JPH0385466U - - Google Patents

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JPH0385466U
JPH0385466U JP14643489U JP14643489U JPH0385466U JP H0385466 U JPH0385466 U JP H0385466U JP 14643489 U JP14643489 U JP 14643489U JP 14643489 U JP14643489 U JP 14643489U JP H0385466 U JPH0385466 U JP H0385466U
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JP
Japan
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vacuum chamber
opening
thin film
chamber
processing chamber
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JP14643489U
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  • Physical Vapour Deposition (AREA)
  • Chemical Vapour Deposition (AREA)
  • Physical Deposition Of Substances That Are Components Of Semiconductor Devices (AREA)

Description

【図面の簡単な説明】
第1図はこの考案の一実施例による薄膜形成装
置の構成図、第2図はこの考案の他の実施例によ
る薄膜形成装置の構成図、第3図は従来の薄膜形
成装置の構成図である。 1……本体、4……真空チヤンバ、5……排気
口、6……下部電極、8……上部電極、15……
隔壁、16……加工チヤンバ、17……開口部、
a……基板。

Claims (1)

  1. 【実用新案登録請求の範囲】 (1) 真空チヤンバ内にこの内部を隔壁で仕切つ
    て形成した加工チヤンバを設け、前記隔壁の上面
    に真空チヤンバと加工チヤンバ内とを連通させる
    開口部を形成し、加工チヤンバ内に前記開口部と
    対向して下部電極を設け、真空チヤンバ内に前記
    開口部と対向して上部電極を上下動可能に設け、
    真空チヤンバおよび加工チヤンバにそれぞれ排気
    口を設け、前記開口部の上に基板を設置しかつこ
    の基板を前記上部電極で下方に押圧して前記開口
    部を密閉し、真空チヤンバ内および加工チヤンバ
    内の空気を前記排気口を通してそれぞれ排気し、
    加工チヤンバ内に薄膜形成用のガスを供給し、か
    つ前記電極間に電圧を印加してプラズマ加工によ
    り前記基板に薄膜を形成することを特徴とする薄
    膜形成装置。 (2) 真空チヤンバ内には複数の加工チヤンバが
    設けられていることを特徴とする請求項1記載の
    薄膜形成装置。
JP14643489U 1989-12-21 1989-12-21 Pending JPH0385466U (ja)

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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2010526446A (ja) * 2007-05-09 2010-07-29 ライボルト オプティクス ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツング フラットな基板の処理装置

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5590438A (en) * 1978-12-27 1980-07-09 Hitachi Ltd Plasma surface treatment device

Patent Citations (1)

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