JPH0374461U - - Google Patents
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- Publication number
- JPH0374461U JPH0374461U JP13614689U JP13614689U JPH0374461U JP H0374461 U JPH0374461 U JP H0374461U JP 13614689 U JP13614689 U JP 13614689U JP 13614689 U JP13614689 U JP 13614689U JP H0374461 U JPH0374461 U JP H0374461U
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- transport chamber
- slit
- ion
- target
- deflection electrode
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 238000010884 ion-beam technique Methods 0.000 claims description 6
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 claims 6
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 6
- 238000005468 ion implantation Methods 0.000 description 1
Description
第1図は本考案の実施例にかかるイオンビーム
電流可変装置の構成図。第2図はパルスデユーテ
イが50%以下の時の偏向電極に印加する電圧と
、スリツトを通過するビーム電流の波形図。第3
図はパルスデユーテイが50%以上の時の偏向電
極に印加する電圧と、スリツトを通過するビーム
電流の波形図。第4図は従来例に係るイオン注入
装置の概略構成図。第5図はイオンビーム電流密
度の分布図。第6図はスリツトを通つたイオンビ
ーム電流密度の分布図。 1……イオン源、2……輸送チヤンバ、3……
スリツト駆動モータ、4……スリツト、5……タ
ーゲツトチヤンバ、6……ターゲツト、7……偏
向電極、8……偏向電源、9……スリツト穴。
電流可変装置の構成図。第2図はパルスデユーテ
イが50%以下の時の偏向電極に印加する電圧と
、スリツトを通過するビーム電流の波形図。第3
図はパルスデユーテイが50%以上の時の偏向電
極に印加する電圧と、スリツトを通過するビーム
電流の波形図。第4図は従来例に係るイオン注入
装置の概略構成図。第5図はイオンビーム電流密
度の分布図。第6図はスリツトを通つたイオンビ
ーム電流密度の分布図。 1……イオン源、2……輸送チヤンバ、3……
スリツト駆動モータ、4……スリツト、5……タ
ーゲツトチヤンバ、6……ターゲツト、7……偏
向電極、8……偏向電源、9……スリツト穴。
Claims (1)
- イオンを発生するイオン源と、真空に引かれて
おりイオン源で生じたイオンを輸送する空間をな
す輸送チヤンバと、真空に引かれておりイオンを
照射すべきターゲツトを保持し輸送チヤンバに連
続して設けられるターゲツトチヤンバと、輸送チ
ヤンバの中に設けられイオンビームの軸線上にス
リツト穴を有するスリツトと、輸送チヤンバの中
であつてスリツトの前方に設けられイオンビーム
を偏向させる偏向電極と、偏向電極に電圧を印加
する偏向電源とよりなり、イオンビームを偏向さ
せてスリツト穴を通らなくする電圧振幅のパルス
電圧を偏向電極に印加することによりターゲツト
に達するビーム電流量を可変にしたことを特徴と
するイオン注入装置におけるビーム電流量可変装
置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13614689U JPH0374461U (ja) | 1989-11-22 | 1989-11-22 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13614689U JPH0374461U (ja) | 1989-11-22 | 1989-11-22 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0374461U true JPH0374461U (ja) | 1991-07-26 |
Family
ID=31683370
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP13614689U Pending JPH0374461U (ja) | 1989-11-22 | 1989-11-22 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0374461U (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008536309A (ja) * | 2005-04-02 | 2008-09-04 | バリアン・セミコンダクター・エクイップメント・アソシエイツ・インコーポレイテッド | 高速イオンビーム制御を用いた固定ビームによるイオン注入処理におけるグリッチからの回復方法及び装置 |
-
1989
- 1989-11-22 JP JP13614689U patent/JPH0374461U/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008536309A (ja) * | 2005-04-02 | 2008-09-04 | バリアン・セミコンダクター・エクイップメント・アソシエイツ・インコーポレイテッド | 高速イオンビーム制御を用いた固定ビームによるイオン注入処理におけるグリッチからの回復方法及び装置 |