JPH02102756U - - Google Patents
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- Publication number
- JPH02102756U JPH02102756U JP1091789U JP1091789U JPH02102756U JP H02102756 U JPH02102756 U JP H02102756U JP 1091789 U JP1091789 U JP 1091789U JP 1091789 U JP1091789 U JP 1091789U JP H02102756 U JPH02102756 U JP H02102756U
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- submount
- thermal expansion
- semiconductor laser
- fixing member
- coefficient
- Prior art date
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- Pending
Links
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 4
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 3
- 239000002131 composite material Substances 0.000 claims 1
- 238000005219 brazing Methods 0.000 description 2
Description
第１図は、本考案の半導体レーザーの一実施例
の構成を示す斜視図、第２図ａ，ｂ，ｃ，ｄは、
第１図に示される一実施例におけるサブマウント
の構成例を示す―線断面図である。 １……レーザダイオード、２……サブマウント
、２ａ……ロウ付、３……固定部材、３ａ……ロ
ウ付、５……第１の材料、６……第２の材料。
の構成を示す斜視図、第２図ａ，ｂ，ｃ，ｄは、
第１図に示される一実施例におけるサブマウント
の構成例を示す―線断面図である。 １……レーザダイオード、２……サブマウント
、２ａ……ロウ付、３……固定部材、３ａ……ロ
ウ付、５……第１の材料、６……第２の材料。
Claims (1)
- 少なくともレーザダイオード、サブマウント、
ヒートシンクを兼ねる固定部材、からなる半導体
レーザにおいて、前記サブマウントに良熱伝導、
かつ熱膨張係数が大なる第１の材料と、熱膨張係
数が小なる第２の材料とを組合せた複合材料が用
いられることを特徴とする半導体レーザ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1091789U JPH02102756U (ja) | 1989-01-31 | 1989-01-31 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1091789U JPH02102756U (ja) | 1989-01-31 | 1989-01-31 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02102756U true JPH02102756U (ja) | 1990-08-15 |
Family
ID=31219005
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1091789U Pending JPH02102756U (ja) | 1989-01-31 | 1989-01-31 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH02102756U (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2012527754A (ja) * | 2009-05-22 | 2012-11-08 | ローベルト ボツシユ ゲゼルシヤフト ミツト ベシユレンクテル ハフツング | パルス制御される高出力レーザダイオード用のヒートシンク |
-
1989
- 1989-01-31 JP JP1091789U patent/JPH02102756U/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2012527754A (ja) * | 2009-05-22 | 2012-11-08 | ローベルト ボツシユ ゲゼルシヤフト ミツト ベシユレンクテル ハフツング | パルス制御される高出力レーザダイオード用のヒートシンク |