JPH0383965U - - Google Patents
Info
- Publication number
- JPH0383965U JPH0383965U JP14565989U JP14565989U JPH0383965U JP H0383965 U JPH0383965 U JP H0383965U JP 14565989 U JP14565989 U JP 14565989U JP 14565989 U JP14565989 U JP 14565989U JP H0383965 U JPH0383965 U JP H0383965U
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- submount
- semiconductor laser
- die
- utility
- heat dissipation
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 3
- 230000017525 heat dissipation Effects 0.000 claims 1
Description
第１図はこの考案の第１の実施例の構成を示す
斜視図、第２図は上記実施例におけるサブマウン
トの斜視図、第３図はこの考案の第２の実施例の
構成を示す斜視図、第４図はこの考案の第３の実
施例の構成を示す斜視図、第５図は従来例の構成
を示す斜視図である。 １……半導体レーザ素子、２Ａ，２Ｂ，２Ｃ…
…サブマウント、３……ヒートシンク、４……フ
イン部分。
斜視図、第２図は上記実施例におけるサブマウン
トの斜視図、第３図はこの考案の第２の実施例の
構成を示す斜視図、第４図はこの考案の第３の実
施例の構成を示す斜視図、第５図は従来例の構成
を示す斜視図である。 １……半導体レーザ素子、２Ａ，２Ｂ，２Ｃ…
…サブマウント、３……ヒートシンク、４……フ
イン部分。
Claims (1)
- 【実用新案登録請求の範囲】 サブマウント上に半導体レーザ素子をダイボン
ドした半導体レーザ装置において、 上記サブマウントが放熱フイン構造を有するこ
とを特徴とする半導体レーザ装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14565989U JPH0383965U (ja) | 1989-12-18 | 1989-12-18 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14565989U JPH0383965U (ja) | 1989-12-18 | 1989-12-18 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0383965U true JPH0383965U (ja) | 1991-08-26 |
Family
ID=31692284
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP14565989U Pending JPH0383965U (ja) | 1989-12-18 | 1989-12-18 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0383965U (ja) |
-
1989
- 1989-12-18 JP JP14565989U patent/JPH0383965U/ja active Pending