JPH038212A - 膜配線及びその製造方法 - Google Patents
膜配線及びその製造方法Info
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- JPH038212A JPH038212A JP1140468A JP14046889A JPH038212A JP H038212 A JPH038212 A JP H038212A JP 1140468 A JP1140468 A JP 1140468A JP 14046889 A JP14046889 A JP 14046889A JP H038212 A JPH038212 A JP H038212A
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- wiring
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- film wiring
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は同一面上に設けた透明導電膜配線及びＡｌ膜配
線からなる配線の構造及びその製造方法に関する，特に
透明導電膜であるＩＴＯ膜あるいはＳｎ０２膜からなる
配線とＡｌ膜配線とを同一面上に設けた表示デバイス等
の光学デバイスに供する配線構造およびその製造方法に
関する。
線からなる配線の構造及びその製造方法に関する，特に
透明導電膜であるＩＴＯ膜あるいはＳｎ０２膜からなる
配線とＡｌ膜配線とを同一面上に設けた表示デバイス等
の光学デバイスに供する配線構造およびその製造方法に
関する。
従来の技術
近年表示デバイスなどの高密度化、大面積化に対応して
低抵抗配線が必要とされてきている．このため低抵抗材
料としてＡｌ膜は有望な材料である．しかし、第５図（
ａ）に示すように、ＩＴＯ膜あるいはＳｎ０２膜で代表
される透明導電膜配線５２と、この透明導電膜配線５２
と電気的接触を有するＡｌ膜配線５３を絶縁基板５１の
同一面上に設けると、透明導電膜５２とＡｌ膜５３との
化学的標準電位の差により、水洗等の処理を施すと同図
（ｂｌに示すように孔食反応と呼ばれる局部電池反応に
よりＡｌ膜５３にピンホール５４が発生し断線にまで進
行する場合が生じた。
低抵抗配線が必要とされてきている．このため低抵抗材
料としてＡｌ膜は有望な材料である．しかし、第５図（
ａ）に示すように、ＩＴＯ膜あるいはＳｎ０２膜で代表
される透明導電膜配線５２と、この透明導電膜配線５２
と電気的接触を有するＡｌ膜配線５３を絶縁基板５１の
同一面上に設けると、透明導電膜５２とＡｌ膜５３との
化学的標準電位の差により、水洗等の処理を施すと同図
（ｂｌに示すように孔食反応と呼ばれる局部電池反応に
よりＡｌ膜５３にピンホール５４が発生し断線にまで進
行する場合が生じた。
この解決手段として、第６図（ａ）の要部断面図および
（ｂ）の要部斜視図に示す構造が考えられた。同図にお
いて５１．５２．５３は第５図と同一である。すなわち
絶縁基板５１上に設けた神Ａｌ膜配線５３上に透明溝１
ｔＩＩｌ配線５２の化学的標準電位にほぼ等しいＭＯ膜
６１を設けた構造が提案された（第４８回応用物理学会
学術講演会１９８７年秋期１９Ｐ−ＺＢ−２）。
（ｂ）の要部斜視図に示す構造が考えられた。同図にお
いて５１．５２．５３は第５図と同一である。すなわち
絶縁基板５１上に設けた神Ａｌ膜配線５３上に透明溝１
ｔＩＩｌ配線５２の化学的標準電位にほぼ等しいＭＯ膜
６１を設けた構造が提案された（第４８回応用物理学会
学術講演会１９８７年秋期１９Ｐ−ＺＢ−２）。
発明が解決しようとする課題
しかしながら、前記構造において使用するＭ。
膜６１は耐薬品性に劣る材料であり表示デバイス作成上
の工程裕度が低いという問題を存していた。
の工程裕度が低いという問題を存していた。
すなわち、レジスト除去工程に使用する発煙硝酸等の酸
類の使用ができない、従って、洗浄工程において充分な
洗浄を行うことが困難であり、断線・短絡等の不良が発
生し易いという問題を有していた。加えて前記構造上に
さらにスイッチング素子、受動素子および配線を構成す
