JPH0381327B2 - - Google Patents
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- JPH0381327B2 JPH0381327B2 JP61022528A JP2252886A JPH0381327B2 JP H0381327 B2 JPH0381327 B2 JP H0381327B2 JP 61022528 A JP61022528 A JP 61022528A JP 2252886 A JP2252886 A JP 2252886A JP H0381327 B2 JPH0381327 B2 JP H0381327B2
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- Japan
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- pulse
- delay
- output
- circuit
- input
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- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03K—PULSE TECHNIQUE
- H03K17/00—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking
- H03K17/28—Modifications for introducing a time delay before switching
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- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03K—PULSE TECHNIQUE
- H03K5/00—Manipulating of pulses not covered by one of the other main groups of this subclass
- H03K5/13—Arrangements having a single output and transforming input signals into pulses delivered at desired time intervals
- H03K5/131—Digitally controlled
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- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C5/00—Details of stores covered by group G11C11/00
- G11C5/06—Arrangements for interconnecting storage elements electrically, e.g. by wiring
- G11C5/063—Voltage and signal distribution in integrated semi-conductor memory access lines, e.g. word-line, bit-line, cross-over resistance, propagation delay
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- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C7/00—Arrangements for writing information into, or reading information out from, a digital store
- G11C7/22—Read-write [R-W] timing or clocking circuits; Read-write [R-W] control signal generators or management
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- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
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- G11C8/18—Address timing or clocking circuits; Address control signal generation or management, e.g. for row address strobe [RAS] or column address strobe [CAS] signals
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- G—PHYSICS
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- G11C2207/00—Indexing scheme relating to arrangements for writing information into, or reading information out from, a digital store
- G11C2207/06—Sense amplifier related aspects
- G11C2207/061—Sense amplifier enabled by a address transition detection related control signal
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- H—ELECTRICITY
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- H03K—PULSE TECHNIQUE
- H03K5/00—Manipulating of pulses not covered by one of the other main groups of this subclass
