JPH0394587A - 撮像装置 - Google Patents
撮像装置Info
- Publication number
- JPH0394587A JPH0394587A JP1230333A JP23033389A JPH0394587A JP H0394587 A JPH0394587 A JP H0394587A JP 1230333 A JP1230333 A JP 1230333A JP 23033389 A JP23033389 A JP 23033389A JP H0394587 A JPH0394587 A JP H0394587A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- sensitivity
- frequency component
- solid
- image pickup
- high frequency
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
- H04N25/00—Circuitry of solid-state image sensors [SSIS]; Control thereof
- H04N25/60—Noise processing, e.g. detecting, correcting, reducing or removing noise
- H04N25/67—Noise processing, e.g. detecting, correcting, reducing or removing noise applied to fixed-pattern noise, e.g. non-uniformity of response
- H04N25/671—Noise processing, e.g. detecting, correcting, reducing or removing noise applied to fixed-pattern noise, e.g. non-uniformity of response for non-uniformity detection or correction
-
- H—ELECTRICITY
- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
- H04N25/00—Circuitry of solid-state image sensors [SSIS]; Control thereof
- H04N25/70—SSIS architectures; Circuits associated therewith
- H04N25/71—Charge-coupled device [CCD] sensors; Charge-transfer registers specially adapted for CCD sensors
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
- H10F39/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one element covered by group H10F30/00, e.g. radiation detectors comprising photodiode arrays
- H10F39/80—Constructional details of image sensors
- H10F39/803—Pixels having integrated switching, control, storage or amplification elements
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Multimedia (AREA)
- Signal Processing (AREA)
- Transforming Light Signals Into Electric Signals (AREA)
- Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は，一画素内で感度が不均一な固体操像素子を用
いた撮像？ｔ置の改良に関するものである． （従来の技術） 固体撮像素子は撮像管と比較して多くの利点を有してい
るため、現在盛んに開発が進められている． 第２図はこの種の固体撮像素子を用いた従来の１！像装
置のａ成図で，固体撮像素子Ａの画素構造を示している
．同図において、ｌは駆動信号φ．のＴｆｆ，極とｖｃ
続されたポリシリコン電極，２は酸化膜（絶縁膜），３
は仮想電極である．第３図は第ｌ図の固体撮像素子Ａの
ポテンシャルを示す図で、矢印は電荷の移動方向を示し
ている．次に動作について説明する．電荷蓄積時は、駆
動信号φ，によりポリシリコン電極ｌを低い電圧にする
．これにより，第３図の実線で示すポテンシャルとなり
、仮想電極３下に電荷が蓄積される． また電荷転送時には、ポリシリコン電極ｌに高い電圧と
