JPH06162447A - 薄膜磁気ヘッド - Google Patents
薄膜磁気ヘッドInfo
- Publication number
- JPH06162447A JPH06162447A JP31693092A JP31693092A JPH06162447A JP H06162447 A JPH06162447 A JP H06162447A JP 31693092 A JP31693092 A JP 31693092A JP 31693092 A JP31693092 A JP 31693092A JP H06162447 A JPH06162447 A JP H06162447A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- thin film
- core
- magnetic head
- bias conductor
- film core
- Prior art date
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- Pending
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/127—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive
- G11B5/33—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only
- G11B5/39—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only using magneto-resistive devices or effects
- G11B5/3903—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only using magneto-resistive devices or effects using magnetic thin film layers or their effects, the films being part of integrated structures
- G11B5/3906—Details related to the use of magnetic thin film layers or to their effects
- G11B5/3916—Arrangements in which the active read-out elements are coupled to the magnetic flux of the track by at least one magnetic thin film flux guide
- G11B5/3919—Arrangements in which the active read-out elements are coupled to the magnetic flux of the track by at least one magnetic thin film flux guide the guide being interposed in the flux path
- G11B5/3922—Arrangements in which the active read-out elements are coupled to the magnetic flux of the track by at least one magnetic thin film flux guide the guide being interposed in the flux path the read-out elements being disposed in magnetic shunt relative to at least two parts of the flux guide structure
- G11B5/3925—Arrangements in which the active read-out elements are coupled to the magnetic flux of the track by at least one magnetic thin film flux guide the guide being interposed in the flux path the read-out elements being disposed in magnetic shunt relative to at least two parts of the flux guide structure the two parts being thin films
