタンとステアリ
ン酸亜鉛およびグリセリンモノステアレートとの組合せ
等を例示することができる。

本発明では特に、フェノール系酸化防止剤および多価ア
ルコールの脂肪酸エステルとを組み合わせて用いること
が好ましく、該多価アルコールの脂肪酸エステルは３価
以上の多価アルコールのアルコール性水酸基の一部がエ
ステル化された多価アルコール脂肪酸エステルであるこ
とが好まし１７）。

このような多価アルコールの脂肪酸エステルとしては、
具体的には、グリセリンモノステアレート、　グリセリ
ンモノラウレート、グリセリンモノミリステート、グリ
セリンモノパルミテート、グリセリンジステアレート、
グリセリンジラウレート等のグリセリン脂肪酸エステル
、ペンタエリスリトールモノステアレート、ペンタエリ
スリトールモノラウレート、ペンタエリスリトールジラ
ウレート、ペンタエリスリトールジステアレート、ペン
タエリスリトールトリステアレート等のペンタエリスリ
トールの脂肪酸エステルが用いられる。

このようなフェノール系酸化防止剤は、前記［Ａ］酸成
分よび［Ｂ］酸成分合計重量１００重量部に対して０〜
１０重量部好ましくは０〜５重量部さらに好ましくは０
〜２重量部の量で用いら汰　また多価アルコールの脂肪
酸エステルは［Ａ］酸成分よび［Ｂ］酸成分合計重量１
００重量部に対して０〜１０重量服　好ましくは０〜５
重量部の量で用いられる。

本発明に係る光磁気記録媒体の基板には、本発明の目的
を損なわない範囲で、シリカ、ケイ藻土、アルミナ、酸
化チタン、酸化マグネシウム、軽石粒、軽石バルーン、
水酸化アルミニウム、水酸化マグネシウム、塩基性炭酸
マグネシウム、　ドロマイト、硫酸カルシウム、チタン
酸カリウム、硫酸バリウム、亜硫酸カルシウム、タルク
、クレーマイカ、アスベスト、ガラス繊維、ガラスフレ
ーク、　ガラスピーズ、ケイ酸カルシウム、モンモリロ
ナイト、ベントナイト、グラファイト、アルミニウム粉
、硫化モリブデン、ポロン繊維、炭化ケイ素繊維、ポリ
エチレン繊維、ポリプロピレン繊維、ポリエステル繊維
　ポリアミド繊維等の充填剤を配合してもよい。

本発明において、基板として上記のような環状オレフィ
ン系ランダム共重合体または環状オレフィン系ランダム
共重合体組成物を用いると、理由は定かではないが、記
録感度が特に優れているという特長を有する。またこの
環状オレフィン系ランダム共重合体または該共重合体を
含む組成物からなる基板と記録層積層体とは密着性に優
れており、　したがって記録膜は長期安定性に優れると
ともに記録膜の酸化が効果的に防止される。したがって
この環状オレフィン系ランダム共重合体からなる基板上
に記録膜を積層してなる光記録媒体は、記録感度に便法
　また耐久性および長期安定性にも優れて、反りがなく
割れが生ずることがない。

このような基板１の厚みは特に限定されないが、好まし
くは０．５〜５龍特に好ましくは１〜２關である。

保」０４ヱ 本発明に係る光磁気記録媒体１０で用いられる保護膜２
は、Ｓ　ｉ　Ｎ、、Ｚ　ｎ　Ｓ、　　Ｚ　ｎ　Ｓ　ｅ、
　　Ｃｄ　Ｓ。

Ｓｔ、ＡＱＮなどで示される組成の膜から形成されてお
り、　このうちＳｉＮ、膜が特に好ましい。

ＳｉＮ、で示される保護膜では、Ｏ＜ｘ≦４／３である
ことが好ましく、具体的には、Ｓ　１３Ｎ４（四窒化三
ケイ素）などの窒化ケイ素膜あるいは０〈ｘ＜４／３と
なるようにＳｉ３Ｎ、とＳｉとを混合した混合膜が特に
好ましく用いられる。このようなＳｉＮ。で示される保
護膜は、たとえばターゲットとして、　５１３Ｎ−また
は、　５４３Ｎ、と８１とを用いて、スパッタリング法
により成膜することができる。このようなＳｉＮ、から
なる保護膜２は、通常１．８以上好ましくは１．８〜２
．２の屈折率を有していることが望ましく、後述する光
磁気記録膜３を酸化などから保護する働き、あるいは光
磁気記録膜の記録特性を高めるエンハンス膜としての働
き、あるいはその両方の働きをしている。またＳ　ｉＮ
、（０＜ｘ≦４／３）からなる保護膜は、特に耐クラツ
ク性に優れている。

