JPH0373840B2 - - Google Patents
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- JPH0373840B2 JPH0373840B2 JP57183437A JP18343782A JPH0373840B2 JP H0373840 B2 JPH0373840 B2 JP H0373840B2 JP 57183437 A JP57183437 A JP 57183437A JP 18343782 A JP18343782 A JP 18343782A JP H0373840 B2 JPH0373840 B2 JP H0373840B2
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- radiation
- panel
- image
- phosphor
- light
- Prior art date
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- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01T—MEASUREMENT OF NUCLEAR OR X-RADIATION
- G01T1/00—Measuring X-radiation, gamma radiation, corpuscular radiation, or cosmic radiation
- G01T1/16—Measuring radiation intensity
- G01T1/20—Measuring radiation intensity with scintillation detectors
- G01T1/2012—Measuring radiation intensity with scintillation detectors using stimulable phosphors, e.g. stimulable phosphor sheets
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- Physics & Mathematics (AREA)
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- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- High Energy & Nuclear Physics (AREA)
- Molecular Biology (AREA)
- Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
- Radiography Using Non-Light Waves (AREA)
- Nuclear Medicine (AREA)
- Analysing Materials By The Use Of Radiation (AREA)
- Conversion Of X-Rays Into Visible Images (AREA)
- Measurement Of Radiation (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は放射線画像システムにおける画像変換
方法に関し、さらに詳しくは蓄積性螢光体材料
(以下単に「螢光体」という)を用いて、これに
放射線画像を記録し、この放射線画像を読み出し
て再生し、これを記録材料に最終画像として記録
する放射線画像システムにおける画像変換方法に
関するものである。
方法に関し、さらに詳しくは蓄積性螢光体材料
(以下単に「螢光体」という)を用いて、これに
放射線画像を記録し、この放射線画像を読み出し
て再生し、これを記録材料に最終画像として記録
する放射線画像システムにおける画像変換方法に
関するものである。
従来、放射線画像を得るために銀塩を使用し
た、いわゆる放射線写真が利用されているが、近
年、特に地球規模における銀資源の枯渇等の問題
から銀塩を使用しないで放射線像を画像化する方
法が望まれるようになつた。
た、いわゆる放射線写真が利用されているが、近
年、特に地球規模における銀資源の枯渇等の問題
から銀塩を使用しないで放射線像を画像化する方
法が望まれるようになつた。
上述の放射線写真法にかわる方法として、被写
体を透過した放射線を螢光体に吸収せしめ、しか
る後この螢光体をある種のエネルギーで励起して
この螢光体が蓄積している放射線エネルギーを螢
光として放射せしめ、この螢光を検出して画像化
する方法が考えられている。具体的な方法とし
て、例えば米国特許3859527号および特開昭55−
12144号には螢光体として輝尽性螢光体を用い励
起エネルギーとして可視光線および赤外線から選
ばれる電磁放射線を用いる放射線像変換方法が提
唱されている。この変換方法は、支持体上に輝尽
性螢光体層を形成したパネルを用い、このパネル
の輝尽性螢光体層に被写体を透過した放射線を吸
収させて放射線の強弱に対応した放射線エネルギ
