JPH0375158A - サーマルヘッド - Google Patents
サーマルヘッドInfo
- Publication number
- JPH0375158A JPH0375158A JP1210880A JP21088089A JPH0375158A JP H0375158 A JPH0375158 A JP H0375158A JP 1210880 A JP1210880 A JP 1210880A JP 21088089 A JP21088089 A JP 21088089A JP H0375158 A JPH0375158 A JP H0375158A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- layer
- electrode
- heating element
- resistant layer
- abrasion
- Prior art date
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- Granted
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- Electronic Switches (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明はサーマルヘッド特にその耐摩耗膜部に関するも
のである。
のである。
従来の技術
サーマルヘッドは第２図に示すように基板１゜上に発熱
体２ｏを設け、さらにその上に電極３゜を設け、さらに
その上に耐摩耗層４０を設けていた。
体２ｏを設け、さらにその上に電極３゜を設け、さらに
その上に耐摩耗層４０を設けていた。
発明が解決しようとする課題
上記構成のものにおいて電極３０は銅を主成分とする金
属で形成されておシ、また耐摩耗層４゜はＳｌを含む化
合物で形成されている。この場合前記耐摩耗層４０は電
極３ｏとの密着性が悪く、剥離して耐摩耗層４０として
の役割υを果たさなくなってし１うと言う問題があった
。そこで本発明はＳｌを含む化合物ようなる耐摩耗層の
剥離を防止することを目的とするものである。
属で形成されておシ、また耐摩耗層４゜はＳｌを含む化
合物で形成されている。この場合前記耐摩耗層４０は電
極３ｏとの密着性が悪く、剥離して耐摩耗層４０として
の役割υを果たさなくなってし１うと言う問題があった
。そこで本発明はＳｌを含む化合物ようなる耐摩耗層の
剥離を防止することを目的とするものである。
課題を解決するための手段
そしてこの目的を達成するために本発明は耐摩耗層の電
極との界面を少なくともＳｉ リッチな層としたもので
ある。
極との界面を少なくともＳｉ リッチな層としたもので
ある。
作用
以上の手段によれば銅ようなる電極は耐摩耗層のＳｉリ
ッチな部分との密着性に優れ、またＳ１リツチな部分は
耐摩耗層との密着性に優れるため、結果として電極と耐
摩耗層の界面による剥離は発生しなくなるものである。
ッチな部分との密着性に優れ、またＳ１リツチな部分は
耐摩耗層との密着性に優れるため、結果として電極と耐
摩耗層の界面による剥離は発生しなくなるものである。
実施例
第１図に本発明の一実施例を示す。基板１はム１２０５
基板よりなり、その上にガラスグレーズ２が設けら
れている。前記ガラスグレーズ２上に３層から成る発熱
体を形成する。１ず炭火ケイ素を主成分とする第１の発
熱体層３を設け、さらにその上に炭化チタンと酸化ケイ
素の混合物からなる第２の発熱体層４を設け、さらにそ
の上にケイ素からなる第３の発熱体層６を設けた。さら
にその上に２層から戒る電極を形成する。筐ずクロムか
らなる第１の電極層ｅを設け、さらにその上に銅からな
る第２の電極層７を設けた。この電極をホトエツチング
法でパターン形成した後前記第２の電極層７の一部と前
記第３の発熱体層５の上に５ｉｒｉｃｈ な窒化ケイ素
を密着層８として設け、さらにその上に酸窒化ケイ素か
らなる耐摩耗層９を設けた。なお、前記第１の電極層６
から第２の電極層７１ではスパッタリング法で真空をや
ぶらずに連続成膜で行った。
基板よりなり、その上にガラスグレーズ２が設けら
れている。前記ガラスグレーズ２上に３層から成る発熱
体を形成する。１ず炭火ケイ素を主成分とする第１の発
熱体層３を設け、さらにその上に炭化チタンと酸化ケイ
素の混合物からなる第２の発熱体層４を設け、さらにそ
の上にケイ素からなる第３の発熱体層６を設けた。さら
にその上に２層から戒る電極を形成する。筐ずクロムか