本発明において、保護Ｍ２の膜厚は５００〜２０００人
、好ましくは８００〜１５００　Ａ程度であることが望
ましい。

本発明においては、保護膜の膜厚を上記のような範囲に
することによって、良好なＣ／Ｎ比と広い記録パワーマ
ージンを有する光磁気記録媒体を得ることができる。

゛′磁気記録　　３ 光磁気記録膜３は、　（ｉ）３ｄ遷移金属から選ばれる
少なくとも１種と、　（ｉｉｉ）希土類から選ばれる少
なくとも１種の元素とからなるか、あるいは（ｉ）３ｄ
遷移金属から選ばれる少なくとも１種と、　（１１）耐
腐食性金属と、　（ｉｉｉ）希土類から選ばれる少なく
とも１種の元素とからなっている。

このうち（ｉ）３ｄ遷移金属から選ばれる少なくとも１
種と、　（１１）耐腐食性金属と、　（１ｉｉ）希土類
から選ばれる少なくとも１種の元素とからなる光磁気記
録膜が好ましい。

（ｉ）３ｄ遷移金属としては、Ｆｅ、、Ｃｏ、Ｔｉ１Ｖ
、Ｃｒ、Ｍｎ、Ｎｉ、Ｃｕ、　　Ｚｎなどが用いられる
が、このうちＦｅまたはｃｏあるいはこの両者であるこ
とが好ましい。

この３ｄ遷移金属は、光磁気記録膜中に好ましくは２０
〜９０原子％、より好ましくは３０〜８５原子％、とく
に好ましくは３５〜８０原子％の量で存在している。

（１１）耐腐食性金属は、光磁気記録膜に含ませること
によって、この光磁気記録膜の耐酸化性を高めることが
できる。このような耐腐食性金属としては、Ｐｔ、Ｐｄ
１　Ｔｉ、Ｚｒ、Ｔａ、Ｎｂなどが用いられるが、この
うちＰｔ１　Ｐｄ、Ｔｉが好ましく、とくにＰｔまたは
Ｐｄあるいはこの両者であることが好ましい。

この耐腐食性金属（戴　光磁気記録膜中に、３０原子％
以下、好ましくは５〜２５原子％、とくには１０〜２５
原子％、さらに好ましくは１０〜２０原子％の量で存在
している。

希土類元素としてｉＬ　　下記のような元素が挙げられ
る。

Ｇｄ、　　Ｔｂ、　　Ｄｙ、　　Ｈｏ、Ｅｒ、　　Ｔｍ
、、　　Ｙｂ。

ＬｕＳ　Ｌａ、Ｃｅ、Ｐｒ１　Ｎｄ、Ｐｒｎ、Ｓ瓜ｕ このうちＧｄＳ　Ｔｂ、Ｄｙ、Ｈｏ、Ｎｄ、　　Ｓｍ。

Ｐｒが好ましく用いられる。

上記のような群から選ばれる少なくとも１種の希土類元
素は、光磁気記録膜中に、好ましくは５〜５０原子％、
さらに好ましくは８〜４５原子％とくに好ましくは１０
〜４０原子％の量で存在している。

本発明では、光磁気記録膜が、特に、下記に記載するよ
うな組成を有することが好ましい。

（ｉ）３ｄ遷移元素 本発明に係る光磁気記録膜中には、　（ｉ）３ｄ遷移元
素として、好ましくはＦｅまたはＣＯあるいはこの両者
が含まれており、Ｆｅおよび／またはＣｏは、４０ｉ子
％以上８０原子％以下、好ましくは４０原子％以上７５
原子％未瀧　さらに好ましくは４０原子％以上５９原子
％以下の量で存在していることが望ましい。