ーを蓄積させ、しかる後この輝尽性螢光体層を輝
尽励起光で走査することによつて蓄積された放射
線エネルギーを光の信号として取り出し、この光
の強弱によつて画像を得るものである。
体を透過した放射線を螢光体に吸収せしめ、しか
る後この螢光体をある種のエネルギーで励起して
この螢光体が蓄積している放射線エネルギーを螢
光として放射せしめ、この螢光を検出して画像化
する方法が考えられている。具体的な方法とし
て、例えば米国特許3859527号および特開昭55−
12144号には螢光体として輝尽性螢光体を用い励
起エネルギーとして可視光線および赤外線から選
ばれる電磁放射線を用いる放射線像変換方法が提
唱されている。この変換方法は、支持体上に輝尽
性螢光体層を形成したパネルを用い、このパネル
の輝尽性螢光体層に被写体を透過した放射線を吸
収させて放射線の強弱に対応した放射線エネルギ
ーを蓄積させ、しかる後この輝尽性螢光体層を輝
尽励起光で走査することによつて蓄積された放射
線エネルギーを光の信号として取り出し、この光
の強弱によつて画像を得るものである。
このような変換方法では、放射線画像変換パネ
ル(以後単にパネルと称す)に放射線エネルギー
を蓄積させた後、直に読取る必要はなく、該パネ
ルに潜像として保存しておくことが可能であつて
前記変換方法の特徴の1つとして挙げられる。す
なわち放射線画像の記録と再生を同一の時間、場
所で行なうという制約がなく、また記録速度が再
生速度によつて制限されることがない。
ル(以後単にパネルと称す)に放射線エネルギー
を蓄積させた後、直に読取る必要はなく、該パネ
ルに潜像として保存しておくことが可能であつて
前記変換方法の特徴の1つとして挙げられる。す
なわち放射線画像の記録と再生を同一の時間、場
所で行なうという制約がなく、また記録速度が再
生速度によつて制限されることがない。
また理想的にはパネルに使用される螢光体にお
いて記録された画像情報が経時変化しないことが
望ましい。
いて記録された画像情報が経時変化しないことが
望ましい。
しかし現在までに知られている螢光体では再生
される信号の強さが時間の経過にともなつて褪行
し、その割合は褪行の小さいものでも1日で1割
以上、一般には1日で3割以上となつている。
される信号の強さが時間の経過にともなつて褪行
し、その割合は褪行の小さいものでも1日で1割
以上、一般には1日で3割以上となつている。
従つてパネルから再生される放射線画像は、経
時的に任意の間隔を置いて画像再生を行う場合に
は、該再生画像間には経時等質性を期待できな
い。
時的に任意の間隔を置いて画像再生を行う場合に
は、該再生画像間には経時等質性を期待できな
い。
前記画像の再現性の低下(経時等質性の喪失)
は、輝尽性螢光体を用いた放射線画像変換方法の
有する画像記録及び画像再生両操作の時空間的任
意性と言う有利な特徴に疵を与えるものであつ
て、その改良が望まれている。
は、輝尽性螢光体を用いた放射線画像変換方法の
有する画像記録及び画像再生両操作の時空間的任
意性と言う有利な特徴に疵を与えるものであつ
て、その改良が望まれている。
前記した問題点に関わり、本発明の目的は、輝
尽性螢光体を用いる前記放射線画像変換方法に於
て、輝尽性螢光体に於る潜像褪行による画像再現
性の低下(経時等質性の喪失)を回避し、経時的
に等質な画像を与える前記変換方法を提供するこ
とにある。
尽性螢光体を用いる前記放射線画像変換方法に於
て、輝尽性螢光体に於る潜像褪行による画像再現
性の低下(経時等質性の喪失)を回避し、経時的
に等質な画像を与える前記変換方法を提供するこ
とにある。
また上記本発明の前記変換方法を簡便に実施す
る放射線画像変換装置を提供することにある。
る放射線画像変換装置を提供することにある。
本発明の目的は、蓄積性螢光体から成る放射線
画像変換パネルに、放射線画像を照射することに
よつて前記パネルに像様に蓄積された前記照射線
のエネルギーを、励起光で輝尽励起して輝尽光に
変換し画像を再生する放射線画像変換方法に於
て、輝尽励起前に放射線画像照射を受けた前記パ
ネルを50〜200℃に加熱することを特徴とする放
射線画像変換方法によつて達成することができ
る。
画像変換パネルに、放射線画像を照射することに
よつて前記パネルに像様に蓄積された前記照射線
のエネルギーを、励起光で輝尽励起して輝尽光に
変換し画像を再生する放射線画像変換方法に於
て、輝尽励起前に放射線画像照射を受けた前記パ
ネルを50〜200℃に加熱することを特徴とする放
射線画像変換方法によつて達成することができ
る。
本発明者等は、輝尽性螢光体から成るパネルに
生成された放射線画像の、潜像褪行について研究
した結果、(1)褪行は潜像生成の直後に大きく、一
定時間後平衡準位に達する。(該一定時間を減衰
期と称す)(2)は該減期は輝尽性螢光体の種類によ
つて異る、等の知見をえた。
生成された放射線画像の、潜像褪行について研究
した結果、(1)褪行は潜像生成の直後に大きく、一
定時間後平衡準位に達する。(該一定時間を減衰
期と称す)(2)は該減期は輝尽性螢光体の種類によ
つて異る、等の知見をえた。
従つてパネルからの画像再生を前記減衰期経過