低い電圧を交互に印加する．これにより，上記蓄積され
た電荷が順次転送される．このような固体撮像素子Ａは
、ハーチャルフェーズ（仮想電極）構造とよばれ，垂直
転送パルスが単相でよく、構造もシンプルであることか
ら、広く利用されている． （発明が解決しようとする課題） しかしながら、上記のような従来の撮像装置にあっては
、ポリシリコン電極が短波長光を吸収するため電荷蓄積
時に一画素内で感度か均一にならず、このため、映像信
号に偽信号成分が含まれてしまい、再生画像が劣化する
という問題点があった． 本発明は、このような問題点を解決するためになされた
もので、良質の再生画像が得られる撮像装置を得ること
を目的としている。
いた撮像？ｔ置の改良に関するものである． （従来の技術） 固体撮像素子は撮像管と比較して多くの利点を有してい
るため、現在盛んに開発が進められている． 第２図はこの種の固体撮像素子を用いた従来の１！像装
置のａ成図で，固体撮像素子Ａの画素構造を示している
．同図において、ｌは駆動信号φ．のＴｆｆ，極とｖｃ
続されたポリシリコン電極，２は酸化膜（絶縁膜），３
は仮想電極である．第３図は第ｌ図の固体撮像素子Ａの
ポテンシャルを示す図で、矢印は電荷の移動方向を示し
ている．次に動作について説明する．電荷蓄積時は、駆
動信号φ，によりポリシリコン電極ｌを低い電圧にする
．これにより，第３図の実線で示すポテンシャルとなり
、仮想電極３下に電荷が蓄積される． また電荷転送時には、ポリシリコン電極ｌに高い電圧と
低い電圧を交互に印加する．これにより，上記蓄積され
た電荷が順次転送される．このような固体撮像素子Ａは
、ハーチャルフェーズ（仮想電極）構造とよばれ，垂直
転送パルスが単相でよく、構造もシンプルであることか
ら、広く利用されている． （発明が解決しようとする課題） しかしながら、上記のような従来の撮像装置にあっては
、ポリシリコン電極が短波長光を吸収するため電荷蓄積
時に一画素内で感度か均一にならず、このため、映像信
号に偽信号成分が含まれてしまい、再生画像が劣化する
という問題点があった． 本発明は、このような問題点を解決するためになされた
もので、良質の再生画像が得られる撮像装置を得ること
を目的としている。
〔Ｗ１題を解決するための手段〕
本発明の撮像装置は，一画素内で感度が不均一な固体操
像素子と，この固体撮像素子に入射する被写体からの撮
像光の空間周波数の高域成分を制限する高域成分制限手
段を備え、前記高域成分制限手段を、高感度領域を繰り
返しピッチとした時のナイキスト周波数におけるレスポ
ンスが零になるようにしたものである． （作用） 本発明の撮像装置においては、高域成分制限手段が備え
られており，この高域成分制限手段によって画素内の感
度不均一性による偽信号が低減される． （実施例） 第１図は本発明の一実施例を示す構戊図で、第１図と同
一符号は同一構威部分を示している。図において、ｌは
駆動信号φ１の電極と接続されたポリシリコン”ｆ極，
２は酸化！Ｉ（絶縁膜）、３は仮想電極、４は一画素内
で感度が不均一な固体撮像素子Ａに入射する被写体から
の撮像光の空間周波数の高域成分を制限する高域成分制
限手段として設けられた複屈折板である． 上記のような画素構造をもつ固体撮像素子Ａを有した撮
像？ｔ置においては、複屈折板４の作用により固体撮像
素子Ａの面には被写体の２重像が結ばれ，被写体像の高
周波成分が制限される．この時、正常光と異常光とのず
れを一画素のうちポリシリコン電極ｌかない所のｌ／２
とすること，つまり，ポリシリコン電極ｌのない領域を
繰り返しピッチとした時のナイキスト周波数におけるレ
スボンスを零とすることにより、一画素内の感度の不均
一性による偽信号を低減させることができる。このため
，良質の再生画像を得ることができる． 上記複屈折板４材料物質としては、水晶や方解石がよく
知られている．また、複屈折板４の配置方法は、固体撮
像素子Ａのパッケージ窓に接着するか、あるいはパッケ
ージ窓として用いるなど、どのような方法であってもよ
い． なお，上記実施例では複屈折板４を用いて高周波成分を
制限したが，位相格子を用いてもよく、その場合にも同
様に、ポリシリコン電極ｌのない領域を繰り返しピッチ
とした時のナイキスト周波数におけるレスポンスが零に
なるようにすればよい． また、本発明は，一画素内で感度が不均一な固体撮像素
子に対して有効で，その場合も、同様に繰り返しピッチ
が感度の高い領域で、あるとした時のナイキスト周波数
におけるレスポンスを零にすればよい． （９．明の効果） 以上説明したように、本発明によれば、撮像光の高域成
分制限手段を用いることにより、一画素内の感度不均一
性による映像信号の偽信号成分を低減させることができ
、良質の再生画像を得ることができるという効果がある
．
像素子と，この固体撮像素子に入射する被写体からの撮
像光の空間周波数の高域成分を制限する高域成分制限手
段を備え、前記高域成分制限手段を、高感度領域を繰り
返しピッチとした時のナイキスト周波数におけるレスポ