らなる第１の電極層ｅを設け、さらにその上に銅からな
る第２の電極層７を設けた。この電極をホトエツチング
法でパターン形成した後前記第２の電極層７の一部と前
記第３の発熱体層５の上に５ｉｒｉｃｈ な窒化ケイ素
を密着層８として設け、さらにその上に酸窒化ケイ素か
らなる耐摩耗層９を設けた。なお、前記第１の電極層６
から第２の電極層７１ではスパッタリング法で真空をや
ぶらずに連続成膜で行った。
筐た、リフトオフ法にて、プラズマＣＶＤで前記密着層
８と耐摩耗層９を同一装置で連続的に成膜した。なお、
前記密着層８はＮ２ガスをプラズマ放電ガスとして用い
ＳｉＨ４ガスを原料ガスとして導入した。
８と耐摩耗層９を同一装置で連続的に成膜した。なお、
前記密着層８はＮ２ガスをプラズマ放電ガスとして用い
ＳｉＨ４ガスを原料ガスとして導入した。
この時の密着層８の組成はＮ２ガスの流量及びＳｉＨ４
ガスの流量でコントロールした。実験ではＮ２流量を４
００ＳＣＣＭ〜３８００ ＳＣＣＭ 、 ＳｉＨ４流量
を１１００３ＣＣ〜２５０ｓｃａＭに変化させ、全ガス
圧は５ｏｐａ〜２５０Ｐａとして密着層８の組成を幅広
く変化させた。また密着層８は連続膜となることにより
目的を達するため、厚みは１００人〜５０００Ａとした
。なふ・密着層８と耐摩耗層９の積層は密着層形成後Ｎ
２ガスとＳｉＨ４ガスを流した状態に連続的にＮ２０ガ
スを流し、酸窒化ケイ素を約６μｍｄ膜した。
ガスの流量でコントロールした。実験ではＮ２流量を４
００ＳＣＣＭ〜３８００ ＳＣＣＭ 、 ＳｉＨ４流量
を１１００３ＣＣ〜２５０ｓｃａＭに変化させ、全ガス
圧は５ｏｐａ〜２５０Ｐａとして密着層８の組成を幅広
く変化させた。また密着層８は連続膜となることにより
目的を達するため、厚みは１００人〜５０００Ａとした
。なふ・密着層８と耐摩耗層９の積層は密着層形成後Ｎ
２ガスとＳｉＨ４ガスを流した状態に連続的にＮ２０ガ
スを流し、酸窒化ケイ素を約６μｍｄ膜した。
なお、前記放電ガスはムｒガスでも可能であり、この時
はＳｉＨ４ガスとＮ２０ガスを流し、それぞれの流量を
変えることによシ組成を調整できる。
はＳｉＨ４ガスとＮ２０ガスを流し、それぞれの流量を
変えることによシ組成を調整できる。
なお、前記密着層８形成後、Ｎ２０ガスを流さず、Ｎ２
ガスとＳｉＨ４ガスを調整することにより、耐摩耗性に
優れる窒化ケイ素膜を形成することも可能である。
ガスとＳｉＨ４ガスを調整することにより、耐摩耗性に
優れる窒化ケイ素膜を形成することも可能である。
なお、この密着層８はＳｉ系の他の化合物にも有効であ
り、酸化ケイ素等の積層もできる。
り、酸化ケイ素等の積層もできる。
以上の手段を用いることにより、銅よりなる第２の電極
層７と耐摩耗層９の界面からの剥離は発生せず、密着力
が大きく改善された。密着性試験として前記密着層８の
組成及び膜厚を変化させたサンプルと、密着層８を形成
しないサンプル（銅の電極上に直接酸窒化ケイ素層を形
成させたサンプル）を作成し、このサンプルの上にスパ
ッタリング法にて圧縮応力が大きな（５Ｘ１０” ｄｙ
ｎ／ａｆ以上の）炭化ケイ素層を形成した。この結果密
着層８を形成しないサングルは銅の第２の電極層７と酸
窒化ケイ素からなる耐摩耗層９の界面で剥離を起こした
が、密着層８を形成したサンプルは剥離を起こさなかっ
た。この時の密着層８の膜厚（１００人〜５０００人範
囲）は密着性には影響を与えなかった。密着性を発揮し
た膜についてＸＳＣムによシ組成分析を行った結果、密
着層８の組成はＳｌとＮの比がＳ工ｓｏａｔｍ％以上。
層７と耐摩耗層９の界面からの剥離は発生せず、密着力
が大きく改善された。密着性試験として前記密着層８の
組成及び膜厚を変化させたサンプルと、密着層８を形成
しないサンプル（銅の電極上に直接酸窒化ケイ素層を形
成させたサンプル）を作成し、このサンプルの上にスパ
ッタリング法にて圧縮応力が大きな（５Ｘ１０” ｄｙ
ｎ／ａｆ以上の）炭化ケイ素層を形成した。この結果密
着層８を形成しないサングルは銅の第２の電極層７と酸
窒化ケイ素からなる耐摩耗層９の界面で剥離を起こした
が、密着層８を形成したサンプルは剥離を起こさなかっ
た。この時の密着層８の膜厚（１００人〜５０００人範
囲）は密着性には影響を与えなかった。密着性を発揮し
た膜についてＸＳＣムによシ組成分析を行った結果、密
着層８の組成はＳｌとＮの比がＳ工ｓｏａｔｍ％以上。
Ｎ７０＆ｔｍ以下であった。この範囲よりＮ ｒｉｃｈ
の組成では密着性が不十分となった。普た真空加熱試験
（６ｏＯ℃ｍ ” ） ＊大気中加熱試験（４００’Ｃ
，ＩＨ）、高温高湿試験（８６℃。
