JPH01273333A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置の製造方法Info
- Publication number
- JPH01273333A JPH01273333A JP10295588A JP10295588A JPH01273333A JP H01273333 A JPH01273333 A JP H01273333A JP 10295588 A JP10295588 A JP 10295588A JP 10295588 A JP10295588 A JP 10295588A JP H01273333 A JPH01273333 A JP H01273333A
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- Japan
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- conductive film
- insulating film
- film
- insulation film
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- Pending
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- Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は半導体装置の製造方法に関し、特に多層配線構
造におけるコンタクト部の段差を緩和する製造方法に関
する。
造におけるコンタクト部の段差を緩和する製造方法に関
する。
従来、多層配線構造における上下の配線層を相互に電気
接続するコンタクト部の製造方法として、第３図（ａ）
乃至（Ｃ）に示す方法が取られている。
接続するコンタクト部の製造方法として、第３図（ａ）
乃至（Ｃ）に示す方法が取られている。
即ち、第３図（ａ）のように、半導体基板１１を覆う下
地絶縁膜１２に選択的に開孔部１２ａを設け、この開孔
部の少なくとも一部を覆いかつ下地絶縁膜１２上に延在
する第１の導電膜１３を選択的に形成する。
地絶縁膜１２に選択的に開孔部１２ａを設け、この開孔
部の少なくとも一部を覆いかつ下地絶縁膜１２上に延在
する第１の導電膜１３を選択的に形成する。
この上に、第３図（ｂ）のように、第１の絶縁膜１４を
被着し、かつ第１の導電膜１３の位置において第１の絶
縁膜１４に選択的に開孔部１４ａを設ける。
被着し、かつ第１の導電膜１３の位置において第１の絶
縁膜１４に選択的に開孔部１４ａを設ける。
更に、第３図（ｃ）のように、第１の絶８！膜１４の開
孔部の少なくとも一部を覆う第２の導電膜１６を選択的
に形成し、この開孔部を通して第１及び第２の各導電膜
１３．１６を相互に電気接続している。
孔部の少なくとも一部を覆う第２の導電膜１６を選択的
に形成し、この開孔部を通して第１及び第２の各導電膜
１３．１６を相互に電気接続している。
上述した従来の製造方法は、第１の絶縁膜１４を比較的
に厚く形成するため、これに開設した開孔部１４ａの段
部が急峻になる。このため、この開孔部１４ａにおいて
、第２の導電膜１６に楔状の亀裂が発生し易く、この部
分において第２の導電膜１６が断線するという問題があ
る。
に厚く形成するため、これに開設した開孔部１４ａの段
部が急峻になる。このため、この開孔部１４ａにおいて
、第２の導電膜１６に楔状の亀裂が発生し易く、この部
分において第２の導電膜１６が断線するという問題があ
る。
本発明は第２の導電膜における断線を有効に防止する半
導体装置の製造方法を提供することを目的としている。
導体装置の製造方法を提供することを目的としている。
本発明の半導体装置の製造方法は、第１の導電体を覆う
第１の絶縁膜に開孔部を開設する工程と、この開孔部を
含む第１の絶縁膜上に第２の絶縁膜を被着する工程と、
この第２の絶縁膜を異方性エツチング法によりエツチン
グバックして前記開孔部の内壁に沿ってその一部を残す
工程と、この開孔部を含む領域に第２の導電膜を形成す
る工程とを含んでいる。
第１の絶縁膜に開孔部を開設する工程と、この開孔部を
含む第１の絶縁膜上に第２の絶縁膜を被着する工程と、
この第２の絶縁膜を異方性エツチング法によりエツチン
グバックして前記開孔部の内壁に沿ってその一部を残す
工程と、この開孔部を含む領域に第２の導電膜を形成す
る工程とを含んでいる。
上述した方法により製造した多層配線のコンタクト部は
