JPH03757B2 - - Google Patents
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- JPH03757B2 JPH03757B2 JP56059914A JP5991481A JPH03757B2 JP H03757 B2 JPH03757 B2 JP H03757B2 JP 56059914 A JP56059914 A JP 56059914A JP 5991481 A JP5991481 A JP 5991481A JP H03757 B2 JPH03757 B2 JP H03757B2
- Authority
- JP
- Japan
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- layer
- electrode
- black
- transparent
- electroluminescent
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
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-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
- H05B33/00—Electroluminescent light sources
- H05B33/12—Light sources with substantially two-dimensional [2D] radiating surfaces
- H05B33/22—Light sources with substantially two-dimensional [2D] radiating surfaces characterised by the chemical or physical composition or the arrangement of auxiliary dielectric or reflective layers
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、例えばガラスから成る少なくとも１
個の透明な基体、該基体上に配設された少なくと
も１個の透明な第１電極層、第１電極層上に配設
されたルミネツセンス層、少なくとも部分的に該
ルミネツセンス層上に配設された少なくとも１個
の第２電極層、並びに、該ルミネツセンス層と第
２電極層とに接して配置した少なくとも１個の黒
色層、から成るエレクトロルミネツセンス構造の
改良に関するものである。
個の透明な基体、該基体上に配設された少なくと
も１個の透明な第１電極層、第１電極層上に配設
されたルミネツセンス層、少なくとも部分的に該
ルミネツセンス層上に配設された少なくとも１個
の第２電極層、並びに、該ルミネツセンス層と第
２電極層とに接して配置した少なくとも１個の黒
色層、から成るエレクトロルミネツセンス構造の
改良に関するものである。
先行技術においては、エレクトロルミネツセン
ス薄膜は、いわゆる薄膜技術を用いて製造してき
たことは既知である。薄膜技術を用いて製造した
ルミネツセンス薄膜は透明なので、その構造はコ
ントラストを良くするために、黒いバツクグラウ
ンドを備えることがあり得る。そのような構造
は、例えば米国特許第3560784号において提案さ
れている。先行技術の構造では、黒色層は第２電
極層とルミネツセンス層との間に配設してある。
この方法では、黒色バツクグラウンドは背部電極
のタイプに拘わらず。おくことができる。この構
造の欠点は、黒色層を電場の影響下に置かなけれ
ばならないという事実であり、これが安定性の問
題を創り出す。
ス薄膜は、いわゆる薄膜技術を用いて製造してき
たことは既知である。薄膜技術を用いて製造した
ルミネツセンス薄膜は透明なので、その構造はコ
ントラストを良くするために、黒いバツクグラウ
ンドを備えることがあり得る。そのような構造
は、例えば米国特許第3560784号において提案さ
れている。先行技術の構造では、黒色層は第２電
極層とルミネツセンス層との間に配設してある。
この方法では、黒色バツクグラウンドは背部電極
のタイプに拘わらず。おくことができる。この構
造の欠点は、黒色層を電場の影響下に置かなけれ
ばならないという事実であり、これが安定性の問
題を創り出す。
他方では、黒色層は異なつたポテンシヤルにあ
る隣接電極間の電流を防ぐため絶縁しなければな
らない。
る隣接電極間の電流を防ぐため絶縁しなければな
らない。
更にその上に、安定な黒色薄膜絶縁材料を見つ
けることが困難であるという問題があつた。
けることが困難であるという問題があつた。
IBMテクニカル・ジスクロージユア・ビユレ
チン（IBM技術開示誌）第20巻、第４号、1977
年９月号には電極そのものが黒色である構造が開
示されている。これは、いわゆる厚膜技術から既
知の黒色導電材料を用いてできるのであつた。こ
れらの材料の特徴は、導電性は、導電粒子を用い
て実現させるということであり、それによつてル
ミネツセンス薄膜は、導電粒子が薄膜表面に接触
する点でのみ光を放出する。問題の粒子は電極材
料と混合することができる。
チン（IBM技術開示誌）第20巻、第４号、1977