の組成では密着性が不十分となった。普た真空加熱試験
（６ｏＯ℃ｍ ” ） ＊大気中加熱試験（４００’Ｃ
，ＩＨ）、高温高湿試験（８６℃。
８６％、５００Ｈ）を行い、オージェ分析により密着層
８及び電極層の組成を分析した結果、密着層の組成がＳ
ｉ ７０ ａｔｍ％以上、Ｎ３０＆ｔｍ以下では、密着
層８中のフリーの８１が銅の第２の電極層７中に拡散し
ていた。これより密着層８の組成は５ｉ３０〜７０ａｔ
ｍ％に対してＮ ７０〜３０２Ｌｔｍ％の範囲で効果を
示すことを確認した。なお密着性が向上するのは銅と８
１が酸素や窒素を介して結合すると銅と酸素、窒素の結
合が弱いのに対して銅と８１が直接結合した方が結合が
強くなるためである。これようたとえば密着層８をＳｉ
膜にすれば密着力が向上することが容易に考えられるが
、Ｓｉが銅の第２電極層７中に拡散して、配線抵抗を高
くし悪影響を及ぼす。これに対して本発明の密着層８は
上記組成範囲でＳ ｉ ｒｉｃｈではあるが、ガス成分
（窒素、酸素）と結合しているために銅の第２の電極層
７に拡散せず、配線抵抗に影響を与えずに密着力のみを
向上できる。
８及び電極層の組成を分析した結果、密着層の組成がＳ
ｉ ７０ ａｔｍ％以上、Ｎ３０＆ｔｍ以下では、密着
層８中のフリーの８１が銅の第２の電極層７中に拡散し
ていた。これより密着層８の組成は５ｉ３０〜７０ａｔ
ｍ％に対してＮ ７０〜３０２Ｌｔｍ％の範囲で効果を
示すことを確認した。なお密着性が向上するのは銅と８
１が酸素や窒素を介して結合すると銅と酸素、窒素の結
合が弱いのに対して銅と８１が直接結合した方が結合が
強くなるためである。これようたとえば密着層８をＳｉ
膜にすれば密着力が向上することが容易に考えられるが
、Ｓｉが銅の第２電極層７中に拡散して、配線抵抗を高
くし悪影響を及ぼす。これに対して本発明の密着層８は
上記組成範囲でＳ ｉ ｒｉｃｈではあるが、ガス成分
（窒素、酸素）と結合しているために銅の第２の電極層
７に拡散せず、配線抵抗に影響を与えずに密着力のみを
向上できる。
さらに実施例のように酸窒化ケイ素からなる耐摩耗層９
の密着層８として窒化ケイ素層を用いればこの層が耐ア
ルカリ層となり耐食性が向上した。
の密着層８として窒化ケイ素層を用いればこの層が耐ア
ルカリ層となり耐食性が向上した。
な釦、実施例で示した発熱体層及び電極層はそれぞれ一
層ずつでも良い。
層ずつでも良い。
発明の効果
以上のように本発明によれば、耐摩耗層の電極との界面
は少なくとも化学量論的組成よりＳｉリッチな層とした
ので、この部分に釦ける密着度が高普υ、この結果耐摩
耗層の剥離は起きないものとなった。
は少なくとも化学量論的組成よりＳｉリッチな層とした
ので、この部分に釦ける密着度が高普υ、この結果耐摩
耗層の剥離は起きないものとなった。
第１図は本発明の一実施例を示す断面図、第２図は従来
例を示す断面図である。 １・・・・・・基板、２・・・・・・ガラスグレーズ、
３・・・・・・第１の発熱体層、４・・・・・・第２の
発熱体層、６・・・・・・第３の発熱体層、６・・・・
・・第１の電極層、７・・・・・・第２の電極層、８・
・・・・・密着層、９・・・・・・耐摩耗層。
例を示す断面図である。 １・・・・・・基板、２・・・・・・ガラスグレーズ、
３・・・・・・第１の発熱体層、４・・・・・・第２の
発熱体層、６・・・・・・第３の発熱体層、６・・・・
・・第１の電極層、７・・・・・・第２の電極層、８・
・・・・・密着層、９・・・・・・耐摩耗層。
Claims (1)
- 基板と、この基板上に設けた発熱体と、この発熱体上に
設けた銅を主成分とする電極と、この電極及び前記発熱
体上に設けた耐摩耗層とを備え、前記耐摩耗層をＳｉを
含む化合物で形成すると共に、この耐摩耗層の前記電極
との界面は少なくとも化学量論的組成よりＳｉリッチ（
Ｓｉｒｉｃｈ）な層としたサーマルヘッド。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1210880A JPH0375158A (ja) | 1989-08-16 | 1989-08-16 | サーマルヘッド |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1210880A JPH0375158A (ja) | 1989-08-16 | 1989-08-16 | サーマルヘッド |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0375158A true JPH0375158A (ja) | 1991-03-29 |