ンスが零になるようにしたものである． （作用） 本発明の撮像装置においては、高域成分制限手段が備え
られており，この高域成分制限手段によって画素内の感
度不均一性による偽信号が低減される． （実施例） 第１図は本発明の一実施例を示す構戊図で、第１図と同
一符号は同一構威部分を示している。図において、ｌは
駆動信号φ１の電極と接続されたポリシリコン”ｆ極，
２は酸化！Ｉ（絶縁膜）、３は仮想電極、４は一画素内
で感度が不均一な固体撮像素子Ａに入射する被写体から
の撮像光の空間周波数の高域成分を制限する高域成分制
限手段として設けられた複屈折板である． 上記のような画素構造をもつ固体撮像素子Ａを有した撮
像？ｔ置においては、複屈折板４の作用により固体撮像
素子Ａの面には被写体の２重像が結ばれ，被写体像の高
周波成分が制限される．この時、正常光と異常光とのず
れを一画素のうちポリシリコン電極ｌかない所のｌ／２
とすること，つまり，ポリシリコン電極ｌのない領域を
繰り返しピッチとした時のナイキスト周波数におけるレ
スボンスを零とすることにより、一画素内の感度の不均
一性による偽信号を低減させることができる。このため
，良質の再生画像を得ることができる． 上記複屈折板４材料物質としては、水晶や方解石がよく
知られている．また、複屈折板４の配置方法は、固体撮
像素子Ａのパッケージ窓に接着するか、あるいはパッケ
ージ窓として用いるなど、どのような方法であってもよ
い． なお，上記実施例では複屈折板４を用いて高周波成分を
制限したが，位相格子を用いてもよく、その場合にも同
様に、ポリシリコン電極ｌのない領域を繰り返しピッチ
とした時のナイキスト周波数におけるレスポンスが零に
なるようにすればよい． また、本発明は，一画素内で感度が不均一な固体撮像素
子に対して有効で，その場合も、同様に繰り返しピッチ
が感度の高い領域で、あるとした時のナイキスト周波数
におけるレスポンスを零にすればよい． （９．明の効果） 以上説明したように、本発明によれば、撮像光の高域成
分制限手段を用いることにより、一画素内の感度不均一
性による映像信号の偽信号成分を低減させることができ
、良質の再生画像を得ることができるという効果がある
．
第１図は本発明の一実施例を示す構戊図、第２図は従来
の撮像装置の構成図、第３図は第２図の固体撮像素子の
ポテンシャルを示す説明図である． Ａ・・・・・・固体撮像素子 ｌ・・・・・・ポリシリコン電極 ２ −−−−−−酸化膜 ３・・・・・・仮想電極 ４ −−−−−−複屈折板
の撮像装置の構成図、第３図は第２図の固体撮像素子の
ポテンシャルを示す説明図である． Ａ・・・・・・固体撮像素子 ｌ・・・・・・ポリシリコン電極 ２ −−−−−−酸化膜 ３・・・・・・仮想電極 ４ −−−−−−複屈折板
Claims (1)
- 一画素内で感度が不均一な固体撮像素子と、この固体撮
像素子に入射する被写体からの撮像光の空間周波数の高
域成分を制限する高域成分制限手段を備え、前記高域成
分制限手段を、高感度領域を繰り返しピッチとした時の
ナイキスト周波数におけるレスポンスが零になるように
したことを特徴とする撮像装置。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1230333A JPH0394587A (ja) | 1989-09-07 | 1989-09-07 | 撮像装置 |
| US08/376,684 US5534922A (en) | 1989-09-07 | 1995-01-23 | Image pickup device |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1230333A JPH0394587A (ja) | 1989-09-07 | 1989-09-07 | 撮像装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0394587A true JPH0394587A (ja) | 1991-04-19 |
Family
ID=16906195
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1230333A Pending JPH0394587A (ja) | 1989-09-07 | 1989-09-07 | 撮像装置 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5534922A (ja) |
| JP (1) | JPH0394587A (ja) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP4025207B2 (ja) * | 2003-01-17 | 2007-12-19 | 富士フイルム株式会社 | 固体撮像素子及びデジタルカメラ |
| JP4279562B2 (ja) * | 2003-01-17 | 2009-06-17 | 富士フイルム株式会社 | 固体撮像装置の制御方法 |
