JP2000323276A - 有機el素子の製造方法、有機el素子およびインク組成物 - Google Patents

有機el素子の製造方法、有機el素子およびインク組成物

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JP2000323276A
JP2000323276A JP11134320A JP13432099A JP2000323276A JP 2000323276 A JP2000323276 A JP 2000323276A JP 11134320 A JP11134320 A JP 11134320A JP 13432099 A JP13432099 A JP 13432099A JP 2000323276 A JP2000323276 A JP 2000323276A
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organic
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light emitting
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Shunichi Seki
関  俊一
Hiroshi Kiguchi
浩史 木口
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Seiko Epson Corp
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    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
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  • Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【課題】有機薄膜EL素子の簡便かつ容易な製造方法を
提供すること。 【解決手段】正孔注入層(120)と発光層(106、
107)を、陽極(101)および陰極(113)で狭
持した構造の有機EL素子の製造方法であって、基板上
の所定の領域に有機化合物からなる正孔注入材料を含む
インク組成物をインクジェット方式により塗布し正孔注
入層(120)を形成する工程と、有機化合物からなる
発光材料を含むインク組成物をインクジェット方式によ
り塗布し発光層(106、107)を形成する工程とを
具備することを特徴とする。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】ディスプレイ、表示光源など
に用いられる電気的発光素子である有機EL素子の製造
方法、有機EL素子、その正孔注入層や発光層の形成に
用いられるインク組成物に関する。
【0002】
【従来の技術】近年液晶ディスプレイに替わる自発発光
型ディスプレイとして発光層に有機物を用いた発光素子
の開発が加速している。有機EL(エレクトロルミネセ
ンス)素子における有機物からなる発光層の形成プロセ
スとして、Appl.Phys.Lett.51(1
2)、21 September 1987の913ペ
ージに示されているように低分子材料を蒸着法で成膜す
る方法と、 Appl.Phys.Lett.71
(1)、7 July 1997の34ページから示さ
れているように高分子材料を塗布する方法が主に開発さ
れている。
【0003】カラー化の手段としては低分子系材料を用
いる場合、所定パターンのマスク越しに異なる発光色の
発光材料を所望の画素対応部分に蒸着し形成する方法が
行われている。一方、高分子系材料を用いる場合、微細
かつ容易にパターニングができることからインクジェッ
ト法を用いたカラー化が注目されている。インクジェッ
ト法による有機EL素子の作製については、例えば、特
開平7−235378、特開平10−12377、特開
平10−153987、特開平11−40358、特開
平11−54270に開示されている。
【0004】さらに有機EL素子では、発光効率、耐久
性を向上させるために、正孔注入層または正孔輸送層を
陽極と発光層の間に形成することが提示されている(A
ppl.Phys.Lett.51、21 Septe
mber 1987の913ページ)。従来、バッファ
層や正孔注入層としては導電性高分子、例えばポリチオ
フェン誘導体やポリアニリン誘導体(Nature,3
57,477、1992)を用い、スピンコート等の塗
布法により膜を形成する。低分子系材料の正孔注入層ま
たは正孔輸送層として、フェニルアミン誘導体を蒸着で
形成して用いることが多かった。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】有機EL素子におい
て、正孔注入層及び発光層の積層構造を形成する際に、
正孔注入層及び発光層を構成する有機薄膜を材料を無駄
にせず、簡便にかつ微細にパターニングして成膜する手
段が要求されている。
【0006】インクジェット方式は大変有効である。し
かし、インクジェット法による安定な吐出性を満たし、
かつ材料の特性を損なわずに機能膜として成膜できるイ
ンク組成物の調製は大変難しい課題である。有機EL素
子の製造において、インク組成物については特開平11
−40358、特開平11−54270に記載されてい
る。これら刊行物では吐出性の点からDMF(ジメチル
ホルムアミド)や湿潤剤としてグリセリンやジエチレン
グリコール等の高沸点溶媒を使用した組成物が記載され
ている。DMFは熱、酸、アルカリに対する安定性に問
題があり、グリセリンやジエチレングリコールといった
高級アルコールは緑色発光材料としてポリパラフェニレ
ンビニレン(PPV)を用いる場合、PPV前駆体と共
役化の過程で反応し特性を阻害してしまう問題がある。
また、特にグリセリンは除去するのが困難である。
【0007】また、パターニングの分解能を上げるた
め、ノズル径を小さくし、より小さなインクジェット液
滴を形成しようとすると、液滴が小さくなればなるほど
インクは乾きやすくなるといった問題も生じている。
【0008】さらに、インクジェット法のみならず塗布
法で有機層を積層する場合、組成物の溶媒が下地層の有
機膜を溶解する、いわゆる相溶性が問題となる。具体的
には正孔注入層(または正孔輸送層)の上に発光層を形
成する場合である。
【0009】そこで本発明の課題とするところは、簡
便、短時間、低コストで特性の優れた有機積層膜からな
る有機EL素子を製造する方法ならびにそれを可能にす
るインク組成物を提供するところにある。
【0010】
【課題を解決するための手段】本発明によれば、下記
(1)〜(5)の有機EL素子の製造方法が提供され
る。
【0011】(1)正孔注入層と発光層を、陽極および
陰極で狭持した構造の有機EL素子の製造方法であっ
て、基板上の所定の領域に有機化合物からなる正孔注入
材料を含むインク組成物をインクジェット方式により塗
布し正孔注入層を形成する工程と、有機化合物からなる
発光材料を含むインク組成物をインクジェット方式によ
り塗布し発光層を形成する工程とを具備することを特徴
とする有機EL素子の製造方法。
【0012】当該方法は有機化合物からなる正孔注入層
及び発光層の両方をインクジェット方式で形成したもの
である、かかる方法により、簡便な方法で全ての有機層
を形成することができ、またいずれの層も高い性能とす
ることができる。
【0013】尚、本発明において、正孔注入層とは、陽
極側から発光層に有効に正孔を注入させ得る層であり、
正孔輸送機能をも有する。また、正孔注入層と共に、正
孔輸送機能を有する正孔輸送層を別層で設けてもよい。
【0014】(2)有機EL素子が基板上に複数の画素
を有する素子であり、基板上に該画素毎を隔てる隔壁を
設け、該隔壁間の領域に前記正孔注入層及び前記発光層
を形成することを特徴とする(1)の有機EL素子の製
造方法。
【0015】当該(2)の方法により、異なる発光層が
混合することなく、多色で且つ高精細の有機EL素子を
容易に得ることができる。
【0016】(3)有機EL素子が基板上に複数の画素
を有する素子であり、基板上に該画素毎を隔てる隔壁を
設け、酸素ガスプラズマとフロロカーボンガスプラズマ
の連続処理工程を経て、前記正孔注入層と前記発光層を
形成することを特徴とする(1)の有機EL素子の製造
方法。
【0017】当該(3)の方法により、基板上に液滴の
濡れ性の違いを付与することができ、インクジェット液
滴の微細パターニングが可能となる。
【0018】(4)前記有機化合物からなる正孔注入材
料を含むインク組成物をインクジェット方式により塗布
した後、該インク組成物の溶媒を除去して、正孔注入層
を得ること、及び前記有機化合物からなる発光材料を含
むインク組成物をインクジェット方式により塗布した
後、該インク組成物の溶媒を除去し、発光層を得ること
を特徴とする(1)の有機EL素子の製造方法。
【0019】当該(4)の方法により所望の特性の正孔
注入層及び発光層としての有機固体薄膜を形成すること
ができる。
【0020】(5)前記有機化合物からなる正孔注入材
料を含むインク組成物をインクジェット法により塗布し
た後、さらに熱処理により該インク組成物の材料を硬化
あるいは共役化させて正孔注入層を得ること、及び前記
有機化合物からなる発光材料を含むインク組成物をイン
クジェット方式により塗布した後、さらに熱処理により
該インク組成物の材料を硬化あるいは共役化させて発光
層を得ることを特徴とする(1)の有機EL素子の製造
方法。
【0021】当該(5)の方法により、優れた機能を有
する正孔注入層および発光層を形成できる。
【0022】また、本発明によれば、下記(6)乃至
(15)のインク組成物が提供される。(6)有機EL
素子の製造においてインクジェット法により塗布される
正孔注入材料又は発光材料を含むインク組成物であっ
て、粘度が1〜20mPa・s、表面張力が20〜70
mN/m 、インクジェットヘッドのノズル面を構成す
る材料に対する接触角が30〜170°であることを特
徴とするインク組成物。
【0023】当該(6)のインク組成物によれば、特に
インクジェット法により塗布する場合に、ノズル孔の目
詰まり、インク液滴の飛行曲がりを押さえるとともに吐
出を円滑にし、吐出量および吐出タイミングの制御が可
能となり、インクジェット方式による安定な吐出が可能
となる。
【0024】(7)固型分濃度が0.01〜10.0w
t%であことを特徴とする(6)のインク組成物。
【0025】当該(7)のインク組成物によれば、イン
クジェット法により塗布する場合に、吐出性を損なうこ
となく所望の膜厚を得ることが可能となる。
【0026】(8)蒸気圧が0.001〜50mmHg
(室温)の少なくとも一種の溶媒を含むことを特徴とす
る(6)又は(7)のインク組成物。
【0027】当該(8)のインク組成物によれば、イン
クジェットにより塗布する際に、インクの乾きを抑える
ことができ、ノズル孔での目詰まりをなくすことができ
る。 (9)前記インク組成物の溶媒が非プロトン性環状極性
溶媒であることを特徴と(8)のいずれかのインク組成
物。
【0028】当該(9)のインク組成物は、正孔注入材
料あるいは発光材料の特性を損ねることなく、安定に分
散または溶解し、インクジェット法により塗布する際に
安定な吐出が可能となる。
【0029】(10)グリコールエーテル系酢酸を含む
ことを特徴とする(6)乃至(9)のいずれかのインク
組成物。
【0030】当該(10)のインク組成物によれば、イ
ンクの乾きを抑えることができるだけでなく、成膜性を
向上することができる。
【0031】(11)低級アルコールを20wt%以下
含むことを特徴とする(6)乃至(10)のいずれかの
インク組成物。
【0032】当該(11)のインク組成物によれば、特
にインクジェット法により塗布する際に、インクの吐出
性を損ねることなく表面張力および粘度を所望の値に調
整することが可能となる。
【0033】(12)前記インク組成物が正孔注入材料
を含むものであり、該正孔注入材料としてポリチオフェ
ン誘導体とポリスチレンスルフォン酸の混合物を含むこ
とを特徴とする(6)のインク組成物。
【0034】当該(12)のインク組成物によれば、特
にインクジェット法により塗布する際に、吐出性、成膜
性ともに優れ、有機EL素子において高性能の正孔注入
層を得ることが可能となる。
【0035】(13)更に熱硬化剤としてシランカップ
リング剤を含有することを特徴とする(12)のインク
組成物。
【0036】当該(13)のインク組成物を用いれば、
特にインクジェット法により塗布することで、有機EL
素子において発光層との相溶を起こさない正孔注入層を
形成することができる。
【0037】(14)前記インク組成物が発光材料を含
むものであり、該発光材料として、ポリ(パラフェニレ