年９月号には電極そのものが黒色である構造が開
示されている。これは、いわゆる厚膜技術から既
知の黒色導電材料を用いてできるのであつた。こ
れらの材料の特徴は、導電性は、導電粒子を用い
て実現させるということであり、それによつてル
ミネツセンス薄膜は、導電粒子が薄膜表面に接触
する点でのみ光を放出する。問題の粒子は電極材
料と混合することができる。
本発明の目的は、上記先行技術構造の欠点を減
ずることであり、そして全く新しいタイプのエレ
クトロルミネツセンス構造を創り出すことであ
る。
ずることであり、そして全く新しいタイプのエレ
クトロルミネツセンス構造を創り出すことであ
る。
本発明は、透明第２電極の電気的結線を黒色バ
ツクグラウンドを形成する厚膜層中にある開口部
ないしは、境界領域を通して行なうというアイデ
アに基くものである。
ツクグラウンドを形成する厚膜層中にある開口部
ないしは、境界領域を通して行なうというアイデ
アに基くものである。
もつと正確に云えば、本発明によるエレクトロ
ルミネツセンス構造は、黒色層５，６は、第２電
極層４をおおい、第２電極層４の外側でルミネツ
センス層３，３′，３″と接する絶縁層５と、該絶
縁層上に配設された配線部６とから成り、そして
第２電極層４に到達する少なくとも１つの開口部
８もしくは類似のものが、配線部６が該開口部８
を通つて前記第２電極層４と電気的に接触するこ
とができるように、該第２電極層と対向して絶縁
層５中に形成されている、ことを特徴とするもの
である。
ルミネツセンス構造は、黒色層５，６は、第２電
極層４をおおい、第２電極層４の外側でルミネツ
センス層３，３′，３″と接する絶縁層５と、該絶
縁層上に配設された配線部６とから成り、そして
第２電極層４に到達する少なくとも１つの開口部
８もしくは類似のものが、配線部６が該開口部８
を通つて前記第２電極層４と電気的に接触するこ
とができるように、該第２電極層と対向して絶縁
層５中に形成されている、ことを特徴とするもの
である。
本発明により、著しい利点を達成することがで
きる。そこで、例えば黒色材料は電場の支配を受
けないので、この材料の選択はより独立して行な
える。従つて、この材料は例えば何らかの有機厚
膜材料から成ることができる。この材料は同時
に、保護層として作用することもできる。一例と
して、黒色シリコンをあげることができる。透明
電極を不均一な厚膜の下に置いたとしても、厚膜
の不均一性が光放出の均一性に影響することはな
い。
きる。そこで、例えば黒色材料は電場の支配を受
けないので、この材料の選択はより独立して行な
える。従つて、この材料は例えば何らかの有機厚
膜材料から成ることができる。この材料は同時
に、保護層として作用することもできる。一例と
して、黒色シリコンをあげることができる。透明
電極を不均一な厚膜の下に置いたとしても、厚膜
の不均一性が光放出の均一性に影響することはな
い。
のみならず、第２電極層（背部電極）の透明性
が、更に全般的な利用の可能性をこの構造に与え
ている。従つて、積層を形成するように複数の構
造を互いに順に上へと積み重ねることができ、そ
れによれば最背部構造のみ黒色層を備えることに
なる。
が、更に全般的な利用の可能性をこの構造に与え
ている。従つて、積層を形成するように複数の構
造を互いに順に上へと積み重ねることができ、そ
れによれば最背部構造のみ黒色層を備えることに
なる。
本発明は添附図面を参照しながら、下記に更に
詳細に述べる。
詳細に述べる。
第１図は、従来技術に係るエレクトロルミネツ
センス構造の一例の断面、部分模式図である。
センス構造の一例の断面、部分模式図である。
第２図は、本発明の第１実施例の断面、部分模
式図である。
式図である。
第３図は、本発明による第２実施例の断面、部
分模式図の拡大したものである。
分模式図の拡大したものである。
第１図による構造は、例えばガラス製の透明基
体１と、その上に配設された透明に近い第１電極
層２とから成る。それ自体既知であるエレクトロ
ルミネツセンス層３，３′，３″が第１透明電極層
２の上に配設された。数個の隣接電極層４を所望
の配列に従つて、該エレクトロルミネツセンス層
３，３′，３″上に配設した。層２，３′，３，
３″、および４はすべて薄膜技術、例えばいわゆ
る原子層エピタキシー（ALE）を利用して形成
することができる。黒色層は第２電極４をおおい
且つ該電極の外側にあるルミネツセンス層３と接
する絶縁層５から成る。
体１と、その上に配設された透明に近い第１電極
層２とから成る。それ自体既知であるエレクトロ
ルミネツセンス層３，３′，３″が第１透明電極層
２の上に配設された。数個の隣接電極層４を所望
の配列に従つて、該エレクトロルミネツセンス層
３，３′，３″上に配設した。層２，３′，３，
３″、および４はすべて薄膜技術、例えばいわゆ
る原子層エピタキシー（ALE）を利用して形成
することができる。黒色層は第２電極４をおおい
且つ該電極の外側にあるルミネツセンス層３と接
する絶縁層５から成る。
第１図による従来例は、必要な導体をすべて接
点用に構成部分端部にまで持つてくることができ
る場合に応用可能である。これは、例えば比較的
低分解能のマトリツクスの場合である。黒色層
５，６が、一方では第２の電極層４をおおい且つ
該電極層の外にあるエレクトロルミネツセンス層