る場合酸類の使用が限定されるため、工程的に上記素子
および配線の材料が限定されると言う問題を有していた
。
類の使用ができない、従って、洗浄工程において充分な
洗浄を行うことが困難であり、断線・短絡等の不良が発
生し易いという問題を有していた。加えて前記構造上に
さらにスイッチング素子、受動素子および配線を構成す
る場合酸類の使用が限定されるため、工程的に上記素子
および配線の材料が限定されると言う問題を有していた
。
本発明は、以上のような従来の課題を解決したものであ
り、工程裕度が大きく不良発生の低減する膜配線構造お
よびその製造方法を提供する事を目的とする。
り、工程裕度が大きく不良発生の低減する膜配線構造お
よびその製造方法を提供する事を目的とする。
課題を解決するための手段
本発明は、絶縁基板上に透明導電膜配線と電気的接触を
有するＡｌ膜配線を設け、前記Ａｌ膜配線の上表面に酸
化Ａｔ薄膜を設けた構造とするものである。加えて、前
記Ａｌ膜配線において絶縁基板表面および透明導電膜配
線との接触面を除く表面上に酸化Ａｌ薄膜を設けた構造
とすると良い。
有するＡｌ膜配線を設け、前記Ａｌ膜配線の上表面に酸
化Ａｔ薄膜を設けた構造とするものである。加えて、前
記Ａｌ膜配線において絶縁基板表面および透明導電膜配
線との接触面を除く表面上に酸化Ａｌ薄膜を設けた構造
とすると良い。
その製造方法は、絶縁基板上に透明導電膜配線を設ける
第１工程、Ａｌ膜を設ける第２工程、Ａｌ膜を酸化雰囲
気に晒す第３工程、Ａｌ膜上に耐食マスクを設ける第４
工程、Ａｌ膜を食刻する第５工程、耐食マスクを除去す
る第６工程からなるものである。更に、第５工程に続い
て酸化雰囲気に晒す第７工程を有することにより本発明
の効果がより有効に現われるものである。
第１工程、Ａｌ膜を設ける第２工程、Ａｌ膜を酸化雰囲
気に晒す第３工程、Ａｌ膜上に耐食マスクを設ける第４
工程、Ａｌ膜を食刻する第５工程、耐食マスクを除去す
る第６工程からなるものである。更に、第５工程に続い
て酸化雰囲気に晒す第７工程を有することにより本発明
の効果がより有効に現われるものである。
作用
以上のような構造の本発明による膜配線は、Ａｌ膜表面
を酸化Ａｌにて被覆しているためＩＴＯ膜と同時に液面
に晒されることが無いので、孔食反応によるＡｌ膜のピ
ンホールの発生を防止することができ、通常のＡｌ膜に
使用し得る薬品はすべて用いることができる工程上の裕
度が高く、良好なＡｌ膜配線を構成するものである。
を酸化Ａｌにて被覆しているためＩＴＯ膜と同時に液面
に晒されることが無いので、孔食反応によるＡｌ膜のピ
ンホールの発生を防止することができ、通常のＡｌ膜に
使用し得る薬品はすべて用いることができる工程上の裕
度が高く、良好なＡｌ膜配線を構成するものである。
この膜配線の製造方法も単にＡｌ膜を酸化雰囲気、例え
ば空気中のアニール、あるいは陽極酸化法により容易に
Ｗ１密な酸化Ａｌを形成できる。しかも数十ｎｍ程度の
膜厚に形成された酸化Ａｌは、通常のＡｌ膜のエツチン
グ液である例えば隣酸系エツチング液で、Ａｌ１ｌと同
時に容易にパターン形成グされる。
ば空気中のアニール、あるいは陽極酸化法により容易に
Ｗ１密な酸化Ａｌを形成できる。しかも数十ｎｍ程度の
膜厚に形成された酸化Ａｌは、通常のＡｌ膜のエツチン
グ液である例えば隣酸系エツチング液で、Ａｌ１ｌと同
時に容易にパターン形成グされる。
実施例
以下に図面に基づき本発明の膜配線およびその製造方法
について詳述する。
について詳述する。
第１図（ａ）は本発明の実施例１にかかる膜配線の要部
を示す断面図であり、同図ら）は同図（ａ）の配線部の
７部斜視図である。すなわち、本発明の一例の膜配線は
絶縁基板、例えばガラス基板１１上に透明導電膜配線、
例えば所定の形状にパターン形成された膜厚１１００ｎ
の［ＴＯ膜配線１２と電気的接触を有する膜厚２００ｎ
ｍのＡｌ膜配線１３を設け、かつ前記Ａｌ膜配線１３の
上表面に膜厚１０ｎｍ程度の酸化Ａｌｌ膜１４を設けた
構造とした。Ｅ記構酸において、ピンホールの発生はな
く、良好なＡｌ膜配線を実現した。その配線抵抗は、Ａ
ｌ膜のシート抵抗からの計算値と一致を確認した。
を示す断面図であり、同図ら）は同図（ａ）の配線部の
７部斜視図である。すなわち、本発明の一例の膜配線は