後に行えば再生する画像の経時等質性を保証する
ことができる。しかしながら減衰期は短かい場合
でも約1時間、長ければ50時間以上にも及び、実
用的に大いに支障を生ずる。
後に行えば再生する画像の経時等質性を保証する
ことができる。しかしながら減衰期は短かい場合
でも約1時間、長ければ50時間以上にも及び、実
用的に大いに支障を生ずる。
更に褪行について研究を重ねた結果、画像再生
のためパネルの輝尽励起に先立つて加熱すること
によつて全減衰期或は残余減衰期は速かに経過し
平衡準位に達することを見出し、更にパネル放射
線照射時にパネルを加熱することによつて減衰期
が消滅し潜像生成時に平衡準位が顕われることを
知つた。
のためパネルの輝尽励起に先立つて加熱すること
によつて全減衰期或は残余減衰期は速かに経過し
平衡準位に達することを見出し、更にパネル放射
線照射時にパネルを加熱することによつて減衰期
が消滅し潜像生成時に平衡準位が顕われることを
知つた。
即ち像様にパネルに入射した放射線は、像様の
放射線量に比例してパネルの輝尽性螢光体層中に
吸収され、そこに吸収放射線量に比例した数の電
子および/または正孔が該螢光体のトラツプ準位
に捉えられて、前記放射線画像に対する一種の潜
像を形成する。この時電子及び/または正孔を捉
えるトラツプ準位は単一ではなく、深浅様々の準
位がある。浅い準位に捉えられた電子等は経時等
の自然放置中の熱的過程によつて該螢光体の特性
に従つて放出され、経時程度によつて輝尽励起す
る時発生する総発生量が低下し潜像の褪行現象と
して認められる。一方深い準位に捉えられた電子
等は経時程度の熱的過程に対しては安定であり、
浅い準位に捉えられた電子等が消尽して前記熱的
過程に安定な準位のみが残留し、この準位群が前
記したた平衡準位を形成するものと思われる。尚
前記浅い準位が消尽する期間が減衰期に相当す
る。
放射線量に比例してパネルの輝尽性螢光体層中に
吸収され、そこに吸収放射線量に比例した数の電
子および/または正孔が該螢光体のトラツプ準位
に捉えられて、前記放射線画像に対する一種の潜
像を形成する。この時電子及び/または正孔を捉
えるトラツプ準位は単一ではなく、深浅様々の準
位がある。浅い準位に捉えられた電子等は経時等
の自然放置中の熱的過程によつて該螢光体の特性
に従つて放出され、経時程度によつて輝尽励起す
る時発生する総発生量が低下し潜像の褪行現象と
して認められる。一方深い準位に捉えられた電子
等は経時程度の熱的過程に対しては安定であり、
浅い準位に捉えられた電子等が消尽して前記熱的
過程に安定な準位のみが残留し、この準位群が前
記したた平衡準位を形成するものと思われる。尚
前記浅い準位が消尽する期間が減衰期に相当す
る。
尚前記浅い準位の電子等の消尽は顕著な温度依
存性を示し、温度上昇に伴つて急激に消尽が促進
され直に平衡準位が顕われる。
存性を示し、温度上昇に伴つて急激に消尽が促進
され直に平衡準位が顕われる。
従つて本発明は、輝尽性螢光体から成る放射線
画像変換パネルを放射線照射する記録時点から画
像再生のため輝尽励起するまでの間に於て、該パ
ネルを前記輝尽性螢光体の特性に応じた温度に加
熱することによつて減衰期を消去し、放射線照射
からの経時の長短に拘らず輝尽励起によつて経時
等質性の画像再生を行なうものである。
画像変換パネルを放射線照射する記録時点から画
像再生のため輝尽励起するまでの間に於て、該パ
ネルを前記輝尽性螢光体の特性に応じた温度に加
熱することによつて減衰期を消去し、放射線照射
からの経時の長短に拘らず輝尽励起によつて経時
等質性の画像再生を行なうものである。
次に本発明の放射線画像変換方法を該方法実施
に使用する装置のブロツク図を用いて説明する。
に使用する装置のブロツク図を用いて説明する。
第1図において、10はパネル13の加熱装
置、11は放射線発生装置、12は被写体、13
は可視ないし赤外輝尽性螢光体層を有するパネ
ル、14は該パネルの放射線潜像を輝尽光として
放射させるための励起光源、15はパネルより放
射された螢光を検出する光電変換装置、16は光
電変換装置15で検出された光電変換信号を画像
として再生する装置、17は再生された画像を表
示する装置、18は光源14からの反射光をカツ
トし、パネル13より放射された光のみを透過さ
せるためのフイルターである。15以降は13か
らの光情報を何らかの形で画像として再生できる
ものであればよく、上記に限定されるものではな
い。
置、11は放射線発生装置、12は被写体、13
は可視ないし赤外輝尽性螢光体層を有するパネ
ル、14は該パネルの放射線潜像を輝尽光として
放射させるための励起光源、15はパネルより放
射された螢光を検出する光電変換装置、16は光
電変換装置15で検出された光電変換信号を画像
として再生する装置、17は再生された画像を表
示する装置、18は光源14からの反射光をカツ
トし、パネル13より放射された光のみを透過さ
せるためのフイルターである。15以降は13か
らの光情報を何らかの形で画像として再生できる
ものであればよく、上記に限定されるものではな
い。
また光源14からの反射光をカツトするにはフ
イルター18を用いずに特願昭57−124744号に示