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/40—Protective measures on heads, e.g. against excessive temperature
Landscapes
- Magnetic Heads (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 磁気ギャップ部の静電気によってＭＲ素子が
破壊されることのない高信頼性の薄膜磁気ヘッドを提供
する。 【構成】 第１の薄膜コア１及びバイアス導体３間の距
離を、第１の薄膜コア及びＭＲ素子１２間の距離よりも
小としてなることを特徴とする。また、バイアス導体４
の一端を記録媒体の対向面１０に露出させてなることを
特徴とする。また、バイアス導体４の一部をＧＮＤに接
続してなることを特徴とする。
破壊されることのない高信頼性の薄膜磁気ヘッドを提供
する。 【構成】 第１の薄膜コア１及びバイアス導体３間の距
離を、第１の薄膜コア及びＭＲ素子１２間の距離よりも
小としてなることを特徴とする。また、バイアス導体４
の一端を記録媒体の対向面１０に露出させてなることを
特徴とする。また、バイアス導体４の一部をＧＮＤに接
続してなることを特徴とする。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は磁気抵抗効果型の薄膜磁
気ヘッドの構造に関する。
気ヘッドの構造に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来の技術について、図４を参照して説
明する。図４は従来例によるヨーク型磁気抵抗効果薄膜
磁気ヘッドの断面図である。
明する。図４は従来例によるヨーク型磁気抵抗効果薄膜
磁気ヘッドの断面図である。
【０００３】従来は図４に示すように情報記録媒体の対
向面１０に、磁気ギャップ１１を有し、磁気抵抗効果素
子（ＭＲ素子以下、単にＭＲ素子と記す）１２に信号磁
束を導びく薄膜コア（上部コア）１３が配され、ＭＲ素
子１２の下側には、上部コア１３及び下部コアとなる基
板１５と鎖交する様バイアス導体１４が設けられてい
る。ここで基板１５の材料は、Ｍｎ−Ｚｎフェライト、
Ｎｉ−Ｚｎフェライト等の強磁性基板である。また、上
部コア１３は第１の薄膜コア１及び第２の薄膜コア２と
から構成されている。また、この例では、ＭＲ素子１２
と上部コア１３、バイアス導体１４と上部コア１３、バ
イアス導体１４とＭＲ素子１２とはそれぞれ絶縁層１６
で絶縁されている。
向面１０に、磁気ギャップ１１を有し、磁気抵抗効果素
子（ＭＲ素子以下、単にＭＲ素子と記す）１２に信号磁
束を導びく薄膜コア（上部コア）１３が配され、ＭＲ素
子１２の下側には、上部コア１３及び下部コアとなる基
板１５と鎖交する様バイアス導体１４が設けられてい
る。ここで基板１５の材料は、Ｍｎ−Ｚｎフェライト、
Ｎｉ−Ｚｎフェライト等の強磁性基板である。また、上
部コア１３は第１の薄膜コア１及び第２の薄膜コア２と
から構成されている。また、この例では、ＭＲ素子１２
と上部コア１３、バイアス導体１４と上部コア１３、バ
イアス導体１４とＭＲ素子１２とはそれぞれ絶縁層１６
で絶縁されている。
【０００４】それぞれの距離は例えば、ＭＲ素子１２−
上部コア１３間 ０．２μｍ、バイアス導体１４−上部
コア１３間 ２μｍ、バイアス導体１４−ＭＲ素子１２
は１．８μｍ程度である。また、バイアス導体１４と情
報記録媒体の対向面１０間の距離は１５μｍ程度であ
る。
上部コア１３間 ０．２μｍ、バイアス導体１４−上部
コア１３間 ２μｍ、バイアス導体１４−ＭＲ素子１２
は１．８μｍ程度である。また、バイアス導体１４と情
報記録媒体の対向面１０間の距離は１５μｍ程度であ
る。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】従来の薄膜磁気再生ヘ
ッドは、ＭＲ素子１２と上部コア１３間の距離が短か
く、情報記録媒体など磁気ギャップ部１１に接する、ま
たは近接する物体の静電気が放電する際、ＭＲ素子１２
がその通り道となりＭＲ素子１２が破壊する事があっ
た。
ッドは、ＭＲ素子１２と上部コア１３間の距離が短か
く、情報記録媒体など磁気ギャップ部１１に接する、ま
たは近接する物体の静電気が放電する際、ＭＲ素子１２
がその通り道となりＭＲ素子１２が破壊する事があっ
た。
【０００６】そこで本発明の目的は、従来技術の欠点を
解消できる高信頼性の薄膜磁気ヘッドを提供することに