絶縁基板、例えばガラス基板１１上に透明導電膜配線、
例えば所定の形状にパターン形成された膜厚１１００ｎ
の［ＴＯ膜配線１２と電気的接触を有する膜厚２００ｎ
ｍのＡｌ膜配線１３を設け、かつ前記Ａｌ膜配線１３の
上表面に膜厚１０ｎｍ程度の酸化Ａｌｌ膜１４を設けた
構造とした。Ｅ記構酸において、ピンホールの発生はな
く、良好なＡｌ膜配線を実現した。その配線抵抗は、Ａ
ｌ膜のシート抵抗からの計算値と一致を確認した。
次に上記実施例１にかかる製造法を第３図に基づき説明
する。すなわちガラス基板ｌｌ上にＩＴＯｙＩ膜を例え
ばスバフタ蒸着により形成し、フォトリソグラフにより
ＩＴＯ膜配線１２を設ける第１工程３１を行い、次に第
２工程３２において例えばスバフタ蒸着によるＡｌ薄膜
２１を設け、続いて第３工程３３においてＡｌ薄膜２１
を酸化雰囲気、例えば２５０℃に加熱したクリーンオー
プン内に１時間程度晒すことにより数１０ｎｍの酸化Ａ
ｌｌ膜１４がＡｌ膜３２１上に形成される０次に第４工
程３４において、例えば発煙硝酸による酸洗浄、純水洗
浄などの後、乾燥後Ａｌ膜３２１上に耐食マスク、例え
ばフォトレジストマスク３４１を設ける。ａいてＡｌ膜
３２１を例えば燐酸系エツチング液にて食刻する第５工
程３５を行った後、第６工程３６においてフォトレジス
トマスク３４１を発煙硝酸により除去し、Ａｌ膜配線１
２を実現した。
する。すなわちガラス基板ｌｌ上にＩＴＯｙＩ膜を例え
ばスバフタ蒸着により形成し、フォトリソグラフにより
ＩＴＯ膜配線１２を設ける第１工程３１を行い、次に第
２工程３２において例えばスバフタ蒸着によるＡｌ薄膜
２１を設け、続いて第３工程３３においてＡｌ薄膜２１
を酸化雰囲気、例えば２５０℃に加熱したクリーンオー
プン内に１時間程度晒すことにより数１０ｎｍの酸化Ａ
ｌｌ膜１４がＡｌ膜３２１上に形成される０次に第４工
程３４において、例えば発煙硝酸による酸洗浄、純水洗
浄などの後、乾燥後Ａｌ膜３２１上に耐食マスク、例え
ばフォトレジストマスク３４１を設ける。ａいてＡｌ膜
３２１を例えば燐酸系エツチング液にて食刻する第５工
程３５を行った後、第６工程３６においてフォトレジス
トマスク３４１を発煙硝酸により除去し、Ａｌ膜配線１
２を実現した。
次に本発明の実施例２にかかる膜配線の構造を第２図に
示す、同図（ａ）は本発明にかかる膜配線の要部を示す
断面図であり、同図〜）は同図（ａ）の配線部の要部斜
視図である。同図において１１．１２．１３は第１図と
同一である。すなわち、本発明の膜配線は例えばガラス
基板ｌｌ上に、例えば所定の形状にパターン形成された
膜厚１０ＱｎｍのＩＴＯ膜配線１２と電気的接触を有す
る膜厚１１００ｎのＡ＋膜配線１３と、Ａｌ膜配線１３
においてガラス基板１１表面およびＩＴＯ膜配線１２と
の接触面を除く表面上に１０ｎｍ程度の酸化Ａｌ薄膜２
１を設けた構造とした。上記構成においても、実施例１
と同様にピンホールの発生はなく、良好なＡｌ膜配線を
実現した。さらに実施例ｅｌにおいて発生の頻度は少な
いながらも認められたＡｌ膜のサイドエンチングの除去
も実現した。その配線抵抗は、Ａ、 ｌ膜のシート抵抗
からの計算値と一敗を確認した。
示す、同図（ａ）は本発明にかかる膜配線の要部を示す
断面図であり、同図〜）は同図（ａ）の配線部の要部斜
視図である。同図において１１．１２．１３は第１図と
同一である。すなわち、本発明の膜配線は例えばガラス
基板ｌｌ上に、例えば所定の形状にパターン形成された
膜厚１０ＱｎｍのＩＴＯ膜配線１２と電気的接触を有す
る膜厚１１００ｎのＡ＋膜配線１３と、Ａｌ膜配線１３
においてガラス基板１１表面およびＩＴＯ膜配線１２と
の接触面を除く表面上に１０ｎｍ程度の酸化Ａｌ薄膜２
１を設けた構造とした。上記構成においても、実施例１
と同様にピンホールの発生はなく、良好なＡｌ膜配線を
実現した。さらに実施例ｅｌにおいて発生の頻度は少な
いながらも認められたＡｌ膜のサイドエンチングの除去
も実現した。その配線抵抗は、Ａ、 ｌ膜のシート抵抗
からの計算値と一敗を確認した。
続いて実施例２の製造方法を第４図にしたがって説明す
る。同図において１１〜１３．３１〜３５は第３図と同
一である。２１は第２図と同一である。すなわち、実施
