JPH039604B2 - - Google Patents
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- JPH039604B2 JPH039604B2 JP56158291A JP15829181A JPH039604B2 JP H039604 B2 JPH039604 B2 JP H039604B2 JP 56158291 A JP56158291 A JP 56158291A JP 15829181 A JP15829181 A JP 15829181A JP H039604 B2 JPH039604 B2 JP H039604B2
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Landscapes
- Parts Printed On Printed Circuit Boards (AREA)
- Thermistors And Varistors (AREA)
- Fixed Capacitors And Capacitor Manufacturing Machines (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明はセラミツクバリスタやセラミツクコン
デンサ等（この明細書中では便宜上セラミツクバ
リスタ等と総称する）に使用する電極の構造に関
するものであつて、その目的とするところは使用
するセラミツク基板の静電容量の調整およびリー
ド線の取付けが容易な電極構造を提供することに
ある。
デンサ等（この明細書中では便宜上セラミツクバ
リスタ等と総称する）に使用する電極の構造に関
するものであつて、その目的とするところは使用
するセラミツク基板の静電容量の調整およびリー
ド線の取付けが容易な電極構造を提供することに
ある。
酸化亜鉛を主体とするセラミツクバリスタは、
酸化亜鉛にビスマス、アンチモン、コバルト、マ
ンガン等の金属酸化物を添加して混合成形し、
1000〜1300℃で焼結して形成され、すぐれた非直
線電圧抵抗特性を有するので各種電気回路のサー
ジ吸収器として広く用いられている。ところでこ
のセラミツクバリスタをサージ吸収器として使用
する場合は、その電圧非直線抵抗特性を十分に活
かすために静電容量を小さくしなければならない
場合がある。
酸化亜鉛にビスマス、アンチモン、コバルト、マ
ンガン等の金属酸化物を添加して混合成形し、
1000〜1300℃で焼結して形成され、すぐれた非直
線電圧抵抗特性を有するので各種電気回路のサー
ジ吸収器として広く用いられている。ところでこ
のセラミツクバリスタをサージ吸収器として使用
する場合は、その電圧非直線抵抗特性を十分に活
かすために静電容量を小さくしなければならない
場合がある。
第１図および第２図において、１はセラミツク
基板で、その表面および裏面には、銀又は銅ある
いはアルミニユム等の導電性金属の焼付け、メツ
キあるいは溶射等によつて平面電極２，２′を形
成している。３，３′は平面電極２，２′に半田付
けされたリード線である。ところでこのセラミツ
クバリスタの静電容量はセラミツク基板１の比誘
電率と平面電極２，２′の面積に正比例し、セラ
ミツク基板の板厚ｔ（電極２，２′間の距離）に反
比例する。したがつてセラミツクバリスタとして
の所定の特性を保持した状態で静電容量を低下さ
せるためには電極面積を縮少するのが近道であ
る。そのために従来のセラミツクバリスタにおい
ては、その静電容量を低下させる必要がある場合
に、第３図に示すように平面電極４を小面積にし
ていた。しかし、この小面積の平面電極４を採用
するとリード線３，３′の半田付けの作業が困難
となり、作業性を著しく低下させるばかりでな
く、脱落、接着不良等の不良品の発生率が増加す
る。本発明はこの問題を解決することを意図する
ものである。
基板で、その表面および裏面には、銀又は銅ある
いはアルミニユム等の導電性金属の焼付け、メツ
キあるいは溶射等によつて平面電極２，２′を形
成している。３，３′は平面電極２，２′に半田付
けされたリード線である。ところでこのセラミツ
クバリスタの静電容量はセラミツク基板１の比誘
電率と平面電極２，２′の面積に正比例し、セラ
ミツク基板の板厚ｔ（電極２，２′間の距離）に反
比例する。したがつてセラミツクバリスタとして
の所定の特性を保持した状態で静電容量を低下さ
せるためには電極面積を縮少するのが近道であ
る。そのために従来のセラミツクバリスタにおい
ては、その静電容量を低下させる必要がある場合
に、第３図に示すように平面電極４を小面積にし
ていた。しかし、この小面積の平面電極４を採用
するとリード線３，３′の半田付けの作業が困難
となり、作業性を著しく低下させるばかりでな
く、脱落、接着不良等の不良品の発生率が増加す
る。本発明はこの問題を解決することを意図する
ものである。
本発明の実施例を第４図について説明する。１
は比誘電率の高いセラミツク基板、５，５′はセ