| JPH0575591B2 JPH0575591B2 (ja) | 1993-10-20 |
Family
ID=16596624
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1210880A Granted JPH0375158A (ja) | 1989-08-16 | 1989-08-16 | サーマルヘッド |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0375158A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20010069344A (ko) * | 2001-03-12 | 2001-07-25 | 조미예 | 비봉공, 양극산화처리한 알루미늄합금속을 이용한전위치료기 |
| US6451504B2 (en) | 1995-12-04 | 2002-09-17 | Micron Technology, Inc. | Semiconductor processing method of promoting photoresist adhesion to an outer substrate layer predominately comprising silicon nitride |
| KR100389703B1 (ko) * | 1999-11-24 | 2003-06-27 | 오달환 | 피부 접촉식 알루미늄제 치료기 |
| US6693345B2 (en) | 1995-12-04 | 2004-02-17 | Micron Technology, Inc. | Semiconductor wafer assemblies comprising photoresist over silicon nitride materials |
| US6756634B2 (en) | 1998-04-07 | 2004-06-29 | Micron Technology, Inc. | Gated semiconductor assemblies |
-
1989
- 1989-08-16 JP JP1210880A patent/JPH0375158A/ja active Granted
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6451504B2 (en) | 1995-12-04 | 2002-09-17 | Micron Technology, Inc. | Semiconductor processing method of promoting photoresist adhesion to an outer substrate layer predominately comprising silicon nitride |
| US6693345B2 (en) | 1995-12-04 | 2004-02-17 | Micron Technology, Inc. | Semiconductor wafer assemblies comprising photoresist over silicon nitride materials |
| US7057263B2 (en) | 1995-12-04 | 2006-06-06 | Micron Technology, Inc. | Semiconductor wafer assemblies comprising photoresist over silicon nitride materials |
| US6756634B2 (en) | 1998-04-07 | 2004-06-29 | Micron Technology, Inc. | Gated semiconductor assemblies |
| KR100389703B1 (ko) * | 1999-11-24 | 2003-06-27 | 오달환 | 피부 접촉식 알루미늄제 치료기 |
| KR20010069344A (ko) * | 2001-03-12 | 2001-07-25 | 조미예 | 비봉공, 양극산화처리한 알루미늄합금속을 이용한전위치료기 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0575591B2 (ja) | 1993-10-20 |
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