、異方性エツチング法によって第１の絶縁膜の開孔部の
内壁に第２の絶縁膜の一部が残され、かつその上面がテ
ーパ状に形成されるため、この第２の絶縁膜によって開
孔部の段差を緩和し、第２の導電膜の被着性を改善する
。
、異方性エツチング法によって第１の絶縁膜の開孔部の
内壁に第２の絶縁膜の一部が残され、かつその上面がテ
ーパ状に形成されるため、この第２の絶縁膜によって開
孔部の段差を緩和し、第２の導電膜の被着性を改善する
。
（実施例〕
次に、本発明を図面を参照して説明する。
第１図（ａ）乃至（ｄ）は本発明の第１実施例を製造工
程に従って示す断面図である。
程に従って示す断面図である。
先ず、第１図（ａ）のように、半導体基板１の表面を覆
う酸化膜からなる下地絶縁膜２に選択的に開孔部２ａを
開設する。この上に、開孔部２ａの少なくとも一部を覆
うように第１の導電膜３を所要パターンに形成する。
う酸化膜からなる下地絶縁膜２に選択的に開孔部２ａを
開設する。この上に、開孔部２ａの少なくとも一部を覆
うように第１の導電膜３を所要パターンに形成する。
次いで、第１図（ｂ）のように、前記下地絶縁膜２及び
第１の導電膜３を覆うように窒化膜からなる第１の絶縁
膜４を比較的厚く形成する。そして、この第１の絶縁膜
４の前記第１の導電膜３上の位置に、選択的に開孔部４
ａを開設する。更に、この開孔部４ａを含む全面に窒化
膜からなる第２の絶縁膜５を被着する。
第１の導電膜３を覆うように窒化膜からなる第１の絶縁
膜４を比較的厚く形成する。そして、この第１の絶縁膜
４の前記第１の導電膜３上の位置に、選択的に開孔部４
ａを開設する。更に、この開孔部４ａを含む全面に窒化
膜からなる第２の絶縁膜５を被着する。
続いて、第１図（ｃ）のように、前記第２の絶縁膜５に
対して異方性イオンエツチングを施しててエツチングバ
ックする。この異方性エツチングにより、第２の絶縁膜
５の水平部分はエツチングされるが、開孔部４ａの内壁
に沿う垂直一部５ａのみが残され、かつその異方性によ
りこの部分５ａの上面は開孔部４ａの中心に向けて傾斜
されたテーバ状にエツチングされる。
対して異方性イオンエツチングを施しててエツチングバ
ックする。この異方性エツチングにより、第２の絶縁膜
５の水平部分はエツチングされるが、開孔部４ａの内壁
に沿う垂直一部５ａのみが残され、かつその異方性によ
りこの部分５ａの上面は開孔部４ａの中心に向けて傾斜
されたテーバ状にエツチングされる。
したがって、第１図（ｄ）のように、この上から開孔部
４ａを含む領域に第２の導電膜６を所要パターンに形成
し、開孔部４ａを通して第１の導電膜３に電気接続する
。このとき、開孔部４ａにおいては、開孔部４ａの段差
が象、峻であっても、開孔部４ａに沿って残された第２
の導電膜の一部５ａの上面テーパ形状によって段差が緩
和され、第２の導電膜６の被着性が改善され、亀裂等の
発生が防止される。
４ａを含む領域に第２の導電膜６を所要パターンに形成
し、開孔部４ａを通して第１の導電膜３に電気接続する
。このとき、開孔部４ａにおいては、開孔部４ａの段差
が象、峻であっても、開孔部４ａに沿って残された第２
の導電膜の一部５ａの上面テーパ形状によって段差が緩
和され、第２の導電膜６の被着性が改善され、亀裂等の
発生が防止される。
第２図（ａ）及び（ｂ）は本発明の第２実施例の一部を
製造工程順に示す断面図である。
製造工程順に示す断面図である。
この実施例では、第１実施例の第１図（ａ）乃至（Ｃ）
と同一の工程を施した後、開孔部４ａ内に残されている
第２の絶縁膜５の異方性エツチングを更に進めている。
と同一の工程を施した後、開孔部４ａ内に残されている
第２の絶縁膜５の異方性エツチングを更に進めている。
これにより、第２図（ａ）のように、第２の絶縁膜５ａ
のテーパ面が第１の導電膜３に接触される位置まで進め
られ、開孔部４ａの内面の段差を更に改善する。
のテーパ面が第１の導電膜３に接触される位置まで進め
られ、開孔部４ａの内面の段差を更に改善する。
したがって、第２図（ｂ）のように、開孔部４ａを含む
領域に形成する第２の導電膜６における被着性を改善し
、亀裂の発生を更に有効に防止できる。
領域に形成する第２の導電膜６における被着性を改善し
、亀裂の発生を更に有効に防止できる。
なお、本発明は半導体基板と第１の導電膜とのコンタク
ト部に適用することができるとともに、３層以上の多層
配線構造における第２の導電膜以降のコンタクト部にお
いても同様に適用できる。
ト部に適用することができるとともに、３層以上の多層
配線構造における第２の導電膜以降のコンタクト部にお
