JPH0376597B2 - - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は超伝導ジヨセフソン接合素子の新しい
製造方法に関し、特に歩留り並びに回路密度を大
幅に改善したジヨセフソン接合素子の平坦化法に
関する。さらに一般的には、本発明は集積回路に
おける金属導線を平坦化する方法に関する。

多くの論文がジヨセフソン・トンネル接合素子
を製造研究した結果生じる問題を記載している。
これらの問題のあるものは熱サイクリングに関
し、他のものはジヨセフソン・トンネル接合素子
からなる層を形成する実際の方法に関する。ジヨ
セフソン・トンネル接合素子の層が形成されると
き、それらの層は一般に真空蒸着法によつて作ら
れる。真空蒸着法は被覆される部分の上にかなり
均一な層を作ることが知られている。ジヨセフソ
ン接合素子はベース電極とカウンター電極からな
りそれらの間にジヨセフソン・トンネル接合部分
（接点）を有することも周知である。ジヨセフソ
ン接合素子を作る望ましい実施態様におけるベー
ス電極は最初に基板上に隆起した別個の部分とし
て作られる。このベース電極は基板上の高充てん
密度を得るために極めて小さな面積であることが
望ましい。真空蒸着層がこのベース電極の上に形
成される際に、それらの層は輪郭（外形）を複製
してステツプと呼ばれるものを形成する。これま
で、ベース電極上に作られる層は、平滑作用を得
るために電気特性の最適化に望ましい厚さよりも
著しく厚く作られた。しかしながら、この平滑作
用は平坦化と混同してはならない。

半導体素子の製造に用いられる従来法の工程は
ある程度平滑作用または平坦化を行なうことがで
きる。例えば、光硬化性樹脂（フオトレジスト）
を不規則な表面へ付加するとき、若干の平滑作用
をする濃い光硬化性樹脂を使用することができ
る。そのような光硬化性樹脂層を逐次塗布するこ
とによつて、平滑作用は最終的に実質的に平坦化
された表面を得ることができる。さらに別の例と
して、高さが0.2μの不規則突起表面を有する表面
の上に濃い光硬化性樹脂を2μの厚さの単層を塗
工することが可能であつた。その光硬化性樹脂は
周知の方法で硬化され、得られた結果は200〓以
内に平坦化された表面であつた。層の平坦化に利
用される場合、使用されたもう１つの材料はポリ
アミド酸を含む溶液であつて、それは硬化すると
ポリアミド層を形成する。絶縁層を作るために光
硬化性樹脂、ポリアミド酸および他の有機物をベ
ースにした液体を使用することは、操作時に遭偶
する極めて高温のためジヨセフソン接合素子には
応用できない。前述の周知の平坦化はいずれも真
空蒸着によつて層を形成するときの平坦化に関す
るものではない。先行技術による平坦化の唯一の
周知例は半液体状態で流動する材料を有すること
によつて達せられる。

ジヨセフソン接合素子の層を真空蒸着させなが
ら達せられる平坦化法を提供することが極めて望
ましい。そのような平坦化が達せられると、ジヨ
セフソン接合素子集積回路の歩留りおよび回路密
度がかなり改善できる。表面の不規則（不整）性
は線幅を下げるので、層の平坦化は線幅の制御を
良好にする。均一な厚さの層が得られると電気特
性をより制御できる。

本発明の主目的は、ジヨセフソン接合素子のベ
ース電極またはカウンター電極を平坦化する新し
い方法を提供することである。

本発明のもう１つの主目的は、従来のジヨセフ
ソン接合素子よりも薄い層を有しかつ熱サイクリ
ングの影響を受けないジヨセフソン接合素子の製
造方法を提供することである。

さらに、本発明の他の主目的は、従来得られた
ものよりも高回路密度そして高歩留りのジヨセフ
ソン接合素子用ベース電極の製造方法を提供する
ことである。

さらに本発明の他の目的は、写真平版分解能を
高めトンネル接合部における線幅制御を良好に
し、後者によつてウエーハ内およびウエーハから
ウエーハへの接合部臨界電流をより均一にすると
ころの平坦化法を提供することである。

さらに本発明の一般的目的は、厚さが均一でキ
ヤパシタンス、インダクタンスおよびストリツ
プ・ライン・インピーダンスのような電気パラメ
ーターの制御を良好にさせる平坦な層の新しい製
造法を提供することである。