- H03K2005/00013—Delay, i.e. output pulse is delayed after input pulse and pulse length of output pulse is dependent on pulse length of input pulse
- H03K2005/0015—Layout of the delay element
- H03K2005/00195—Layout of the delay element using FET's
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03K—PULSE TECHNIQUE
- H03K5/00—Manipulating of pulses not covered by one of the other main groups of this subclass
- H03K2005/00013—Delay, i.e. output pulse is delayed after input pulse and pulse length of output pulse is dependent on pulse length of input pulse
- H03K2005/0015—Layout of the delay element
- H03K2005/00234—Layout of the delay element using circuits having two logic levels
- H03K2005/00247—Layout of the delay element using circuits having two logic levels using counters
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- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Nonlinear Science (AREA)
- Dram (AREA)
- Static Random-Access Memory (AREA)
- Pulse Circuits (AREA)
- Manipulation Of Pulses (AREA)
- Read Only Memory (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は半導体集積回路、特にノイズで誤動作
しないようにした遅延回路に関する。
しないようにした遅延回路に関する。
遅延回路は、第2図aに示すように、入力端に
パルスが加わると出力端には所定時間τだけ遅れ
てこれを出力する。この動作は、CR型遅延回路
なら第2図bに示すように、入力パルスでコンデ
ンサの充電が始まり、曲線Cで示されるコンデン
サ電圧が閾値に達すると比較回路はH(ハイ)レ
ベル出力を生じ、この入力パルスの入力時点と出
力パルスの出力時点との間には時間τだけのずれ
がある、というものである。
パルスが加わると出力端には所定時間τだけ遅れ
てこれを出力する。この動作は、CR型遅延回路
なら第2図bに示すように、入力パルスでコンデ
ンサの充電が始まり、曲線Cで示されるコンデン
サ電圧が閾値に達すると比較回路はH(ハイ)レ
ベル出力を生じ、この入力パルスの入力時点と出
力パルスの出力時点との間には時間τだけのずれ
がある、というものである。
遅延回路が所定の遅延時間τを発生するのは入
力信号が正常な場合(パルス幅が遅延時間τ以
上)で、第2図cに示すように細幅パルスN1,
N2の後に信号Sがくるような場合はコンデンサ
電圧は曲線C′の如くなり、遅延時間はτ′になつて
しまう。
力信号が正常な場合(パルス幅が遅延時間τ以
上)で、第2図cに示すように細幅パルスN1,
N2の後に信号Sがくるような場合はコンデンサ
電圧は曲線C′の如くなり、遅延時間はτ′になつて
しまう。
遅延時間がτ′になつてしまうのは、パルスN1,
N2によるコンデンサの充電電荷が放電終了しな
いうちに次の充電がなされるからである。従つて
パルスの立下りでコンデンサを瞬時に強制放電す
る回路を付加すれば遅延時間の短縮という問題は
ないが、回路によつては強制放電回路は付加しに
くいことがある、例えば半導体メモリのワード線
などは多結晶シリコンで作られることが多いが、
これは抵抗が高くかつ寄生容量が多く、しかもこ
れらは全長に亘つて分布していて分布定数回路を
構成する。かゝるワード線の一端に信号が与えら
れると、該信号が他端に達するのに遅延を生じる
が、このワード線遅延回路に近似の遅延回路を作
るには、同様なワード線(ダミーワード線)を作
つてこれをCR遅延素子とし、一端にパルスを加
え、他端を比較器の一方の入力端に接続するとよ
いが、かゝるCR遅延素子ではリセツト(キヤパ
シタ電荷の強制放電)が困難である。
N2によるコンデンサの充電電荷が放電終了しな
いうちに次の充電がなされるからである。従つて
パルスの立下りでコンデンサを瞬時に強制放電す
る回路を付加すれば遅延時間の短縮という問題は
ないが、回路によつては強制放電回路は付加しに
くいことがある、例えば半導体メモリのワード線
などは多結晶シリコンで作られることが多いが、
これは抵抗が高くかつ寄生容量が多く、しかもこ
れらは全長に亘つて分布していて分布定数回路を
構成する。かゝるワード線の一端に信号が与えら
れると、該信号が他端に達するのに遅延を生じる
が、このワード線遅延回路に近似の遅延回路を作
るには、同様なワード線(ダミーワード線)を作
つてこれをCR遅延素子とし、一端にパルスを加
え、他端を比較器の一方の入力端に接続するとよ
いが、かゝるCR遅延素子ではリセツト(キヤパ
シタ電荷の強制放電)が困難である。
それ故本発明は、強制リセツトは行なわずに、
細幅パルス(これらはノイズであるのが普通)が
含まれても所定の遅延時間を発生することができ
る遅延回路を提供しようとするものである。
細幅パルス(これらはノイズであるのが普通)が
含まれても所定の遅延時間を発生することができ
る遅延回路を提供しようとするものである。
〔問題点を解決するための手段〕
本発明は、入力パルスが共通に加えられる複数
個の遅延回路と、該入力パルスのパルス数を計数
するカウンタと、該カウンタの計数値をデコード
してその出力により前記複数個の遅延回路の該当
するもの1つを選択してそれに前記パルスを入力
させるデコーダと、これらの遅延回路の出力端に
