JPH0382373A - ケイ光燈点燈回路 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〈産業上の利用分野〉 本発明は、インバータを採用したケイ光燈の点燈回路に
関し、特に始点火時の安定した点燈を得る回路に関する
ものである。

〈発明の概要〉 この発明は、インバータ式ケイ光燈点燈回路において、
　ＭＯＳ（Ｍｅｔａｌ　　０ｘｉｄｅ　　Ｓａｍｉｅｏ
ｎｄｕｃｔ。

ｒ）・ＦＥＴ（電界効果トランジスター）の特性を利用
して点燈回路の電流を制限することにより始点火時の安
定な点燈動作を得るようにしたものである。

〈従来の技術〉 最近、ちらつきが少ない、５０・６０のサイクル地域に
関係なく使用できる。などの理由によって、インバータ
方式を採用したケイ光燈器具が大いに普及してきている
。

第４図はＮＰＮトランジスターＱｌｌ、　Ｑ１２を用い
た自励式インバータの点燈回路図であり、１１はＡＣ電
源を入力してＤＣ電源を出力する整流部。

ＴｌｌはＬｌｌ−Ｌｉ２の巻線からなるトランス、Ｉ２
はケイ光管、Ｒ１１，Ｒ１２は抵抗器である。

電源の投入時はＱｌｌ、　Ｑ１２の特性差によって、い
ずれか一方がＯＮ（導通）状態となる。該ＯＮのトラン
ジスターがＱｌｌである場合、第５図の波形図に示すよ
うに、回路の動作はＱｌｌのＯＮ電流が巻線Ｌｌｌに流
れることによって、Ｌｉ２の・ｍ個にプラスの電圧を誘
起し、Ｑ１２をＯＮ状態にすると同時にＱｌｌを０ＦＦ
（開放）状態にする０次に、Ｑ１０のＯＮ電流がＬ　１
２’Ｓ−流れることによってＬｉ２の・ｍ個に上記とは
反対のマイナスの電圧を誘起し、再びＱｌｌ、　Ｑｌ２
をそれぞれＯＮ、ＯＦＦ状態に戻す。このような動作を
繰り返すことにより、Ｌｉ２に誘起される高周波電流が
ケイ光管１２のフィラメントを予熱した後、放電を開始
させケイ光管１２を点燈する。

く本発明が解決しようとする問題点〉 この従来の方式では、ＡＣ電源の投入時すなわち、ケイ
光管１２の始点火時において、自励式発振による動作周
波数が安定時の高周波電流の周波数よりも、かなり高い
値からスタートし１次第に低下してゆき安定値で定まる
ことがときどき発生する。このかなり高い周波数で発振
した場合、回路の動作は高周波によって、インバータの
負荷が容量性を強めるため、大きな回路電源が流れるこ
ととなり、回路の各素子を劣化、あるいは破壊するなど
の問題が発生していた。

本発明の目的は、このような従来の問題を解決し、特別
なハードウェアを用いることなく、簡単かつ安価な方法
により、安定な始点入動作を行うケイ光姫点燈回路を提
供することにある。

く問題を解決するための手段〉 本発明のケイ光燈点燈回路は１発振の動作を行う開閉素
子Ｑを有し、上記発振による電流でケイ光管を点燈する
点燈回路において、上記発振による電流を上記ケイ光管
の始点火時に制限するＭＯＳ−ＦＥＴ　　Ｑ５を上記開
閉素子Ｑと直列に接続することに特徴がある９゜ く作　　用〉 ＭＯＳ−ＦＥＴ　　Ｑ５のゲートに抵抗１１Ｒ１゜コン
デンサーＣ１でなるＣＲ回路を接続してバイアス回路に
することによって、ドレイン・ソース間抵抗が次第に小
さくなり始点火時の発振電流を制限していた抵抗器Ｒ２
の影響が次第に弱まり。

回路の電流は増大してゆくことになる。

く実　施　例〉 以下、本発明の一実施例を第１図〜第３図により、詳細
に説明する６ 第１図において、整流部１の出力側に全ブリッジ式イン
バータ構成を接続したＱ１〜Ｑ４は、エンハンスメント
形のＭＯＳ−ＦＥＴ（開閉素子）である。該Ｑｌ−Ｑ４
の各ゲート・ソース間にはそれぞれ巻線ＴＬＡ−ＴＩＤ
を接続し、バイアス回路とする（保護回路の図示は省略
する）。なお、巻線ＴＩＡ−ＴＬＦはゲートトリガ用ト
ランスＴｌを構成する各巻線であり、そのｌっＴＩＥは
転流のタイミング信号を得るためのもので安定器り。

ケイ光管２と直列に接続する。Ｌは負性抵抗特性のケイ
光管２に対して適正なインピーダンス（Ｚ）値を有する
安定器、Ｃは始動用のコンデンサーである。

本回路の動作は、第２図の波形図に示すように電源投入
時１図示を省略した初期トリガ発生部によって、先ずＱ
ｌ＆ＯＮ状態にすると共に、ＴｌＡに流すトリガ電流で
ＴＩＢの・ｍ個にプラスの電圧を誘起してＱ２もＯＮ状
態にする。なお、ＴＩＣ，ＴＩＤにも電圧誘起をするが
、巻線方向が反対であるので、Ｑ３．Ｑ４はＯＦＦのま
まである。これにより整流部１プラスからの回路電流は
Ｑ２→Ｌ４Ｃ２→ＴＩＥ→Ｑ１→Ｒ２の順に流れケイ光
管２のフィラメントを予熱する。

