JPH0397669A - 誘電体磁器組成物 - Google Patents
誘電体磁器組成物Info
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- JPH0397669A JPH0397669A JP1234388A JP23438889A JPH0397669A JP H0397669 A JPH0397669 A JP H0397669A JP 1234388 A JP1234388 A JP 1234388A JP 23438889 A JP23438889 A JP 23438889A JP H0397669 A JPH0397669 A JP H0397669A
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- H01G4/018—Dielectrics
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- H01G4/129—Ceramic dielectrics containing a glassy phase, e.g. glass ceramic
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B35/00—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products
- C04B35/01—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on oxide ceramics
- C04B35/46—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on oxide ceramics based on titanium oxides or titanates
- C04B35/462—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on oxide ceramics based on titanium oxides or titanates based on titanates
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- C04B35/47—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on oxide ceramics based on titanium oxides or titanates based on titanates based on alkaline earth metal titanates based on strontium titanates
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01B—CABLES; CONDUCTORS; INSULATORS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR CONDUCTIVE, INSULATING OR DIELECTRIC PROPERTIES
- H01B3/00—Insulators or insulating bodies characterised by the insulating materials; Selection of materials for their insulating or dielectric properties
- H01B3/02—Insulators or insulating bodies characterised by the insulating materials; Selection of materials for their insulating or dielectric properties mainly consisting of inorganic substances
- H01B3/12—Insulators or insulating bodies characterised by the insulating materials; Selection of materials for their insulating or dielectric properties mainly consisting of inorganic substances ceramics
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
(産業上の利用分野)
この発明は誘電体磁器組威物に関し、特に高誘電率系の
誘電体磁器組成物に関する。
誘電体磁器組成物に関する。
(従来技術)
従来、高誘電率系の誘電体磁器MJ戒物としては、B
a T i O.系磁器Mi威物が広く実用化されてい
る。
a T i O.系磁器Mi威物が広く実用化されてい
る。
また、SrTiO.−PbTiOs−Bj2O−Tie
,系磁器糺成物や、SrTi03 −PbTi○s −
B it O,−TiOz −CaTiO3系磁器組威
物が実用化されている。
,系磁器糺成物や、SrTi03 −PbTi○s −
B it O,−TiOz −CaTiO3系磁器組威
物が実用化されている。
(発明が解決しようとする課題)
しかしながら、BaTiO,系磁器組威物は、歪率が大
きく、1 0 〜5 0 Vrms/mmを印加すると
第3次高調波歪として−50〜−75dBの値しか得ら
れないという欠点を有していた。
きく、1 0 〜5 0 Vrms/mmを印加すると
第3次高調波歪として−50〜−75dBの値しか得ら
れないという欠点を有していた。
また、SrTiO,−PbTiOz−Bi,0,−Ti
e,などを基本威分とする磁器組威物は、BaTiO,
系磁器組戒物に比べて、第3次高調波歪の値は小さいが
、他のコンデンサ(たとえばフィルムコンデンサやアル
ミ電解コンデンサ)と比べると、歪率の交流電圧依存性
が大きく、また、誘電特性を得るための焼成温度が13
00〜1350℃と高いため、たとえば、積層コンデン
サを作戒する場合には、その内部電極として高融点を有
する白金などの高価な貴金属を使用しなければならなか
った。
e,などを基本威分とする磁器組威物は、BaTiO,
系磁器組戒物に比べて、第3次高調波歪の値は小さいが
、他のコンデンサ(たとえばフィルムコンデンサやアル
ミ電解コンデンサ)と比べると、歪率の交流電圧依存性
が大きく、また、誘電特性を得るための焼成温度が13
00〜1350℃と高いため、たとえば、積層コンデン
サを作戒する場合には、その内部電極として高融点を有
する白金などの高価な貴金属を使用しなければならなか
った。
それゆえに、この発明の主たる目的は、誘電率が500
以上と大きく、1kHzにおける誘電損失が0.5%以
下と小さく、歪率が小さく、温度変化による誘電率の変
化率が小さく、焼或温度が?200℃以下と低い、誘電
体磁器組成物を提供することである。
以上と大きく、1kHzにおける誘電損失が0.5%以
下と小さく、歪率が小さく、温度変化による誘電率の変
化率が小さく、焼或温度が?200℃以下と低い、誘電
体磁器組成物を提供することである。
(課題を解決するための手段)
この発明は、SrTiO3が202O 〜502O重量
%と、PbTiO.が82O〜37.6重量%と、Ca
TiO3が3.2〜33.9重量%と、BizOユが4
.4〜35.2重量%と、TiQ2が2.5〜13.6
重量%と、SnO,が0.2〜122O重量%とからな
る主成分100重量部に、副成分として希土類酸化物を
Re2O,(ただし、ReはNd,La,Ce,Pr,
Smの中から選ばれる少なくとも1種以上の希土類元素
)に換算してO.1〜52O重量部、およびガラス成分
を0.2〜15重量%添加してなり、かつ、ガラス成分
はLizOを10〜45モル%、BaO,MgO.Ca
OおよびSrOのうち少なくともF種を5〜40モル%
、Al20,を0.2〜10モル%、3 i 0■,
M n OzおよびTiO2のうち少なくとも2種を合
わせて30〜70モル%(ただし、Sin.は15モル
%以上含まれる)、およびCuOを1〜35モル%含む
、誘・電体磁器組威物である。
%と、PbTiO.が82O〜37.6重量%と、Ca
TiO3が3.2〜33.9重量%と、BizOユが4
.4〜35.2重量%と、TiQ2が2.5〜13.6
重量%と、SnO,が0.2〜122O重量%とからな
る主成分100重量部に、副成分として希土類酸化物を
Re2O,(ただし、ReはNd,La,Ce,Pr,
Smの中から選ばれる少なくとも1種以上の希土類元素
)に換算してO.1〜52O重量部、およびガラス成分
を0.2〜15重量%添加してなり、かつ、ガラス成分
はLizOを10〜45モル%、BaO,MgO.Ca
OおよびSrOのうち少なくともF種を5〜40モル%
、Al20,を0.2〜10モル%、3 i 0■,
M n OzおよびTiO2のうち少なくとも2種を合
わせて30〜70モル%(ただし、Sin.は15モル
%以上含まれる)、およびCuOを1〜35モル%含む
、誘・電体磁器組威物である。
(発明の効果)
この発明によれば、誘電率が500以上で1kH zの
誘電撰失が0. 3%以下の値を示し、歪率が優秀で
温度変化による誘電率の変化率が小さい。
誘電撰失が0. 3%以下の値を示し、歪率が優秀で
温度変化による誘電率の変化率が小さい。
また、この誘電体磁器組戒物は1200℃以下と従来と
比べて低い温度で焼戊可能である。
比べて低い温度で焼戊可能である。
この発明の上述の目的.その他の目的,特徴および利点
は、以下の実施例の詳細な説明から一層明らかとなろう
。
は、以下の実施例の詳細な説明から一層明らかとなろう
。
(実施例)
主成分の原料として、SrCO.,Pb,04CaCO
..Bi.O.,TiO2,SnO,Nd2O3 ,S
mz Oz ,Lag Oz ,Ce○2およびPr.