されている発光の遅れを利用して分離する方法に
よつてもよい。さらに放射線発生装置11で発生
され被写体12を透過した放射線のパネル13へ
の記録、加熱装置10によるパネル13の加熱お
よび14〜18によるパネル13に形成された潜
像の再生において、パネル13が分離型もしくは
ポータブル型であつてもよく他の装置と同一の設
置場所に固定される必要のないことはもちろんで
ある。
イルター18を用いずに特願昭57−124744号に示
されている発光の遅れを利用して分離する方法に
よつてもよい。さらに放射線発生装置11で発生
され被写体12を透過した放射線のパネル13へ
の記録、加熱装置10によるパネル13の加熱お
よび14〜18によるパネル13に形成された潜
像の再生において、パネル13が分離型もしくは
ポータブル型であつてもよく他の装置と同一の設
置場所に固定される必要のないことはもちろんで
ある。
第1図に示されるように、被写体12を放射線
発生装置11とパネル13の間に配置して放射線
を照射すると、放射線は被写体12の各部の放射
線透過率の変化に従つて透過し、その透過像(す
なわち放射線の強弱の像)がパネル13に入射す
る。この入射した透過像はパネル13の螢光体層
に吸収され、これによつて螢光体層中に吸収した
放射線量に比例した数の電子及び/又は正孔が発
生し、これが螢光体のトラツプレベルに蓄積され
る。すなわち放射線透過像の蓄積像(潜像)が形
成される。このパネルを加熱装置で50〜200℃に
加熱することによつて経時による減衰を促進し、
平衡状態に達せしめる。
発生装置11とパネル13の間に配置して放射線
を照射すると、放射線は被写体12の各部の放射
線透過率の変化に従つて透過し、その透過像(す
なわち放射線の強弱の像)がパネル13に入射す
る。この入射した透過像はパネル13の螢光体層
に吸収され、これによつて螢光体層中に吸収した
放射線量に比例した数の電子及び/又は正孔が発
生し、これが螢光体のトラツプレベルに蓄積され
る。すなわち放射線透過像の蓄積像(潜像)が形
成される。このパネルを加熱装置で50〜200℃に
加熱することによつて経時による減衰を促進し、
平衡状態に達せしめる。
次にこの潜像を光エネルギーで励起して顕在化
する。すなわち500nm以上の長波長可視線およ
び/または赤外線を含む電磁波を光源14によつ
て螢光体層に照射してトラツプレベルに蓄積され
た電子及び/又は正孔を追出し、蓄積像を螢光と
して放射せしめる。この放射された螢光の強弱は
蓄積された電子及び/又は正孔の数、すなわちパ
ネル13の螢光体層に吸収され放射線エネルギー
の強弱に比例しており、この光信号を例えば光電
子増倍管等の光電変換装置15で電気信号に変換
し、画像再生装置16によつて画像として再生
し、画像表示装置17によつてこの画像を表示す
る。
する。すなわち500nm以上の長波長可視線およ
び/または赤外線を含む電磁波を光源14によつ
て螢光体層に照射してトラツプレベルに蓄積され
た電子及び/又は正孔を追出し、蓄積像を螢光と
して放射せしめる。この放射された螢光の強弱は
蓄積された電子及び/又は正孔の数、すなわちパ
ネル13の螢光体層に吸収され放射線エネルギー
の強弱に比例しており、この光信号を例えば光電
子増倍管等の光電変換装置15で電気信号に変換
し、画像再生装置16によつて画像として再生
し、画像表示装置17によつてこの画像を表示す
る。
このようにして記録から再生までの経時長短に
拘らず経時質性のよい画像を得ることができる。
拘らず経時質性のよい画像を得ることができる。
第2図は本発明の方法におけるパネル13の加
熱方法を示す概要図である。送風機21によつて
送りだされる空気はヒーター22によつて熱風と
なり、パネル13を均一に加熱する。熱風の温度
はヒーター制御器23に接続された温度センサー
24で測定され、一定に保たれる。また加熱時間
はタイマー25によつて制御される。
熱方法を示す概要図である。送風機21によつて
送りだされる空気はヒーター22によつて熱風と
なり、パネル13を均一に加熱する。熱風の温度
はヒーター制御器23に接続された温度センサー
24で測定され、一定に保たれる。また加熱時間
はタイマー25によつて制御される。
本発明に必要な加熱装置は上記例示の外、接
触、輻射或は熱伝導によつてパネル13を最終的
に均一に加熱できるものであれば何でもよく、上
記の他にパネル13に直接接する熱板ヒーター、
赤外線ランプ等が可能である。
触、輻射或は熱伝導によつてパネル13を最終的
に均一に加熱できるものであれば何でもよく、上
記の他にパネル13に直接接する熱板ヒーター、
赤外線ランプ等が可能である。
加熱温度は50℃以下では画像の経時等質性を付
与する効果が小さく、また200℃以上では安定な
潜像を形成している深いトラツプに蓄積されてい
る電子および/または正孔も放出させてしまい、
放射線画像が失なわれてしまう。
与する効果が小さく、また200℃以上では安定な
潜像を形成している深いトラツプに蓄積されてい
る電子および/または正孔も放出させてしまい、
放射線画像が失なわれてしまう。
次に本発明による効果を、記録から再生までの
時間経過に対する褪行測定結果によつて示す。第