さらにＦｅおよび／またはＣＯは、Ｃｏ／（Ｆｅ＋ＣＯ
）比［原子比コが０以上０．３以下、好ましくは０以上
０．２以下、さらに好ましくは０．０１以上０．２以下
であるような量で、光磁気記録膜中に存在していること
が望ましい。

Ｆｅおよび／またはｃｏの量が４０原子％以上で８０原
子％以下の範囲にあると、耐酸化性に優へかつ膜面に垂
直な方向に磁化容易軸をもった光磁気記録膜が得られる
という利点を有する。

ところで光磁気記録膜中に、ＣＯを添加すると、（イ）
光磁気記録膜のキュリー点が上昇し、また（口）カー回
転角（θｋ）が大きくなるという現象が認めら法　その
結果、　Ｃｏの添加量により、光磁気記録膜の記録感度
を調整することができ、しかもＣｏの添加により、再生
信号のキャリアレベルを増加することができる。本発明
に係る光磁気記録膜では、ノイズレベル、Ｃ／Ｎ比の点
からＣｏ／（Ｆｅ十Ｃｏ）比［ｗ、子比コは０以上０．
３以下、好ましくは０以上０．２以下、さらに好ましく
は０．０１以上０．２以下であることが望ましい。

このような本発明に用いる光磁気記録膜（戴　記録およ
び消去を繰り返し行なっても、膜変質が生ずることはな
い。たとえば本発明に係るＰ　ｔ　１３Ｔ　ｂ２６Ｆ　
ｅｓｅｃ　Ｏ９なる組成を有する光磁気記録膜は、　１
０Ｔ回の記録および消去を繰り返し行なってもＣ／Ｎ比
の低下は認められない。

（１１）耐腐食性金属 本発明に用いる光磁気記録膜中には、　（１１）耐腐食
性金属として、好ましくはＰｔまたはＰｄあるいはこの
両者が含まれており、ＰＬおよび／またはＰｄは、光磁
気記録膜中に５〜３０原子％、好ましくは１０原子％を
超えて３０原子％以下、さらに好ましくは１０原子％を
超えて２０原子％未満、最も好ましくは１１原子％以上
１９原子％以下の量で存在していることが望ましい。

光磁気記録膜中のｐｔおよび／またはＰｄの量が５原子
％以上、特に１０原子％を超えて存在すると、光磁気記
録膜の耐酸化性に便法　長期間使用しても孔食が発生せ
ず、Ｃ／Ｎ比も劣化しないという利点を有する。

たとえばＰ　ｔ、３Ｔ　ｂ２．Ｆ　ｅｓｅｃ　Ｏｓ　（
原子％）あるいはＰ　ｄ、２Ｔ　ｂ２ｅＦ　ｅｓ３ｃ　
０７　（原子％）で示される組成を有する本発明に係る
光磁気記録膜は、相対湿度８５％、８０℃の環境下に１
０００時間保持しても、Ｃ／Ｎ比は全く変化しない。こ
れに対してｐｔまたはＰｄを含まなイＴ　ｂ２５Ｆ　ｅ
ａｅｃ　ｏ７（原子％）で示される組成を有する光磁気
記録膜は、相対湿度８５％、８０℃の環境下に１０００
時間保持すると、　Ｃ／Ｎ比は大きく低下する。

また光磁気記録膜中にｐｔおよび／またはＰｄを上記の
ような範囲の量で添加することにより、光磁気記録膜に
情報を記録したりあるいは情報を読出す際に、小さなバ
イアス磁界で充分に高いＣ／Ｎ比が得られる。小さなバ
イアス磁界で充分に高いＣ／Ｎ比が得られると、バイア
ス磁界発生用のマグネットを小さくすることができ、　
しがもマグネットからの発熱も押えることができるため
、光磁気記録膜を有する光ディスクのドライブ装置を簡
素化することができる。しかも小さなバイアス磁界で充
分に大きなＣ／Ｎ比が得られるため、オーバーライド可
能な磁界変調記録用のマグネットの設計も容易となる。

