JPS60193295A - 薄膜ｅｌ素子 - Google Patents
薄膜ｅｌ素子Info
- Publication number
- JPS60193295A JPS60193295A JP59046596A JP4659684A JPS60193295A JP S60193295 A JPS60193295 A JP S60193295A JP 59046596 A JP59046596 A JP 59046596A JP 4659684 A JP4659684 A JP 4659684A JP S60193295 A JPS60193295 A JP S60193295A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- layer
- thin film
- voltage
- dielectric
- black
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（イ）技術分野
本発明は表示効率がすぐれ耐圧の大きい背面電極構造の
薄膜ＥＬ素子に関する。
薄膜ＥＬ素子に関する。
（ロ）背景技術
本出願人が以前、提案した薄膜ＥＬ素子は第１図に示す
ようにガラス基板ｌ上に透明電極２と、ｙ、ｏ、や５ｉ
ｚＮ４などから成る第１の誘電体層３と、Ｍｎなどを微
量含むＺｎＳから成る発光層４と、第１の誘電体層と同
様の材質から成る第２の誘電体Ｍ５と２電子ビ一ム蒸着
法やスパッタリングによって順次積層した上に、黒色背
面電極として５０〜３００ＡのＭｏ ＪＷ ６と５’Ｏ
〜３００ＡのＡ１２０１層７とｄ層８とから成る３層膜
を電子ビーム蒸着またはスパッタリングによって積層し
たものである（たとえば特願昭５８−１９１２８号）。
ようにガラス基板ｌ上に透明電極２と、ｙ、ｏ、や５ｉ
ｚＮ４などから成る第１の誘電体層３と、Ｍｎなどを微
量含むＺｎＳから成る発光層４と、第１の誘電体層と同
様の材質から成る第２の誘電体Ｍ５と２電子ビ一ム蒸着
法やスパッタリングによって順次積層した上に、黒色背
面電極として５０〜３００ＡのＭｏ ＪＷ ６と５’Ｏ
〜３００ＡのＡ１２０１層７とｄ層８とから成る３層膜
を電子ビーム蒸着またはスパッタリングによって積層し
たものである（たとえば特願昭５８−１９１２８号）。
このような黒色背面電極を用いると外来光の反射が低減
し、表示のフントラストが向上して高い視認性が得られ
る。
し、表示のフントラストが向上して高い視認性が得られ
る。
ところで、このような黒色ｔ４ｉｍ４層を有する薄膜Ｅ
Ｌ素子Ｆｉ電気的には第２図に示すような等価回路にな
ると考えられる。図かられかるように、ＥＬ素子に等測
的には各薄膜と電極とで形成される直列接続コンデンサ
Ｃ１〜Ｃ４から成ると考えられ、ＥＬ素子を駆動するた
めの交流電圧Ｅは各コンデンサの容量に応じて分圧され
て印加される。ところが黒色電極構造を有する薄膜ＥＬ
素子の場合、上述したように、第２の誘電体層５とｋｔ
電極層８との間にＭｏ層６と比軸的誘電率の小さなＣ２
０３層７が挿入される構造となっているので、ミ、′駆
動交流電圧ＥのうちコンデンサＣ３，Ｃ４に印加される
電圧外が大きくなり、最も大きな電圧を印加したいコン
デンサＣ２すなわち発光１・Ｃ４に印加される電圧外が
小さくなってし１つため表示効率が悪くなる。またＭｏ
層６、ｋ１２０３層７、ｙ層８によって形成されるコン
デンサＣ４に比較的大きな電圧が印加されるのに反して
豆２０３層７が薄いため耐圧が不安定であり、この部分
の耐圧破壊によって素子自体が連鎖的に破壊することも
考えられる。
Ｌ素子Ｆｉ電気的には第２図に示すような等価回路にな
ると考えられる。図かられかるように、ＥＬ素子に等測
的には各薄膜と電極とで形成される直列接続コンデンサ
Ｃ１〜Ｃ４から成ると考えられ、ＥＬ素子を駆動するた
めの交流電圧Ｅは各コンデンサの容量に応じて分圧され
て印加される。ところが黒色電極構造を有する薄膜ＥＬ
素子の場合、上述したように、第２の誘電体層５とｋｔ
電極層８との間にＭｏ層６と比軸的誘電率の小さなＣ２
０３層７が挿入される構造となっているので、ミ、′駆
動交流電圧ＥのうちコンデンサＣ３，Ｃ４に印加される
電圧外が大きくなり、最も大きな電圧を印加したいコン
デンサＣ２すなわち発光１・Ｃ４に印加される電圧外が
小さくなってし１つため表示効率が悪くなる。またＭｏ
層６、ｋ１２０３層７、ｙ層８によって形成されるコン
デンサＣ４に比較的大きな電圧が印加されるのに反して
豆２０３層７が薄いため耐圧が不安定であり、この部分
の耐圧破壊によって素子自体が連鎖的に破壊することも
考えられる。
（ハ）発明の目的および描戊
本発明は上記の点にかんがみてなされたもので、表示効
率がすぐれ耐圧の大きい背面電極構造を有する薄膜ＥＬ