本発明のこれらおよび他の目的に従つて、シリ
コン・ウエーハ基板上にベース電極を蒸着するた
め真空ベル・ジヤー装置内に配置されるシリコン
基板ウエーハが提供される。その基板上に別のベ
ース電極を形成させた後、酸化ケイ素絶縁層の上
部およびベース電極の上部が実質的に平坦化され
るように、ベース電極と同じ厚さの酸化ケイ素層
がベース電極のいずれかの面上に形成される。ト
ンネル接合部を画定するために第２の酸化層が蒸
着される。トンネル障壁接合部を作り、その上に
カウンター電極を蒸着して平坦化ジヨセフソン接
合素子を作る。

本発明によつて解決される問題を説明する前
に、本明細書における２、３の用語を次のように
定義する。

「平坦な表面」とは約400〓以下の起伏（凹凸）
を有する表面を意味する。

「線幅制御」とは光硬化性樹脂表面上にデザイ
ンされた線幅を写真平版的に再生する能力を意味
する。表面の不整（でこぼこ）は必ず線幅の制御
能を低下させる。精密な線幅を障壁トンネル接合
素子の面積を狭い公差内に反復させることができ
る。接合素子の臨界電流は障壁トンネル接合部の
面積とトンネル障壁の厚さの関数である。従つ
て、良好な線幅制御はウエーハの障壁トンネル接
合部における、及びウエーハからウエーハへのよ
り不変的でより均一な接合部臨界電流をもたら
す。

「ステツプ」とは半導体または超伝導体素子の
層のエツジ（ヘリ）を指し、絶縁層または金属層
の上下表面間の垂直距離（または層の厚さ）を意
味する。

本発明は、特に真空蒸着法が採用される半導体
素子および超伝導素子に利用できることが理解さ
れる。本発明における平坦化法は、平坦でない表
面に伴う問題がより深刻で重大であるのでジヨセ
フソン接合超伝導素子に関して説明する。

そのような素子における線幅制御の不足は回路
密度を下げ、さらに電気特性の反復能（再現性）
を下げる。

そのような素子において、鋭いステツプが生じ
る所では、その鋭いステツプ上の絶縁層が割れて
ベース電極とカウンター電極間の短絡をもたら
す。

そのような素子におけるカウンター電極はベー
ス電極と絶縁層の上に作られる、そして鋭いステ
ツプが生じる所では、カウンター電極自身に割れ
が入つてカウンタ電極の不連続性を導き、その結
果素子の破損をもたらす。

半導体素子のいずれの層における鋭いステツプ
も割れやすい応力点を発生するのみならず、金属
層における電気泳動をもたらしかつ促進する。導
線における電気泳動は早期破損をもたらす。

そのような素子において、下層にある一番端の
ステツプをなめらかにするためにしばしば蒸着層
の厚さを増す必要がある。薄膜層は厚膜層よりも
大きな応力に耐えうることが知られている。