（ｉｉｉ）希土類元素（ＲＥ） 本発明に係る光磁気記録膜中には、希土類元素（ＲＥ）
が含まれており、この希土類元素としては、　　Ｎｄ、
　　　Ｓｍ、　　　Ｐｒ、　　　Ｃｅ、　　　Ｅｕ、　
　　Ｇｄ、　　　Ｔｂ。

ＤｙまたはＨｏが用いられる。

これらの中では、ＮｄＳ　Ｐｒ、Ｇｄ、Ｔｂ。

Ｄｙが好ましく用いら汽　特にＴｂが好ましい。

また希土類元素は２種以上併用してもよく、この場合に
Ｔｂを希土類元素のうち５０原子％以上含有しているこ
とが好ましい。

この希土類元素は、膜面に垂直な方向に磁化容易軸をも
った光磁気を得るという点からＲＥ／（ＲＥ十Ｆｅ＋Ｃ
ｏ）比［原子比コをＸで表わした場合に、０．１５≦Ｘ
≦０．４５、好ましくは０．２０≦Ｘ≦０．４であるよ
うな量で光磁気記録膜中に存在していることが望ましい
。

本発明においては、光磁気記録膜に種々の元素を少量添
加して、キュリー温度や補償温度あるいは保磁力Ｈｅや
カー回転角θにの改善あるいは低コスト化を計ることも
できる。これらの元素は、記録膜を構成する全原子数に
対してたとえば１０原子％未溝の割合で用いることがで
きる。

併用できる他の元素の例としては、以下のような元素が
挙げられる。

（１）Ｆｅ、Ｃｏ以外の３ｄ遷移元素 具体的には、Ｓｃ、　　Ｔｉ、　　Ｖ、　　Ｃｒ、　　
Ｍｎ。

Ｎｉ、　　Ｃｕ、　　Ｚｎが用いられる。

これらのうち、Ｔｉ、Ｎｉ、Ｃｕ、Ｚｎなどが好ましく
用いられる。

（ｎ）Ｐｄ以外の４ｄ遷移元素 具体的には、Ｙ、　　Ｚｒ、　　Ｎｂ、　　Ｍｏ、Ｔ　
ｃ。

Ｒｕ、　　Ｒｈ、Ａｇ、　　Ｃｄが用いられる。

このうちＺｒ、Ｎｂが好ましく用いられる。

（［１Ｉ）Ｐｔ以外の５ｄ遷移元素 具体的には、ＩｆＳ　Ｔａ、　　ＷＳ　Ｒｅ、Ｏｓ。

ＩｒＳ　Ａｕ、Ｈｇが用いられる。

このうちＴａが好ましく用いられる。

（＋ｖ）ｍＢ族元素 具体的にＩＬ　　Ｂ、　　ＡＱ、Ｇａ、Ｉｎ、Ｔｇが用
いられる。

このうちＢ５Ａｓ、Ｇａが好ましく用いられる。

（ｖ）＋ｖＢ族元素 具体的には、Ｃ，Ｓｉ、Ｇｅ、Ｓｎ、Ｐｂが用いられる
。

このうち、ＳｉＳ　ＧｅＳ　Ｓｎ、Ｐｂが好ましく用い
られる。

（Ｖｌ）ＶＢ族元素 具体的には、Ｎ、　　Ｐ、　　Ａｓ、　　Ｓｂ、　　Ｂ
ｉが用いられる。

このうちｓｂが好ましく用いられる。

（■）ＶＩＢ族元素 具体的には、Ｓ、Ｓｅ、Ｔｅ、Ｐｏが用いられる。

このうちＴｅが好ましく用いられる。

上記のような組成を有する光磁気記録膜は、膜面に垂直
な磁化容易軸を有し、多くはカー・ヒステリシスが良好
な角形ループを示す垂直磁気および光磁気記録可能な非
晶質薄膜となることが、広角Ｘ＃ｉ回折などにより確か
められる。

なお本明細書において、カー・ヒステリシスが良好な角
形ループを示すとは、最大外部磁場におけるカー回転角
である飽和カー回転角（θに、）と外部磁場ゼロにおけ
るカー回転角である残留カー回転角（θに２）との比θ
に２／θに、が０．８以上であることを意味している。