接続されて入力パルスのうちの信号パルスを所定
時間遅延させた出力パルスを生じるゲート回路と
を備えることを特徴とするものである。
個の遅延回路と、該入力パルスのパルス数を計数
するカウンタと、該カウンタの計数値をデコード
してその出力により前記複数個の遅延回路の該当
するもの1つを選択してそれに前記パルスを入力
させるデコーダと、これらの遅延回路の出力端に
接続されて入力パルスのうちの信号パルスを所定
時間遅延させた出力パルスを生じるゲート回路と
を備えることを特徴とするものである。
この回路では、入力信号に細幅ノイズパルスが
混じる場合にも入力信号パルスから所定の遅延を
持つた出力パルスを発生することができ、遅延回
路のリセツトが行なえない場合に甚だ有効であ
る。
混じる場合にも入力信号パルスから所定の遅延を
持つた出力パルスを発生することができ、遅延回
路のリセツトが行なえない場合に甚だ有効であ
る。
第1図に本発明の実施例を示す。10,12,
14,16は同じ構成の遅延回路で、例えば前述
のCR素子と比較器からなる。これらには入力パ
ルス信号が共通に与えられ、またこの入力パルス
信号はカウンタ32にも与えられる。カウンタ3
2は入力信号のパルス数を計数し、例えば第2図
cのN1,N2,Sの入力信号なら3パルスと計数
する。この目的で、図示しないがパルスの立上り
検出回路および、その立上り検出信号をカウンタ
が計数可能なパルス幅のパルスに整形する回路
(ワンシヨツト回路)を適宜付加してもよい。3
4はデコーダでカウンタの計数値Q1,Q2をデコ
ードして本例では4個の遅延回路10,12,1
4,16の1つを選択する(本例ではパルス入力
を許可する)出力を生じる。20,22,24,
26はアンドゲートで、一方の入力端には遅延回
路10,12,14,16の出力を、また他方の
入力端にはデコーダ34の出力を受け
る。28はオアゲートで、入力端にはアンドゲー
ト20,22,24,26の出力を受け、出力端
には入力パルスを遅延した出力パルスを生じる。
14,16は同じ構成の遅延回路で、例えば前述
のCR素子と比較器からなる。これらには入力パ
ルス信号が共通に与えられ、またこの入力パルス
信号はカウンタ32にも与えられる。カウンタ3
2は入力信号のパルス数を計数し、例えば第2図
cのN1,N2,Sの入力信号なら3パルスと計数
する。この目的で、図示しないがパルスの立上り
検出回路および、その立上り検出信号をカウンタ
が計数可能なパルス幅のパルスに整形する回路
(ワンシヨツト回路)を適宜付加してもよい。3
4はデコーダでカウンタの計数値Q1,Q2をデコ
ードして本例では4個の遅延回路10,12,1
4,16の1つを選択する(本例ではパルス入力
を許可する)出力を生じる。20,22,24,
26はアンドゲートで、一方の入力端には遅延回
路10,12,14,16の出力を、また他方の
入力端にはデコーダ34の出力を受け
る。28はオアゲートで、入力端にはアンドゲー
ト20,22,24,26の出力を受け、出力端
には入力パルスを遅延した出力パルスを生じる。
動作を説明すると、例えば第2図cの如き入力
で、パルスN1が入つた時、カウンタ32の計数
値が1になつたとすると、デコーダ34の出力は
で遅延回路10が選択され、パルスN1が該遅
延回路10に印加される。またアンドゲート20
が開き(デコーダ出力はHレベル)、遅延回路1
0が所定の遅延時間τ後にHレベル出力を生じれ
ばこれを通す。本例ではこの状態になる前にパル
スN1が消滅し、次のパルスN2が到来する。パル
スN2の到来でカウンタ32の計数値は2、デコ
ーダ34の出力はになるので遅延回路12が選
択され、アンドゲート22が開く。遅延回路10
は遅延回路14,16と共に非選択(入力パルス
が印加されない状態)になり、アンドゲート20
はアンドゲート24,26と共に閉じる。パルス
N2でも遅延回路12はHレベル出力を生じるに
至らないから、アンドゲート22の出力はない。
で、パルスN1が入つた時、カウンタ32の計数
値が1になつたとすると、デコーダ34の出力は
で遅延回路10が選択され、パルスN1が該遅
延回路10に印加される。またアンドゲート20
が開き(デコーダ出力はHレベル)、遅延回路1
0が所定の遅延時間τ後にHレベル出力を生じれ
ばこれを通す。本例ではこの状態になる前にパル
スN1が消滅し、次のパルスN2が到来する。パル
スN2の到来でカウンタ32の計数値は2、デコ
ーダ34の出力はになるので遅延回路12が選
択され、アンドゲート22が開く。遅延回路10
は遅延回路14,16と共に非選択(入力パルス
が印加されない状態)になり、アンドゲート20
はアンドゲート24,26と共に閉じる。パルス
N2でも遅延回路12はHレベル出力を生じるに
至らないから、アンドゲート22の出力はない。
パルスSが到来するとカウンタ32の形数値は
3、デコーダ34の出力はとなり、遅延回路1
4が選択され、アンドゲート24が開く。他の遅
延回路は非選択であり、他のアンドゲートは閉じ
ている。パルスSでは遅延回路14はHレベル出
力を生じ、これはアンドゲート24およびオアゲ
ート28を通して出力され、これが入力パルスを
τだけ遅延した出力パルスになる。この出力パル
スの遅延時間はτであつて、τ′などではない。こ
れは、入力信号の各パルスの到来で各遅延回路が
選択され、選択された遅延回路のキヤパシタは電
荷零の状態から充電を開始するからである。細幅
パルスN1,N2で選択された遅延回路10,12
は、当該パルスの消滅で自然放電に移り、充電電
荷を消滅させて行く。
3、デコーダ34の出力はとなり、遅延回路1
4が選択され、アンドゲート24が開く。他の遅
延回路は非選択であり、他のアンドゲートは閉じ
ている。パルスSでは遅延回路14はHレベル出
力を生じ、これはアンドゲート24およびオアゲ
ート28を通して出力され、これが入力パルスを
τだけ遅延した出力パルスになる。この出力パル
スの遅延時間はτであつて、τ′などではない。こ
れは、入力信号の各パルスの到来で各遅延回路が
選択され、選択された遅延回路のキヤパシタは電
荷零の状態から充電を開始するからである。細幅
パルスN1,N2で選択された遅延回路10,12
は、当該パルスの消滅で自然放電に移り、充電電
荷を消滅させて行く。
細幅パルスが多数続くと遅延回路は10,1
2,14,……と逐次選択さて行き、最後の遅延
回路16が選択された後は、次は最初の遅延回路
10が選択される。即ちカウンタは遅延回路数に