３，３′，３″と接する絶縁層５から成り、そして
他方では該絶縁層上に配設され且つ厚膜技術ない
しは薄膜技術を用いて製造した配線部６から成る
という点において、第２図による構造は第１図に
よる構造とは異なる。各電極層４の対向部に黒色
層５は、該第２電極層４に達する開口部をそなえ
ている。配線部６から“突起”が所望の第２電極
４と配線６を電気的に結合するために開口部８を
通つて伸びている。そのような“突起”７は例え
ば開口部８を全体におおう黒色導電領域をプリン
トすることによつて作ることができる。
点用に構成部分端部にまで持つてくることができ
る場合に応用可能である。これは、例えば比較的
低分解能のマトリツクスの場合である。黒色層
５，６が、一方では第２の電極層４をおおい且つ
該電極層の外にあるエレクトロルミネツセンス層
３，３′，３″と接する絶縁層５から成り、そして
他方では該絶縁層上に配設され且つ厚膜技術ない
しは薄膜技術を用いて製造した配線部６から成る
という点において、第２図による構造は第１図に
よる構造とは異なる。各電極層４の対向部に黒色
層５は、該第２電極層４に達する開口部をそなえ
ている。配線部６から“突起”が所望の第２電極
４と配線６を電気的に結合するために開口部８を
通つて伸びている。そのような“突起”７は例え
ば開口部８を全体におおう黒色導電領域をプリン
トすることによつて作ることができる。
高分解能の物質では、上部電極の導電性はより
臨界的になる。そのような場合には、第２図によ
る実施例が応用できる。この構造は電気的に分離
した数字素子（例えば第２図における４′）を交
叉させることができる。更に、この構造は例え
ば、対応するセグメントを電気的に結合するよう
に数個の７セグメント数字（seven segment
figure）を接するため、より薄い導電ストライプ
を用いることができる。
臨界的になる。そのような場合には、第２図によ
る実施例が応用できる。この構造は電気的に分離
した数字素子（例えば第２図における４′）を交
叉させることができる。更に、この構造は例え
ば、対応するセグメントを電気的に結合するよう
に数個の７セグメント数字（seven segment
figure）を接するため、より薄い導電ストライプ
を用いることができる。
配線部６が全体的に黒色材料でできている場合
には、分離導電領域７は不必要である。第３図に
よる構造は、電極配列が交叉を必要とする場合の
比較的低分解能の表示装置において好ましい実施
例である。例えば、１つの７セグメント数字が、
中心線分が、上部電極を超えて接触するように、
第３図による構造を用いて接触することができ
る。第１図による構造の、絶縁性黒色厚膜層５
は、原理的には任意の光吸収厚膜物質から成るこ
とができ、あるいは薄膜技術を用いて実現化され
るものであることができ、例えばAl2O3／Al合
金、硫化砒素またはセレン化砒素であることに言
及しておくべきである。そのような層はそれ自体
既知の厚膜製法または薄膜製法を用いて製造する
ことができる。
には、分離導電領域７は不必要である。第３図に
よる構造は、電極配列が交叉を必要とする場合の
比較的低分解能の表示装置において好ましい実施
例である。例えば、１つの７セグメント数字が、
中心線分が、上部電極を超えて接触するように、
第３図による構造を用いて接触することができ
る。第１図による構造の、絶縁性黒色厚膜層５
は、原理的には任意の光吸収厚膜物質から成るこ
とができ、あるいは薄膜技術を用いて実現化され
るものであることができ、例えばAl2O3／Al合
金、硫化砒素またはセレン化砒素であることに言
及しておくべきである。そのような層はそれ自体
既知の厚膜製法または薄膜製法を用いて製造する
ことができる。
第１図、第２図および第３図の層５は、それ自
体既知の黒色顔料含有絶縁性ポリマー薄膜であ
る。適切な原材料の１つは、ニユージヤーシー州
ペンサウケン在のElectro−Science
Laboratories、Inc.社から固化ペーストとして、
ESL240−SBとの型式名で市販されているもので
ある。
体既知の黒色顔料含有絶縁性ポリマー薄膜であ
る。適切な原材料の１つは、ニユージヤーシー州
ペンサウケン在のElectro−Science
Laboratories、Inc.社から固化ペーストとして、
ESL240−SBとの型式名で市販されているもので
ある。
第２図における層６は、それ自体既知の金属充
填導電ポリマー薄膜である。適切な原材料の１つ
は、Electro−Science Laboratories、Inc.社か
らESL1109−Ｓの型式名でスクリーン印刷可能の
銀充填の１成分材料として市販されているもので
ある。
填導電ポリマー薄膜である。適切な原材料の１つ
は、Electro−Science Laboratories、Inc.社か
らESL1109−Ｓの型式名でスクリーン印刷可能の
銀充填の１成分材料として市販されているもので
ある。
第２図の導電領域７と第３図の層６とは、それ
自体既知のカーボン充填導電ポリマー薄膜であ
る。適切な原材料の１つは、型式名RS−150−12
のもとに、Electro−Science Laboratories、社
から固化ペーストとして市販されているものであ
る。配線６は、例えば、Al金属化として実現化
することができる。