素子を提供することを目的とし、この目的を達成するた
めに背面１極を構成する誘電体層と２層の金属層のうち
２層の金属層を電気的に短絡するように構成したもので
ある。
率がすぐれ耐圧の大きい背面電極構造を有する薄膜ＥＬ
素子を提供することを目的とし、この目的を達成するた
めに背面１極を構成する誘電体層と２層の金属層のうち
２層の金属層を電気的に短絡するように構成したもので
ある。
に）実施例
以下本発明を図面に基づいて説明する。
第３図は本発明による薄膜ＥＬ素子の一実施例を示して
おり、図中第１図と同じ参照番号は同じ構成部分を示し
ている。
おり、図中第１図と同じ参照番号は同じ構成部分を示し
ている。
この実施例においては、第２の誘電体層５の上にＭｏ層
６を形成した後このＭｏ層６の形成範囲よりも敬重内側
の領域に、Ｃ２０ａ層７を形成する。その後Ｍｏ層６の
形成範囲と同じかそれより大きい領域にａ層８を形成す
る。これら各層の形成領域は所定の寸法に穴をあけたス
テンレス薄板（マスク）を基板に密着させ、蒸着または
スパッタリングによって所定領域に規制することができ
る。また、黒色電極形成後マトリクスや７セグメントな
どのベターンにパターン化することはエツチングなどに
よって自由に行うことができる。
６を形成した後このＭｏ層６の形成範囲よりも敬重内側
の領域に、Ｃ２０ａ層７を形成する。その後Ｍｏ層６の
形成範囲と同じかそれより大きい領域にａ層８を形成す
る。これら各層の形成領域は所定の寸法に穴をあけたス
テンレス薄板（マスク）を基板に密着させ、蒸着または
スパッタリングによって所定領域に規制することができ
る。また、黒色電極形成後マトリクスや７セグメントな
どのベターンにパターン化することはエツチングなどに
よって自由に行うことができる。
このように、黒色電極を形成するＣ２０３層７をＭｏ層
６およびＡＬ層８よりも狭い領域に形成することにより
Ｍｏ層６とＡｔ層８とが薄膜形成領域の周辺部で接触し
て電気的に短絡される〇これによりに１２０３層７を両
側から挾んでコンデンサ電極となっていたＭｏ層６とＡ
ｔ Ｊｆ４８とが同電位となりコンデンサＣ４（第２図
参照）が形成されなくなるのでＡｔ２０３層７の膜厚は
素子の駆” 動交流亀圧Ｅに影響しなくなる。すなわち
駆動交流電圧Ｅの一部がＡｌ２Ｏ＋層７に印加されるこ
とがなくなる。そのためにその分だけ発光層４に印加さ
れる電圧外を高めることができ表示効率を向上させるこ
とができるとともにｈｔｚｏ３ＫＪ７の耐圧は問題がな
くなる。発光層４に印加される電圧外を従来どおりでよ
いとすれば当然の結果として、ＥＬ素子に印加する駆動
交流電圧を減少させることができ、実験によればこの減
少分は約１０％にもなる。
６およびＡＬ層８よりも狭い領域に形成することにより
Ｍｏ層６とＡｔ層８とが薄膜形成領域の周辺部で接触し
て電気的に短絡される〇これによりに１２０３層７を両
側から挾んでコンデンサ電極となっていたＭｏ層６とＡ
ｔ Ｊｆ４８とが同電位となりコンデンサＣ４（第２図
参照）が形成されなくなるのでＡｔ２０３層７の膜厚は
素子の駆” 動交流亀圧Ｅに影響しなくなる。すなわち
駆動交流電圧Ｅの一部がＡｌ２Ｏ＋層７に印加されるこ
とがなくなる。そのためにその分だけ発光層４に印加さ
れる電圧外を高めることができ表示効率を向上させるこ
とができるとともにｈｔｚｏ３ＫＪ７の耐圧は問題がな
くなる。発光層４に印加される電圧外を従来どおりでよ
いとすれば当然の結果として、ＥＬ素子に印加する駆動
交流電圧を減少させることができ、実験によればこの減
少分は約１０％にもなる。
（ホ）発明の詳細
な説明したように、本発明は誘電体層を金属層で挾んで
構成した黒色電極構造の薄膜ＥＬ素子において、黒色電
極を構成する２つの金属層を電気的に短絡する構造とし
たので、高い視認性を損うことなく駆動屯田を低下する
ことができ耐圧の低い駆動回路素子を使用することがで
きるようになる。その結果回路のコストを下げることが
できる。また膜厚が薄いために比較的耐圧が不安定なＣ
２０３層などの誘電体層に印加する電圧がなくなるので
耐圧破壊の心配がなくなりＥＬ素子の歩留りや信頼性を
大幅に向上することができる。
構成した黒色電極構造の薄膜ＥＬ素子において、黒色電
極を構成する２つの金属層を電気的に短絡する構造とし
たので、高い視認性を損うことなく駆動屯田を低下する
ことができ耐圧の低い駆動回路素子を使用することがで
きるようになる。その結果回路のコストを下げることが
できる。また膜厚が薄いために比較的耐圧が不安定なＣ
２０３層などの誘電体層に印加する電圧がなくなるので
耐圧破壊の心配がなくなりＥＬ素子の歩留りや信頼性を
大幅に向上することができる。
第１図は従来の薄膜ＥＬ素子の構造を示す断面図、第２
