JPH0376237A - 高周波半導体装置 - Google Patents
高周波半導体装置Info
- Publication number
- JPH0376237A JPH0376237A JP1213517A JP21351789A JPH0376237A JP H0376237 A JPH0376237 A JP H0376237A JP 1213517 A JP1213517 A JP 1213517A JP 21351789 A JP21351789 A JP 21351789A JP H0376237 A JPH0376237 A JP H0376237A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- semiconductor device
- semiconductor element
- wire
- heat dissipation
- dissipation plate
- Prior art date
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- Pending
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/50—Bond wires
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/50—Bond wires
- H10W72/541—Dispositions of bond wires
- H10W72/5445—Dispositions of bond wires being orthogonal to a side surface of the chip, e.g. parallel arrangements
Landscapes
- Wire Bonding (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明は特に高周波トランジスタに用いられる厚膜混
成集積回路に関するものである。
成集積回路に関するものである。
従来の高周波半導体装置の概要構成を第３図（ａ）。
伽）に示す、第３図（ａｌは上面図、第３図〜）は第３
図（ａ）のｚ−２線における断面図である０図において
、（１１はアルξす（Ａ ｌｘ Ｏｓ）等のセラ電ツク
材からなる絶縁基板、（２１，（３１，＋４１は絶縁基
板Ｉｌ＋の表面に形成された膜で、それぞれ入力用導体
膜、出力用導体膜および接地用導体膜である。（６）は
出力用導体膜（３）上にろう材により固着された例えば
銅製の放熱プレート（５）を介してろう付けされたＮＰ
Ｎ型トランジスタ等の半導体素子である。 （６ａ）、
（６ｂ）はそれぞれ入力ボンディングパッド、接地ポ
ンディングパッドである− （７ａ）は半導体構成のＭ
ＯＳ（金属酸化物半導体）容量で、−殻内に高周波トラ
ンジスタの入出力インピーダンスは極めて低いために用
いられている内部整合用の素子である。
図（ａ）のｚ−２線における断面図である０図において
、（１１はアルξす（Ａ ｌｘ Ｏｓ）等のセラ電ツク
材からなる絶縁基板、（２１，（３１，＋４１は絶縁基
板Ｉｌ＋の表面に形成された膜で、それぞれ入力用導体
膜、出力用導体膜および接地用導体膜である。（６）は
出力用導体膜（３）上にろう材により固着された例えば
銅製の放熱プレート（５）を介してろう付けされたＮＰ
Ｎ型トランジスタ等の半導体素子である。 （６ａ）、
（６ｂ）はそれぞれ入力ボンディングパッド、接地ポ
ンディングパッドである− （７ａ）は半導体構成のＭ
ＯＳ（金属酸化物半導体）容量で、−殻内に高周波トラ
ンジスタの入出力インピーダンスは極めて低いために用
いられている内部整合用の素子である。
（７ｂ）は単に下面と導通のバンドである。接地ポンデ
ィングパッド（６ｂ）とパッド（７ｂ）をワイヤ（９）
により接続しているが、高周波領域での動作になるとワ
イヤ長のりアクタンス威分の影響で高い性能が得られな
くなり、リアクタンス低減のために並列に設けられたも
のが接地用導体ブリッジ（８）であり、接地ポンディン
グパッドとの間をワイヤで接続している。このような半
導体装置において、半導体素子（６）が大電力を取り扱
う場合には絶縁基板（１）の下面に例えば銅製の放熱板
αωを金・錫あるいは半田等のろう材により固着してい
る。
ィングパッド（６ｂ）とパッド（７ｂ）をワイヤ（９）
により接続しているが、高周波領域での動作になるとワ
イヤ長のりアクタンス威分の影響で高い性能が得られな
くなり、リアクタンス低減のために並列に設けられたも
のが接地用導体ブリッジ（８）であり、接地ポンディン