ンビニレン)およびその誘導体の前駆体を含むことを特
徴とする(6)のインク組成物。
【0038】当該(14)のインク組成物によれば、特
にインクジェット法に塗布する際の吐出性、成膜性が優
れ、有機EL素子において発光特性の優れた緑色または
赤色発光層用インク組成物とすることができる。
【0039】(15)前記発光材料として低分子色素を
ドープしたものを使用することを特徴とする(14)の
インク組成物。
【0040】当該(15)のインク組成物によれば、特
にインクジェット法に塗布する際の吐出性、成膜性およ
び発光特性の優れた緑色または赤色発光層用インク組成
物とすることができる。
【0041】上記(6)乃至(15)のインク組成物
は、夫々、(1)乃至(5)の有機EL素子の製造方法
における正孔注入層や発光層の形成工程において好適に
用いることができる。
【0042】また、本発明によれば、上記方法により得
られた、高性能の有機EL素子が提供される。
【0043】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施形態について
詳細に説明する。
【0044】本発明のインクジェット方式による有機E
L素子の製造方法とは、素子を形成する有機物からなる
正孔注入材料、ならびに有機物からなる発光材料を溶媒
に溶解または分散させたインク組成物を、インクジェッ
トヘッドから吐出させて例えば透明電極が形成され画素
を構成する基板上に塗布し、正孔注入層ならびに発光層
を形成する方法である。かかるインクジェット方式によ
れば、微細なパターニングを簡便にかつ短時間で行うこ
とができ、多色化が可能である。また、必要な場所に必
要量の材料を塗布すればいいので大面積の基板になって
も材料を無駄にすることは無い。
【0045】本発明の有機EL素子に製造方法において
使用されるインクジェット用ヘッドの構造を図1および
図2に示す。当該インクジェット用ヘッド10は、例え
ばステンレス製のノズルプレート11と振動板13とを
備え、両者は仕切部材(リザーバープレート)15を介
して接合されている。ノズルプレート11と振動板13
との間には、仕切部材15によって複数のインク室19
と液溜り21とが形成されている。インク室19および
液溜り21の内部は本発明のインク組成物で満たされて
おり、インク室19と液溜り21とは供給口23を介し
て連通している。さらに、ノズルプレート11には、イ
ンク室19からインク組成物をジェト状に噴射するため
のノズル孔25が設けられている。一方、インクジェッ
ト用ヘッド10には、液溜り21にインク組成物を供給
するためのインク導入孔27が形成されている。また、
振動板13のインク室19に対向する面と反対側の面上
には、前記空間19の位置に対応させて圧電素子29が
接合されている。
【0046】この圧電素子29は一対の電極31の間に
位置し、通電すると圧電素子29が外側に突出するよう
に撓曲する。これによってインク室19の容積が増大す
る。したがって、インク室19内に増大した容積分に相
当するインク組成物が液溜り21から供給口23を介し
て流入する。次に、圧電素子29への通電を解除する
と、該圧電素子29と振動板13はともに元の形状に戻
る。これにより空間19も元の容積に戻るためインク室
19内部のインク組成物の圧力が上昇し、ノズル孔25
から基板に向けてインク組成物が噴出する。
【0047】なお、ノズル孔25の周辺部には、インク
組成物の飛行曲がり・孔詰まりを防止するために撥イン
ク層26が設けられている。すなわち、ノズル孔25の
周辺部は、図2に示すように例えばNi−テトラフルオ
ロエチレン共析メッキ層からなる撥インク層26が設け
られている。
【0048】本発明の有機EL素子の製造方法におい
て、前記インクジェット用ヘッドから吐出させて用いる
正孔注入材料、あるいは発光材料を含むインク組成物は
以下のような特性を有するものである。
【0049】インク組成物の粘度は好ましくは1〜20
mPa・sであって、特に好ましくは2〜8mPa・s
である。インク組成物の粘度が1mPa・s未満である
場合、吐出量の制御が困難になるばかりでなく、固型分
濃度が過少となり十分な膜を形成できないことがある。
20mPa・sを超える場合、ノズル孔からインク組成
物を円滑に吐出させることができない恐れがあり、ノズ
ル孔を大きくする等の装置の仕様を変更する必要が生じ
ることがある。更に粘度が大きい場合、インク組成物中
の固型分が析出し易く、ノズル孔の目詰まり頻度が高く
なる。
【0050】また、インク組成物の表面張力は好ましく
は20〜70mN/mであって、特に好ましくは25〜
45mN/mである。この範囲の表面張力にすることに
より、インク吐出の際の飛行曲がりを抑えることができ
る。表面張力が20mN/m未満であると、インク組成
物のノズル面上での濡れ性が増大するため、インク組成
物を吐出する際、インク組成物がノズル孔の周囲に非対
称に付着することがある。この場合、ノズル孔に付着し
た組成物と吐出しようとする付着物との相互間に引力が
働くため、インク組成物は不均一な力により吐出される
ことになり目標位置に到達できない所謂飛行曲がりが生
じ、もちろんその頻度も高くなる。また、70mN/m
を超えるとノズル先端でのメニスカスの形状が安定しな
いためインク組成物の吐出量、吐出タイミングの制御が
困難になる。
【0051】インクジェット用ヘッドに設けられたイン
ク組成物を吐出するノズル面を構成する材料に対する接
触角は好ましくは30°〜170°であり、特に好まし
くは35°〜65°である。インク組成物がこの範囲の
接触角を持つことによって、インク組成物の飛行曲がり
を制御することができ、精密なパターンニングが可能と
なる。この接触角が30°未満である場合、インク組成
物のノズル面を構成する材料に対する濡れ性が増大する
ため、表面張力の場合と同様、飛行曲がりが生じる。ま
た。170°を超えると、インク組成物とノズル孔の相
互作用が極小となり、ノズル先端でのメニスカスの形状
が安定しないためインク組成物の吐出量、吐出タイミン
グの制御が困難になる。
【0052】ここで飛行曲がりとは、インク組成物を前
記ノズルから吐出させたとき、ドットの着弾した位置
が、目標位置に対して50μm以上のずれを生じること
をいう。主にノズル孔の濡れ性が不均一である場合やイ
ンク組成物の固型成分の付着による目詰まり等によって
発生する。
【0053】インク組成物の固型分濃度は、組成物全体
に対して0.01〜10.0wt%が好ましく、0.1
〜5.0wt%が更に好ましい。固型分濃度が低すぎる
と必要な膜厚を得るために吐出回数が多くなってしまい
量産効率が悪くなってしまう。また高すぎても粘度が高
くなってしまい吐出性に影響を与える。
【0054】上記固型分は室温での蒸気圧が0.005
〜50mmHgの少なくとも一つ以上の溶媒に溶解また
は分散していることが望ましい。渇きにくい溶媒を用い
ることによりインク組成物がノズル孔で乾燥し、増粘、
凝集、固型分の付着が起こることを防ぐことができる。
しかし、蒸気圧が0.005mmHgを下回るような溶
媒は、成膜過程で溶媒の除去が困難であるため適さな
い。
【0055】このような溶媒としては、γ−ブチロラク
トン、N−メチルピロリドン(NMP)、1、3−ジメ
チル−2−イミダゾリジノン(DMI)およびその誘導
体などの非プロトン性環状極性溶媒、またはカルビトー
ルアセテート(CA)、ブチルカルビトールアセテート
(BCA)などのグリコールエーテル系酢酸が挙げられ
る。CA,BCA等の溶媒は成膜性をあげる点でも有効
である。
【0056】一方、メタノール(MeOH)、エタノー
ル(EtOH)、プロピルアルコール等の低級アルコー
ルは表面張力、粘度の調製に有効であるが、揮発性が高
いため、20wt%以下であることが望ましい。
【0057】尚、上述の特性は、有機EL素子において
正孔輸送層を形成する場合の同層を構成する正孔輸送材
料の特性としても好適である。
【0058】以下、本発明を実施例に沿って更に詳細に
説明する。
【0059】(実施例1)実施例1は有機EL素子の製
造においてインクジェット法により塗布する正孔注入層
形成用インク組成物に関する。
【0060】本発明では、正孔注入材料として、ポリチ
オフェン誘導体であるPEDT(ポリエチレンジオキシ
チオフェン)
【0061】
【化1】
【0062】とPSS(ポリスチレンスルフォン酸)
【0063】
【化2】
【0064】の混合物を用いた。これらはバイトロンP
としてバイエル社から購入することができる。正孔注入
材料(又は正孔輸送層の材料となる正孔輸送材料)とし
ては、ポリアニリン、ポルフィリン化合物、ピリジン誘
導体などが挙げられるが、熱的に耐久性のある高分子
で、水などの極性溶媒に分散できるバイトロンPがイン
クジェット方式には適している。バイトロンPを用いて
表1に示すインク組成物を調製した。
【0065】
【表1】
【0066】発光層との相溶を防ぐため、加熱処理によ
り架橋するシランカップリング剤としてγ−グリシジル
オキシプロピルトリメトキシシランを用い、導電性高分
子と同重量添加した。最終的なインク組成物の固型分濃
度は0.16wt%であった。
【0067】表2に上記組成物の粘度、表面張力、イン
クジェット用ヘッドのインク吐出ノズル面を構成する材
料に対する接触角、吐出性、パターニング性および成膜
性を評価した結果を示す。インク組成物の物理的性質お
よび吐出特性については以下の方法で評価した。
【0068】粘度:E型粘度計により20℃における値
を測定した。
【0069】表面張力:プレート法により同じく20℃
における値を測定した。
【0070】接触角:インクジェット用ヘッドのインク
吐出ノズル面を構成する材料( Ni−テトラフルオロ
エチレン共析メッキ撥水層)上での静的接触角として測
定した。
【0071】吐出特性:インクジェットプリンター用ヘ
ッド(エプソン社製MJ−930C)を用いた。飛行曲
がりはヘッドと基板の距離を0.6mmにした時の基板
上でのインク液滴の着弾ばらつきを測定した。ノズル孔
の目詰まり頻度として、インク組成物を連続吐出(周波
数7200Hz)し、析出したインク組成物の固型分等
によりノズル孔が目詰まりし、吐出不能になった状態に
至るまでに要する時間を測定した。
【0072】パターニング性、成膜性:図3(a)及び
(b)に示したテストセルに吐出し、室温、真空中で溶
媒を除去した後、大気中200℃、10分熱処理して形
成された膜の膜質(凝集、平坦性等)を顕微鏡で観察し
た。テストセルはITO基板41上に形成した2μm厚
ポリイミド40を30μm径で開口した画素(40μm
ピッチ)を有するものである。吐出前に、酸素ガスプラ
ズマとフロロカーボンガスプラズマの連続処理を行い、
ポリイミド表面は撥水化、ITO表面は親水化したもの
を用いた。尚、前記プラズマ処理は真空中、大気中のい
ずれの雰囲気であってもよい。そして、インクジェット
装置42のインクジェットヘッド43からインク組成物
44を開口部に吐出し膜を得て評価した。結果を下記表
2に示す。
【0073】
【表2】
【0074】表2に示すように、吐出性、パターニング
性、成膜性とも十分、実用レベルに達するものであっ
た。尚、表1の組成中例えば、メタノール(MeO
H)、イソプロピルアルコール(IPA)の添加量が2
0%を超える組成物を調製して上記同様に成膜し、評価
したところ、または、1,3−ジメチル−2−イミダゾ
リジン(DMI)を添加せず水で置き換えた組成物を調
製して上記同様に成膜して評価したところ、上記物理的
な値を満たしても、インク組成物の渇きにより吐出中、
目詰まりを起こしてしまった。
【0075】(実施例2)実施例2は発光層用インク組
成物に関する。
【0076】本発明では、緑色発光材料としてポリ(パ
ラフェニレンビニレン)(PPV)を用いた。
【0077】発光層を形成し得る有機化合物としては、
PPVの他に、PTV(ポリ(2、5−チエニレンビニ
レン))等のポリアルキルチオフェン、PFV(ポリ
(2、5−フリレンビニレン))、ポリパラフェニレ
ン、ポリアルキルフルオレン等のポリアリレンビニレ
ン、ピラゾリンダイマー、キノリジンカルボン酸、ベン
ゾピリリウムパークロレート、ベンゾピラノキノリジ
ン、フェナントロリンユウロピウム錯体等が挙げられ、
これらを1種または2種以上混合して用いることができ
る。 これらのなかでも高分子有機化合物からなるもの
が好ましい。高分子有機化合物は成膜性に優れ、発光層
の耐久性は極めて良好である。高分子系材料は分子設計
上幅広い自由度を持ち、EL発光素子の合理的設計が可
能である。また、可視領域の禁止帯幅と比較的高い導電
性を有しており、なかでも共役系高分子はこのような傾
向が顕著である。発光層材料としては、共役系高分子そ
のもの、あるいは加熱等により共役化(成膜)する共役
系高分子の前駆体が用いられる。これらのなかでもPP
Vまたはその誘導体が特に好ましい。 PPV誘導体の