第１図は代表的な先行技術によるジヨセフソン
接合素子の拡大横断面正面図である。ウエーハ１
０はその上に層が付加される基板である。ジヨセ
フソン接合素子用のウエーハ１０は、最上表面に
熱成長した酸化ケイ素の非多孔質層を有する高純
度の平坦なシリコン・ウエーハからなることが望
ましい。そのようなウエーハ１０は先行技術にお
いて周知である。典型的に、そのようなウエーハ
は厚さが10ミル（約0.025cm）で直径が２〜５イ
ンチ（約５〜12.7cm）である。ベース電極１１は
典型的に鉛合金またはニオブから作られかつ真空
蒸着によつて作製される。そのような層は約2000
Åの厚さが望ましい。ベース電極の上には、小領
域が隔離され、その上に障壁トンネル接合部１２
が望ましくは高周波酸化によつて作られる。その
ような障壁トンネル接合層は、部分的にベース電
極層の中へそして部分的にベース電極層の上に約
40Åの厚さに作られる。酸化ケイ素層１３はベー
ス電極１１のステツプ１４の上に作られるそして
障壁トンネル接合素子１２を除くベース電極上を
おおう。典型的な、酸化ケイ素層１３の厚さは約
3000Åの厚さである。壁またはステツプ１５は実
質的に直線で形が急勾配であるが、一方壁１６は
ステツプ上になめらかな輪郭に作られる。しかし
ながら、直線１７で示すようにステツプの最上部
となめらかな輪郭の半径との距離は実質的に3000
Å以下であつて、応力集中が破損をもたらしうる
部分を作つている。酸化ケイ素層１３を所望の面
積の基板１０およびベース電極１１の上に蒸着し
た後、カウンター電極１８を第１図に示す表面全
体に蒸着する。しかしながら、カウンター電極１
８は内部に障壁トンネル接合部１２へ接続させる
ことだけが必要な所定のパターンを有しうること
が理解される。カウンター電極１８は約4000Åの
厚さで鉛合金またはニオブのような超伝導材料で
作ることが望ましい。カウンター電極１８を作つ
た後、ジヨセフソン接合素子はベース電極１１と
カウンター電極１８の間にはさまれたトンネル障
壁接合部１２によつて表わされる。ベース電極１
１とカウンター電極１８へ連結されたリード線
（図示せず）はジヨセフソン接合素子を回路へ接
続さす手段を提供する。ジヨセフソン接合素子を
保護するために、カウンター電極１８の上に不動
態化層１９を付加する。不動態化層１９は酸化ケ
イ素から作ることが望ましい、そして先行技術に
おいては約20000Åの厚さに作られる。従来のジ
ヨセフソン接合素子においては、トンネル障壁接
合部１２上の臨界ステツプにおいて距離S₁を得る
ために、T₁で示すカウンター電極１８の厚さは
高さH₁より大きく作らなければならないことが
わかる。後述のように、カウンター電極１８の厚
さは所望の値より厚く作られる、それは層により
熱サイクリングを受けやすくさせ、またカウンタ
ー電極材料の結晶粒度を大きくさせる傾向があ
り、それはまた層を熱サイクリングのため障壁１
２における破損をより受けやすくさせる。後述の
ように、不動態化層１９も輪郭２２で示すように
最上表面２１をステツプ１５の上になめらかにす
るために最適の厚さよりも厚く作られる。

第２図は、本発明による表面平坦化法を採用し
た望ましい実施態様のジヨセフソン接合素子の拡
大横断面を示す。ウエーハ３０はウエーハ１０と
同一、そしてベース電極３１もベース電極１１と
同一である。障壁トンネル接合部３２も第１図の
障壁トンネル接合部１２に関して前述したように
作られる。酸化ケイ素絶縁層３３は、ステツプ１
４と同一のステツプ３４の上に作られたとしても
全厚さがわずか約2600Åであるように作られる。
絶縁トンネル接合部ステツプ３５の高さがかなり
低くなり、点３６で示す絶縁ベース電極ステツプ
１６は実質的に排除されている。従つて、線１７
で示した先行技術において生じたようなステツプ
上に応力線の集中はない。障壁トンネル接合部３
２の形成後、カウンター層を絶縁層上に作つた
後、この電極３８に最適で最も望ましい厚さであ
るわずか約2000Åの厚に作られる。ベース電極の
最上表面２４がなめらかな輪郭２３を有しても、
それは、厚さT₂および高さH₂がかなり減少して
もなお前のように同一またはかなり大きな分離S₂
を維持する。さらに、不動態化層３９の厚さはわ
ずか約5000Åに作られる、この厚さは電気特性お
よび応力集中の低下に最も望ましい値である。不
動態化層３９の最上表面２６の輪郭は実質的にな
くなるが、そのような輪郭が生じうることを説明
するために誇張して示してある。後で詳細に論ず
るように、ジヨセフソン接合素子層の厚さは、前
記の割れおよび電気的な破損をもたらす応力集中
点を実質的に排除しながら最も望ましい厚さに最
適化された。

第３図は第２図に示した望ましい実施態様のジ
ヨセフソン接合素子作製における一連のステツプ
の最初のものを示す。ウエーハまたは基板３０は
その上に完全で均一な層であるベース電極材料３
１を付加して示されている。ベース電極材料３１
の上には矩形の光硬化性樹脂パターン４１があ
る。その光硬化性樹脂パターンは、完全な層を塗
布してパターン４１だけが残るように光硬化性樹
脂を処理することによつて作られることが理解さ
れる。この点で光硬化性樹脂の輪郭形状を得るの
に特別な新しい方法は採用されていない。