3図は、同一条件のX線を記録したパネルから読
みだした再生信号の強さの経時変化を示したもの
である。縦軸は相対輝尽光強度、横軸は経時(時
間)である。第3図aは加熱処理を行なわない場
合、同図bは本発明による加熱処理を行なつた場
合の1例である。この結果から明らかなように、
本発明によつて記録から再生までの時間経過によ
らない均質な放射線画像を得ることができる。加
熱温度、加熱時間は螢光体によつて最適な範囲が
あり、これは浅いトラツプの深さ、量と関係して
いる。
時間経過に対する褪行測定結果によつて示す。第
3図は、同一条件のX線を記録したパネルから読
みだした再生信号の強さの経時変化を示したもの
である。縦軸は相対輝尽光強度、横軸は経時(時
間)である。第3図aは加熱処理を行なわない場
合、同図bは本発明による加熱処理を行なつた場
合の1例である。この結果から明らかなように、
本発明によつて記録から再生までの時間経過によ
らない均質な放射線画像を得ることができる。加
熱温度、加熱時間は螢光体によつて最適な範囲が
あり、これは浅いトラツプの深さ、量と関係して
いる。
本発明の放射線像変換方法において用いられる
放射線像変換パネル及び蓄積像を螢光として放射
せしめるための励起光源について以下に詳細に説
明する。
放射線像変換パネル及び蓄積像を螢光として放射
せしめるための励起光源について以下に詳細に説
明する。
放射線像変換パネルの構成は第4図aに示され
るように支持体41と、この支持体41の片面上
に形成された螢光体層42よりなる。この螢光体
層42はいわゆる輝尽螢光体からなる。
るように支持体41と、この支持体41の片面上
に形成された螢光体層42よりなる。この螢光体
層42はいわゆる輝尽螢光体からなる。
このような螢光体としては例えば特開昭48−
80487号記載のBaSO4;Ax(但しAはDy,Tbお
よびTmのうち少なくとも1種であり、Xは、
0.001≦X<1モル%である。)で表わされる螢光
体、特開昭48−80488号記載のMgSO4;Ax(但し
AはHoおよびDyのうちの少なくとも1種であ
り、Xは0.001≦X≦1モル%である。)で表わさ
れる螢光体、特開昭48−80489号記載のSrSO4;
Ax(但しAはTm,TbおよびDyのうちの少なく
とも1種であり、Xは0.001≦X<1モル%であ
る。)で表わされる螢光体、特開昭51−29889号記
載のNa2SO4,CaSO4およびBaSO4等にMn,
Dy,およびTbのうち少なくとも1種を添加した
螢光体、特開昭52−30487号記載のBeO,LiF,
Mg2SO4,およびCaF2等の螢光体、特開昭53−
39277号記載のLi2B4O7:CuAg等の螢光体、特開
昭54−47883号記載のLi2O・(B2O2)x:Cu(但
しXは2<X≦3)、およびLi2O(B2O3)x:
Cu,Ag(但しXは2<X≦3)等の螢光体、米
国特許第3859527号記載のSrS:Ce,Sm、SrS:
Eu,Sm、La2O2S:Eu,Smおよび(Zn,Cd)
S:Mn,X(但しXはハロゲン)で表わせられ
る螢光体。特開昭55−12142記載のZnS:Cu,P6
螢光体、一般式がBaO・XAl2O3:Eu(但し0.8≦
X≦10)で表わされるアルミン酸バリウム螢光
体、および一般式がM〓O・XSiO2:A(但しM〓
はMg,Ca,Sr,Zm,Cd,またはBaであり、A
はCe,Tb,Eu,Tm,Pb,TI,Bi,およびMn
のうち少なくとも1種であり、Xは0.5≦X≦2.5
である。)で表わされるアルカリ土類金属珪酸塩
系螢光体。特開昭55−12143号記載の一般式が (Ba1-x-yMgxCay)FX:eEu2+ (但しXはBrおよびClの中の少なくとも1つ
であり、x,yおよびeはそれぞれ0<x+y≦
0.6、xy≠0および10-6≦e≦5×10-2なる条件
を満たす数である。)で表わされるアルカリ土類
弗化ハロゲン化物螢光体、特開昭55−12144号記
載の一般式が LnOX:xA (但しLnはLa,Y,GdおよびLuの少なくとも
1つを、XはCl及び/又はBrを、AはCe及び/
又はTbを、xは0<x<0.1を満足する数字を表
わす。)で表わされる螢光体、特開昭55−12145号
記載の一般式が (Ba1-xM〓x)FX:yA (但しM〓はMa,Ca,Sr,,ZnおよびCdのう
ちの少なくとも1つを、XはCl,BrおよびIの
うちの少なくとも1つを、AはEu,Tb,Ce,
Tm,Dy,Pr,Ho,Nd,Yb及びErのうちの少
なくとも1つを、x及びyは0≦x≦0.6及び0
≦y≦0.2なる条件を満す数字を表わす。)で表わ
される螢光体、特開昭55−84389号記載の一般式
がBaFX,xCe,yA(但し、XはCl,BrおよびI
のうちの少なくとも1つAはIm,Tl,Gd,Sm
およびZrのうちの少なくとも1つであり、Xお
よびyはそれぞれ0<x≦2×10-1および0<y
≦5×10-2である。)で表わされる螢光体、およ
び特開昭55−160078号記載の一般式が M〓FX XA:yLn (但しM〓はBa,Ca,Sr,Mg,ZnおよびCd
のうちの少なくとも1種、AはBeO,MgO,