| JP2008116921A (ja) * | 2006-10-10 | 2008-05-22 | Sony Corp | 表示装置および情報処理装置 |
Family Cites Families (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS53119063A (en) * | 1977-03-26 | 1978-10-18 | Minolta Camera Co Ltd | Optical low pass filter |
| US4607168A (en) * | 1982-07-09 | 1986-08-19 | Hitachi, Ltd. | Photosensor array devices |
| US4605956A (en) * | 1984-09-10 | 1986-08-12 | Eastman Kodak Company | Single-chip electronic color camera with color-dependent birefringent optical spatial frequency filter and red and blue signal interpolating circuit |
| JPS6218755A (ja) * | 1985-07-18 | 1987-01-27 | Toshiba Corp | 固体撮像装置 |
| JPS62289065A (ja) * | 1986-06-09 | 1987-12-15 | Mitsubishi Electric Corp | 撮像装置 |
| JP2605703B2 (ja) * | 1986-12-24 | 1997-04-30 | ソニー株式会社 | 撮像装置 |
| JPS63308375A (ja) * | 1987-06-10 | 1988-12-15 | Hitachi Ltd | 固体撮像装置 |
| JPH07111514B2 (ja) * | 1988-04-04 | 1995-11-29 | 日本放送協会 | 光学的ローパスフイルタ |
| JPH0833527B2 (ja) * | 1988-07-18 | 1996-03-29 | キヤノン株式会社 | 光学的ローパスフィルターを有した撮影系 |
| JP2826328B2 (ja) * | 1988-11-18 | 1998-11-18 | オリンパス光学工業株式会社 | 撮像装置 |
-
1989
- 1989-09-07 JP JP1230333A patent/JPH0394587A/ja active Pending
-
1995
- 1995-01-23 US US08/376,684 patent/US5534922A/en not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US5534922A (en) | 1996-07-09 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JPS62157482A (ja) | 撮像装置 | |
| US4189751A (en) | Solid state television camera with defect compensation to reduce noise | |
| JPH0463588B2 (ja) | ||
| JPH0147073B2 (ja) | ||
| JPS62272773A (ja) | 固体撮像装置 | |
| US5534922A (en) | Image pickup device | |
| JPS63105579A (ja) | 固体撮像装置 | |
| JPH02181470A (ja) | 固体撮像素子 | |
| JPS6019718B2 (ja) | カラ−固体撮像装置 | |
| JPS60149267A (ja) | 撮像装置 | |
| JPH03278575A (ja) | 固体撮像素子の駆動方法 | |
| JPH05308579A (ja) | 固体撮像装置 | |
| JPH01190178A (ja) | 撮像装置 | |
| JPS5839172A (ja) | 撮像方式 | |
| JP2734795B2 (ja) | 固体撮像装置 | |
| JP2684377B2 (ja) | カラー用固体撮像素子 | |
| JPH04189082A (ja) | 撮像装置 | |
| JPH0251981A (ja) | 撮像装置 | |
| JPS6165674A (ja) | 固体撮像装置の駆動パルス発生回路 | |
| JPH03195185A (ja) | 固体撮像素子の駆動方法 | |
| JPH04301982A (ja) | 固体撮像装置 | |
| JPS60217763A (ja) | 固体撮像装置の駆動方式 | |
| JPS6070887A (ja) | 固体撮像装置 | |
| JPS58178674A (ja) | 固体撮像装置 | |
| JPH05291552A (ja) | 固体撮像装置 |