第４図は、ベース電極材料３１を等方的に腐食
して光硬化性樹脂の下側にアンダーカツト・レツ
ジ（出張り）４２を設けた後の同一光硬化性樹脂
パターン４１を示す。等方的腐食は丸味を帯びた
輪郭をもたらすことは良く知られているけれど
も、ベース電極材料３１側面の傾斜した形４３は
模式的に直線で示してある。説明する層の厚さは
ベース電極３１および光硬化性樹脂パターンの幅
に比べて薄いので、これを適当な斜視図で示すこ
とは不可能である。ベース電極３１をアンダーカ
ツト・レツジ４２を作るように成形した後におい
てのみ、酸化ケイ素層３３Ａは真空蒸着によつて
付加される。第５図に示す真空蒸着した酸化ケイ
素層３３Ａは露出ウエーハ表面３０をカバーし、
アンダーカツト輪郭４３に示したベース電極３１
の側面に充てんされている。酸化ケイ素層３３Ａ
をベース電極３１と同じ高さに作る代りに、層３
３Ａは光硬化性樹脂４１の出張り４２を露出すべ
く約400Åまで薄くして間隙４４を残すように作
られる。酸化ケイ素層３３Ａの厚さは光硬化性樹
脂パターン４１の上に形成されその側面に沿つて
も形成されるが、隙間部４４には形成されない、
従つて光硬化性パターン４１の周囲全体に酸化ケ
イ素材料の不連続性（中断）を作る。後で詳細に
説明する望ましい実施態様において、隙間４４の
厚さは、溶媒が隙間に入つて出張り４２に達し光
硬化性樹脂パターン４１を確実に溶解するために
光硬化性樹脂４１の周囲に隙間４４が完全に存在
するのに必要な厚さだけ必要である。パターン４
１およびパターン４１の上の酸化ケイ素が除去さ
れるこの工程はリフト・オフ法として知られてい
る。

第６図は、パターン４１およびその上の酸化ケ
イ素層３３Ａをリフト・オフ法によつて除去した
後の第５図の構造を示す。光硬化性樹脂４１を除
去した後、障壁接合部を画定するために新しい
（または第２の）きのこ型の光硬化性樹脂パター
ン４５が付加される。きのこ形光硬化性樹脂パタ
ーンは周知であつて図示の望ましい実施態様にお
いては5000Å〜10000Åの厚さである。この厚さ
は、後述のように先行技術において必要な値より
薄い。きのこ形光硬化性樹脂パターン４５を作つ
た後、今度は第２の酸化ケイ素層３３Ｂを蒸着す
ることができる。層３３Ｂの厚さは点線４６で示
すが、２つの層３３Ａと３３Ｂは2600Å厚さの連
続層として作る。第２の酸化ケイ素層３３はわず
か1000Åの厚さが望ましく、露出されるパターン
側面を残してきのこ形光硬化性樹脂パターン４５
の上にできる。ステツプ３４上の輪郭３６は図面
では誇張して示されている。４００Åの隙間を採
用した望ましい実施態様のジヨセフソン接合素子
におけるこの輪郭はなめらかで200Åの高さ以下
である。輪郭（外形）３６の平滑化およびこの点
における工程の実質的な省略は酸化ケイ素層３３
の最上部において（接合部３２を除く実質的に平
らな表面４７をもたらす。

第７図は、きのこ形光硬化性樹脂パターン４５
およびその上の酸化ケイ素層３３Ｂを除去して、
酸化ケイ素絶縁層３３の表面４７の上に第３の光
硬化性樹脂パターンを塗布した後の部分的に完成
したジヨセフソン接合素子を示す。光硬化性パタ
ーン４８の内部レツジ（縁または出張り）４９
は、適当なリフト・オフ輪郭を提供するきのこ形
パターン４５に応用したものと同じ方法によつて
作られる。今度は２つのレツジが、後の工程で蒸
着されるカウンター電極の幅およびライン・パラ
メーターを決める穴５１の境界を画定する。カウ
ンター電極を蒸着する前に、系（装置）に酸素を
導入し、高周波酸化によつてベース電極３１の上
に障壁トンネル接合部３２が作られる。前述のよ
うに、障壁トンネル接合部３２はベース電極３１
の中へ部分的にそしてベース電極３１の上に部分
的に作られる。部分完成のジヨセフソン接合素子
を真空室系から移動することなく、今度は真空蒸
着工程を継続してカンター電極を蒸着することが
できる。