CaO,SrO,BaO,ZnO,Al2O3,Y2O3,
La2O3,In2O3,SiO2TiO2,ZrO2,GeO2,SnO2,
Nb2O5,Ta2O5,およびThO2のうちの少なくと
も1種、LnはEu,Tb,Ce,Tm,Dy,Pr,
HO,Nd,Yb,Er,SmおよびGdのうちの少な
くとも1種、XはCl,BrおよびIのうちの少な
くとも1種であり、xおよびyはそれぞれ5×10
≦x≦0.5および0<y≦0.2なる条件を満たす数
である。)で表わされる希土類元素付活2価金属
フルオロハライド螢光体、および一般式がZnS:
A,CdS:A;(Zn,Cd)S:A,ZnS:A,X
およびCdS:A,X(但しAはCu,Ag,Au,ま
たはMnであり、Xはハロゲンである。)で表わ
される螢光体等が挙げられる。しかしながら、本
発明の放射線画像変換方法に用いられる螢光体は
上述の螢光体に限られるものではなく、放射線を
照射した後励起光を照射した場合に輝尽発光を示
すものであればいかなる螢光体であつてもよいこ
とは言うまでもない。
80487号記載のBaSO4;Ax(但しAはDy,Tbお
よびTmのうち少なくとも1種であり、Xは、
0.001≦X<1モル%である。)で表わされる螢光
体、特開昭48−80488号記載のMgSO4;Ax(但し
AはHoおよびDyのうちの少なくとも1種であ
り、Xは0.001≦X≦1モル%である。)で表わさ
れる螢光体、特開昭48−80489号記載のSrSO4;
Ax(但しAはTm,TbおよびDyのうちの少なく
とも1種であり、Xは0.001≦X<1モル%であ
る。)で表わされる螢光体、特開昭51−29889号記
載のNa2SO4,CaSO4およびBaSO4等にMn,
Dy,およびTbのうち少なくとも1種を添加した
螢光体、特開昭52−30487号記載のBeO,LiF,
Mg2SO4,およびCaF2等の螢光体、特開昭53−
39277号記載のLi2B4O7:CuAg等の螢光体、特開
昭54−47883号記載のLi2O・(B2O2)x:Cu(但
しXは2<X≦3)、およびLi2O(B2O3)x:
Cu,Ag(但しXは2<X≦3)等の螢光体、米
国特許第3859527号記載のSrS:Ce,Sm、SrS:
Eu,Sm、La2O2S:Eu,Smおよび(Zn,Cd)
S:Mn,X(但しXはハロゲン)で表わせられ
る螢光体。特開昭55−12142記載のZnS:Cu,P6
螢光体、一般式がBaO・XAl2O3:Eu(但し0.8≦
X≦10)で表わされるアルミン酸バリウム螢光
体、および一般式がM〓O・XSiO2:A(但しM〓
はMg,Ca,Sr,Zm,Cd,またはBaであり、A
はCe,Tb,Eu,Tm,Pb,TI,Bi,およびMn
のうち少なくとも1種であり、Xは0.5≦X≦2.5
である。)で表わされるアルカリ土類金属珪酸塩
系螢光体。特開昭55−12143号記載の一般式が (Ba1-x-yMgxCay)FX:eEu2+ (但しXはBrおよびClの中の少なくとも1つ
であり、x,yおよびeはそれぞれ0<x+y≦
0.6、xy≠0および10-6≦e≦5×10-2なる条件
を満たす数である。)で表わされるアルカリ土類
弗化ハロゲン化物螢光体、特開昭55−12144号記
載の一般式が LnOX:xA (但しLnはLa,Y,GdおよびLuの少なくとも
1つを、XはCl及び/又はBrを、AはCe及び/
又はTbを、xは0<x<0.1を満足する数字を表
わす。)で表わされる螢光体、特開昭55−12145号
記載の一般式が (Ba1-xM〓x)FX:yA (但しM〓はMa,Ca,Sr,,ZnおよびCdのう
ちの少なくとも1つを、XはCl,BrおよびIの
うちの少なくとも1つを、AはEu,Tb,Ce,
Tm,Dy,Pr,Ho,Nd,Yb及びErのうちの少
なくとも1つを、x及びyは0≦x≦0.6及び0
≦y≦0.2なる条件を満す数字を表わす。)で表わ
される螢光体、特開昭55−84389号記載の一般式
がBaFX,xCe,yA(但し、XはCl,BrおよびI
のうちの少なくとも1つAはIm,Tl,Gd,Sm
およびZrのうちの少なくとも1つであり、Xお
よびyはそれぞれ0<x≦2×10-1および0<y
≦5×10-2である。)で表わされる螢光体、およ
び特開昭55−160078号記載の一般式が M〓FX XA:yLn (但しM〓はBa,Ca,Sr,Mg,ZnおよびCd
のうちの少なくとも1種、AはBeO,MgO,
CaO,SrO,BaO,ZnO,Al2O3,Y2O3,
La2O3,In2O3,SiO2TiO2,ZrO2,GeO2,SnO2,
Nb2O5,Ta2O5,およびThO2のうちの少なくと
も1種、LnはEu,Tb,Ce,Tm,Dy,Pr,
HO,Nd,Yb,Er,SmおよびGdのうちの少な
くとも1種、XはCl,BrおよびIのうちの少な
くとも1種であり、xおよびyはそれぞれ5×10
≦x≦0.5および0<y≦0.2なる条件を満たす数
である。)で表わされる希土類元素付活2価金属
フルオロハライド螢光体、および一般式がZnS:
A,CdS:A;(Zn,Cd)S:A,ZnS:A,X
およびCdS:A,X(但しAはCu,Ag,Au,ま