ある。
解消できる高信頼性の薄膜磁気ヘッドを提供することに
ある。
【０００７】
【課題を解決するための手段】前記目的を達成するため
に本発明は、記録媒体側に配置される第１の薄膜コアと
該第１の薄膜コアから離間配置される第２の薄膜コアと
からなる上部コアと、前記第１の薄膜コアより磁気ギャ
ップを介して配置される下部コアとを有し、前記両コア
間に絶縁部を介して配置される磁気抵抗効果素子とバイ
アス導体とを設けてなるヨーク型の薄膜磁気ヘッドにお
いて、前記第１の薄膜コア及び前記バイアス導体間の距
離を前記第１の薄膜コア及び前記磁気抵抗効果素子間の
距離よりも小としてなることを特徴とする。
に本発明は、記録媒体側に配置される第１の薄膜コアと
該第１の薄膜コアから離間配置される第２の薄膜コアと
からなる上部コアと、前記第１の薄膜コアより磁気ギャ
ップを介して配置される下部コアとを有し、前記両コア
間に絶縁部を介して配置される磁気抵抗効果素子とバイ
アス導体とを設けてなるヨーク型の薄膜磁気ヘッドにお
いて、前記第１の薄膜コア及び前記バイアス導体間の距
離を前記第１の薄膜コア及び前記磁気抵抗効果素子間の
距離よりも小としてなることを特徴とする。
【０００８】また、記録媒体側に配置される第１の薄膜
コアと該第１の薄膜コアから離間配置される第２の薄膜
コアとからなる上部コアと、前記第１の薄膜コアより磁
気ギャップを介して配置される下部コアとを有し、前記
両コア間に絶縁部を介して配置される磁気抵抗効果素子
とバイアス導体とを設けてなるヨーク型の薄膜磁気ヘッ
ドにおいて、前記バイアス導体の一端を前記記録媒体の
対向面に露出させてなることを特徴とする。
コアと該第１の薄膜コアから離間配置される第２の薄膜
コアとからなる上部コアと、前記第１の薄膜コアより磁
気ギャップを介して配置される下部コアとを有し、前記
両コア間に絶縁部を介して配置される磁気抵抗効果素子
とバイアス導体とを設けてなるヨーク型の薄膜磁気ヘッ
ドにおいて、前記バイアス導体の一端を前記記録媒体の
対向面に露出させてなることを特徴とする。
【０００９】また、前記バイアス導体の一部をＧＮＤに
接続してなることを特徴とする。
接続してなることを特徴とする。
【００１０】
【作用】本発明は以上のように、第１の薄膜コア及びバ
イアス導体間の距離を第１の薄膜コア及び磁気抵抗素子
間の距離よりも小としているので、磁気ギャップ部の静
電気は第１の薄膜コア→バイアス導体→再生回路のルー
トで放電され、磁気抵抗効果素子（ＭＲ素子）には流れ
ない。これによりＭＲ素子の静電気破壊を防止でき、高
信頼性の薄膜磁気ヘッドを提供できる。
イアス導体間の距離を第１の薄膜コア及び磁気抵抗素子
間の距離よりも小としているので、磁気ギャップ部の静
電気は第１の薄膜コア→バイアス導体→再生回路のルー
トで放電され、磁気抵抗効果素子（ＭＲ素子）には流れ
ない。これによりＭＲ素子の静電気破壊を防止でき、高
信頼性の薄膜磁気ヘッドを提供できる。
【００１１】また、バイアス導体の一端を記録媒体との
接触面に露出させることにより、磁気ギャップ部の静電
気は直接、バイアス導体→再生回路のルートで放電され
るので、より高い静電気耐量の薄膜磁気ヘッドを提供で
きる。
接触面に露出させることにより、磁気ギャップ部の静電
気は直接、バイアス導体→再生回路のルートで放電され
るので、より高い静電気耐量の薄膜磁気ヘッドを提供で
きる。
【００１２】また、前記バイアス導体の一部をＧＮＤに
接続することにより、ノイズレベルの静電気がＭＲ素子
に流れることも防止でき、より信頼性の向上を図れる。
接続することにより、ノイズレベルの静電気がＭＲ素子
に流れることも防止でき、より信頼性の向上を図れる。
【００１３】
【実施例】本発明の一実施例について、図１を参照して
説明する。図１は本実施例によるヨーク型磁気抵抗効果
型薄膜磁気ヘッド（以下、単に薄膜磁気ヘッドと記す）
の断面図である。
説明する。図１は本実施例によるヨーク型磁気抵抗効果
型薄膜磁気ヘッド（以下、単に薄膜磁気ヘッドと記す）
の断面図である。
【００１４】ここでは、図４の従来例と異なる点につい
てのみ説明する。なお、図４と同一機能部分には同一記
号を付している。
てのみ説明する。なお、図４と同一機能部分には同一記
号を付している。
【００１５】本実施例による薄膜磁気ヘッドは、図１に
示すように、バイアス導体３が第１の薄膜コア１の下部
にまで延びる構造とするとともに、ＭＲ素子１２と第１
の薄膜コア１、第２薄膜コア２との間の距離ａが、ＭＲ
素子１２とバイアス導体３との間の距離ｂよりも大きく
なるような構造としている。ここでｂ≧０である。
示すように、バイアス導体３が第１の薄膜コア１の下部