第８図は、カウンター電極３８Ａを真空蒸着法
によつて蒸着した後の第７図と同じ構造を示す。
光硬化性樹脂パターン４８の輪郭は穴側面４９よ
りも上部が狭い、それはカウンター電極を光硬化
性樹脂パターン４８の縁４９に触れることなく作
られる。カウンター電極３８Ａは、種類の異なる
金属の一連の層として作り、次の焼鈍して均一な
合金にするか、或いは合金または純粋な材料とし
て蒸着することができる。例えば、ベース電極３
１とカウンター電極３８Ａを作る望ましい方法は
鉛、金、インジウムおよびビスマスの層を所望の
組合せで付加することである。所望の層を所望の
厚さに付加した後、これらのベース電極３１とカ
ウンター電極３８は、周知のように焼鈍して均一
な電極材料にする。カウンター電極３８Ａを作つ
た後、光硬化性樹脂パターン４８とその上のカウ
ンター電極３８Ａはリフト・オフ法によつて除去
される。

第９図は、光硬化性樹脂パターン４８を除去し
てその上に不動態化層３９を蒸着した後での第８
図に示した部分完成のジヨセフソン接合素子を示
す。平坦化した望ましい実施態様のジヨセフソン
接合素子における不動態化層３９は5000Åの厚さ
に作られ、従来の素子に必要な20000Åの厚さで
はなかつた。望ましい実施態様のジヨセフソン接
合素子はベース電極３１上に誇張したステツプ３
４を示す。カウンター電極３８Ａはベース電極３
１と同じ厚さに作られ、真空蒸着の結果として急
勾配５２も含む。ステツプ５２は先行技術のステ
ツプ１５のように高くないから、不動態化層３９
は、表面２６がカウンター電極３８Ａの上にかな
りの平滑作用を有してカウンター電極応力線５３
に沿つて生じる応力集中を低下させることを保証
するため先行技術において作られる程厚く作る必
要はない。さらに、障壁トンネル接合部３２に対
向する輪郭２５は平滑でないとかなり減じる。第
２図と第９図に示すジヨセフソン接合素子は第９
図の最端ステツプ５２を説明するために異なつて
示されている。カウンター電極３８Ａの側面にお
ける最端ステツプ５２でも、不動態化層３９の厚
さを薄くして応力を減じ電極を潜在的な腐食雰囲
気にさらす割れを防ぐことができる。

さて、第１０図と第１１図は、第２図〜第９図
に関してこれまでに説明した望ましい実施態様法
ステツプの改良の説明に用いる。第３図に示した
光硬化性樹脂パターン４１（これはベース電極材
料３１の連続層に塗布されたもの）が、以下に説
明する方法によつて実質的に同一のベース電極３
１を形成するために改良される。酸化ケイ素層３
３の一部分を露出する穴５４を設けるべく、光硬
化性樹脂パターン４１Ａが酸化ケイ素層３３Ｃの
上に塗布される。第１０図において、光硬化性樹
脂パターン４１Ａの穴５４を介したプラスマ・エ
ンチングによつて酸化ケイ素層３３Ｃにベース電
極穴５５を形成させる。アンダーカツト・レツジ
４２Ａを設けるべくベース電極穴５５を作つた
後、そこに光硬化性樹脂パターンを残し、前述の
ベース電極材料の真空蒸着によつて穴の中にベー
ス電極３１Ｂを作る。ベース電極３１Ｂの蒸着は
またベース電極材料を光硬化性樹脂の上および光
硬化性樹脂パターン４１Ａの側面のへりに蒸着さ
せる。隙間４４がベース電極３１Ｂの最上面上に
設けられる限り、溶媒をレツジ４２Ａにおける光
硬化性樹脂パターン４１Ａの下側へ導入すること
ができる。前述の改良法によつてベース電極３１
Ｂを作つた後、望ましい実施態様の第５図の後で
必要な工程と同じ工程を行つて実質的に同等のジ
ヨセフソン接合素子を作る。すなわち、光硬化性
パターン４１Ａとその上の材料３１Ｂをはがし
て、ベース電極の最上部と隣接して蒸着された酸
化ケイ素層からなる平坦化表面を残す。

以上説明した望ましい実施態様および改良実施
態様において、基板３０はその上に蒸着すべき材
料を含む一連のボートに対向して配置された。そ
の基板３０をオフセツトして、材料が光硬化性樹
脂パターン４１，４１Ａのレツジ４２，４２Ａの
下側へ蒸着された完全に充てんされてベース電極
３１，３１Ｂに実質的に平らな表面を確実に提供
するように回転式プラツトホームに装着した。