グパッドとの間をワイヤで接続している。このような半
導体装置において、半導体素子（６）が大電力を取り扱
う場合には絶縁基板（１）の下面に例えば銅製の放熱板
αωを金・錫あるいは半田等のろう材により固着してい
る。
従来の高周波半導体装置は以上のように構成されていた
ので、入力導体膜とＭＯＳ容量と半導体素子及び接地用
導体ブリッジ（８）間での高さが不均一なために、ワイ
ヤのボンディング強度が弱く、断線及び接続外れ等が発
生し、熱的ストレスに対しても同様のことが生じやすく
、又、ワイヤのボンディング間隔が大きいためにワイヤ
長のばらつき、すなわち高周波特性のばらつきにもつな
がり、インダクタンス成分も大きいという問題点があっ
た。
ので、入力導体膜とＭＯＳ容量と半導体素子及び接地用
導体ブリッジ（８）間での高さが不均一なために、ワイ
ヤのボンディング強度が弱く、断線及び接続外れ等が発
生し、熱的ストレスに対しても同様のことが生じやすく
、又、ワイヤのボンディング間隔が大きいためにワイヤ
長のばらつき、すなわち高周波特性のばらつきにもつな
がり、インダクタンス成分も大きいという問題点があっ
た。
この発明は上記のような問題点を解決するためになされ
たものでワイヤのボンディング強度を増し、歩留り向上
とともに信頼性の向上がはかれ、又、インダクタンス成
分の低減による高周波特性の改善ならびにバラツキの少
ない高周波半導体装置を得ることを目的とする。
たものでワイヤのボンディング強度を増し、歩留り向上
とともに信頼性の向上がはかれ、又、インダクタンス成
分の低減による高周波特性の改善ならびにバラツキの少
ない高周波半導体装置を得ることを目的とする。
この発明に係る高周波半導体装置は、絶縁基板の第１の
主面に形成される入力用、出力用及び接地用導体膜と、
出力用導体膜上面にろう付けされる放熱プレートを介し
固着される半導体素子と、接地用導体ブリッジ及びＭＯ
Ｓ容量を備え、半導体素子上面と同一水平面上でワイヤ
ボンディングを可能にするマウント材及び凹型の放熱プ
レートを設けたものである。
主面に形成される入力用、出力用及び接地用導体膜と、
出力用導体膜上面にろう付けされる放熱プレートを介し
固着される半導体素子と、接地用導体ブリッジ及びＭＯ
Ｓ容量を備え、半導体素子上面と同一水平面上でワイヤ
ボンディングを可能にするマウント材及び凹型の放熱プ
レートを設けたものである。
この発明における高周波半導体装置は半導体素子上面と
同一の水平面上でワイヤボンディングすることにより、
ワイヤの信頼性向上とともに高周波特性が改善される。
同一の水平面上でワイヤボンディングすることにより、
ワイヤの信頼性向上とともに高周波特性が改善される。
以下、この発明の一実施例を図に従って説明する。第１
図（ａｌ、（ｂ）はこの発明の一実施例による高周波半
導体装置の上面図及び（１１）図のＸ−Ｘ線における断
面図である。第１ｒｊ！Ｊにおいて、前記従来のものと
同一符号は同一部分を示す０図において、αＤは入力用
導体膜上面にろう材により固着されたワイヤマウント材
である。（２）は接地用導体膜（４）とＭＯＳ容量（力
量にろう材により固着されたＭＯＳ容量マウント材で、
マウント材αｎ、 ａｓは例えば銅などを使用し、半導
体素子（６）上面と同一水平面上になるようにマウント
材の厚みを可変する。又、例えば銅などを使用した放熱
プレート（５）の中央部を凹状にすることにより、接地
用導体ブリッジ（８）も同様に同一水平面上になる°よ
うにする０本実施例においても半導体素子（６）で発生
した熱は放熱プレー） ＋５） 、絶縁基板（１）、放
熱板ａ・を介して放熱される。ここで熱は約４５°の角
度を持って広がるために、放熱プレート（５）の形状を
凹状にしても半導体素子（６）から凹状部分までの位置
を離せばほとんど熱抵抗は増加しない。又、ワイヤ（９
）の長さも従来のものより短かくすることができること
により、インダクタンス成分の低減による高周波特性の
向上とともにばらつきも小さくできる。
図（ａｌ、（ｂ）はこの発明の一実施例による高周波半
導体装置の上面図及び（１１）図のＸ−Ｘ線における断
面図である。第１ｒｊ！Ｊにおいて、前記従来のものと
同一符号は同一部分を示す０図において、αＤは入力用
導体膜上面にろう材により固着されたワイヤマウント材
である。（２）は接地用導体膜（４）とＭＯＳ容量（力
量にろう材により固着されたＭＯＳ容量マウント材で、
マウント材αｎ、 ａｓは例えば銅などを使用し、半導
体素子（６）上面と同一水平面上になるようにマウント
材の厚みを可変する。又、例えば銅などを使用した放熱
プレート（５）の中央部を凹状にすることにより、接地