にまで延びる構造とするとともに、ＭＲ素子１２と第１
の薄膜コア１、第２薄膜コア２との間の距離ａが、ＭＲ
素子１２とバイアス導体３との間の距離ｂよりも大きく
なるような構造としている。ここでｂ≧０である。
【００１６】このような構造とすることにより、バイア
ス導体３−第１の薄膜コア１間の絶縁耐圧の方が、ＭＲ
素子１２−第１の薄膜コア１間の絶縁耐圧より小さくな
る。このため、磁気ギャップ１１に接する、または近接
する物体の静電気は、従来は第１の薄膜コア１→ＭＲ素
子１２→再生回路（図示せず）のルートで放電され、Ｍ
Ｒ素子１２が破壊される事があったが、本実施例では第
１の薄膜コア１→バイアス導体３→再生回路のルートで
放電させる事になり、ＭＲ素子１２の破壊を防ぐ事がで
きる。
ス導体３−第１の薄膜コア１間の絶縁耐圧の方が、ＭＲ
素子１２−第１の薄膜コア１間の絶縁耐圧より小さくな
る。このため、磁気ギャップ１１に接する、または近接
する物体の静電気は、従来は第１の薄膜コア１→ＭＲ素
子１２→再生回路（図示せず）のルートで放電され、Ｍ
Ｒ素子１２が破壊される事があったが、本実施例では第
１の薄膜コア１→バイアス導体３→再生回路のルートで
放電させる事になり、ＭＲ素子１２の破壊を防ぐ事がで
きる。
【００１７】バイアス導体３はＭＲ素子１２に比較し、
膜厚も厚く導体抵抗も低い事より静電気の放電電流の耐
量はＭＲ素子１２に比較しはるかに大きいため、このよ
うに高静電気耐量の薄膜磁気ヘッドを実現できる。
膜厚も厚く導体抵抗も低い事より静電気の放電電流の耐
量はＭＲ素子１２に比較しはるかに大きいため、このよ
うに高静電気耐量の薄膜磁気ヘッドを実現できる。
【００１８】図２は本発明の他の実施例による薄膜磁気
ヘッドの断面図である。
ヘッドの断面図である。
【００１９】図２に示すように、本実施例の薄膜磁気ヘ
ッドは、バイアス導体４を第１の薄膜コア１の下部を通
って媒体対向面１０に露出するようにしている。
ッドは、バイアス導体４を第１の薄膜コア１の下部を通
って媒体対向面１０に露出するようにしている。
【００２０】本実施例の場合、静電気を放電させるルー
トは直接バイアス導体４から再生回路へ流れることにな
り、より高い静電気耐量の薄膜磁気ヘッドを提供でき
る。
トは直接バイアス導体４から再生回路へ流れることにな
り、より高い静電気耐量の薄膜磁気ヘッドを提供でき
る。
【００２１】図３は本発明のさらに他の実施例による薄
膜磁気ヘッドの再生回路の概略回路図である。
膜磁気ヘッドの再生回路の概略回路図である。
【００２２】図１及び図２に示した薄膜磁気ヘッドの実
施例によれば、ＭＲ素子１２の静電気破壊は防止できる
が、なおノイズとなる程度の静電気がＭＲ素子１２に流
れる可能性がある。
施例によれば、ＭＲ素子１２の静電気破壊は防止できる
が、なおノイズとなる程度の静電気がＭＲ素子１２に流
れる可能性がある。
【００２３】そこで、これを防止するために、図３に示
すように、再生回路のバイアス回路部において、バイア
ス導体３及び４の少なくとも一端子を再生回路のＧＮＤ
に接続している。５はバイアス導体３，４に流れるバイ
アス電流を調整するためのボリュームである。
すように、再生回路のバイアス回路部において、バイア
ス導体３及び４の少なくとも一端子を再生回路のＧＮＤ
に接続している。５はバイアス導体３，４に流れるバイ
アス電流を調整するためのボリュームである。
【００２４】上記構造により、図１及び図２のそれぞれ
の実施例において、静電気の流れるルートは第１の薄膜
コア１→バイアス導体３→再生回路→ＧＮＤ及びバイア
ス導体４→再生回路→ＧＮＤとなり、静電気放電電流に
よるノイズがＭＲ素子１２の再生信号に乗らないように
できる。
の実施例において、静電気の流れるルートは第１の薄膜
コア１→バイアス導体３→再生回路→ＧＮＤ及びバイア
ス導体４→再生回路→ＧＮＤとなり、静電気放電電流に
よるノイズがＭＲ素子１２の再生信号に乗らないように
できる。
【００２５】以上、図１乃至図３に示した本発明による
薄膜磁気ヘッドは、ＭＲ素子の静電気破壊を防止でき、
耐ノイズ性も向上できる上、従来の薄膜プロセスに比較
し、工程も大幅に増やすことなく、高信頼性の薄膜磁気
再生ヘッドを提供できる。
薄膜磁気ヘッドは、ＭＲ素子の静電気破壊を防止でき、
耐ノイズ性も向上できる上、従来の薄膜プロセスに比較
し、工程も大幅に増やすことなく、高信頼性の薄膜磁気
再生ヘッドを提供できる。
【００２６】
【発明の効果】以上説明したように本発明によれば、ヘ
ッドギャップ部からの静電気によりＭＲ素子が破壊され
ることのない高静電気耐量、高信頼性の薄膜磁気ヘッド
を提供できる。