たはMnであり、Xはハロゲンである。)で表わ
される螢光体等が挙げられる。しかしながら、本
発明の放射線画像変換方法に用いられる螢光体は
上述の螢光体に限られるものではなく、放射線を
照射した後励起光を照射した場合に輝尽発光を示
すものであればいかなる螢光体であつてもよいこ
とは言うまでもない。
次にパネルの製造法の一例を以下に示す。
先づ螢光体をポリビニルブチラール、硝化綿等
のバインダー溶剤溶液(溶剤シクロヘキサン、ア
セトン、酢酸、エチルおよび酢酸・ブチルの混液
等)に混合し、粘度がおよび50センチストークス
の塗布液を調製する。次にこの塗布液を水平に置
いたポリエチレンテレフタレートフイルム(支持
体)上に均一に塗布し、一昼夜放置し自然乾燥す
ることによつて好ましくは300μm程度の厚みの螢
光体層を形成し、パネルとする。
のバインダー溶剤溶液(溶剤シクロヘキサン、ア
セトン、酢酸、エチルおよび酢酸・ブチルの混液
等)に混合し、粘度がおよび50センチストークス
の塗布液を調製する。次にこの塗布液を水平に置
いたポリエチレンテレフタレートフイルム(支持
体)上に均一に塗布し、一昼夜放置し自然乾燥す
ることによつて好ましくは300μm程度の厚みの螢
光体層を形成し、パネルとする。
支持体として例えば透明なガラス板やアルミニ
ムなどの金属薄板等を用いても良い。
ムなどの金属薄板等を用いても良い。
なお、パネルは第4図bに示されるような2枚
のガラス板等の透明な基板43,44間に螢光体
を挾みこんで任意の厚さの螢光体層42とし、そ
の周囲を密封した構造のものでも良い。
のガラス板等の透明な基板43,44間に螢光体
を挾みこんで任意の厚さの螢光体層42とし、そ
の周囲を密封した構造のものでも良い。
本発明の放射線画像変換方法において上記のパ
ネルの螢光体層を励起する光エネルギーの光源と
しては、500nm以上好ましくは1100nm以下の長
波長可視領域及び/又は赤外領域にバンドスペク
トル分布をもつた光を放射する光源の他にHe−
Neレーザー光(633nm)、YAGレーザー光
(1064nm)、ルビーレーザー光(694nm)、アルゴ
ンレーザー、半導体レーザー等の単一波長の光を
放射する光源が使用される。特にレーザー光を用
いる場合は高い励起エネルギーを得ることができ
る。
ネルの螢光体層を励起する光エネルギーの光源と
しては、500nm以上好ましくは1100nm以下の長
波長可視領域及び/又は赤外領域にバンドスペク
トル分布をもつた光を放射する光源の他にHe−
Neレーザー光(633nm)、YAGレーザー光
(1064nm)、ルビーレーザー光(694nm)、アルゴ
ンレーザー、半導体レーザー等の単一波長の光を
放射する光源が使用される。特にレーザー光を用
いる場合は高い励起エネルギーを得ることができ
る。
以上説明したように本発明においては放射線画
像変換パネルに放射画像変換パネルに放射線像を
記録して再生するまでの経過時間によらない経時
等質性のよい画像を得ることができる。このよう
に本発明は輝尽性螢光体を用いた放射線画像変換
方法における記録と再生の時間的、空間的な関係
の制約を解決するものであり、その方法および該
方法を実施する簡便な装置の実用性を高めるもの
であつて本発明の工業的利用価値は非常に大きな
ものである。
像変換パネルに放射画像変換パネルに放射線像を
記録して再生するまでの経過時間によらない経時
等質性のよい画像を得ることができる。このよう
に本発明は輝尽性螢光体を用いた放射線画像変換
方法における記録と再生の時間的、空間的な関係
の制約を解決するものであり、その方法および該
方法を実施する簡便な装置の実用性を高めるもの
であつて本発明の工業的利用価値は非常に大きな
ものである。
次に実施例を示した本発明を具体的に説明す
る。
る。
実施例 1
放射線画像変換パネルはBaFBr:Euから成る
螢光体8重量部とポリビニルブチラール1重量部
を溶剤(シクロヘキサノン)を用いて分散させ、
これをポリエチレンテレフタレート基板上に均一
に塗布し、一昼夜放置し、自然乾燥することによ
つて約300μmの螢光体層を形成して作成した。こ
の放射線画像変換パネルに管電圧80KVのX線を
10ミリレントゲン照射した直後あるいは一定時間
放置した後に熱風により120℃1分間加熱してか
ら10mWのアルゴンレーザーで励起して輝尽発光
を測定した。
螢光体8重量部とポリビニルブチラール1重量部
を溶剤(シクロヘキサノン)を用いて分散させ、
これをポリエチレンテレフタレート基板上に均一
に塗布し、一昼夜放置し、自然乾燥することによ
つて約300μmの螢光体層を形成して作成した。こ
の放射線画像変換パネルに管電圧80KVのX線を
10ミリレントゲン照射した直後あるいは一定時間
放置した後に熱風により120℃1分間加熱してか
ら10mWのアルゴンレーザーで励起して輝尽発光
を測定した。
また比較のために加熱処理を行なわないで同様
の測定を行なつた前記第3図は該結果を引用した
ものである。第3図aに示すように加熱処理を行
なわないと記録から再生までの時間経過によつ
て、得られる信号の大きさが変化する。しかし、
記録直後に上記のような加熱処理を行なつた例の
同図bに示すように時間経過によらない一定の信