ラミツク基板１の比誘電率に比し、はるかに低い
比誘電率をもつ無機物質又は有機物質よりなるリ
ング状の絶縁層で、セラミツク基板１の表面およ
び裏面に対称的に焼付け、塗着等の手段によつて
形成される。６，６′はリング状の絶縁層５，
５′の上からセラミツク基板１の表面および裏面
に焼付けその他の手段によつて形成した円形の平
面電極で、その直径はリング状の絶縁層５，５′
の外径より若干小さくしてある。したがつて平面
電極６，６′はリング状の絶縁層５，５′のリング
内ａにおいてセラミツク基板１と直接、接触し、
リング上ｂにおいて絶縁層５，５′と接触する。
なお、リード線は平面電極６，６′に第２図に示
す従来法と同じ方法によつて取付ける。
は比誘電率の高いセラミツク基板、５，５′はセ
ラミツク基板１の比誘電率に比し、はるかに低い
比誘電率をもつ無機物質又は有機物質よりなるリ
ング状の絶縁層で、セラミツク基板１の表面およ
び裏面に対称的に焼付け、塗着等の手段によつて
形成される。６，６′はリング状の絶縁層５，
５′の上からセラミツク基板１の表面および裏面
に焼付けその他の手段によつて形成した円形の平
面電極で、その直径はリング状の絶縁層５，５′
の外径より若干小さくしてある。したがつて平面
電極６，６′はリング状の絶縁層５，５′のリング
内ａにおいてセラミツク基板１と直接、接触し、
リング上ｂにおいて絶縁層５，５′と接触する。
なお、リード線は平面電極６，６′に第２図に示
す従来法と同じ方法によつて取付ける。
上記電極構造を有する本発明のセラミツク基板
の静電容量を第５図の等価回路図によつて説明す
る。C1はリング内ａの部分のセラミツク基板１
の静電容量、C2はリング間ｂの部分のセラミツ
ク基板１の静電容量、C3は絶縁層５，５′の静電
容量である。電極Ａ、Ｂ間の総合静電容量Ｃは第
５図に示すように、C3、C2、C3の直列回路をC1
と並列に接続したものと等価になり、C3の比誘
導率がきわめて小さいときはＣ≒C1となる。な
お、絶縁層５，５′の静電容量C3はその材料およ
び厚さを適宜採択することによつて自由に設定す
ることができる。
の静電容量を第５図の等価回路図によつて説明す
る。C1はリング内ａの部分のセラミツク基板１
の静電容量、C2はリング間ｂの部分のセラミツ
ク基板１の静電容量、C3は絶縁層５，５′の静電
容量である。電極Ａ、Ｂ間の総合静電容量Ｃは第
５図に示すように、C3、C2、C3の直列回路をC1
と並列に接続したものと等価になり、C3の比誘
導率がきわめて小さいときはＣ≒C1となる。な
お、絶縁層５，５′の静電容量C3はその材料およ
び厚さを適宜採択することによつて自由に設定す
ることができる。
次にその具体的な実施例を実験値によつて説明
する。直径10mm、厚さ１mmのセラミツク基板の表
面および裏面に、外径８mm、内径３mmの芳香族ポ
リアミド酸ワニスよりなるリング状の絶縁層５，
５′を形成し、さらにその上に直径６mmの銀電極
を焼付けて静電容量を測定したところ30PFであ
つた。なお絶縁層５，５′のない第２図の従来の
構造の場合は90PFであつた。
する。直径10mm、厚さ１mmのセラミツク基板の表
面および裏面に、外径８mm、内径３mmの芳香族ポ
リアミド酸ワニスよりなるリング状の絶縁層５，
５′を形成し、さらにその上に直径６mmの銀電極
を焼付けて静電容量を測定したところ30PFであ
つた。なお絶縁層５，５′のない第２図の従来の
構造の場合は90PFであつた。
上記実施例における絶縁層はリング状のものを
例示したがこれは第６図イに示すようなセラミツ
ク基板１の表面および裏面の一部を部分的に覆う
もの７、あるいは同図ロに示すような円形のもの
８でもよい。また、セラミツク基板１の表面およ
び裏面の双方に設けることなく片面だけでよい場
合もある。要するに電極とセラミツク基板との間
に、部分的に比誘電率の低い絶縁層があればよ
い。第６図ハはリング状の絶縁層５，５′の上を
全面的に電極６，６′で被覆した実施例を示して
いる。
例示したがこれは第６図イに示すようなセラミツ
ク基板１の表面および裏面の一部を部分的に覆う
もの７、あるいは同図ロに示すような円形のもの
８でもよい。また、セラミツク基板１の表面およ
び裏面の双方に設けることなく片面だけでよい場
合もある。要するに電極とセラミツク基板との間
に、部分的に比誘電率の低い絶縁層があればよ
い。第６図ハはリング状の絶縁層５，５′の上を
全面的に電極６，６′で被覆した実施例を示して
いる。
以上述べたように本発明のセラミツク基板の電
極構造は、比誘電率の高いセラミツク基板の表面
および裏面の双方又はその片面に、該セラミツク
基板の比誘電率よりもはるかに低い比誘電率をも
つ誘電体よりなる絶縁層を部分的に設け、部分的
に絶縁層を設けた前記セラミツク基板の表面およ
び裏面に電極を形成した構造を有するので以下述
べるような効果がある。
極構造は、比誘電率の高いセラミツク基板の表面
および裏面の双方又はその片面に、該セラミツク
基板の比誘電率よりもはるかに低い比誘電率をも
