JPH0375828B2 - - Google Patents
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- JPH0375828B2 JPH0375828B2 JP61236910A JP23691086A JPH0375828B2 JP H0375828 B2 JPH0375828 B2 JP H0375828B2 JP 61236910 A JP61236910 A JP 61236910A JP 23691086 A JP23691086 A JP 23691086A JP H0375828 B2 JPH0375828 B2 JP H0375828B2
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- acceleration sensor
- damping liquid
- semiconductor acceleration
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01P—MEASURING LINEAR OR ANGULAR SPEED, ACCELERATION, DECELERATION, OR SHOCK; INDICATING PRESENCE, ABSENCE, OR DIRECTION, OF MOVEMENT
- G01P15/00—Measuring acceleration; Measuring deceleration; Measuring shock, i.e. sudden change of acceleration
- G01P15/02—Measuring acceleration; Measuring deceleration; Measuring shock, i.e. sudden change of acceleration by making use of inertia forces using solid seismic masses
- G01P15/08—Measuring acceleration; Measuring deceleration; Measuring shock, i.e. sudden change of acceleration by making use of inertia forces using solid seismic masses with conversion into electric or magnetic values
- G01P2015/0805—Measuring acceleration; Measuring deceleration; Measuring shock, i.e. sudden change of acceleration by making use of inertia forces using solid seismic masses with conversion into electric or magnetic values being provided with a particular type of spring-mass-system for defining the displacement of a seismic mass due to an external acceleration
- G01P2015/0822—Measuring acceleration; Measuring deceleration; Measuring shock, i.e. sudden change of acceleration by making use of inertia forces using solid seismic masses with conversion into electric or magnetic values being provided with a particular type of spring-mass-system for defining the displacement of a seismic mass due to an external acceleration for defining out-of-plane movement of the mass