次に、上記回路電流がＴＩＥを流れることにより、ＴＩ
ＣとＴＩＤの・ｍ個にプラスの電圧を誘起し、Ｑ３とＱ
４をＯＮｋこすると同時に、ＴＩＡとＴＩＢの・ｍ個に
マイナス電圧を誘起して、ＱｌとＱ２をＯＮからＯＦＦ
状態へと切り替える。

これにより上記と同様の回路電流はＱ４→ＴＩＥ→Ｃ２
→Ｌ−４Ｑ３→Ｒ２の順となってフィラメントを予熱す
るが電流方向は反対である。

続いて、ＴＩＦを流れる上記回路電流がＴＩＡとＴＩＢ
、ＴｉｃとＴＩＤに対して誘記するそれぞれのプラス、
マイナス電圧によって、再びＱｌとＱ２をＯＮ、Ｑ３と
Ｑ４をＯＦＦ状層にする。

このような動作を繰り返すことによって、安定器りおよ
びケイ光管２に高周波電流が流れ、フィラメントを予熱
することで放電が開始し、ケイ光管２が点燈する。

しかしながら上述の回路においても前述したような問題
と同様、始点火時にはかなり高い周波数で発振して大き
な電流が流れることがときどき発生する。それを解決す
る本発明の一実施例を以下に述べる。

第１図において、Ｒ１，Ｃ１はそれぞれ抵抗器、コンデ
サーであり、整流部１の出力側にＣ−Ｒ１α列回路を構
成し、Ｑ５すなわちＭＯＳ−ＦＥＴのゲートに対するバ
イアス回路でもある。上記Ｑ５と、該Ｑ５のソース・ド
レイン間を結ぶ抵抗器Ｒ２とでなるＱ５・Ｒ２並列回路
は、上記バイアス回路の電圧値に基いて始点犬侍の回路
電流を制限するためのものである。

電流制限の動作は、第３図に示す波形図のように電源投
入時すなわち始点犬侍、Ｑ５のゲート電圧がＣ１の電圧
波形すなわちＯｖからＣｌＸＲ１時定数で上昇するバイ
アス電圧となるため、Ｑ５のドレイン・ソース間抵抗値
が上記時定数の曲線に従って次第に小さくなる。これに
よりＱ５・Ｒ２＃を列回路は回路に流れる発振電流に対
して始めはＲ２の値で電流制限するが、時定数と共にＱ
５のドレイン・ソース間抵抗が小さくなるにつれて次第
に制限量を緩和し、最後は回路電流に対する影響をなく
する。

上述したように始点犬侍の電流制限を行うことによって
、前述した第４図の点燈回路および上述した本実施例に
おける。かなり高い発振周波数による大きな回路電流の
発生をなくすることができる。

これにより、Ｃ１・Ｒ１直列回路およびＱ５・Ｒ２並列
回路という簡単なもので、トランジスターＱｌｌ、　Ｑ
ｌ２やＭＯＳ−ＦＥＴ　　Ｑｌ〜Ｑ４の開閉素子などの
回路部品に対する劣化あるいは破壊を防止することがで
き、始点化時のソフト動作を行い寿命の長いケイ光灯器
具が可能である。

〈発明の効果〉 以上説明したように１本発明によればインバータ方式に
よってケイ光管を点燈するケイ先走点燈回路において、
上記インバータにＭＯＳ　−ＦＥＴＱ５を直列接続しゲ
ート電圧で始点化時Ｑ、１・１路電流を制限させるので
、特別なハードウェアを用いることなく、ソフトな始点
化動作を行い高信頼性のケイ先走点燈回路を実現するこ
とができる。

明細書の浄書

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の一実施例を示すケイ先走点燈回路図、
第２＠および第３図は第１図の動作を示す波形図、第４
図は従来のブシュプル方式番こよる自励式インバータの
点燈回路図、第５図番よ第４図の動作を示す波形図であ
る。 １．１１：！１滝部、２，１２：ケイ光管、Ｃ１，Ｃ２
：コンデンサー、Ｌ：安定器、Ｌ１１〜Ｌ１４．ＴＬＡ
−Ｔ’ｌＥ：巻線ＪＱｌ〜Ｑ５　：ＭＯＳ　−ＦＥＴ、
Ｑｌｌ、Ｑｌ２：　ＮＰＮトランジスタ、Ｒ１，Ｒ２、
Ｒ１１，Ｒ１２：抵抗器、Ｔ１ニゲ−トド１ツガ用トラ
ンス、Ｔ１１ニドランス。

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. 発振の動作を行う開閉素子Ｑを有し、上記発振による電
   流でケイ光管を点燈する点燈回路において、上記発振に
   よる電流を上記ケイ光管の始点火時に制限するＭＯＳ・
   ＦＥＴＱ５を上記開閉素子Ｑと直列に接続することを特
   徴とするケイ光燈点燈回路。