前駆体として、MO−PPV(ポリ(2、5−ジメトキ
シ−1、4−フェニレンビニレン))前駆体、CN−P
PV(ポリ(2、5−ビスヘキシルオキシ−1、4−フ
ェニレン−(1−シアノビニレン)))前駆体等が挙げ
られる。PPVまたはその誘導体の共役化(成膜)前の
前駆体は、水あるいは極性溶媒に可溶であり、インクジ
ェット方式によるパターン形成に適している。さらに、
PPVまたはその誘導体は強い蛍光を持ち、二重結合の
π電子がポリマー鎖上で非局在化している導電性高分子
でもあるためPPVの薄膜は正孔注入輸送層としても機
能し、高性能の有機EL素子を得ることができる。
【0078】
【化3】
【0079】ポリ(パラフェニレンビニレン)前駆体
(水/MeOH=5/95混合溶液)を用いて表3に示
すインク組成物を調製した。固型分濃度は0.3wt%
であった。
【0080】
【表3】
【0081】表4に上記組成物の粘度、表面張力、イン
クジェット用ヘッドのインク吐出ノズル面を構成する材
料に対する接触角、吐出性、パターニング性および成膜
性を評価した結果を示す。インク組成物の物理的性質お
よび吐出特性については実施例1と同様の方法で評価し
た。成膜性は吐出後、室温、真空中で溶媒を除去し、窒
素雰囲気中、150℃、4時間処理したもので評価し
た。
【0082】
【表4】
【0083】表4に示すように、吐出性、パターニング
性、成膜性とも十分、実用レベルに達するものであっ
た。これに対し、例えば、 DMIをジメチルホルムア
ミド(DMF)で置き換えたあるいは、ブチルカルビト
ールアセテート(BCA)をグリセリンで置き換えたイ
ンク組成物を調製し上記同様の成膜及び評価を行ったと
ころ、吐出性に問題はなかったが、発光効率が低く、発
光色も短波長側にシフトしたものであった。固型分濃度
を0.3wt%より濃くしたい場合は、前駆体溶液を2
0wt%以上添加するとMeOH含有量が増え、インク
が渇きやすくなり、飛行曲がりや目詰まりを生じるた
め、前駆体溶液を溜去して濃縮したものを用いた。
【0084】(実施例3)実施例3は発光層用インク組
成物に関する。
【0085】本実施例では、実施例2で用いたPPV前
駆体インク組成物に赤色発光材料として低分子蛍光色素
であるローダミン101を添加したものを用いた。
【0086】低分子系の蛍光色素をドープする方法は、
発光層の発光特性を変化させることができ、例えば、発
光効率の向上、または発光波長をかえる手段として大変
有効である。蛍光色素のドープにより色純度の高い赤
色、緑色発光を得ることができる。
【0087】赤色発光層に用いられる蛍光色素として
は、レーザー色素のDCMあるいはローダミンまたはロ
ーダミン誘導体、ペリレン等を用いることができる。こ
れらの蛍光色素は、低分子であるため溶媒に可溶であ
り、PPV等と相溶性がよく、均一で安定した発光層の
形成が容易である。ローダミン誘導体蛍光色素として
は、例えばローダミンB,ローダミンBベース、ローダ
ミン6G,ローダミン101過塩素酸塩等が挙げられこ
れらを2種以上混合したものであってもよい。
【0088】また、緑色発光層に用いられる蛍光色素と
しては、キナクリドン、ルブレン、DCJTおよびそれ
らの誘導体が挙げられる。これらの蛍光色素は、上記赤
色蛍光色素と同様、低分子であるため溶媒に可溶であ
り、またPPV等と相溶性がよく発光層の形成が容易で
ある。
【0089】本実施例では、下記表5に示す赤色発光層
用インク組成物を調製した。
【0090】
【表5】
【0091】表6に上記組成物の粘度、表面張力、イン
クジェット用ヘッドのインク吐出ノズル面を構成する材
料に対する接触角、吐出性、パターニング性および成膜
性を評価した結果を示す。インク組成物の物理的性質お
よび吐出特性、成膜性については実施例2と同様の方法
で評価した。
【0092】
【表6】
【0093】表6に示すように、吐出性、パターニング
性、成膜性とも十分、実用レベルに達するものであっ
た。ローダミン101のドープ量はPPV前駆体に対し
1.5wt%添加した場合、もっとも効率よく、赤色発
光を示した。
【0094】(実施例4)実施例4はインクジェット方
式による有機EL素子の製造方法に関する。図4は3色
のフルカラー有機EL素子の製造工程を示したものであ
る。
【0095】透明基板104は、支持体であると同時に
光を取り出す面として機能する。従って、透明基板10
4は、光の透過特性や熱的安定性を考慮して選択され
る。透明基板材料としては、例えばガラス基板、透明プ
ラスチック等が挙げられるが、耐熱性に優れることから
ガラス基板が好ましい。
【0096】まず、透明基板104上に、画素電極10
1、102、103を形成した。形成方法としては、例
えばフォトリソグラフィー、真空蒸着、スパッタリング
法、パイロゾル法等が挙げられるが、フォトリソグラフ
ィーによることが好ましい。画素電極としては透明画素
電極が好ましく、透明画素電極を構成する材料として
は、酸化スズ膜、ITO膜、酸化インジウムと酸化亜鉛
との複合酸化物膜等が挙げられる。
【0097】次に隔壁(バンク)105を感光性ポリイ
ミドで形成し、上記の各透明画素電極間を埋めた。これ
によりコントラストの向上、発光材料の混色の防止、画
素と画素との間からの光洩れ等を防止することができ
る。
【0098】隔壁105を構成する材料としては、EL
材料の溶媒に対し耐久性を有するものえあれば特に限定
されないが、フロロカーボンガスプラズマ処理によりテ
フロン化できることから、例えばアクリル樹脂、エポキ
シ樹脂、感光性ポリイミド等お有機材料が好ましい。液
状ガラス等の無機材料を下層にした積層隔壁であっても
よい。また、隔壁105は上記材料にカーボンブラック
等を混入してブラックレジストとしてもよい。この隔壁
105の形成方法としては、例えばフォトリソグラフィ
ー等が挙げられる。
【0099】正孔注入層(更に正孔輸送層)用インク組
成物を塗布する直前に、上記基板の酸素ガスとフロロカ
ーボンガスプラズマの連続プラズマ処理を行った。これ
によりポリイミド表面は撥水化、ITO表面は親水化さ
れ、インクジェット液滴を微細にパターニングするため
の基板側の濡れ性の制御ができる。プラズマを発生する
装置としては、真空中でプラズマを発生する装置でも、
大気中でプラズマを発生する装置でも同様に用いること
ができる。
【0100】次に、実施例1で挙げた正孔注入層用イン
ク組成物をインクジェットプリント装置109のヘッド
110(エプソン社製MJ−930C)から吐出し、各
画素電極101、102、103上にパターニング塗布
を行った。塗布後、真空中(1torr)、室温、20
分という条件で溶媒を除去し、その後、大気中、200
℃(ホットプレート上)、10分の熱処理により、実施
例2、3で挙げた発光層用インク組成物と相溶しない正
孔注入層120を形成した。膜厚は40nmであった。
本実施例では各画素とも共通の正孔注入層を形成した
が、場合によっては各発光層毎で発光層に適した正孔注
入材料(または正孔輸送材料)を用いて形成しても良
い。
【0101】さらに実施例3で挙げた赤色発光層用イン
ク組成物、ならびに実施例2で挙げた緑色発光層用イン
ク組成物をインクジェット方式により正孔注入層120
上を介して画素電極101ならびに102上にパターニ
ン状に塗布した。塗布後、真空中(1torr)、室
温、20分という条件で溶媒を除去し、続けて窒素雰囲
気中、150℃、4時間の熱処理により共役化させ赤色
発光層106、緑色発光層107を形成した。膜厚は5
0nmであった。熱処理により共役した発光層は溶媒に
不溶である。
【0102】かかるインクジェット方式によれば、微細
なパターニングを簡便にかつ短時間で行うことができ
る。また、インク組成物の固型分濃度および吐出量を変
えることにより膜厚を変えることが可能である。
【0103】また、発光層を形成する前に正孔注入層1
20に酸素ガスとフロロカーボンガスプラズマの連続プ
ラズマ処理を行ってもよい。これにより正孔注入または
正孔輸送層120上にフッ素化物層が形成され、イオン
化ポテンシャルが高くなることにより正孔注入効率が増
し、発光効率の高い有機EL素子を提供できる。
【0104】次いで、青色発光層108を赤色発光層1
06、緑色発光層107および正孔注入層120上を介
して画素電極103上に形成した。これにより、赤、
緑、青の3原色を形成するのみならず、赤色発光層およ
び106緑色発光層107と隔壁105との段差を埋め
て平坦化することができる。これにより、上下電極間の
ショートを確実に防ぐことができる。青色発光層の膜厚
を調整することで、青色発光層は赤色発光層および緑色
発光層との積層構造において、電子注入輸送層として作
用し、青色には発光しない。
【0105】かかる青色発光層108の形成方法として
は特に限定されず、湿式法として一般的なスピンコート
法またはインクジェット法でも成膜可能である。本実施
例では、ポリジオクチルフルオレンのキシレン溶液をス
ピンコートして、膜厚45nmの青色発光層108を形
成した。
【0106】青色発光層としては他にポリフルオレン誘
導体であるポリジヘキシルフルオレンや、その他の重合
基との共重合体が挙げられ、青色蛍光色素や電子注入輸
送能をもつ有機化合物を添加してもよい。
【0107】電子注入輸送層を形成し得る有機化合物と
しては、PBD,OXD−8等のオキサジアゾール誘導
体、DSA、アルミキノール錯体、Bebq、トリアゾ
ール誘導体、アゾメチン錯体、ポルフィン錯体等が挙げ
られる。
【0108】本実施例のように、有機発光層のうち2色
をインクジェット方式により形成し、他の一色を従来の
塗布方法で形成することにより、インクジェット方式に
あまり適さない発光材料であっても、インクジェット方
式に用いられる他の有機発光材料と組み合わせることに
よりフルカラー有機EL素子を形成することができるた
め、素子設計の自由度が増す。インクジェット方式以外
の従来の塗布方法としては、印刷法、転写法、ディッピ
ング法、スピンコート法、キャスト法、キャピラリー
法、ロールコート法、バーコート法等が挙げられる。
【0109】最後に、陰極(対向電極)113を形成し
た。陰極113としては金属薄膜電極が好ましく、陰極
を構成する金属としては、例えばMg、Ag、Al、L
i等が挙げられる。また、これらの他に仕事関数の小さ
い材料を用いることができ、例えばアルカリ金属や、C
a等のアルカリ土類金属およびこれらを含む合金を用い
ることができる。また金属のフッ素化物も適応できる。
このような陰極113は蒸着法およびスパッタ法等によ
り形成することができる。本実施例では、Caを真空加
熱蒸着法で100nm、さらにAlをスパッタ法で12
00nm積層して陰極とした。
【0110】さらに陰極113の上に保護膜を形成して
もよい。保護膜を形成することにより、陰極113およ
び各発光層106、107、108の劣化、損傷および
剥離等を防止しすることができた。
【0111】このような保護膜の構成材料としては、エ
ポキシ樹脂、アクリル樹脂、液状ガラス等が挙げられ
る。また、保護膜の形成方法としては、例えばスピンコ
ート法、キャスティング法、ディッピング法、バーコー
ト法、ロールコート法、キャピラリー法等が挙げられ
る。
【0112】本実施例で得られた有機EL素子では、各
色の画素とも5V以下の低電圧でも100cd/m
上の輝度が得られた。また、インクジェット方式により
形成した赤色画素、緑色画素においては、発光効率がそ
れぞれ0.15lm/W、0.25lm/Wであり、発
光寿命(一定電流を印加し、連続発光させた場合、初期
輝度に対し50%低下するまでの時間)も2000時間
以上であった。
【0113】上記同様の材料を用い、スピンコートで正
孔注入層および発光層を同じ積層構造で形成した赤色発
光素子、緑色発光素子のものと同程度であった。このよ
うに、インクジェット方式においても優れた特性を示
し、スピンコート品に劣らない素子を形成することがで
きた。
【0114】
【発明の効果】以上本発明によれば、正孔注入層及び発
光層の両方をインクジェット法で形成し、低コストで簡
易迅速に有機EL素子を得ることができる。また、吐出
性、パターニング性および成膜性に優れた正孔注入用イ
ンク組成物および発光材層用インク組成物を提供するこ
とができた。また、該インク組成物を用い、インクジェ
ット方式により正孔注入または正孔輸送層および発光層
を簡便かつ容易にパターン形成でき、積層構造からなる
特性の優れた高精細フルカラー有機EL素子を製造する
ことができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の有機薄膜EL素子の製造に用いられる
インクジェット用プリンターヘッドの構造の一例を示す
平面斜視図である。
【図2】本発明の有機薄膜EL素子の製造に用いられる
インクジェット用プリンターヘッドのノズル部分の構造
の一例を示す断面図である。
【図3】本発明の実施例において、インク組成物のパタ