図は第１図に示した従来の薄膜ＥＬ素子の等価回路、第
３図は本発明による薄膜ＥＬ素子の一実施例の断面図で
ある。 １・・・ガラス基板、２・・・透明電極、３，５・・・
誘電体層、４・・・発光層、６− Ｍｏ層、７ ・ｄｔ
Ｏｓ ＮＩＪ ｓ８・・・ｄ層 特許出願人 日産自動車株式会社 代理人 弁理士 鈴 木 弘 男
図は第１図に示した従来の薄膜ＥＬ素子の等価回路、第
３図は本発明による薄膜ＥＬ素子の一実施例の断面図で
ある。 １・・・ガラス基板、２・・・透明電極、３，５・・・
誘電体層、４・・・発光層、６− Ｍｏ層、７ ・ｄｔ
Ｏｓ ＮＩＪ ｓ８・・・ｄ層 特許出願人 日産自動車株式会社 代理人 弁理士 鈴 木 弘 男
Claims (1)
- 透明ガラス基板上に、透明電極と、誘電体層と、発光層
と、誘電体Ｎを２層の金属層で挾持して楢或した黒色背
面電極とを順次積層して成る薄膜ＥＬ素子において、前
記黒色背面電極を構成する２層の金１４層を°占気的に
短絡したことを特徴とする薄膜ＥＬ素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59046596A JPS60193295A (ja) | 1984-03-13 | 1984-03-13 | 薄膜ｅｌ素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59046596A JPS60193295A (ja) | 1984-03-13 | 1984-03-13 | 薄膜ｅｌ素子 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60193295A true JPS60193295A (ja) | 1985-10-01 |
| JPH0416917B2 JPH0416917B2 (ja) | 1992-03-25 |
Family
ID=12751676
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59046596A Granted JPS60193295A (ja) | 1984-03-13 | 1984-03-13 | 薄膜ｅｌ素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60193295A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63105183U (ja) * | 1986-12-26 | 1988-07-07 |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS54104788A (en) * | 1978-02-03 | 1979-08-17 | Sharp Corp | Thin film el panel |
| JPS56168389A (en) * | 1980-04-24 | 1981-12-24 | Lohja Ab Oy | Electroluminescence structure |
| JPS5746494A (en) * | 1980-09-01 | 1982-03-16 | Sharp Kk | Electrode structure for thin film el panel |
-
1984
- 1984-03-13 JP JP59046596A patent/JPS60193295A/ja active Granted
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS54104788A (en) * | 1978-02-03 | 1979-08-17 | Sharp Corp | Thin film el panel |
| JPS56168389A (en) * | 1980-04-24 | 1981-12-24 | Lohja Ab Oy | Electroluminescence structure |
| JPS5746494A (en) * | 1980-09-01 | 1982-03-16 | Sharp Kk | Electrode structure for thin film el panel |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63105183U (ja) * | 1986-12-26 | 1988-07-07 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0416917B2 (ja) | 1992-03-25 |
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