ッドギャップ部からの静電気によりＭＲ素子が破壊され
ることのない高静電気耐量、高信頼性の薄膜磁気ヘッド
を提供できる。
【図１】本発明の一実施例による薄膜磁気ヘッドの断面
図である。
図である。
【図２】本発明の他の実施例による薄膜磁気ヘッドの断
面図である。
面図である。
【図３】本発明のさらに他の実施例による薄膜磁気ヘッ
ドの再生回路の概略回路図である。
ドの再生回路の概略回路図である。
【図４】従来例による薄膜磁気ヘッドの断面図である。
１ 第１の薄膜コア（上部コア） ２ 第２の薄膜コア（上部コア） ３，４ バイアス導体 １０ 記録媒体の対向面 １１ 磁気ギャップ １２ 磁気抵抗効果素子 １５ 下部コア（基板） １６ 絶縁層
Claims (3)
- 【請求項１】 記録媒体側に配置される第１の薄膜コア
と該第１の薄膜コアから離間配置される第２の薄膜コア
とからなる上部コアと、前記第１の薄膜コアより磁気ギ
ャップを介して配置される下部コアとを有し、 前記両コア間に絶縁部を介して配置される磁気抵抗効果
素子とバイアス導体とを設けてなるヨーク型の薄膜磁気
ヘッドにおいて、 前記第１の薄膜コア及び前記バイアス導体間の距離を前
記第１の薄膜コア及び前記磁気抵抗効果素子間の距離よ
りも小としてなることを特徴とする薄膜磁気ヘッド。 - 【請求項２】 記録媒体側に配置される第１の薄膜コア
と該第１の薄膜コアから離間配置される第２の薄膜コア
とからなる上部コアと、前記第１の薄膜コアより磁気ギ
ャップを介して配置される下部コアとを有し、 前記両コア間に絶縁部を介して配置される磁気抵抗効果
素子とバイアス導体とを設けてなるヨーク型の薄膜磁気
ヘッドにおいて、 前記バイアス導体の一端を前記記録媒体の対向面に露出
させてなることを特徴とする薄膜磁気ヘッド。 - 【請求項３】 前記バイアス導体の一部をＧＮＤに接続
してなることを特徴とする特許請求の範囲第１項または
第２項に記載の薄膜磁気ヘッド。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP31693092A JPH06162447A (ja) | 1992-11-26 | 1992-11-26 | 薄膜磁気ヘッド |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP31693092A JPH06162447A (ja) | 1992-11-26 | 1992-11-26 | 薄膜磁気ヘッド |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06162447A true JPH06162447A (ja) | 1994-06-10 |
Family
ID=18082513
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP31693092A Pending JPH06162447A (ja) | 1992-11-26 | 1992-11-26 | 薄膜磁気ヘッド |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH06162447A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5644454A (en) * | 1996-03-11 | 1997-07-01 | International Business Machines Corporation | Electrostatic discharge protection system for MR heads |
-
1992
- 1992-11-26 JP JP31693092A patent/JPH06162447A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5644454A (en) * | 1996-03-11 | 1997-07-01 | International Business Machines Corporation | Electrostatic discharge protection system for MR heads |
| US5710682A (en) * | 1996-03-11 | 1998-01-20 | International Business Machines Corporation | Electrostatic discharge protection system for MR heads |
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