この光磁気記録膜の膜厚は１００〜６００人、好ましく
は１００〜４００人、より好ましくは１５０〜３００人
程度である。

保Ｊ！ＪＬｕ 本発明に係る第１の光磁気記録媒体１０では、上記のよ
うな光磁気記録膜３上に、直接後述するような高熱伝導
金属または高熱伝導金属−ニッケル合金からなる金属膜
５が設けられているが、本発明に係る第２の光磁気記録
媒体１０では、上記のような光磁気記録膜３上に、保護
膜４が設けられている。

この保護膜４としては、上述したような保護膜２と同様
なものが用いられる。

このような保護膜４の膜厚は、５００〜２０００Ａ、　
　好ましくは８００〜１５００人程度であることが望ま
しい。

本発明において憾　保護膜４の膜厚を上記のような範囲
にすることによって良好なＣ／Ｎ比と広い記録パワーマ
ージンを有する光磁気記録媒体を得ることができる。

念Ｕ 本発明に係る光磁気記録媒体１０では、上記のような保
護膜４上に、高熱伝導金属または高熱伝導金属−ニッケ
ル合金からなる金属膜５が設けられている。

本発明において、高熱伝導金属とは、熱伝導率が０．　
４　ｃａｌ／ｃｍ　＝ｓｅｃ−ｄｅｇ以上の高い熱伝導
率を有する金属であって、具体的には銅（Ｃｕ）または
金（Ａｕ）が好ましい。

このような高熱伝導金属または高熱伝導金属−ニッケル
合金からなる金属膜５の組成（原子比）は、Ｍ、Ｎ　１
１−ｘで示される。ＭはＣｕ（銅）またはＡｕ（金）を
示す。式中Ｘは○くｘ≦１好ましくは０．１＜ｘ≦１さ
らに好ましくは０．５≦Ｘ≦０．９５である。

このような高熱伝導金属または高熱伝導金属−ニッケル
合金からなる金属膜５は、高熱伝導金属ニッケル以外に
下記のような金属（元素）を１種または２種以上含んで
いてもよい。このような金属として鷹　たとえばチタン
（Ｔｉ）、クロム（Ｃｒ）、シリコン（Ｓｉ）、タンタ
ル（Ｔａ）、銅（Ｃｕ）（金のとき）、金（Ａｕ）（銅
のとき）、タングステン（Ｗ）、ジルコニウム（Ｚｒ）
、マンガン（Ｍｎ）、マグネシウム（Ｍｇ）、バナジウ
ム（Ｖ）、ハフニウム（Ｈｆ）、ニオブ（Ｎｂ）、コバ
ルト（ＣＯ）、白金（Ｐｔ）、パラジウム（Ｐｄ）、亜
鉛（Ｚｎ）、ゲルマニウム（Ｇｅ）、モリブデン（Ｍｏ
）、リン（Ｐ）、ヒ素（Ａｓ）、イツトリウム（Ｙ）な
どが挙げら法　このような他の金属は通常５原子％以下
好ましくは２原子％以下の量で高熱伝導金属または高熱
伝導金属−ニッケル合金からなる金属膜に含まれる。

このような高熱伝導金属または高熱伝導金属−ニッケル
合金からなる金属膜５の膜厚は、１００〜５０００　Ａ
好ましくは５００〜３０００人さらに好ましくは７００
〜２０００人程度であることが望ましい。

上記のような高熱伝導金属または高熱伝導金属ニッケル
合金からなる金属膜５を有する光磁気記録媒体１０は、
長期間使用してもソリが小さく機械的特性に優れている
。

またこの高熱伝導金属または高熱伝導金属−ニッケル合
金からなる金属膜５は、熱良伝導体層としての機能を果
たしており、この高熱伝導金属または高熱伝導金属−ニ
ッケル合金からなる金属膜が存在することによって記録
層が記録レーザ光によって過度に高温になることが防止
さ汰　その結果、記録パワーの線速依存性が小さくなる
と考えられる。

また本発明における高熱伝導金属または高熱伝導金属−
ニッケル合金からなる金属膜は、耐腐食性に優れている
ため、長期間使用した後においても、記録媒体の線速依
存性が／］λさいという特徴を有しており、記録層に対
する保護作用にも優れている。