- G01P2015/0825—Measuring acceleration; Measuring deceleration; Measuring shock, i.e. sudden change of acceleration by making use of inertia forces using solid seismic masses with conversion into electric or magnetic values being provided with a particular type of spring-mass-system for defining the displacement of a seismic mass due to an external acceleration for defining out-of-plane movement of the mass for one single degree of freedom of movement of the mass
- G01P2015/0828—Measuring acceleration; Measuring deceleration; Measuring shock, i.e. sudden change of acceleration by making use of inertia forces using solid seismic masses with conversion into electric or magnetic values being provided with a particular type of spring-mass-system for defining the displacement of a seismic mass due to an external acceleration for defining out-of-plane movement of the mass for one single degree of freedom of movement of the mass the mass being of the paddle type being suspended at one of its longitudinal ends
Landscapes
- Measurement Of Mechanical Vibrations Or Ultrasonic Waves (AREA)
- Pressure Sensors (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、振動子及びダンピング液をそのパツ
ケージ内に備えた半導体式加速度センサに関す
る。
ケージ内に備えた半導体式加速度センサに関す
る。
従来、振動や加速度等を検知するのに一般的に
用いられる構造としては、半導体基板に半導体歪
ゲージの形成される薄肉状のダイヤフラム部を形
成し、一方の厚肉部である支持体を固定し、他方
の厚肉部を自由端として、半導体歪ゲージの抵抗
値変化に応じて被測定力を検知するカンチレバー
型の半導体式加速速度センサ等が知られている。
用いられる構造としては、半導体基板に半導体歪
ゲージの形成される薄肉状のダイヤフラム部を形
成し、一方の厚肉部である支持体を固定し、他方
の厚肉部を自由端として、半導体歪ゲージの抵抗
値変化に応じて被測定力を検知するカンチレバー
型の半導体式加速速度センサ等が知られている。
そして、その様な半導体式加速度センサにおい
ては、そのカンチレバーの形状で特性がほぼ決定
されており、カンチレバー自身の共振周波数域
（通常、350〜400Hz程度）ではその他の周波数域
における出力の数十倍の出力が出てしまう。そこ
で、例えば自動車の加速度等を検出しようとする
場合には低周波数域（通常、10Hz程度以下）しか
必要としないので、共振周波数域を含む比較的高
い周波数域を遮断する為に、シリコンオイル等の
ダンピング液中にカンチレバーを配置する事で粘
性抵抗力による減衰作用を利用してダンピング液
を機械的なハイカツトフイルタとして用いてい
る。
ては、そのカンチレバーの形状で特性がほぼ決定
されており、カンチレバー自身の共振周波数域
（通常、350〜400Hz程度）ではその他の周波数域
における出力の数十倍の出力が出てしまう。そこ
で、例えば自動車の加速度等を検出しようとする
場合には低周波数域（通常、10Hz程度以下）しか
必要としないので、共振周波数域を含む比較的高
い周波数域を遮断する為に、シリコンオイル等の
ダンピング液中にカンチレバーを配置する事で粘