例１と同様に第５工程３５まで行い、次に第７工程４１
として酸化雰囲気、例えば通常の半導体集積回路製造工
程に使用される０２アンシヤー装置によりレジストマス
クを除去すると共にＡｌ膜配線１３の表面に酸化Ａｌ膜
２１を形成するものである。更に、第３工程３３のよう
にクリーンオーブンにて酸化を加えることによりさらに
緻密な酸化Ａｌ膜が形成されるものである。
る。同図において１１〜１３．３１〜３５は第３図と同
一である。２１は第２図と同一である。すなわち、実施
例１と同様に第５工程３５まで行い、次に第７工程４１
として酸化雰囲気、例えば通常の半導体集積回路製造工
程に使用される０２アンシヤー装置によりレジストマス
クを除去すると共にＡｌ膜配線１３の表面に酸化Ａｌ膜
２１を形成するものである。更に、第３工程３３のよう
にクリーンオーブンにて酸化を加えることによりさらに
緻密な酸化Ａｌ膜が形成されるものである。
上記実施例の説明は透明導電膜として＋ＴＯ膜について
行なったが、５ｎ０２についても同様の構成および製造
方法にて実現されるものであり、本発明に含まれるもの
である。また、上記実施例の説明はＡｔ膜について行っ
たが、半導体デバイスに使用されているＡｌ−３ｉ膜、
Ａｌ−３ｉ−Ｃｕ膜等も本発明に含まれるものである。
行なったが、５ｎ０２についても同様の構成および製造
方法にて実現されるものであり、本発明に含まれるもの
である。また、上記実施例の説明はＡｔ膜について行っ
たが、半導体デバイスに使用されているＡｌ−３ｉ膜、
Ａｌ−３ｉ−Ｃｕ膜等も本発明に含まれるものである。
更に上記実施例の説明はＡｌ膜について行ったが、ＩＴ
ＯＩ！！！！とＡｌ膜の界面の安定化のため、Ａｌ膜に
代わってＣｒ／Ａｌ、Ｔ ｉ ／ Ａ ｌ膜等の多層膜
からなる構成も本発明からなるＦＲａおよび製造方法を
実現でき得るものであり本発明に含まれるものである。
ＯＩ！！！！とＡｌ膜の界面の安定化のため、Ａｌ膜に
代わってＣｒ／Ａｌ、Ｔ ｉ ／ Ａ ｌ膜等の多層膜
からなる構成も本発明からなるＦＲａおよび製造方法を
実現でき得るものであり本発明に含まれるものである。
更に以上の実施例はＡｌ膜配線の基本的な構成を示した
ものであり、この配線上に絶縁膜を形成し、多層配線か
らなる構造および製造方法も本発明に含まれるものであ
る。
ものであり、この配線上に絶縁膜を形成し、多層配線か
らなる構造および製造方法も本発明に含まれるものであ
る。
発明の効果
以上の説明から明らかなように本発明にかかるＡｌ膜配
線はＡｌ膜の表面酸化によりＡｌ膜の孔食反応を阻止し
低抵抗のＡｌ膜配線実現したものであり、製造プロセス
も容易であり、加えてスイッチング素子、受動素子およ
び配線材料の選択が広くなり、透明電極を用いたデバイ
ス、例えば邊像仮、液晶デイスプレィの高密度化あるい
は大面積化に必要な低抵抗配線を実現しうるものである
。
線はＡｌ膜の表面酸化によりＡｌ膜の孔食反応を阻止し
低抵抗のＡｌ膜配線実現したものであり、製造プロセス
も容易であり、加えてスイッチング素子、受動素子およ
び配線材料の選択が広くなり、透明電極を用いたデバイ
ス、例えば邊像仮、液晶デイスプレィの高密度化あるい
は大面積化に必要な低抵抗配線を実現しうるものである
。
第１図は本発明にかかる膜配線の実施例１の要部構造を
示す図であり、同図（ａｌは要部断面図、同図（ｂ）は
要部斜視図、第２図は本発明にかかる膜配線の実施例２
の要部構造を示す図であり、同図（ａｌは要部断面図、
同図（１））は要部斜視図、第３図は本発明にかかる膜
配線の実施例１の製造方法を示すフロー図および各工程
における要部構造を示す断面図、第４図は本発明にかか
る膜配線の実施例２の製造方法を示すフロー図および各
工程における要部構造を示す断面図、第５図は膜配線の
従来例１を説明する図であり、同図（ａ）は膜配線の従
来横面構造を示す図である。 １１・・・・・・絶縁基板、１２・・・・・・透明導電
膜配線、１３・・・・・・Ａｌ膜配線、１４・・・・・
・酸化Ａｌ膜、２１・・・・・・酸化Ａ■膜。
示す図であり、同図（ａｌは要部断面図、同図（ｂ）は
要部斜視図、第２図は本発明にかかる膜配線の実施例２
の要部構造を示す図であり、同図（ａｌは要部断面図、