なおこのような高熱伝導金属または高熱伝導金属−ニッ
ケル合金からなる金属膜は、高熱伝導金属ターゲットに
ニッケルチップを載置してなる複合ターゲット、ニッケ
ルターゲットに高熱伝導金属チップを載置してなる複合
ターゲットを用いてスパッタリング法により形成しても
よく、また高熱伝導金属−ニッケル合金ターゲントを用
いてスパッタリング法により形成してもよく、さらには
高熱伝導金属ターゲットとニッケルターゲットとを用い
てコスパッタリング法により形成してもよい。

さらにまた高熱伝導金属膜とニッケル膜との積層構造と
してもよい。またスパッタリング法に代えて真空蒸着法
あるいは電子ビーム蒸着法などの成膜法を採用すること
もできる。

最外層である高熱伝導金属または高熱伝導金属ニッケル
合金からなる金属膜の上にオーバーコートを施してもよ
い。オーバーコート剤としては、紫外線硬化樹脂、例え
ばアクリル型紫外線硬化樹脂が用いら蜆　通常、　１〜
１００μｍ程度の膜厚にコートされる。また、保護膜と
は反対側の基板上にトップコートを施してもよい。

本発明に係る光磁気記録媒体１０は、基板上に、保護１
　光磁気記録膜　保護膜　高熱伝導金属または高熱伝導
金属−ニッケル合金からなる金属膜を、たとえば真空蒸
着法、スパッタリング法あるいは電子ビーム蒸着法など
の成膜法を採用して成膜することによって製造すること
ができる。

鏝貝Ａ皇】 本発明に係る光磁気記録媒体は、基板上に保護膜　光磁
気記録膜と高熱伝導金属または高熱伝導金属−ニッケル
合金からなる金属膜を有しているので、ソリが小さいな
ど機械的特性に便法　記録パワーの線速依存性が／Ｊ）
さく、かつ記録パワーマージンが広く、しかも耐酸化性
および記録感度に優れている。

［実施例コ 以下本発明を実施例によって説明する力ξ　本発明はこ
れら実施例に限定されるものではない。

失速ｊユ エチレンと１．４．５．８−ジメタノ−１，２，３，４
，４ａ、　５．８゜以下ＤＭＯＮと略記する）の非品性
の共重合体（１３Ｃ−ＮＭＲ分析で測定したエチレン含
量５９モル％、ＤＭＯＮ含量４１モル％、１３５℃デカ
リン中で測定した極限粘度［ｌコが０．４２ｄ　１　／
　ｇ、　　軟化温度（ＴＭＡ）　１５４℃）からなる基
板上＋＝ＳｉｚＮａターゲットを用いて、スパッタリン
グ法により保護膜としてのＳｉ３Ｎ□膜をｌ１００Ａの
膜厚で被着させｔう このＳｉ３Ｎ、膜上に、ＦｅとＣｏとからなるターゲッ
トにｐｔおよびＴｂチップを載置してなる膜を３００Ａ
の膜厚で被着させた。

さらにこのＰ　ｔ　＋ｇＴ　ｂ２ｓＦ　ｅ６＝Ｃ０２膜
上に、Ｃｕ−Ｎｉの複合ターゲットを用いて、スパッタ
リング法により原子％でＣｕｓ、、Ｎ　ｉ　、、の組成
の膜を１２００へのＭＮで被着させ八 このようにして得られた光磁気記録媒体の特性を測定し
た 結果を表１に示す。

災１遺」 実施例１で使用した基板と同様の基板上に、Ｓｉ３Ｎ、
ターゲットを用いて、スパッタリング法により第１保護
膜としてのＳｉ３Ｎ、膜をｌ１００Ａの膜厚で被着させ
九 このＳｉ３Ｎ、膜上＆ミ　ＦｅとＣｏとからなるターゲ
ットにｐｔおよびＴｂチップを載置してなる複合ターゲ
ットを用いて、スパッタリング法により原子％でＰ　ｔ
　＋ｅＴ　ｂ２ｅＦ　ｅｅｌｌｃ　０２の組成を有する
膜を２５ＯＡの膜厚で被着させｔ為 さら＆：コ（ＤＰ　ｔ、ｅＴ　ｂ２ｅＦ　ｅａ、Ｃｏ２
膜上に、Ｓｉ３Ｎ、ターゲットを用いて、スパッタリン
グ法により第２保護膜としての５ｒ３Ｎｔ膜を２５ＯＡ
の膜厚で被着させへ 次にこの５１３Ｎａ膜上に、Ｃｕ−Ｎｉの複合ターゲッ
トを用いて、スパッタリング法により原子％でＣｕ、ａ
Ｎｉ、ｌｌの組成の膜を１８００への膜厚で被着させた このようにして得られた光磁気記録媒体の特性を測定し
た 結果を表１に示す。