ーニング性、成膜性評価に用いるテストセルを示す図で
ある。
【図4】本発明の有機EL素子の製造方法の一例を示す
断面図である。
【符号の説明】
10 インクジェット用ヘッド 11 ノズルプレート 13 振動板 15 仕切部材 19 インク室 21 液溜り 23 供給口 25 ノズル孔 26 撥インク層 27 インク導入孔 29 圧電素子 31 電極 33 ノズル面 40 ポリイミド隔壁 41 ITO 42 インクジェットプリント装置 43 インクジェットヘッド 44 インク組成物 101 画素電極(赤) 102 画素電極(緑) 103 画素電極(青) 104 透明基板 105 隔壁 106 発光層(赤) 107 発光層(緑) 108 発光層(青) 109 インクジェットプリント装置 110 インクジェトヘッド 113 陰極 120 正孔注入層
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き Fターム(参考) 3K007 AB03 AB04 AB18 CA01 CA05 CB01 DA00 DB03 EB00 FA00 FA01 FA03 5C094 AA05 AA08 AA24 AA43 BA27 CA23 EA05 EB02 GB10

Claims (26)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 正孔注入層と発光層を、陽極および陰極
    で狭持した構造の有機EL素子の製造方法であって、基
    板上の所定の領域に有機化合物からなる正孔注入材料を
    含むインク組成物をインクジェット方式により塗布し正
    孔注入層を形成する工程と、有機化合物からなる発光材
    料を含むインク組成物をインクジェット方式により塗布
    し発光層を形成する工程とを具備することを特徴とする
    有機EL素子の製造方法。
  2. 【請求項2】 前記有機EL素子が基板上に複数の画素
    を有する素子であり、基板上に該画素毎を隔てる隔壁を
    設け、該隔壁間の領域に前記正孔注入層及び前記発光層
    を形成することを特徴とする請求項1記載の有機EL素
    子の製造方法。
  3. 【請求項3】 前記有機EL素子が基板上に複数の画素
    を有する素子であり、基板上に該画素毎を隔てる隔壁を
    設け、酸素ガスプラズマとフロロカーボンガスプラズマ
    の連続処理工程を経て、前記正孔注入層と、前記発光層
    を形成することを特徴とする請求項1記載の有機EL素
    子の製造方法。
  4. 【請求項4】 前記有機化合物からなる正孔注入材料を
    含むインク組成物をインクジェット方式により塗布した
    後、該インク組成物の溶媒を除去して、正孔注入層を得
    ること、及び前記有機化合物からなる発光材料を含むイ
    ンク組成物をインクジェット方式により塗布した後、該
    インク組成物の溶媒を除去し、発光層を得ることを特徴
    とする請求項1記載の有機EL素子の製造方法。
  5. 【請求項5】 前記有機化合物からなる正孔注入材料を
    含むインク組成物をインクジェット法により塗布した
    後、さらに熱処理により該インク組成物の材料を硬化あ
    るいは共役化させて正孔注入層を得ること、及び前記有
    機化合物からなる発光材料を含むインク組成物をインク
    ジェット方式により塗布した後、さらに熱処理により該
    インク組成物の材料を硬化あるいは共役化させて発光層
    を得ることを特徴とする請求項1記載の有機EL素子の
    製造方法。
  6. 【請求項6】 前記正孔注入材料又は前記発光材料を含
    むインク組成物の粘度が1〜20mPa・s、表面張力
    が20〜70mN/m 、インクジェットヘッドのノズ
    ル面を構成する材料に対する接触角が30〜170°で
    あることを特徴とする請求項1乃至5記載のいずれかに
    記載の有機EL素子の製造方法。
  7. 【請求項7】 前記インク組成物の固型分濃度が0.0
    1〜10.0wt%であることを特徴とする請求項6記
    載の有機EL素子の製造方法。
  8. 【請求項8】 前記インク組成物の蒸気圧が0.001
    〜50mmHg(室温)の少なくとも一種の溶媒を含む
    ことを特徴とする請求項6又は7記載の有機EL素子。
  9. 【請求項9】 前記インク組成物の溶媒が非プロトン性
    環状極性溶媒であることを特徴とする請求項8記載の有
    機EL素子の製造方法。
  10. 【請求項10】 前記インク組成物がグリコールエーテ
    ル系酢酸を含むことを特徴とする請求項6乃至9のいず
    れかに記載の有機EL素子の製造方法。
  11. 【請求項11】 前記インク組成物が低級アルコールを
    20wt%以下含むことを特徴とする請求項6乃至10
    のいずれかに記載の有機EL素子の製造方法。
  12. 【請求項12】 前記インク組成物が正孔注入材料を含
    むものであり、該正孔注入材料としてポリチオフェン誘
    導体とポリスチレンスルフォン酸の混合物を含むことを
    特徴とする請求項6記載の有機EL素子の製造方法。
  13. 【請求項13】 更に熱硬化剤としてシランカップリン
    グ剤を含有することを特徴とする請求項12記載の有機
    EL素子の製造方法。
  14. 【請求項14】 前記インク組成物が発光材料を含むも
    のであり、該発光材料として、ポリ(パラフェニレンビ
    ニレン)およびその誘導体の前駆体を含むことを特徴と
    する請求項6記載の有機EL素子の製造方法。
  15. 【請求項15】 前記発光材料として低分子色素をドー
    プしたものを使用することを特徴とする請求項14記載
    の有機EL素子の製造方法。
  16. 【請求項16】 請求項1乃至15のいずれかに記載の
    方法により製造される有機EL素子。
  17. 【請求項17】 有機EL素子の製造においてインクジ
    ェット法により塗布される、正孔注入材料又は発光材料
    を含むインク組成物であって、粘度が1〜20mPa・
    s、表面張力が20〜70mN/m 、インクジェット
    ヘッドのノズル面を構成する材料に対する接触角が30
    〜170°であることを特徴とするインク組成物。
  18. 【請求項18】 固型分濃度が0.01〜10.0wt
    %であことを特徴とする請求項17記載のインク組成
    物。
  19. 【請求項19】 蒸気圧が0.001〜50mmHg
    (室温)の少なくとも一種の溶媒を含むことを特徴とす
    る請求項17又は18記載のインク組成物。
  20. 【請求項20】 前記インク組成物の溶媒が非プロトン
    性環状極性溶媒であることを特徴と請求項19記載のイ
    ンク組成物。
  21. 【請求項21】 前記グリコールエーテル系酢酸を含む
    ことを特徴とする請求項17乃至20のいずれかにイン
    ク組成物。
  22. 【請求項22】 低級アルコールを20wt%以下含む
    ことを特徴とする請求項17乃至21記載のインク組成
    物。
  23. 【請求項23】 前記インク組成物が正孔注入材料を含
    むものであり、該正孔注入材料としてポリチオフェン誘
    導体とポリスチレンスルフォン酸の混合物を含むことを
    特徴とする請求項17記載のインク組成物。
  24. 【請求項24】 更に熱硬化剤としてシランカップリン
    グ剤を含有することを特徴とする請求項17記載のイン
    ク組成物。
  25. 【請求項25】 前記インク組成物が発光材料を含むも
    のであり、該発光材料として、ポリ(パラフェニレンビ
    ニレン)およびその誘導体の前駆体を含むことを特徴と
    する請求項17記載のインク組成物。
  26. 【請求項26】 前記発光材料として低分子色素をドー
    プしたものを使用することを特徴とする請求項25記載
    のインク組成物。
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Cited By (60)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2003022010A1 (en) * 2001-08-30 2003-03-13 Fujitsu Limited Method for manufacturing organic el device and organic el device
JP2003077652A (ja) * 2001-08-31 2003-03-14 Dainippon Printing Co Ltd エレクトロルミネッセント素子の製造方法
WO2003026359A1 (en) * 2001-09-12 2003-03-27 Seiko Epson Corporation Patterning method, film forming method, patterning device, film forming device, electro-optic device and production method therefor, electronic apparatus, and electronic device and production method therefor
WO2003045115A1 (en) * 2001-11-22 2003-05-30 Nippon Soda Co.,Ltd. El device
JP2003168569A (ja) * 2001-11-26 2003-06-13 Samsung Sdi Co Ltd フルカラー有機電界発光表示素子及びその製造方法
EP1225472A3 (en) * 2001-01-15 2003-09-17 Seiko Epson Corporation Material discharging apparatus and method for producing color filters, liquid crystal and electroluminescent devices
EP1366920A1 (en) 2002-05-31 2003-12-03 Seiko Epson Corporation Optical head and image forming apparatus employing the same
EP1371101A1 (en) * 2001-03-22 2003-12-17 Microemissive Displays Limited Method of creating an electroluminescent device
EP1219980A3 (en) * 2000-12-21 2004-04-14 Seiko Epson Corporation Method and apparatus for producing color filter, method and apparatus for manufacturing liquid crystal device, method and apparatus for manufacturing EL device, method of discharging material, apparatus for controlling head and electronic apparatus
JP2004330136A (ja) * 2003-05-09 2004-11-25 Seiko Epson Corp 液状膜の乾燥方法、有機elパネルの製造方法、電気光学パネルの製造方法及び電子機器の製造方法、並びに液状膜の乾燥装置、電気光学パネル、電気光学装置及び電子機器
US6825867B2 (en) 2001-07-09 2004-11-30 Seiko Epson Corporation Organic electroluminescent array exposure head, method of fabricating the same, and image forming apparatus using the same
US6879099B2 (en) 2002-07-10 2005-04-12 Kabushiki Kaisha Toshiba Organic EL element and organic EL display
JP2005514726A (ja) * 2001-07-21 2005-05-19 コビオン オーガニック セミコンダクターズ ゲーエムベーハー 有機半導体の溶液
US6918666B2 (en) 2002-03-13 2005-07-19 Ricoh Company, Ltd. Fabrication of functional device mounting board making use of inkjet technique