同図（１））は要部斜視図、第３図は本発明にかかる膜
配線の実施例１の製造方法を示すフロー図および各工程
における要部構造を示す断面図、第４図は本発明にかか
る膜配線の実施例２の製造方法を示すフロー図および各
工程における要部構造を示す断面図、第５図は膜配線の
従来例１を説明する図であり、同図（ａ）は膜配線の従
来横面構造を示す図である。 １１・・・・・・絶縁基板、１２・・・・・・透明導電
膜配線、１３・・・・・・Ａｌ膜配線、１４・・・・・
・酸化Ａｌ膜、２１・・・・・・酸化Ａ■膜。
Claims (4)
- （１）絶縁基板上にＳｎあるいはＩｎを主たる金属成分
として含有する透明導電膜配線と電気的接触を有するＡ
ｌを主成分とするＡｌ膜配線を設け、前記Ａｌ膜配線の
上表面に酸化Ａｌを主成分とする酸化Ａｌ薄膜を設けた
ことを特徴とする膜配線。 - （２）Ａｌ膜配線において絶縁基板表面および透明導電
膜配線との接触面を除く表面上に酸化Ａｌを主成分とす
る酸化Ａｌ薄膜を設けたことを特徴とする請求項（１）
記載の膜配線。 - （３）絶縁基板上に透明導電膜配線を設ける第１工程、
Ａｌ膜を設ける第２工程、Ａｌ膜を酸化雰囲気に晒す第
３工程、Ａｌ膜上に耐食マスクを設ける第４工程、Ａｌ
膜を食刻する第５工程、耐食マスクを除去する第６工程
からなる特徴とする膜配線の製造方法。 - （４）第５工程に続いて酸化雰囲気に晒す第７工程を有
することを特徴とする請求項（３）記載の膜配線の製造
方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1140468A JPH038212A (ja) | 1989-06-01 | 1989-06-01 | 膜配線及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1140468A JPH038212A (ja) | 1989-06-01 | 1989-06-01 | 膜配線及びその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH038212A true JPH038212A (ja) | 1991-01-16 |
Family
ID=15269299
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1140468A Pending JPH038212A (ja) | 1989-06-01 | 1989-06-01 | 膜配線及びその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH038212A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5538711A (en) * | 1995-01-23 | 1996-07-23 | Mobil Oil Corporation | Foam reduction during synthesis of MCM-41 |
| US8313755B2 (en) | 2000-05-11 | 2012-11-20 | Takasago International Corporation | Clear aqueous ceramide composition |
-
1989
- 1989-06-01 JP JP1140468A patent/JPH038212A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5538711A (en) * | 1995-01-23 | 1996-07-23 | Mobil Oil Corporation | Foam reduction during synthesis of MCM-41 |
| US8313755B2 (en) | 2000-05-11 | 2012-11-20 | Takasago International Corporation | Clear aqueous ceramide composition |
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