号が得られた。尚記録後一定経時を経た試料では
該経時点からの残余減衰期が消滅し、平衡準位が
顕われる。
の測定を行なつた前記第3図は該結果を引用した
ものである。第3図aに示すように加熱処理を行
なわないと記録から再生までの時間経過によつ
て、得られる信号の大きさが変化する。しかし、
記録直後に上記のような加熱処理を行なつた例の
同図bに示すように時間経過によらない一定の信
号が得られた。尚記録後一定経時を経た試料では
該経時点からの残余減衰期が消滅し、平衡準位が
顕われる。
第1図は本発明の放射線画像変換方法に用いる
装置のブロツク図、第2図は本発明の放射線画像
変換方法および装置に用いられる加熱装置の概要
図、第3図aおよびbに加熱処理の有無による輝
尽光強度の経時変化を示すグラフ、第4図aおよ
びbは、本発明の上記方法に用いられる放射線像
変換パネルの構造を示す断面図である。 11……放射線発生装置、12……被写体、1
3……放射線画像変換パネル、14……輝尽励起
光源、15……光電変換装置、16……画像再生
装置、17……画像表示装置、18……フイルタ
ー、21……送風器、22……ヒーター、23…
…ヒーター制御器、24……温度センサー、25
……タイマー、41……支持体、42……螢光体
層、43および44……透明支持体。
装置のブロツク図、第2図は本発明の放射線画像
変換方法および装置に用いられる加熱装置の概要
図、第3図aおよびbに加熱処理の有無による輝
尽光強度の経時変化を示すグラフ、第4図aおよ
びbは、本発明の上記方法に用いられる放射線像
変換パネルの構造を示す断面図である。 11……放射線発生装置、12……被写体、1
3……放射線画像変換パネル、14……輝尽励起
光源、15……光電変換装置、16……画像再生
装置、17……画像表示装置、18……フイルタ
ー、21……送風器、22……ヒーター、23…
…ヒーター制御器、24……温度センサー、25
……タイマー、41……支持体、42……螢光体
層、43および44……透明支持体。
Claims (1)
- 1 蓄積性螢光体から成る放射線画像変換パネル
に、放射線画像を照射することによつて前記パネ
ルに像様に蓄積された前記照射放射線のエネルギ
ーを、励起光で輝尽励起して輝尽光に変換し画像
を再生する放射線画像変換方法に於て、輝尽励起
前に放射線画像照射をうけた前記パネルを50〜
200℃に加熱することを特徴とする放射線画像変
換方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18343782A JPS5972079A (ja) | 1982-10-18 | 1982-10-18 | 放射線画像変換方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18343782A JPS5972079A (ja) | 1982-10-18 | 1982-10-18 | 放射線画像変換方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5972079A JPS5972079A (ja) | 1984-04-23 |
| JPH0373840B2 true JPH0373840B2 (ja) | 1991-11-25 |
Family
ID=16135750
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP18343782A Granted JPS5972079A (ja) | 1982-10-18 | 1982-10-18 | 放射線画像変換方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5972079A (ja) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61103142A (ja) * | 1984-10-27 | 1986-05-21 | Fuji Photo Film Co Ltd | 放射線画像情報記録再生方法 |
| JP2693719B2 (ja) * | 1994-04-25 | 1997-12-24 | コニカ株式会社 | 放射線画像消去装置 |
| JP3416052B2 (ja) | 1998-03-30 | 2003-06-16 | 富士写真フイルム株式会社 | シェーディング補正用データの取得方法 |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5889244A (ja) * | 1981-11-25 | 1983-05-27 | 富士写真フイルム株式会社 | 放射線画像情報読取方法 |
-
1982
- 1982-10-18 JP JP18343782A patent/JPS5972079A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5972079A (ja) | 1984-04-23 |
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