いても同様に適用できる。
以上説明したように本発明は、異方性エツチング法によ
って第１の絶縁膜の開孔部の内壁に第２の絶縁膜の一部
を残し、かつその上面をテーバ状に形成することにより
、第１の絶縁膜における開孔部の段差を緩和し、第２の
導電膜の被着性を改善して亀裂を未然に防止し、その断
線を防止することが可能となる。
って第１の絶縁膜の開孔部の内壁に第２の絶縁膜の一部
を残し、かつその上面をテーバ状に形成することにより
、第１の絶縁膜における開孔部の段差を緩和し、第２の
導電膜の被着性を改善して亀裂を未然に防止し、その断
線を防止することが可能となる。
第１図（ａ）乃至第１図（ｄ）は本発明の第１実施例を
製造工程順に示す断面図、第２図（ａ）及び第２図（ｂ
）は本発明の第２実施例の工程−部を示す断面図、第３
図（ａ）乃至第３図（Ｃ）は従来方法を工程順に示す断
面図である。 ■、１１・・・半導体基板、２．１２・・・下地絶縁膜
、３．１３・・・第１の導電膜、４．１４・・・第１の
絶縁膜、４ａ、１４ａ・・・開孔部、５・・・第２の絶
縁膜、５ａ・・・第２の絶縁膜の一部、６．１６・・・
第２の導電膜。 第１図 第１図 第２図 ａ 第３図
製造工程順に示す断面図、第２図（ａ）及び第２図（ｂ
）は本発明の第２実施例の工程−部を示す断面図、第３
図（ａ）乃至第３図（Ｃ）は従来方法を工程順に示す断
面図である。 ■、１１・・・半導体基板、２．１２・・・下地絶縁膜
、３．１３・・・第１の導電膜、４．１４・・・第１の
絶縁膜、４ａ、１４ａ・・・開孔部、５・・・第２の絶
縁膜、５ａ・・・第２の絶縁膜の一部、６．１６・・・
第２の導電膜。 第１図 第１図 第２図 ａ 第３図
Claims (1)
- １、第１の導電体を覆う第１の絶縁膜に開孔部を開設す
る工程と、この開孔部を含む第１の絶縁膜上に第２の絶
縁膜を被着する工程と、この第２の絶縁膜を異方性エッ
チング法によりエッチングバックして前記開孔部の内壁
に沿ってその一部を残す工程と、この開孔部を含む領域
に第２の導電膜を形成する工程とを含むことを特徴とす
る半導体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10295588A JPH01273333A (ja) | 1988-04-26 | 1988-04-26 | 半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10295588A JPH01273333A (ja) | 1988-04-26 | 1988-04-26 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01273333A true JPH01273333A (ja) | 1989-11-01 |
Family
ID=14341223
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10295588A Pending JPH01273333A (ja) | 1988-04-26 | 1988-04-26 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01273333A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01300537A (ja) * | 1988-05-27 | 1989-12-05 | Sharp Corp | 半導体装置の製造方法 |
| US5269880A (en) * | 1992-04-03 | 1993-12-14 | Northern Telecom Limited | Tapering sidewalls of via holes |
-
1988
- 1988-04-26 JP JP10295588A patent/JPH01273333A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01300537A (ja) * | 1988-05-27 | 1989-12-05 | Sharp Corp | 半導体装置の製造方法 |
| US5269880A (en) * | 1992-04-03 | 1993-12-14 | Northern Telecom Limited | Tapering sidewalls of via holes |
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