合わせ、本例では4進カウンタとする。2度目の
選択では遅延回路10には電荷が残つていること
も考えられるが、有り得る細幅パルスのパルス
幅、デユーテイ、個数を考慮して遅延回路数を定
めておけば2度目の選択で電荷が残つている状態
は回避できる。半導体メモリでは図示のように遅
延回路を3〜4個も設けておけば充分である。
2,14,……と逐次選択さて行き、最後の遅延
回路16が選択された後は、次は最初の遅延回路
10が選択される。即ちカウンタは遅延回路数に
合わせ、本例では4進カウンタとする。2度目の
選択では遅延回路10には電荷が残つていること
も考えられるが、有り得る細幅パルスのパルス
幅、デユーテイ、個数を考慮して遅延回路数を定
めておけば2度目の選択で電荷が残つている状態
は回避できる。半導体メモリでは図示のように遅
延回路を3〜4個も設けておけば充分である。
アンドゲート20,22,24,26は上記動
作から明らかなように必ずしも必要ではなく、除
去してもよい。唯、遅延回路として複数個のイン
バータの直列接続回路を用いるような場合は、ゲ
ート20,22,……がないと遅延時間τ後には
N1,N2,……が出てくるから、これを抑えるに
はゲート20,22,……が必要である。またデ
コーダ出力及び遅延回路が共にLレベルなら、ア
ンドゲートはノアゲートに変えるなど、正論理、
負論理に応じてゲートを適宜変えることは勿論で
ある。
作から明らかなように必ずしも必要ではなく、除
去してもよい。唯、遅延回路として複数個のイン
バータの直列接続回路を用いるような場合は、ゲ
ート20,22,……がないと遅延時間τ後には
N1,N2,……が出てくるから、これを抑えるに
はゲート20,22,……が必要である。またデ
コーダ出力及び遅延回路が共にLレベルなら、ア
ンドゲートはノアゲートに変えるなど、正論理、
負論理に応じてゲートを適宜変えることは勿論で
ある。
以上説明したように本発明によれば、入力信号
に細幅ノイズパルスが混じる場合にも入力信号パ
ルスから所定の遅延を持つた出力パルスを発生す
ることができ、遅延回路のリセツトが行なえない
場合に甚だ有効である。
に細幅ノイズパルスが混じる場合にも入力信号パ
ルスから所定の遅延を持つた出力パルスを発生す
ることができ、遅延回路のリセツトが行なえない
場合に甚だ有効である。
第1図は本発明の実施例を示すブロツク図、第
2図は動作説明図である。 図面で10,12,14,16は複数個の遅延
回路、32はカウンタ、34はデコーダ、28は
ゲート回路である。
2図は動作説明図である。 図面で10,12,14,16は複数個の遅延
回路、32はカウンタ、34はデコーダ、28は
ゲート回路である。
Claims (1)
- 1 入力パルスが共通に加えられる複数個の遅延
回路と、該入力パルスのパルス数を計数するカウ
ンタと、該カウンタの計数値をデコードしてその
出力により前記複数個の遅延回路の該当するもの
1つを選択してそれに前記パルスを入力させるデ
コーダと、これらの遅延回路の出力端に接続され
て入力パルスのうちの信号パルスを所定時間遅延
させた出力パルスを生じるゲート回路とを備える
ことを特徴とする半導体集積回路。
Priority Applications (5)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61022528A JPS62180607A (ja) | 1986-02-04 | 1986-02-04 | 半導体集積回路 |
| KR1019870000849A KR900006785B1 (ko) | 1986-02-04 | 1987-02-03 | 반도체장치의 시간지연 회로 |
| EP87101515A EP0233550B1 (en) | 1986-02-04 | 1987-02-04 | A time delay circuit for a semiconductor device |
| DE87101515T DE3786683T2 (de) | 1986-02-04 | 1987-02-04 | Zeitverzögerungsschaltung für Halbleitervorrichtung. |
| US07/193,192 US4800304A (en) | 1986-02-04 | 1988-05-09 | Time delay circuit for a semiconductor device |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61022528A JPS62180607A (ja) | 1986-02-04 | 1986-02-04 | 半導体集積回路 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62180607A JPS62180607A (ja) | 1987-08-07 |
| JPH0381327B2 true JPH0381327B2 (ja) | 1991-12-27 |
Family
ID=12085292
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61022528A Granted JPS62180607A (ja) | 1986-02-04 | 1986-02-04 | 半導体集積回路 |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4800304A (ja) |
| EP (1) | EP0233550B1 (ja) |
| JP (1) | JPS62180607A (ja) |
| KR (1) | KR900006785B1 (ja) |
| DE (1) | DE3786683T2 (ja) |
Families Citing this family (33)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5014242A (en) * | 1987-12-10 | 1991-05-07 | Hitachi, Ltd. | Semiconductor device for a ram disposed on chip so as to minimize distances of signal paths between the logic circuits and memory circuit |