JP2005197155A (ja) * 2004-01-09 2005-07-21 Dainippon Printing Co Ltd 発光素子およびその製造方法
JP2006059796A (ja) * 2004-07-22 2006-03-02 Sharp Corp 有機発光素子、それを備えた表示装置、及び有機発光素子の製造方法
JP2006100765A (ja) * 2004-09-01 2006-04-13 Fuji Xerox Co Ltd 有機電界発光素子
WO2006041207A1 (ja) * 2004-10-15 2006-04-20 Sumitomo Chemical Company, Limited 溶液組成物および高分子発光素子
US7081912B2 (en) 2002-03-11 2006-07-25 Seiko Epson Corporation Optical writing head such as organic EL array exposure head, method of manufacturing the same, and image forming apparatus using the same
US7119826B2 (en) 2002-12-16 2006-10-10 Seiko Epson Corporation Oranic EL array exposure head, imaging system incorporating the same, and array-form exposure head fabrication process
JP2006278126A (ja) * 2005-03-29 2006-10-12 Seiko Epson Corp デバイスの製造方法、el装置の製造方法、el装置、電子機器
WO2006115283A1 (en) * 2005-04-25 2006-11-02 Showa Denko K. K. Method of producing a display device
US7166242B2 (en) 2002-08-02 2007-01-23 Seiko Epson Corporation Composition, organic conductive layer including composition, method for manufacturing organic conductive layers, organic EL element including organic conductive layer, method for manufacturing organic EL elements semiconductor element including organic conductive layer, method for manufacturing semiconductor elements, electronic device, and electronic apparatus
US7201859B2 (en) 2001-06-25 2007-04-10 Samsung Sdi Co., Ltd. Hole transport layer and method for manufacturing the organic EL device by using the same
JP2007242272A (ja) * 2006-03-06 2007-09-20 Dainippon Printing Co Ltd エレクトロルミネッセント素子の製造方法
US7285904B2 (en) 2001-08-01 2007-10-23 Samsung Sdi Co., Ltd. Organic EL display with an organic compound derivative layer
WO2007125768A1 (ja) * 2006-04-26 2007-11-08 Sharp Kabushiki Kaisha 有機エレクトロルミネッセント表示装置及びその製造方法
US7294960B2 (en) 2003-08-08 2007-11-13 Seiko Epson Corporation Organic electroluminescent device with HIL/HTL specific to each RGB pixel
US7301273B2 (en) 2003-02-20 2007-11-27 Barco Nv Display element array for emissive, fixed format display
US7307381B2 (en) 2002-07-31 2007-12-11 Dai Nippon Printing Co., Ltd. Electroluminescent display and process for producing the same
JP2008506241A (ja) * 2004-07-12 2008-02-28 シャンハイ ジングフェング エレクトロニクス コーポレーション 有機薄膜デバイスの有機膜に対する電荷の注入を改善する方法
US7345141B2 (en) 2001-11-22 2008-03-18 Sharp Kabushiki Kaisha Polymer material having carrier transport property, and organic thin film element, electronic device, and conductor line which use same
JP2008098583A (ja) * 2006-10-16 2008-04-24 Dainippon Printing Co Ltd 有機エレクトロルミネッセンス素子およびその製造方法
WO2008056723A1 (en) * 2006-11-09 2008-05-15 Idemitsu Kosan Co., Ltd. Organic el material-containing solution, method for forming thin film of organic el material, thin film of organic el material, and organic el device
WO2008056722A1 (en) * 2006-11-09 2008-05-15 Idemitsu Kosan Co., Ltd. Organic el material-containing solution, method for forming thin film of organic el material, thin film of organic el material, and organic el device
US7378790B2 (en) 2001-05-02 2008-05-27 Seiko Epson Corporation Color display substrate, color filter substrate, color luminescent substrate, manufacturing method of color display substrate, electro-optical apparatus, electronic device, film-forming method, film-forming apparatus, and display motherboard
WO2008081823A1 (ja) * 2006-12-29 2008-07-10 Idemitsu Kosan Co., Ltd. 有機el材料含有溶液、有機el材料の合成法、この合成法による合成された化合物、有機el材料の薄膜形成方法、有機el材料の薄膜、有機el素子
US7470976B2 (en) 2000-11-27 2008-12-30 Seiko Epson Corporation Organic electroluminescent device, manufacturing method therefor, and electronic devices therewith
US7499143B2 (en) 2003-03-12 2009-03-03 Seiko Epson Corporation Liquid crystal discharging method, and liquid crystal discharging device
US7517549B2 (en) 2002-01-23 2009-04-14 Seiko Epson Corporation Method of, and apparatus for, manufacturing organic EL device; organic EL device; electronic device; and liquid droplet ejection apparatus
JP2009170946A (ja) * 2001-12-18 2009-07-30 Seiko Epson Corp 発光装置、電気光学装置、および電子機器
US7727642B2 (en) 2006-04-13 2010-06-01 Seiko Epson Corporation Compound for organic electroluminescence and organic electroluminescent device
US7727641B2 (en) 2006-03-27 2010-06-01 Seiko Epson Corporation Compound for organic electroluminescence and organic electroluminescent device
JP2010212256A (ja) * 2002-11-15 2010-09-24 Universal Display Corp 有機素子の製造方法及び構造
US7833612B2 (en) 2003-09-12 2010-11-16 Samsung Mobile Display Co., Ltd. Substrate for inkjet printing and method of manufacturing the same
WO2011118654A1 (ja) * 2010-03-26 2011-09-29 住友化学株式会社 発光装置の製造方法
JP2011243583A (ja) * 2011-08-05 2011-12-01 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 発光装置及びその作製方法
JP4858682B2 (ja) * 2003-06-04 2012-01-18 日本ゼオン株式会社 基板の製造方法
US8153184B2 (en) 2001-11-26 2012-04-10 Samsung Mobile Display Co., Ltd. Organic EL display device and method of manufacturing the same
US8181595B2 (en) 2002-12-24 2012-05-22 Seiko Epson Corporation Liquid droplet ejecting apparatus, electro-optical device, method of manufacturing the electro-optical device, and electronic apparatus
US8277955B2 (en) 2006-10-17 2012-10-02 Seiko Epson Corporation Compound for organic EL device and organic EL device
US8410476B2 (en) 2007-09-28 2013-04-02 Sharp Kabushiki Kaisha Organic electroluminescent display device and production method thereof
US8415660B2 (en) 2001-06-20 2013-04-09 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light emitting device
JP2013516053A (ja) * 2009-12-23 2013-05-09 メルク パテント ゲーエムベーハー 高分子バインダーを含む組成物
US8790792B2 (en) 2007-03-27 2014-07-29 Seiko Epson Corporation Organic electroluminescent device