用導体ブリッジ（８）も同様に同一水平面上になる°よ
うにする０本実施例においても半導体素子（６）で発生
した熱は放熱プレー） ＋５） 、絶縁基板（１）、放
熱板ａ・を介して放熱される。ここで熱は約４５°の角
度を持って広がるために、放熱プレート（５）の形状を
凹状にしても半導体素子（６）から凹状部分までの位置
を離せばほとんど熱抵抗は増加しない。又、ワイヤ（９
）の長さも従来のものより短かくすることができること
により、インダクタンス成分の低減による高周波特性の
向上とともにばらつきも小さくできる。
尚、上記実施例においてはＭＯ５容量（７）を挿入した
場合を示したが、第２図（ａｌ、（ｂ）のこの発明の他
の実施例の上面図およびＹ−Ｙ＆Ｉ断面図のように、Ｍ
ＯＳ容量が無い場合でもワイヤマウント材ａｒＪをろう
付けすることにより上述と同様の効果が得られる。
場合を示したが、第２図（ａｌ、（ｂ）のこの発明の他
の実施例の上面図およびＹ−Ｙ＆Ｉ断面図のように、Ｍ
ＯＳ容量が無い場合でもワイヤマウント材ａｒＪをろう
付けすることにより上述と同様の効果が得られる。
以上のようにこの発明によれば、半導体素子上面と同一
水平面上でワイヤボンディングすることにより、ワイヤ
の断線不良などを抑止することができ信頼性向上につな
がる。又、ワイヤ長を短かく出来ることにより高周波特
性の改善につながるという効果がある。
水平面上でワイヤボンディングすることにより、ワイヤ
の断線不良などを抑止することができ信頼性向上につな
がる。又、ワイヤ長を短かく出来ることにより高周波特
性の改善につながるという効果がある。
第１図＋ａｌｌ、（ｂｌはこの発明の一実施例による高
周波半導体装置の上面図及び断面図、第２図ｉａｌ、（
ｂｌはこの発明の他の実施例を、示す高５周波半導体装
置の上面図及び断面図、第３図（ａ）、（ｂ）は従来の
高周波半導体装置の上面図及び断面図である１図におい
て、（１１は絶縁基板、（２）は入力用導体膜、（５）
は放熱プレー）、（６）は半導体素子、（７）はＭＯＳ
容量。 （８）は接地用導体ブリフジ、（９）はワイヤ、０１１
はワイヤマウント材、（２）はＭＯＳ容量マウント材で
ある。 なお、図中、同一符号は同一、または相当部分を示す。
周波半導体装置の上面図及び断面図、第２図ｉａｌ、（
ｂｌはこの発明の他の実施例を、示す高５周波半導体装
置の上面図及び断面図、第３図（ａ）、（ｂ）は従来の
高周波半導体装置の上面図及び断面図である１図におい
て、（１１は絶縁基板、（２）は入力用導体膜、（５）
は放熱プレー）、（６）は半導体素子、（７）はＭＯＳ
容量。 （８）は接地用導体ブリフジ、（９）はワイヤ、０１１
はワイヤマウント材、（２）はＭＯＳ容量マウント材で
ある。 なお、図中、同一符号は同一、または相当部分を示す。
Claims (1)
- 絶縁基板の第１の主面に形成される入力用，出力用及
び接地用導体膜と、前記出力用導体膜上面にろう付けさ
れる放熱プレートを介し固着される半導体素子と、接地
用導体ブリッジ及びＭＯＳ容量を備えた高周波半導体装
置に於いて、半導体素子上面と同一水平面上でワイヤボ
ンディングパッド可能にするマウント材及び凹型の放熱
プレートを設けたことを特徴とする高周波半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1213517A JPH0376237A (ja) | 1989-08-18 | 1989-08-18 | 高周波半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1213517A JPH0376237A (ja) | 1989-08-18 | 1989-08-18 | 高周波半導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0376237A true JPH0376237A (ja) | 1991-04-02 |
Family
ID=16640501
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1213517A Pending JPH0376237A (ja) | 1989-08-18 | 1989-08-18 | 高周波半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0376237A (ja) |
-
1989
- 1989-08-18 JP JP1213517A patent/JPH0376237A/ja active Pending
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