性抵抗力による減衰作用を利用してダンピング液
を機械的なハイカツトフイルタとして用いてい
る。
ここで、上記のような半導体式加速度センサに
おいては、温度変化によるダンピング液の膨張、
収縮を考慮すると、少量の空気をそのパツケージ
内に同封するのが望ましい。そして、そのような
場合、パツケージ内にはダンピング液が充満して
いないので、半導体式加速度センサが振動する
と、ダンピング液は波立ち、これ医が半導体式加
速度センサに対してノイズとして悪影響を与え
る。又、ある程度高い周波数域に渡り半導体式加
速度センサを使用する場合、ダンピング液の粘度
を低くする必要があり、ダンピング液は益々波立
ち、ノイズも大きくなつてしまうという問題が生
じてくる。
おいては、温度変化によるダンピング液の膨張、
収縮を考慮すると、少量の空気をそのパツケージ
内に同封するのが望ましい。そして、そのような
場合、パツケージ内にはダンピング液が充満して
いないので、半導体式加速度センサが振動する
と、ダンピング液は波立ち、これ医が半導体式加
速度センサに対してノイズとして悪影響を与え
る。又、ある程度高い周波数域に渡り半導体式加
速度センサを使用する場合、ダンピング液の粘度
を低くする必要があり、ダンピング液は益々波立
ち、ノイズも大きくなつてしまうという問題が生
じてくる。
そこで本発明は、上記の点に鑑みなされたもの
であり、ダンピング液の波立ちの影響を低減する
事を目的としている。
であり、ダンピング液の波立ちの影響を低減する
事を目的としている。
上記の目的を達成する為に本発明は、その一部
を固定し、他部を自由端とした振動子と、ダンピ
ング液とをそのパツケージ内に備えた半導体式加
速度センサにおいて、 前記パツケージ内を複数の領域に分けるもので
あり、前記振動子の存在する領域には前記ダンピ
ング液が充満し、他の領域には該ダンピング液と
気体とが配置するような位置に形成され、且つ、
前記複数の領域を連通する通路を形成する隔壁を
前記パツケージ内に備える事を特徴とする半導体
式加速度センサを採用している。
を固定し、他部を自由端とした振動子と、ダンピ
ング液とをそのパツケージ内に備えた半導体式加
速度センサにおいて、 前記パツケージ内を複数の領域に分けるもので
あり、前記振動子の存在する領域には前記ダンピ
ング液が充満し、他の領域には該ダンピング液と
気体とが配置するような位置に形成され、且つ、
前記複数の領域を連通する通路を形成する隔壁を
前記パツケージ内に備える事を特徴とする半導体
式加速度センサを採用している。
そこで本発明によると、ダンピング液と気体と
が存在する領域でダンピング液が波立つたとして
も、その波立ちは隔壁の通路の部分で減衰される
ので振動子に対する影響は低減される。又、温度
変化によつてダンピング液が膨張、収縮したとし
ても、その変化分は通路を通つて気体によつて吸
収される。
が存在する領域でダンピング液が波立つたとして
も、その波立ちは隔壁の通路の部分で減衰される
ので振動子に対する影響は低減される。又、温度
変化によつてダンピング液が膨張、収縮したとし
ても、その変化分は通路を通つて気体によつて吸
収される。
以下、本発明を図面に示す実施例を用いて説明
する。
する。
第１図は本発明の一実施例の全体構成を示す図
であり、同図ａにその破砕断面図、同図ｂに同図
ａにおけるＢ−Ｂ線断面図、同図ｃに同図ａにお
けるＣ−Ｃ線断面図を示す。図において、１００
はコバール等の金属より成るステムであり、パツ
ケージのベースを構成する。そして、その外周で
ある溶接部１０１をのぞいて、後述する台座６、
ストツパー２００等を搭載する凸部がプレス加工
等により形成されており、又、外部との電気接続
をする為に例えば４つの貫通孔があり、その貫通
孔に硬質ガラス５００を溶着する事により介在し
てリード端子４００が固定されている。尚、４０
１は半導体式加速度センサの取付け用の足となる
部材であり、又、リード端子４００とステム１０
０とは硬質ガラス５００により電気的に絶縁され
ている。
であり、同図ａにその破砕断面図、同図ｂに同図
ａにおけるＢ−Ｂ線断面図、同図ｃに同図ａにお
けるＣ−Ｃ線断面図を示す。図において、１００
はコバール等の金属より成るステムであり、パツ
ケージのベースを構成する。そして、その外周で
ある溶接部１０１をのぞいて、後述する台座６、
ストツパー２００等を搭載する凸部がプレス加工
等により形成されており、又、外部との電気接続
をする為に例えば４つの貫通孔があり、その貫通
孔に硬質ガラス５００を溶着する事により介在し