以上、応力状態が最も厳しいジヨセフソン接合
素子のベース電極を平坦化する方法の望ましい実
施態様を説明したが、同じ方法の工程を第１０図
および第１１図に関して記載説明した改良型ジヨ
セフソン接合素子に応用できることが理解され
る。さらに、真空室系内において真空蒸着工程を
行いながら平坦化する新奇工程がジヨセフソン接
合素子のカウンター電極および他の層にも応用で
きることを理解すべきである。全ての無機金属ま
たは半導体素子の絶縁層が平坦化される。集積回
路は著しく小型化され高密度パターンをもつて作
られるようになつてきたから、本発明による平坦
化法はウエーハ上に作られる個々の素子の歩留り
の向上、また種々のウエーハ上に作られる素子の
電流特性の一貫性および均一性の改善に採用され
る。

【図面の簡単な説明】

第１図は代表的な先行技術のジヨセフソン接合
素子の拡大横断面略図、第２図は本発明による望
ましい実施態様のジヨセフソン接合素子の拡大横
断面略図。第３図は、上にベース電極材料層を有
する基板ウエーハと、上にベース電極を画定する
代表的な光硬化性樹脂パターンの拡大横断面略
図。第４図は、光硬化性樹脂パターンで被覆され
ないベース電極材料のかなりの部分を腐食除去し
た後における光硬化性樹脂パターンの拡大横断面
略図。第５図は、酸化ケイ素絶縁層蒸着後に第４
図の光硬化性樹脂パターンを被覆したベース電極
の拡大横断面略図。第６図は、光硬化性樹脂リフ
ト・オフ・パターンを除去しトンネル障壁接合部
分の上に第２のきのこ形光硬化性樹脂パターンを
塗布した後、およびその上に第２の酸化ケイ素絶
縁層を蒸着した後における第５図のベース電極の
拡大横断面略図。第７図は、第３の光硬化性樹脂
パターンの蒸着後にトンネル障壁接合部を形成し
た後における第６図の酸化ケイ素を部分的に被覆
したベース電極の拡大横断面略図。第８図はカウ
ンター電極材料蒸着後における第７図の構造体の
拡大横断面略図。第９図は第３の光硬化性樹脂パ
ターンの除去および絶縁不動態化層の蒸着後にお
ける第８図のジヨセフソン接合素子構造体の拡大
横断面略図。第１０図は、酸化ケイ素層内にベー
ス電極穴を腐食するためその酸化ケイ素層の上に
塗布したもう１つの光硬化性樹脂パターンの拡大
横断面略図。第１１図はベース電極の穴におよび
光硬化性樹脂パターンの上にベース電極材料を蒸
着した後における第１０図の構造体の拡大横断面
略図。

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １ 次の(a)〜(e)の工程からなり、真空蒸着によつ
   て基板上に金属および絶縁体の層を形成し、ジヨ
   セフソン接合素子の電極を提供する少なくとも１
   つの層を光硬化性樹脂マスクによつて画定された
   パターン内に形成させる平坦化ジヨセフソン接合
   素子の製造方法。 (a) 金属（または絶縁体）の第１の層を蒸着する
   工程； (b) 前記第１の層の上に、導電性パターンの外郭
   線を画定する光硬化性樹脂マスクを形成させる
   工程； (c) 前記第１の層のマスクをしなかつた領域の材
   料をマスク・アンダーカツトの縁部が残るよう
   に溶媒によりマスクを除去する工程； (d) 基板を、材料が蒸着される方向へ傾斜させる
   と共に、材料がマスクの張出し縁部の下側及び
   マスク側部に確実に蒸着できるように回転さ
   せ、該除去した場所に光硬化樹脂パターンの回
   りに不連続部ができるように第１の層よりも薄
   く絶縁体（または金属）の補足層を蒸着する工
   程；および (e) 溶媒をマスクのアンダーカツト縁部の下側に
   浸透させ溶媒よりマスクを除去する工程。 ２ パターン化層が金属であつて、１つ以上のジ
   ヨセフソン接合素子のベース電極を提供する特許
   請求の範囲第１項記載の方法。 ３ 前記第１の層が絶縁材料からなり、マスクさ
   れない部分がプラズマ・エツチングによつて除去
   される特許請求の範囲第１項または第２項記載の
   方法。