JPS6268228U - - Google Patents
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- Publication number
- JPS6268228U JPS6268228U JP16102385U JP16102385U JPS6268228U JP S6268228 U JPS6268228 U JP S6268228U JP 16102385 U JP16102385 U JP 16102385U JP 16102385 U JP16102385 U JP 16102385U JP S6268228 U JPS6268228 U JP S6268228U
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- substrate
- hole
- sample stage
- held
- pressure
- Prior art date
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- Pending
Links
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 6
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims 3
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims 2
- 239000000463 material Substances 0.000 claims 1
- 238000002488 metal-organic chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
Description
第１図は本考案による一実施例を示す側断面図
、第２図は従来の装置を示す側面図である。 １：反応室、３：基板、５：ＭＯＣＶＤガス、
６：試料台、８：真空ポンプ。
、第２図は従来の装置を示す側面図である。 １：反応室、３：基板、５：ＭＯＣＶＤガス、
６：試料台、８：真空ポンプ。
Claims (1)
- 【実用新案登録請求の範囲】 試料台に保持した基板を、反応室内に供給され
た材料ガスに晒して基板上に半導体層を堆積する
半導体製造装置において、 基板と対向する試料台の載置面に少なく共１個
の孔を設け、 該孔を減圧機構に結合してなり、孔内の圧力を
基板表面の圧力より低くして基板を保持すること
を特徴とする半導体製造装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16102385U JPS6268228U (ja) | 1985-10-18 | 1985-10-18 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16102385U JPS6268228U (ja) | 1985-10-18 | 1985-10-18 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6268228U true JPS6268228U (ja) | 1987-04-28 |
Family
ID=31086956
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP16102385U Pending JPS6268228U (ja) | 1985-10-18 | 1985-10-18 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6268228U (ja) |
-
1985
- 1985-10-18 JP JP16102385U patent/JPS6268228U/ja active Pending