てリード端子４００が固定されている。尚、４０
１は半導体式加速度センサの取付け用の足となる
部材であり、又、リード端子４００とステム１０
０とは硬質ガラス５００により電気的に絶縁され
ている。
次に、ステム１００上に搭載され、カンチレバ
ー４ａ及び台座６により成るセンサエレメントに
ついて、第２図ａに示すその上面図、及び第２図
ｂに示す同図ａにおけるＡ−Ａ線断面図を用いて
説明する。図において、４ａは例えばＮ型シリコ
ン単結晶基板から成るカンチレバーであり、薄肉
状のダイヤフラム部７、自由端１、自由端１を保
護する為に自由端１の周りに配置するガード部４
a1、支持体８とから成る。尚、自由端１とガード
部４a1との間隙４a2を形成する為のスクライブは
カンチレバー４ａを両面エツチングする事により
行われ、例えば、カンチレバー４ａのスクライブ
する箇所の表面（第２図ｂにおける上面）を予め
溝掘りエツチングしておき、その後のダイヤフラ
ム部７の形成時に裏面よりエツチングを行う時で
ダイヤフラム部７の形成とスクライブとを同時に
行う。
ー４ａ及び台座６により成るセンサエレメントに
ついて、第２図ａに示すその上面図、及び第２図
ｂに示す同図ａにおけるＡ−Ａ線断面図を用いて
説明する。図において、４ａは例えばＮ型シリコ
ン単結晶基板から成るカンチレバーであり、薄肉
状のダイヤフラム部７、自由端１、自由端１を保
護する為に自由端１の周りに配置するガード部４
a1、支持体８とから成る。尚、自由端１とガード
部４a1との間隙４a2を形成する為のスクライブは
カンチレバー４ａを両面エツチングする事により
行われ、例えば、カンチレバー４ａのスクライブ
する箇所の表面（第２図ｂにおける上面）を予め
溝掘りエツチングしておき、その後のダイヤフラ
ム部７の形成時に裏面よりエツチングを行う時で
ダイヤフラム部７の形成とスクライブとを同時に
行う。
支持体８及びガード部４a1の所定領域の表面に
はNi層等をめつき又は蒸着した下地層３ｂが形
成されており、同じく下地層３ｂの形成されてい
る台座６と半田層５ｂを介して接着している。
尚、台座６にカンチレバー４ａが被測定加速度に
応じて変位できるように、又、過度の変位によつ
て破損しないようにカンチレバー４ａと相対する
面に所定の深さの凹部６ａが形成されており、
又、その凹部６ａは後述するダンピング液７００
がセンサエレメントを自由に出入りする事ができ
るように一方の端面から他方の端面にわたつて形
成されている。
はNi層等をめつき又は蒸着した下地層３ｂが形
成されており、同じく下地層３ｂの形成されてい
る台座６と半田層５ｂを介して接着している。
尚、台座６にカンチレバー４ａが被測定加速度に
応じて変位できるように、又、過度の変位によつ
て破損しないようにカンチレバー４ａと相対する
面に所定の深さの凹部６ａが形成されており、
又、その凹部６ａは後述するダンピング液７００
がセンサエレメントを自由に出入りする事ができ
るように一方の端面から他方の端面にわたつて形
成されている。
自由端１の一主面（接着面）２には複数箇所
（図では７箇所）に下地層３ａが形成されており、
その下地層３ａを介して負荷としての半田層５ａ
を接着している。ここで、本例のように半田層５
ａを複数個所に形成する事により半田の垂れ、片
寄りを制御される。尚、下地層３ａ及び半田層５
ａは、支持体８又はガード部４a1の表面上に形成
される下地層３ｂ及び半田層５ｂとそれぞれ同時
に同じ工程で形成可能である。
（図では７箇所）に下地層３ａが形成されており、
その下地層３ａを介して負荷としての半田層５ａ
を接着している。ここで、本例のように半田層５
ａを複数個所に形成する事により半田の垂れ、片
寄りを制御される。尚、下地層３ａ及び半田層５
ａは、支持体８又はガード部４a1の表面上に形成
される下地層３ｂ及び半田層５ｂとそれぞれ同時
に同じ工程で形成可能である。
ダイヤフラム部７内あるいはダイヤフラム部７
上（図は前者）には公知の半導体加工技術、例え
ばボロン等のＰ型不純物を熱拡散熱又はイオン注
入する事によりダイヤフラム部７内に導入し、形
成した４個の半導体歪ケージ９が存在しており、
Ｐ型不純物を高濃度で導入して形成した配線層１
１ａ、及びAl蒸着膜等から成る配線部材１１ｂ
により各々の半導体歪ゲージ９は互いに電気的接
続されておりフルブリツジを構成している。尚、
配線量１１ａは万一ダイヤフラム部７が破損した
場合に半導体式加速度センサの出力として異常信
号を出せるように自由端１にまで達するように形