つ誘電体よりなる絶縁層を部分的に設け、部分的
に絶縁層を設けた前記セラミツク基板の表面およ
び裏面に電極を形成した構造を有するので以下述
べるような効果がある。
(1) 絶縁層の材料、形状、厚さ等を適宜採択設定
することにより、セラミツク基板および電極構
造に変更を加えることなく電極間の静電容量を
自由に調整することができる。したがつて静電
容量の小さいセラミツクバリスタを必要とする
とき、第３図に示すように電極面積を小さくす
る必要がないからリード線の半田付けが容易と
なり、前述の本発明の目的を達成することがで
きる。
することにより、セラミツク基板および電極構
造に変更を加えることなく電極間の静電容量を
自由に調整することができる。したがつて静電
容量の小さいセラミツクバリスタを必要とする
とき、第３図に示すように電極面積を小さくす
る必要がないからリード線の半田付けが容易と
なり、前述の本発明の目的を達成することがで
きる。
(2) 絶縁層を設けることによつてセラミツク基板
の機械的強度が増強され、かつ方向性がなくな
るため取扱いが容易になる。
の機械的強度が増強され、かつ方向性がなくな
るため取扱いが容易になる。
(3) 絶縁層の材料に電極物質となじみ易い物質を
採択することによつて電極形成を容易にする。
採択することによつて電極形成を容易にする。
第１図：従来のセラミツク基板を示す図で、イ
は平面図、ロは側面図、第２図：従来のセラミツ
クバリスタの平面図、第３図：従来の静電容量の
小さいセラミツクバリスタの平面図、第４図：本
発明のセラミツク基板を示す図で、イは平面図、
ロは断面図、第５図：本発明のセラミツク基板の
静電容量の等価回路図、第６図：本発明のセラミ
ツク基板の他の実施例で、イ，ロ，ハはその平面
図。 〔記号〕１……セラミツク基板、２，２′，４
……従来の電極、３，３′……リード線、５，
５′……絶縁層、６，６′……電極、７，８……絶
縁層。
は平面図、ロは側面図、第２図：従来のセラミツ
クバリスタの平面図、第３図：従来の静電容量の
小さいセラミツクバリスタの平面図、第４図：本
発明のセラミツク基板を示す図で、イは平面図、
ロは断面図、第５図：本発明のセラミツク基板の
静電容量の等価回路図、第６図：本発明のセラミ
ツク基板の他の実施例で、イ，ロ，ハはその平面
図。 〔記号〕１……セラミツク基板、２，２′，４
……従来の電極、３，３′……リード線、５，
５′……絶縁層、６，６′……電極、７，８……絶
縁層。
Claims (1)
- １ 比誘電率の高いセラミツク基板の表面および
裏面の双方又はその片面に、前記セラミツク基板
の比誘電率よりもはるかに低い比誘電率をもつ誘
電体よりなる絶縁層を部分的に設け、部分的に絶
縁層を設けた前記セラミツク基板の表面および裏
面に前記セラミツク基板および前記絶縁層を被覆
するように電極面を形成したことを特徴とするセ
ラミツクバリスタ等の電極構造。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56158291A JPS5858702A (ja) | 1981-10-05 | 1981-10-05 | セラミックバリスタ等の電極構造 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56158291A JPS5858702A (ja) | 1981-10-05 | 1981-10-05 | セラミックバリスタ等の電極構造 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5858702A JPS5858702A (ja) | 1983-04-07 |
| JPH039604B2 true JPH039604B2 (ja) | 1991-02-08 |
Family
ID=15668388
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP56158291A Granted JPS5858702A (ja) | 1981-10-05 | 1981-10-05 | セラミックバリスタ等の電極構造 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5858702A (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0738489B2 (ja) * | 1985-08-06 | 1995-04-26 | キヤノン株式会社 | 電子材料セラミツク及びこれを用いた電子回路用基体 |
-
1981
- 1981-10-05 JP JP56158291A patent/JPS5858702A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5858702A (ja) | 1983-04-07 |
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