US8822982B2 (en) 2001-06-20 2014-09-02 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light emitting device and electronic apparatus
JP2015173113A (ja) * 2015-03-27 2015-10-01 株式会社半導体エネルギー研究所 発光装置の作製方法
WO2019078085A1 (ja) 2017-10-19 2019-04-25 住友化学株式会社 有機電子デバイスの製造方法
JP2020516034A (ja) * 2017-03-31 2020-05-28 メルク パテント ゲーエムベーハー 有機発光ダイオード(oled)のための印刷方法
JP2020111647A (ja) * 2019-01-09 2020-07-27 信越ポリマー株式会社 導電性高分子水系分散液、導電性高分子複合体の製造方法、導電性高分子含有液の製造方法、及び導電性フィルムの製造方法

Citations (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0384892A (ja) * 1989-08-25 1991-04-10 Seiko Epson Corp 発光素子
JPH0633048A (ja) * 1992-07-15 1994-02-08 Showa Denko Kk 有機薄膜エレクトロルミネッセント素子
JPH07509339A (ja) * 1992-07-27 1995-10-12 ケンブリッジ ディスプレイ テクノロジー リミテッド エレクトロルミネッセンス装置
JPH0848858A (ja) * 1994-05-06 1996-02-20 Bayer Ag 伝導性被覆
JPH09504137A (ja) * 1994-08-08 1997-04-22 フィリップス エレクトロニクス ネムローゼ フェンノートシャップ 導電性被膜を有する表示スクリーンを備えた陰極線管
JPH09279135A (ja) * 1996-04-17 1997-10-28 Toyota Central Res & Dev Lab Inc 電界発光素子
JPH1012377A (ja) * 1996-06-19 1998-01-16 Seiko Epson Corp アクティブマトリックス型有機el表示体の製造方法
WO1998012689A1 (en) * 1996-09-19 1998-03-26 Seiko Epson Corporation Matrix type display device and method of production thereof
JPH1088030A (ja) * 1996-08-19 1998-04-07 Bayer Ag 引つ掻き抵抗性伝導性コーテイング
JPH1095787A (ja) * 1996-07-17 1998-04-14 Fuji Xerox Co Ltd シラン化合物及びその製造方法
JPH10153967A (ja) * 1996-11-25 1998-06-09 Seiko Epson Corp フルカラー有機el表示装置およびその製造方法
WO1998036406A1 (fr) * 1997-02-17 1998-08-20 Seiko Epson Corporation Afficheur emissif attaque par courant et procede de fabrication
JPH1187063A (ja) * 1997-09-01 1999-03-30 Seiko Epson Corp 電界発光素子
JP2000306669A (ja) * 1999-04-20 2000-11-02 Canon Inc 有機発光素子

Patent Citations (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0384892A (ja) * 1989-08-25 1991-04-10 Seiko Epson Corp 発光素子
JPH0633048A (ja) * 1992-07-15 1994-02-08 Showa Denko Kk 有機薄膜エレクトロルミネッセント素子
JPH07509339A (ja) * 1992-07-27 1995-10-12 ケンブリッジ ディスプレイ テクノロジー リミテッド エレクトロルミネッセンス装置
JPH0848858A (ja) * 1994-05-06 1996-02-20 Bayer Ag 伝導性被覆
JPH09504137A (ja) * 1994-08-08 1997-04-22 フィリップス エレクトロニクス ネムローゼ フェンノートシャップ 導電性被膜を有する表示スクリーンを備えた陰極線管
JPH09279135A (ja) * 1996-04-17 1997-10-28 Toyota Central Res & Dev Lab Inc 電界発光素子
JPH1012377A (ja) * 1996-06-19 1998-01-16 Seiko Epson Corp アクティブマトリックス型有機el表示体の製造方法
JPH1095787A (ja) * 1996-07-17 1998-04-14 Fuji Xerox Co Ltd シラン化合物及びその製造方法
JPH1088030A (ja) * 1996-08-19 1998-04-07 Bayer Ag 引つ掻き抵抗性伝導性コーテイング
WO1998012689A1 (en) * 1996-09-19 1998-03-26 Seiko Epson Corporation Matrix type display device and method of production thereof
JPH10153967A (ja) * 1996-11-25 1998-06-09 Seiko Epson Corp フルカラー有機el表示装置およびその製造方法
WO1998036406A1 (fr) * 1997-02-17 1998-08-20 Seiko Epson Corporation Afficheur emissif attaque par courant et procede de fabrication
JPH1187063A (ja) * 1997-09-01 1999-03-30 Seiko Epson Corp 電界発光素子
JP2000306669A (ja) * 1999-04-20 2000-11-02 Canon Inc 有機発光素子

Cited By (107)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7990052B2 (en) 2000-11-27 2011-08-02 Seiko Epson Corporation Organic electroluminescent device
US8698136B2 (en) 2000-11-27 2014-04-15 Seiko Epson Corporation Methods of manufacturing an organic electroluminescent device
US8128448B2 (en) 2000-11-27 2012-03-06 Seiko Epson Corporation Methods of manufacturing an organic electroluminescent device
US7755277B2 (en) 2000-11-27 2010-07-13 Seiko Epson Corporation Organic electroluminescent device, manufacturing method therefor, and electronic devices therewith
US7470976B2 (en) 2000-11-27 2008-12-30 Seiko Epson Corporation Organic electroluminescent device, manufacturing method therefor, and electronic devices therewith
US7521709B2 (en) 2000-11-27 2009-04-21 Seiko Epson Corporation Organic electroluminescent device, manufacturing method therefor, and electronic devices therewith
US8454403B2 (en) 2000-11-27 2013-06-04 Seiko Epson Corporation Methods of manufacturing an organic electroluminescent device
KR100538864B1 (ko) * 2000-12-21 2005-12-23 세이코 엡슨 가부시키가이샤 컬러 필터의 제조 방법 및 제조 장치, 액정 장치의 제조방법 및 제조 장치, 전자 발광 장치의 제조 방법 및 제조장치, 물질의 토출 방법, 헤드의 제어 장치, 및 전자 기기
US7481515B2 (en) 2000-12-21 2009-01-27 Seiko Epson Corporation Method and apparatus for producing color filter, method and apparatus for manufacturing liquid crystal device, method and apparatus for manufacturing EL device, method of discharging material, apparatus for controlling head and electronic apparatus
EP1219980A3 (en) * 2000-12-21 2004-04-14 Seiko Epson Corporation Method and apparatus for producing color filter, method and apparatus for manufacturing liquid crystal device, method and apparatus for manufacturing EL device, method of discharging material, apparatus for controlling head and electronic apparatus
EP1225472A3 (en) * 2001-01-15 2003-09-17 Seiko Epson Corporation Material discharging apparatus and method for producing color filters, liquid crystal and electroluminescent devices
US7182815B2 (en) 2001-01-15 2007-02-27 Seiko Epson Corporation Apparatus and method for producing color filters by discharging material
EP1852733A1 (en) * 2001-01-15 2007-11-07 Seiko Epson Corporation Material discharging apparatus and method for producing color filters, liquid crystal and electroluminescent devices
US7901741B2 (en) 2001-01-15 2011-03-08 Seiko Epson Corporation Apparatus and method for producing color filters by discharging material
US7595588B2 (en) 2001-03-22 2009-09-29 Microemissive Displays Limited Electroluminescent device and method of making same
EP1371101A1 (en) * 2001-03-22 2003-12-17 Microemissive Displays Limited Method of creating an electroluminescent device
US7378790B2 (en) 2001-05-02 2008-05-27 Seiko Epson Corporation Color display substrate, color filter substrate, color luminescent substrate, manufacturing method of color display substrate, electro-optical apparatus, electronic device, film-forming method, film-forming apparatus, and display motherboard