成されており、又、図中１０はシリコン酸化膜等
の保護膜、１１b1は配線層１１ａと配線部材１１
ｂとのコンタクト部、１１b2はパツド部であり、
パツド部１１b2とリード端子４００とはワイヤ線
３００をワイヤボンデイングする事により電気接
続している。
上（図は前者）には公知の半導体加工技術、例え
ばボロン等のＰ型不純物を熱拡散熱又はイオン注
入する事によりダイヤフラム部７内に導入し、形
成した４個の半導体歪ケージ９が存在しており、
Ｐ型不純物を高濃度で導入して形成した配線層１
１ａ、及びAl蒸着膜等から成る配線部材１１ｂ
により各々の半導体歪ゲージ９は互いに電気的接
続されておりフルブリツジを構成している。尚、
配線量１１ａは万一ダイヤフラム部７が破損した
場合に半導体式加速度センサの出力として異常信
号を出せるように自由端１にまで達するように形
成されており、又、図中１０はシリコン酸化膜等
の保護膜、１１b1は配線層１１ａと配線部材１１
ｂとのコンタクト部、１１b2はパツド部であり、
パツド部１１b2とリード端子４００とはワイヤ線
３００をワイヤボンデイングする事により電気接
続している。
そして、上記のセンサエレメントは、自由端１
に加速度を加えるとダイヤフラム部７に歪を生
じ、加速度の大きさに応じて半導体歪ゲージ９の
抵抗値が変化し、ブリツジ回路に予め電圧を印加
しておくことによりブリツジ出力として不平衡電
圧を生じ、その電圧値に応じて被検出加速度を検
知するものであり、半田等によりステム１００に
台座６を接着する事によつて固定している。
に加速度を加えるとダイヤフラム部７に歪を生
じ、加速度の大きさに応じて半導体歪ゲージ９の
抵抗値が変化し、ブリツジ回路に予め電圧を印加
しておくことによりブリツジ出力として不平衡電
圧を生じ、その電圧値に応じて被検出加速度を検
知するものであり、半田等によりステム１００に
台座６を接着する事によつて固定している。
第１図において、２００はストツパーであり、
自由端１の台座６とは逆側への変位における機械
的ストツパーで、自由端１の上面とは所定の間隔
を有するように配置しており、その材質は例えば
コバール等から成り、半田等によりステム１００
に接着している。
自由端１の台座６とは逆側への変位における機械
的ストツパーで、自由端１の上面とは所定の間隔
を有するように配置しており、その材質は例えば
コバール等から成り、半田等によりステム１００
に接着している。
次に、６００は鉄等の金属より成るシエルであ
り、パツケージのキヤツプを構成しており、ステ
ム１００の溶接部１０１に相当する位置に同じく
溶接部６０１を有し、その他の部分はプレス加工
等によつて凹部が形成され箱形となつている。
又、このシエル６００の凹部内には本実施例の要
部である隔壁９００が接着されている。この隔壁
９００は、例えば鉄等より成り、その形状はＬ字
型で第１図中矢印を半導体式加速度センサの取付
けの際の上方向とすると、その方向に垂直になる
ように、又、後述するダンピング液７００を一定
量注入した際にそのダンピング液７００内に配置
するように、例えばスポツト溶接により隔壁９０
０に接合されている。又、隔壁９００には貫通孔
９０１が２箇所にあけられている。
り、パツケージのキヤツプを構成しており、ステ
ム１００の溶接部１０１に相当する位置に同じく
溶接部６０１を有し、その他の部分はプレス加工
等によつて凹部が形成され箱形となつている。
又、このシエル６００の凹部内には本実施例の要
部である隔壁９００が接着されている。この隔壁
９００は、例えば鉄等より成り、その形状はＬ字
型で第１図中矢印を半導体式加速度センサの取付
けの際の上方向とすると、その方向に垂直になる
ように、又、後述するダンピング液７００を一定
量注入した際にそのダンピング液７００内に配置
するように、例えばスポツト溶接により隔壁９０
０に接合されている。又、隔壁９００には貫通孔
９０１が２箇所にあけられている。
さらに、シエル６００にはパツケージの気密封
止後にダンピング液７００を注入する為の穴６０
２及びその際に空気を逃がす為の穴６０３が形成
されている。そして、シエル６００とステム１０
０とから成るパツケージの接合は、溶接部６０１
と溶接部１０１とを接触させて機械的な圧力を加
えつつ、シエル６００とステム１００間に通電す
る事により両者を電気抵抗溶接する事により気密
性よく行われる。そして、溶接語は吐出先が針状
の注入器を穴６０２に差し込み、例えばシリコン
オイル等のダンピング液７００を一定量、例えば