自体既知のカーボン充填導電ポリマー薄膜であ
る。適切な原材料の１つは、型式名RS−150−12
のもとに、Electro−Science Laboratories、社
から固化ペーストとして市販されているものであ
る。配線６は、例えば、Al金属化として実現化
することができる。
電極層２と４の両者は透明であることが認めら
れるべきである。それらは例えば、スパツタリン
グによるITO（酸化インジウム錫）層であること
ができる。
れるべきである。それらは例えば、スパツタリン
グによるITO（酸化インジウム錫）層であること
ができる。
ルミネツセンス層３，３′，３″はサンドイツチ
層であり、それ自体既知の発光層３、通常は
ZnS：Mn層と、典型的には何らかの酸化金属か
ら成る限流補助層３′と３″とから成る。
層であり、それ自体既知の発光層３、通常は
ZnS：Mn層と、典型的には何らかの酸化金属か
ら成る限流補助層３′と３″とから成る。
本明細書における“黒色層”という表現は、一
般に光吸収層を意味し、この層は黒色とは違う色
を持つこともできる。
般に光吸収層を意味し、この層は黒色とは違う色
を持つこともできる。
第１図は、従来技術に係るエレクトロルミネツ
センス構造の一例の部分断面模式図である。第２
図は、本発明による第１実施例の部分断面模式図
である。第３図は、本発明による第２実施例の拡
大されている部分断面模式図である。 〔主要部分の符号の説明〕、基体……１、第１
電極層……２、エレクトロルミネツセンス層……
３，３′，３″、第２電極層……４、絶縁層……
５、配線部……６、導体部……７、開口部……
８。
センス構造の一例の部分断面模式図である。第２
図は、本発明による第１実施例の部分断面模式図
である。第３図は、本発明による第２実施例の拡
大されている部分断面模式図である。 〔主要部分の符号の説明〕、基体……１、第１
電極層……２、エレクトロルミネツセンス層……
３，３′，３″、第２電極層……４、絶縁層……
５、配線部……６、導体部……７、開口部……
８。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 例えばガラスからできた少なくとも一つの透
明基板１と、 該基板１上に設けられた少なくとも一つの透明
第１電極２と、 該第１電極２上に設けられたルミネツセンス層
３，３′，３″と、 該ルミネツセンス層３，３′，３″上に設けられ
た少なくとも一つの透明第２電極４と、 該第２電極４を覆い、該第２電極４の外方で該
ルミネツセンス層３，３′，３″と接触し、外側か
ら該第２電極４に到達する開口８を有する絶縁層
５と、 該絶縁層５上に設けられ、該開口８を介して該
第２電極と電気的接触を行なう配線部６とからな
るエレクトロルミネツセンス構造において、 該絶縁層５全体と、少なくとも該開口８により
規定される領域における該配線部６とは、黒色材
料から作られていることを特徴とするエレクトロ
ルミネツセンス構造。 ２ 該配線部６は、全体的に黒色材料から作られ
ていることを特徴とする特許請求の範囲第１項に
記載のエレクトロルミネツセンス構造。
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| FI801318A FI60332C (fi) | 1980-04-24 | 1980-04-24 | Elektroluminensstruktur |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS56168389A JPS56168389A (en) | 1981-12-24 |
| JPH03757B2 true JPH03757B2 (ja) | 1991-01-08 |
Family
ID=8513434
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5991481A Granted JPS56168389A (en) | 1980-04-24 | 1981-04-22 | Electroluminescence structure |
Country Status (8)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4488084A (ja) |
| JP (1) | JPS56168389A (ja) |
| DD (1) | DD158305A5 (ja) |
| DE (1) | DE3114199A1 (ja) |
| FI (1) | FI60332C (ja) |
| FR (1) | FR2481495A1 (ja) |
| GB (1) | GB2074787B (ja) |
| SU (1) | SU1301327A3 (ja) |
Families Citing this family (15)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE3231727A1 (de) * | 1981-09-21 | 1983-04-07 | Sun Chemical Corp., New York, N.Y. | Elektrolumineszente anzeigevorrichtung |