US8415660B2 (en) 2001-06-20 2013-04-09 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light emitting device
US9276224B2 (en) 2001-06-20 2016-03-01 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Organic light emitting device having dual flexible substrates
US9178168B2 (en) 2001-06-20 2015-11-03 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. White light emitting device
US9166180B2 (en) 2001-06-20 2015-10-20 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light emitting device having an organic light emitting diode that emits white light
US8822982B2 (en) 2001-06-20 2014-09-02 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light emitting device and electronic apparatus
JP2007103384A (ja) * 2001-06-25 2007-04-19 Samsung Sdi Co Ltd 有機電界発光装置用正孔輸送層を用いた有機電界発光装置の製造方法
US7201859B2 (en) 2001-06-25 2007-04-10 Samsung Sdi Co., Ltd. Hole transport layer and method for manufacturing the organic EL device by using the same
US6825867B2 (en) 2001-07-09 2004-11-30 Seiko Epson Corporation Organic electroluminescent array exposure head, method of fabricating the same, and image forming apparatus using the same
JP2005514726A (ja) * 2001-07-21 2005-05-19 コビオン オーガニック セミコンダクターズ ゲーエムベーハー 有機半導体の溶液
KR100915570B1 (ko) * 2001-07-21 2009-09-03 메르크 파텐트 게엠베하 유기반도체 용액들
US7285904B2 (en) 2001-08-01 2007-10-23 Samsung Sdi Co., Ltd. Organic EL display with an organic compound derivative layer
US8039039B2 (en) 2001-08-30 2011-10-18 Sharp Kabushiki Kaisha Method of manufacturing organic EL device, and organic EL device
US7131881B2 (en) 2001-08-30 2006-11-07 Sharp Kabushiki Kaisha Method of manufacturing organic EL device, and organic EL device
WO2003022010A1 (en) * 2001-08-30 2003-03-13 Fujitsu Limited Method for manufacturing organic el device and organic el device
JPWO2003022010A1 (ja) * 2001-08-30 2004-12-24 富士通株式会社 有機el装置の製造方法及び有機el装置
JP2003077652A (ja) * 2001-08-31 2003-03-14 Dainippon Printing Co Ltd エレクトロルミネッセント素子の製造方法
WO2003026359A1 (en) * 2001-09-12 2003-03-27 Seiko Epson Corporation Patterning method, film forming method, patterning device, film forming device, electro-optic device and production method therefor, electronic apparatus, and electronic device and production method therefor
WO2003045115A1 (en) * 2001-11-22 2003-05-30 Nippon Soda Co.,Ltd. El device
US7345141B2 (en) 2001-11-22 2008-03-18 Sharp Kabushiki Kaisha Polymer material having carrier transport property, and organic thin film element, electronic device, and conductor line which use same
US7705534B2 (en) 2001-11-26 2010-04-27 Samsung Mobile Display Co., Ltd. Organic EL display device
US8142839B2 (en) 2001-11-26 2012-03-27 Samsung Mobile Display Co., Ltd. Method for fabricating a display device
JP2007280963A (ja) * 2001-11-26 2007-10-25 Samsung Sdi Co Ltd フルカラー有機電界発光表示素子
US8153184B2 (en) 2001-11-26 2012-04-10 Samsung Mobile Display Co., Ltd. Organic EL display device and method of manufacturing the same
JP2003168569A (ja) * 2001-11-26 2003-06-13 Samsung Sdi Co Ltd フルカラー有機電界発光表示素子及びその製造方法
US7696689B2 (en) 2001-11-26 2010-04-13 Samsung Mobile Display Co., Ltd. Organic EL display device having an organic EL layer formed on an exposed underlying layer
US8101946B2 (en) 2001-12-18 2012-01-24 Seiko Epson Corporation Light-emission device, method of manufacturing same, electro-optical device and electronic device
JP2009170946A (ja) * 2001-12-18 2009-07-30 Seiko Epson Corp 発光装置、電気光学装置、および電子機器
US7517549B2 (en) 2002-01-23 2009-04-14 Seiko Epson Corporation Method of, and apparatus for, manufacturing organic EL device; organic EL device; electronic device; and liquid droplet ejection apparatus
US7081912B2 (en) 2002-03-11 2006-07-25 Seiko Epson Corporation Optical writing head such as organic EL array exposure head, method of manufacturing the same, and image forming apparatus using the same
US8517530B2 (en) 2002-03-13 2013-08-27 Ricoh Company, Ltd. Fabrication of functional device mounting board making use of inkjet technique
US6918666B2 (en) 2002-03-13 2005-07-19 Ricoh Company, Ltd. Fabrication of functional device mounting board making use of inkjet technique
US7553375B2 (en) 2002-03-13 2009-06-30 Ricoh Company, Ltd. Fabrication of functional device mounting board making use of inkjet technique
EP1564008A1 (en) 2002-05-31 2005-08-17 Seiko Epson Corporation Optical head and image forming apparatus employing the same
EP1564007A1 (en) 2002-05-31 2005-08-17 Seiko Epson Corporation Optical head and image forming apparatus employing the same
EP1366920A1 (en) 2002-05-31 2003-12-03 Seiko Epson Corporation Optical head and image forming apparatus employing the same
US6879099B2 (en) 2002-07-10 2005-04-12 Kabushiki Kaisha Toshiba Organic EL element and organic EL display
US7307381B2 (en) 2002-07-31 2007-12-11 Dai Nippon Printing Co., Ltd. Electroluminescent display and process for producing the same
US8267735B2 (en) 2002-07-31 2012-09-18 Dai Nippon Printing Co., Ltd. Pattern formation method for electroluminescent element
US7166242B2 (en) 2002-08-02 2007-01-23 Seiko Epson Corporation Composition, organic conductive layer including composition, method for manufacturing organic conductive layers, organic EL element including organic conductive layer, method for manufacturing organic EL elements semiconductor element including organic conductive layer, method for manufacturing semiconductor elements, electronic device, and electronic apparatus
JP2010212256A (ja) * 2002-11-15 2010-09-24 Universal Display Corp 有機素子の製造方法及び構造
KR101199604B1 (ko) 2002-11-15 2012-11-08 유니버셜 디스플레이 코포레이션 유기 장치의 조립 방법 및 구조