全容積の70〜80％程度注入する。その際、その分
の空気は穴６０３を通つてパツケージ外部に出る
が、パツケージ内部に残つた空気８００はダンピ
ング液７００と共に、穴６０２，６０３を半田に
より埋める事によつて封止される。
止後にダンピング液７００を注入する為の穴６０
２及びその際に空気を逃がす為の穴６０３が形成
されている。そして、シエル６００とステム１０
０とから成るパツケージの接合は、溶接部６０１
と溶接部１０１とを接触させて機械的な圧力を加
えつつ、シエル６００とステム１００間に通電す
る事により両者を電気抵抗溶接する事により気密
性よく行われる。そして、溶接語は吐出先が針状
の注入器を穴６０２に差し込み、例えばシリコン
オイル等のダンピング液７００を一定量、例えば
全容積の70〜80％程度注入する。その際、その分
の空気は穴６０３を通つてパツケージ外部に出る
が、パツケージ内部に残つた空気８００はダンピ
ング液７００と共に、穴６０２，６０３を半田に
より埋める事によつて封止される。
そこで本実施例によると、半導体式加速度セン
サに振動が加わつた場合、第１図ａにおいて隔壁
９００より下部の領域、すなわちセンサエレメン
トの存在する領域はダンピング液７００が充満し
ているのでその波立ちはなく、隔壁９００より上
部の領域はダンピング液７００と空気８００が存
在しており、ダンピング液は波立つがその波立ち
は貫通孔９０１によつて減衰され、センサエレメ
ントに対する影響は低減される。ここで、本実施
例におけるダンピング液７００の遮断周波数fcを
式に表すと、貫通孔９０１の半径をｒ、貫通孔９
０１の数をｎ、ダンピング液７００の粘度をａと
した場合、 fc∝ｋ・nr2／ａ ｋ：係数 ……(1) となり、遮断周波数fcは低いほど遮断される周波
数域が広がり、ダンピング液７００の波立ちの影
響を低減できると考えられるので、(1)式において
遮断周波数fcの値を低くする為にａを大きくする
か、ｎ、ｒを小さくすればよい。しかし、貫通孔
９０１を通つてダンピング液７００の行き来でき
るようにしなければならないので、その値には限
界があり、例えば自動車の加速度を検出する為に
本実施例の半導体式加速度センサを採用する場
合、遮断周波数fc＝20〜30Hz程度になる様に各値
を決定するのが望ましい。
サに振動が加わつた場合、第１図ａにおいて隔壁
９００より下部の領域、すなわちセンサエレメン
トの存在する領域はダンピング液７００が充満し
ているのでその波立ちはなく、隔壁９００より上
部の領域はダンピング液７００と空気８００が存
在しており、ダンピング液は波立つがその波立ち
は貫通孔９０１によつて減衰され、センサエレメ
ントに対する影響は低減される。ここで、本実施
例におけるダンピング液７００の遮断周波数fcを
式に表すと、貫通孔９０１の半径をｒ、貫通孔９
０１の数をｎ、ダンピング液７００の粘度をａと
した場合、 fc∝ｋ・nr2／ａ ｋ：係数 ……(1) となり、遮断周波数fcは低いほど遮断される周波
数域が広がり、ダンピング液７００の波立ちの影
響を低減できると考えられるので、(1)式において
遮断周波数fcの値を低くする為にａを大きくする
か、ｎ、ｒを小さくすればよい。しかし、貫通孔
９０１を通つてダンピング液７００の行き来でき
るようにしなければならないので、その値には限
界があり、例えば自動車の加速度を検出する為に
本実施例の半導体式加速度センサを採用する場
合、遮断周波数fc＝20〜30Hz程度になる様に各値
を決定するのが望ましい。
又、本実施例によると、温度変化によつてダン
ピング液７００が膨張、収縮したとしても、その
変化分は貫通孔９０１を通つて空気８００によつ
て吸収されるので、ダンピング液７００はほぼ一
定圧に保持され、測定値のダンピング液７００の
圧力変化による誤差をなくすと共にダンピング液
７００の漏れ、パツケージの破損を防止し得る。
ピング液７００が膨張、収縮したとしても、その
変化分は貫通孔９０１を通つて空気８００によつ
て吸収されるので、ダンピング液７００はほぼ一
定圧に保持され、測定値のダンピング液７００の
圧力変化による誤差をなくすと共にダンピング液
７００の漏れ、パツケージの破損を防止し得る。
第３図は本発明の他の実施例の全体構成を示す
図であり、同図ａにその破砕断面図、同図ｂに同
図ａにおけるＤ−Ｄ線断面図、同図ｃに同図ａに
おけるＥ−Ｅ線断面図を示す。尚、第３図におい
て第１図おける構成要素と同一構成要素には同一