叉蔦皇」 実施例１で使用した基板と同様の基板上に、Ｓ　ｉ３Ｎ
、ターゲットを用いて、スパッタリング法により第１保
護膜としてのＳｉ３Ｎ、膜を１１００人の膜厚で被着さ
せｊら このＳｉ３Ｎ、膜上に、ＦｅとＣＯとからなるターゲッ
トにＰｔおよびＴｂチップを載置してなる複合ターゲッ
トを用いて、スパッタリング法により原子％でＰｔ、１
ｌＴｂ２８Ｆｅ６８ＣＯ３の組成を有する膜を２８０人
の膜厚で被着させへ さらにこのＰｔＩｅＴｂ２ＩＩＦｅ６１１Ｃｏ２膜上に
、Ｓｉ３Ｎ、ターゲットを用いて、スパッタリング法に
より第２保護膜としてのＳｉ、Ｎ、膜を３２０人の膜厚
で被着させ九 次にこのＳｉ３Ｎ、膜上（ミ　Ｃｕ−Ｎｉの複合ターゲ
ットを用いて、スパッタリング法により原子％でＣｕ、
５Ｎｉ５の組成を有する膜を１８００Ａの膜厚で被着さ
せた このようにして得られた光磁気記録媒体の特性を測定し
た 結果を表１に示す。

夫蒸眉」 実施例１で使用した基板と同様の基板上くＳｉ、Ｎ□タ
ーゲットを用いて、スパッタリング法により第１保護膜
としてのＳ　ｉ、Ｎ、膜を１１００人の膜厚で被着させ
た。

このＳｉ３Ｎ４膜上に、ＦｅとＣＯとからなるターゲッ
トにＰｔおよびＴｂチップを載置してなる複合ターゲッ
トを用いて、スパッタリング法により原子％でＰ　ｔ　
、、Ｔ　ｂ３１ＩＦ　ｅ５６Ｃ０７の組成を有する膜を
２７０への膜厚で被着させた さらにこのＰ　ｔ　、、Ｔ　ｂ３．Ｆ　ｅｓｅＣＯ，膜
上に、Ｓｌ、Ｎ、ターゲットを用いて、スパッタリング
法により第２保護膜としてのＳｉ３Ｎ、膜を２８０への
膜厚で被着させた 次にこの５１３Ｎ４膜上に、Ｃｕ−Ｎｉの複合ターゲッ
トを用いて、スパッタリング法により原子％でＣｕ９５
Ｎｉ５の組成を有する膜を２０００人の膜厚で被着させ
た このようにして得られた光磁気記録媒体の特性を測定し
た 結果を表１に示す。

【図面の簡単な説明】

第１図および第２図は、本発明の光磁気記録媒体の断面
図である。 １・基板　　　　　２　保護膜 光磁気記録膜　４　保護膜 高熱伝導金属または高熱伝導金属 ル合金からなる金属膜 ・光磁気記録媒体 ニ ッケ

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 （１）基板上に、保護膜と、光磁気記録膜と、高熱伝導
   金属または高熱伝導金属−ニッケル合金からなる金属膜
   とがこの順序で積層されてなることを特徴とする光磁気
   記録媒体。（２）基板上に、保護膜と、光磁気記録膜と
   、保護膜と、高熱伝導金属または高熱伝導金属−ニッケ
   ル合金からなる金属膜とがこの順序で積層されてなるこ
   とを特徴とする光磁気記録媒体。 （３）高熱伝導金属が銅（Ｃｕ）および／または金（Ａ
   ｕ）である請求項第１項または第２項に記載の光磁気記
   録媒体。