| CA1243762A (en) * | 1983-10-11 | 1988-10-25 | Martin P. Schrank | Thin film electroluminescent display device |
| US4547702A (en) * | 1983-10-11 | 1985-10-15 | Gte Products Corporation | Thin film electroluminscent display device |
| JPS60112098U (ja) * | 1984-01-05 | 1985-07-29 | 沖電気工業株式会社 | 薄膜ｅｌパネル |
| JPS60193295A (ja) * | 1984-03-13 | 1985-10-01 | 日産自動車株式会社 | 薄膜ｅｌ素子 |
| JPH0348879Y2 (ja) * | 1985-03-18 | 1991-10-18 | ||
| JPS61284092A (ja) * | 1985-06-07 | 1986-12-15 | アルプス電気株式会社 | 薄膜ｅｌ表示素子 |
| JPS61281279A (ja) * | 1985-06-07 | 1986-12-11 | アルプス電気株式会社 | 薄膜ｅｌ表示素子 |
| US4963788A (en) * | 1988-07-14 | 1990-10-16 | Planar Systems, Inc. | Thin film electroluminescent display with improved contrast |
| EP0675362B1 (en) * | 1994-03-30 | 2000-09-27 | Johnson & Johnson Clinical Diagnostics, Inc. | Minimizing interferences in chemiluminescent thin-film immunoassays |
| CN1083583C (zh) * | 1995-08-16 | 2002-04-24 | 卡西欧计算机株式会社 | 装有发光装置的电子仪表 |
| GB9901334D0 (en) | 1998-12-08 | 1999-03-10 | Cambridge Display Tech Ltd | Display devices |
| US7025894B2 (en) * | 2001-10-16 | 2006-04-11 | Hewlett-Packard Development Company, L.P. | Fluid-ejection devices and a deposition method for layers thereof |
| KR100472502B1 (ko) * | 2001-12-26 | 2005-03-08 | 삼성에스디아이 주식회사 | 유기 전계 발광 표시 장치 |
| KR100858803B1 (ko) * | 2002-08-23 | 2008-09-17 | 삼성에스디아이 주식회사 | 유기전계발광 표시장치 |
Family Cites Families (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US3087085A (en) * | 1959-07-08 | 1963-04-23 | Ferranti Ltd | Electroluminescent screen for cathode-ray tubes |
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-
1980
- 1980-04-24 FI FI801318A patent/FI60332C/fi not_active IP Right Cessation
-
1981
- 1981-03-31 GB GB8110047A patent/GB2074787B/en not_active Expired
- 1981-04-06 US US06/251,087 patent/US4488084A/en not_active Expired - Fee Related
- 1981-04-08 DE DE19813114199 patent/DE3114199A1/de active Granted
- 1981-04-10 FR FR8107210A patent/FR2481495A1/fr active Granted
- 1981-04-13 SU SU813270447A patent/SU1301327A3/ru active
- 1981-04-22 JP JP5991481A patent/JPS56168389A/ja active Granted
- 1981-04-23 DD DD81229450A patent/DD158305A5/de not_active IP Right Cessation
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| FI60332B (fi) | 1981-08-31 |
| DE3114199A1 (de) | 1982-03-25 |
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