符号を付してその説明は省略する。図において、
９００ａは隔壁であり、第１図における隔壁９０
０と同様の位置に配置している。そしてその形状
は、Ｌ字型でその一部に切欠き部９０１ａを有し
ている。１０００は例えばスポンジ等の多孔質の
樹脂であり、隔壁９００ａの上部全域に配置して
いる。尚、多孔質の樹脂１０００内には少量の空
気を含んでいる。又、本例において多孔質の樹脂
は隔壁９００ａの上部全域に配置している必要は
なく、少なくとも切欠き部９０１ａを覆うように
して配置してくればよい。
図であり、同図ａにその破砕断面図、同図ｂに同
図ａにおけるＤ−Ｄ線断面図、同図ｃに同図ａに
おけるＥ−Ｅ線断面図を示す。尚、第３図におい
て第１図おける構成要素と同一構成要素には同一
符号を付してその説明は省略する。図において、
９００ａは隔壁であり、第１図における隔壁９０
０と同様の位置に配置している。そしてその形状
は、Ｌ字型でその一部に切欠き部９０１ａを有し
ている。１０００は例えばスポンジ等の多孔質の
樹脂であり、隔壁９００ａの上部全域に配置して
いる。尚、多孔質の樹脂１０００内には少量の空
気を含んでいる。又、本例において多孔質の樹脂
は隔壁９００ａの上部全域に配置している必要は
なく、少なくとも切欠き部９０１ａを覆うように
して配置してくればよい。
そこで本実施例によると、第１図における実施
例の貫通孔９０１が有する機能を、多孔質の樹脂
１０００の孔が有しており、その孔は非常に小さ
く形成可能であるので(1)式におけるｒを小さくで
き、遮断周波数fcを非常に低くできる。
例の貫通孔９０１が有する機能を、多孔質の樹脂
１０００の孔が有しており、その孔は非常に小さ
く形成可能であるので(1)式におけるｒを小さくで
き、遮断周波数fcを非常に低くできる。
尚、本発明は上記実施例に限定される事なく、
その主旨を逸脱しない限り、例えば以下に示す如
く種々変形可能である。
その主旨を逸脱しない限り、例えば以下に示す如
く種々変形可能である。
(1) 隔壁９００には隔壁９００上部の領域をさら
に分けてダンピング液７００の波立ちをより低
減する為に、第４図の破砕断面図に示すよう
に、第１図に示す実施例の隔壁９００と垂直に
接着するようにして、他の隔壁９０２を形成し
てもよい。
に分けてダンピング液７００の波立ちをより低
減する為に、第４図の破砕断面図に示すよう
に、第１図に示す実施例の隔壁９００と垂直に
接着するようにして、他の隔壁９０２を形成し
てもよい。
(2) 隔壁９００，９００ａの上部と下部を連通す
るための通路は貫通孔９０１、切欠き部９０１
ａではなく、第５図の断面図に示すように単に
隔壁９００ｂを短くして隔壁９００ｂとステム
１００あるいはシエル６００（図は前者）との
間隙９０１ｂをその通路としてもよい。
るための通路は貫通孔９０１、切欠き部９０１
ａではなく、第５図の断面図に示すように単に
隔壁９００ｂを短くして隔壁９００ｂとステム
１００あるいはシエル６００（図は前者）との
間隙９０１ｂをその通路としてもよい。
(3) 各壁９００，９００ａはステム１００側に接
着されていてもよい。
着されていてもよい。
以上述べたように本発明によると、貫通孔ある
いは間隙を有する隔壁により、ダンピング液の波
立ちの影響を低減でき、又、温度変化によつてダ
ンピング液が膨張・収縮したとしても、その変化
分は隔壁に設けられた通路を通つて気体に吸収で
きるので、その測定値に誤差の含まない良好な半
導体式加速度センサを提供できるという効果があ
る。
いは間隙を有する隔壁により、ダンピング液の波
立ちの影響を低減でき、又、温度変化によつてダ
ンピング液が膨張・収縮したとしても、その変化
分は隔壁に設けられた通路を通つて気体に吸収で
きるので、その測定値に誤差の含まない良好な半
導体式加速度センサを提供できるという効果があ
る。
第１図ａは本発明の一実施例の破砕断面図、第
１図ｂは同図ａにおけるＢ−Ｂ線断面図、第１図
ｃは同図ａにおけるＣ−Ｃ線断面図、第２図ａは
第１図におけるセンサエレメントの上面図、第２
図ｂは同図ａにおけるＡ−Ａ線断面図、第３図ａ
は本発明の他の実施例の破砕断面図、第３図ｂは
同図ａにおけるＤ−Ｄ線断面図、第３図ｃは同図
ａにおけるＥ−Ｅ線断面図、第４図は第１図にお
ける実施例の他の例を示す破砕断面図、第５図は
本発明のさらに他の実施例の断面図である。 ４ａ……カンチレバー、１００……ステム、６
００……シエル、７００……ダンピング液、８０
０……空気、９００，９００ａ，９００ｂ，９０