EP1561248B1 (en) * 2002-11-15 2020-01-22 Universal Display Corporation Method of fabricating organic devices
US7119826B2 (en) 2002-12-16 2006-10-10 Seiko Epson Corporation Oranic EL array exposure head, imaging system incorporating the same, and array-form exposure head fabrication process
US8181595B2 (en) 2002-12-24 2012-05-22 Seiko Epson Corporation Liquid droplet ejecting apparatus, electro-optical device, method of manufacturing the electro-optical device, and electronic apparatus
US7301273B2 (en) 2003-02-20 2007-11-27 Barco Nv Display element array for emissive, fixed format display
US7499143B2 (en) 2003-03-12 2009-03-03 Seiko Epson Corporation Liquid crystal discharging method, and liquid crystal discharging device
US8780317B2 (en) 2003-03-12 2014-07-15 Seiko Epson Corporation Film forming method, film forming device, liquid crystal arrangement method, liquid crystal arrangement device, liquid crystal device, liquid crystal device production method and electronic equipment
JP2004330136A (ja) * 2003-05-09 2004-11-25 Seiko Epson Corp 液状膜の乾燥方法、有機elパネルの製造方法、電気光学パネルの製造方法及び電子機器の製造方法、並びに液状膜の乾燥装置、電気光学パネル、電気光学装置及び電子機器
JP4858682B2 (ja) * 2003-06-04 2012-01-18 日本ゼオン株式会社 基板の製造方法
US7294960B2 (en) 2003-08-08 2007-11-13 Seiko Epson Corporation Organic electroluminescent device with HIL/HTL specific to each RGB pixel
US7833612B2 (en) 2003-09-12 2010-11-16 Samsung Mobile Display Co., Ltd. Substrate for inkjet printing and method of manufacturing the same
JP2005197155A (ja) * 2004-01-09 2005-07-21 Dainippon Printing Co Ltd 発光素子およびその製造方法
JP2008506241A (ja) * 2004-07-12 2008-02-28 シャンハイ ジングフェング エレクトロニクス コーポレーション 有機薄膜デバイスの有機膜に対する電荷の注入を改善する方法
US7495389B2 (en) 2004-07-22 2009-02-24 Sharp Kabushiki Kaisha Organic light emitting element including auxiliary electrode, display device including the same and method for manufacturing the organic light emitting element
JP2006059796A (ja) * 2004-07-22 2006-03-02 Sharp Corp 有機発光素子、それを備えた表示装置、及び有機発光素子の製造方法
JP2006100765A (ja) * 2004-09-01 2006-04-13 Fuji Xerox Co Ltd 有機電界発光素子
GB2434584B (en) * 2004-10-15 2009-09-09 Sumitomo Chemical Co Solution composition and polymer light-emitting device
GB2434584A (en) * 2004-10-15 2007-08-01 Sumitomo Chemical Co Solution composition and polymer light-emitting device
US7910025B2 (en) 2004-10-15 2011-03-22 Sumitomo Chemical Co., Ltd. Solution composition and polymer light-emitting device
WO2006041207A1 (ja) * 2004-10-15 2006-04-20 Sumitomo Chemical Company, Limited 溶液組成物および高分子発光素子
JP2006278126A (ja) * 2005-03-29 2006-10-12 Seiko Epson Corp デバイスの製造方法、el装置の製造方法、el装置、電子機器
US8016629B2 (en) 2005-04-25 2011-09-13 Showa Denko K.K. Method of producing a display device
WO2006115283A1 (en) * 2005-04-25 2006-11-02 Showa Denko K. K. Method of producing a display device
JP2007242272A (ja) * 2006-03-06 2007-09-20 Dainippon Printing Co Ltd エレクトロルミネッセント素子の製造方法
US7727641B2 (en) 2006-03-27 2010-06-01 Seiko Epson Corporation Compound for organic electroluminescence and organic electroluminescent device
KR101387667B1 (ko) * 2006-04-13 2014-04-21 세이코 엡슨 가부시키가이샤 유기 el용 화합물 및 유기 el 디바이스
US7727642B2 (en) 2006-04-13 2010-06-01 Seiko Epson Corporation Compound for organic electroluminescence and organic electroluminescent device
WO2007125768A1 (ja) * 2006-04-26 2007-11-08 Sharp Kabushiki Kaisha 有機エレクトロルミネッセント表示装置及びその製造方法
US8232940B2 (en) 2006-04-26 2012-07-31 Sharp Kabushiki Kaisha Organic electroluminescent display device and production method thereof
JP2008098583A (ja) * 2006-10-16 2008-04-24 Dainippon Printing Co Ltd 有機エレクトロルミネッセンス素子およびその製造方法
US8277955B2 (en) 2006-10-17 2012-10-02 Seiko Epson Corporation Compound for organic EL device and organic EL device
WO2008056723A1 (en) * 2006-11-09 2008-05-15 Idemitsu Kosan Co., Ltd. Organic el material-containing solution, method for forming thin film of organic el material, thin film of organic el material, and organic el device
WO2008056722A1 (en) * 2006-11-09 2008-05-15 Idemitsu Kosan Co., Ltd. Organic el material-containing solution, method for forming thin film of organic el material, thin film of organic el material, and organic el device
WO2008081823A1 (ja) * 2006-12-29 2008-07-10 Idemitsu Kosan Co., Ltd. 有機el材料含有溶液、有機el材料の合成法、この合成法による合成された化合物、有機el材料の薄膜形成方法、有機el材料の薄膜、有機el素子
US8790792B2 (en) 2007-03-27 2014-07-29 Seiko Epson Corporation Organic electroluminescent device
US8410476B2 (en) 2007-09-28 2013-04-02 Sharp Kabushiki Kaisha Organic electroluminescent display device and production method thereof
JP2016156016A (ja) * 2009-12-23 2016-09-01 メルク パテント ゲーエムベーハー 高分子バインダーを含む組成物
JP2013516053A (ja) * 2009-12-23 2013-05-09 メルク パテント ゲーエムベーハー 高分子バインダーを含む組成物
US9178156B2 (en) 2009-12-23 2015-11-03 Merck Patent Gmbh Compositions comprising polymeric binders
CN102845133A (zh) * 2010-03-26 2012-12-26 住友化学株式会社 发光装置的制造方法
WO2011118654A1 (ja) * 2010-03-26 2011-09-29 住友化学株式会社 発光装置の製造方法
JP2011243583A (ja) * 2011-08-05 2011-12-01 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 発光装置及びその作製方法
JP2015173113A (ja) * 2015-03-27 2015-10-01 株式会社半導体エネルギー研究所 発光装置の作製方法
JP2020516034A (ja) * 2017-03-31 2020-05-28 メルク パテント ゲーエムベーハー 有機発光ダイオード(oled)のための印刷方法
JP7123967B2 (ja) 2017-03-31 2022-08-23 メルク パテント ゲーエムベーハー 有機発光ダイオード(oled)のための印刷方法
WO2019078085A1 (ja) 2017-10-19 2019-04-25 住友化学株式会社 有機電子デバイスの製造方法
KR20200072494A (ko) 2017-10-19 2020-06-22 스미또모 가가꾸 가부시키가이샤 유기 전자 디바이스의 제조 방법
US11527743B2 (en) 2017-10-19 2022-12-13 Sumitomo Chemical Company, Limited Organic electronic device manufacturing method
JP2020111647A (ja) * 2019-01-09 2020-07-27 信越ポリマー株式会社 導電性高分子水系分散液、導電性高分子複合体の製造方法、導電性高分子含有液の製造方法、及び導電性フィルムの製造方法
JP7190357B2 (ja) 2019-01-09 2022-12-15 信越ポリマー株式会社 導電性高分子複合体の製造方法、導電性高分子含有液の製造方法、及び導電性フィルムの製造方法

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