| JP2525455B2 (ja) * | 1988-05-30 | 1996-08-21 | 富士通株式会社 | 半導体メモリ装置 |
| US4953130A (en) * | 1988-06-27 | 1990-08-28 | Texas Instruments, Incorporated | Memory circuit with extended valid data output time |
| US5193076A (en) * | 1988-12-22 | 1993-03-09 | Texas Instruments Incorporated | Control of sense amplifier latch timing |
| US4970507A (en) * | 1989-03-17 | 1990-11-13 | Gte Laboratories Incorporated | Broadband switching matrix for delay equalization and elimination of inversion |
| US5003310A (en) * | 1989-09-29 | 1991-03-26 | Westinghouse Electric Corp. | Analog data acquisition circuit with digital logic control |
| JPH0793558B2 (ja) * | 1989-12-15 | 1995-10-09 | 安藤電気株式会社 | タイミング信号遅延回路 |
| KR930006622B1 (ko) * | 1990-09-04 | 1993-07-21 | 삼성전자 주식회사 | 반도체 메모리장치 |
| US5124951A (en) * | 1990-09-26 | 1992-06-23 | Sgs-Thomson Microelectronics, Inc. | Semiconductor memory with sequenced latched row line repeaters |
| JPH04309107A (ja) * | 1991-04-08 | 1992-10-30 | Nec Ic Microcomput Syst Ltd | 半導体集積回路 |
| US5184032A (en) * | 1991-04-25 | 1993-02-02 | Texas Instruments Incorporated | Glitch reduction in integrated circuits, systems and methods |
| IT1253678B (it) * | 1991-07-31 | 1995-08-22 | St Microelectronics Srl | Architettura antirumore per memoria |
| US5374894A (en) * | 1992-08-19 | 1994-12-20 | Hyundai Electronics America | Transition detection circuit |
| US5301165A (en) * | 1992-10-28 | 1994-04-05 | International Business Machines Corporation | Chip select speedup circuit for a memory |
| FR2699023B1 (fr) * | 1992-12-09 | 1995-02-24 | Texas Instruments France | Circuit à retard commandé. |
| US5424985A (en) * | 1993-06-30 | 1995-06-13 | Sgs-Thomson Microelectronics, Inc. | Compensating delay element for clock generation in a memory device |
| GB2315347B (en) * | 1993-08-23 | 1998-04-01 | Advanced Risc Mach Ltd | Testing integrated circuits |
| US5666079A (en) * | 1994-05-06 | 1997-09-09 | Plx Technology, Inc. | Binary relative delay line |
| SG34231A1 (en) * | 1994-06-06 | 1996-12-06 | Seiko Epson Corp | Oscillation device display data processing device matrix-type display device oscillation signal generation method and display data processing method |
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| JP3275554B2 (ja) * | 1994-08-09 | 2002-04-15 | ヤマハ株式会社 | 半導体記憶装置 |
| US5757718A (en) * | 1996-02-28 | 1998-05-26 | Nec Corporation | Semiconductor memory device having address transition detection circuit for controlling sense and latch operations |
| DE69630108D1 (de) * | 1996-04-29 | 2003-10-30 | St Microelectronics Srl | Zur Erreichung von Minimal-Funktionalitätsbedingungen von Speicherzellen und Leseschaltungen, insbesondere für nichtflüchtige Speicher, synchronisierte Speicherleseaktivierungsschaltung |
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