２……隔壁、９０１……貫通孔、９０１ａ……切
欠き部、９０１ｂ……間隙、１０００……多孔質
の樹脂。
１図ｂは同図ａにおけるＢ−Ｂ線断面図、第１図
ｃは同図ａにおけるＣ−Ｃ線断面図、第２図ａは
第１図におけるセンサエレメントの上面図、第２
図ｂは同図ａにおけるＡ−Ａ線断面図、第３図ａ
は本発明の他の実施例の破砕断面図、第３図ｂは
同図ａにおけるＤ−Ｄ線断面図、第３図ｃは同図
ａにおけるＥ−Ｅ線断面図、第４図は第１図にお
ける実施例の他の例を示す破砕断面図、第５図は
本発明のさらに他の実施例の断面図である。 ４ａ……カンチレバー、１００……ステム、６
００……シエル、７００……ダンピング液、８０
０……空気、９００，９００ａ，９００ｂ，９０
２……隔壁、９０１……貫通孔、９０１ａ……切
欠き部、９０１ｂ……間隙、１０００……多孔質
の樹脂。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ その一部を固定し、他部を自由端とした振動
子と、ダンピング液とをそのパツケージ内に備え
た半導体加速度センサにおいて、 前記パツケージ内を複数の領域に分けるもので
あり、前記振動子の存在する領域には前記ダンピ
ング液が充満し、他の領域には該ダンピング液と
気体とが配置するような位置に形成され、且つ、
前記複数の領域を連通する通路を形成する隔壁を
前記パツケージ内に備える事を特徴とする半導体
式加速度センサ。 ２ 上記通路は、上記隔壁に形成された貫通孔あ
るいは切欠き部のいずれかである特許請求の範囲
第１項記載の半導体式加速度センサ。 ３ 上記通路は、上記隔壁と上記パツケージとの
間の間隙である特許請求の範囲第１項記載の半導
体式加速度センサ。 ４ 上記パツケージは、金属キヤツプ及び金属ベ
ースとから成り、両者を電気抵抗溶接する事によ
り気密封止するものである特許請求の範囲第１項
乃至第３項のいずれかに記載の半導体式加速度セ
ンサ。 ５ 上記隔壁は、その貫通孔、あるいは間隙を覆
うように多孔質の部材を接続しているものである
特許請求の範囲第１項乃至第４項のいずれかに記
載の半導体式加速度センサ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61236910A JPS6390774A (ja) | 1986-10-03 | 1986-10-03 | 半導体式加速度センサ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61236910A JPS6390774A (ja) | 1986-10-03 | 1986-10-03 | 半導体式加速度センサ |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6390774A JPS6390774A (ja) | 1988-04-21 |
| JPH0375828B2 true JPH0375828B2 (ja) | 1991-12-03 |
Family
ID=17007566
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61236910A Granted JPS6390774A (ja) | 1986-10-03 | 1986-10-03 | 半導体式加速度センサ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6390774A (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH057006A (ja) * | 1991-06-28 | 1993-01-14 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体加速度検出装置 |
| US5503016A (en) * | 1994-02-01 | 1996-04-02 | Ic Sensors, Inc. | Vertically mounted accelerometer chip |
-
1986
- 1986-10-03 JP JP61236910A patent/JPS6390774A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6390774A (ja) | 1988-04-21 |
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