O.,を別表1の組戒になるように秤量し混合した。こ
の混合物をアルミナボールとともにポリエチレンポット
に入れ16時間湿式混合し粉砕した。この粉砕物を脱水
乾燥した後、ジルコニア質の匣に入れ、950℃で2時
間仮焼した。この仮焼物100fi量部に対して、別表
2に示した組或のガラス成分を、別表1に示した重量%
だけ添加し、さらにバインダを加えてポリエチレンボソ
トで16時間湿式混合した。この混合物を蒸発乾燥し整
粒した後、加圧して直径IQm1,厚さ1.2+u+の
円仮に戒形した。この成形物を940−1240℃で2
時間焼成し、得られた磁器の両面に銀ペーストを塗布し
、800℃で焼き付けて電極を形成して試料とした。
..Bi.O.,TiO2,SnO,Nd2O3 ,S
mz Oz ,Lag Oz ,Ce○2およびPr.
O.,を別表1の組戒になるように秤量し混合した。こ
の混合物をアルミナボールとともにポリエチレンポット
に入れ16時間湿式混合し粉砕した。この粉砕物を脱水
乾燥した後、ジルコニア質の匣に入れ、950℃で2時
間仮焼した。この仮焼物100fi量部に対して、別表
2に示した組或のガラス成分を、別表1に示した重量%
だけ添加し、さらにバインダを加えてポリエチレンボソ
トで16時間湿式混合した。この混合物を蒸発乾燥し整
粒した後、加圧して直径IQm1,厚さ1.2+u+の
円仮に戒形した。この成形物を940−1240℃で2
時間焼成し、得られた磁器の両面に銀ペーストを塗布し
、800℃で焼き付けて電極を形成して試料とした。
このようにして得た各試料の特性を、次のような条件や
測定方法によって測定し、別表3にその結果を示した。
測定方法によって測定し、別表3にその結果を示した。
+1) 焼戒温度
(2)誘電率: lkHz.IV,温度2 0 ’Cの
条件。
条件。
(3)誘電損失:1kHz,IV,温度20℃の条件で
の損失係数tanδの値。
の損失係数tanδの値。
(4)歪率: 1 0 0Vrms/mmおよび2 0
0 Vrms/imの交流電圧(10kHz)を印加
したときの第3次高調波歪の値。
0 Vrms/imの交流電圧(10kHz)を印加
したときの第3次高調波歪の値。
(5〉 温度特性:+20℃の誘電率を基準にした−
25℃〜+85℃の誘電率の変化率の最大値。
25℃〜+85℃の誘電率の変化率の最大値。
なお、別表1ないし別表3中で、*印を付したものは、
この発明の範囲外のものであり、それ以外のものはこの
発明の範囲内のものである。
この発明の範囲外のものであり、それ以外のものはこの
発明の範囲内のものである。
別表1ないし別表3から明らかなように、この発明の紐
成の限定理由は次の通りである。
成の限定理由は次の通りである。
(11 S r T i O zの添加が20重量%
未満では、誘電損失が1.5%を超えかつ歪率が大きく
なるので好ましくない(試料番号6参照)。また、Sr
TiO,の添加が50重量%を超えると誘電率が500
未満になるとともに誘電率の温度変化率が大きくなり好
ましくない(試料番号7参照)。
未満では、誘電損失が1.5%を超えかつ歪率が大きく
なるので好ましくない(試料番号6参照)。また、Sr
TiO,の添加が50重量%を超えると誘電率が500
未満になるとともに誘電率の温度変化率が大きくなり好
ましくない(試料番号7参照)。
(2) P b T i Chの添加が8重量%未満
では、誘電率が500未満となり好ましくない(試料番
号8参照)。また、PbTiO,の添加が37.6重量
%を超えると誘電損失が1.5%を超えかつ歪率が大き
くなるので好ましくない(試料番号9参照)。
では、誘電率が500未満となり好ましくない(試料番
号8参照)。また、PbTiO,の添加が37.6重量
%を超えると誘電損失が1.5%を超えかつ歪率が大き
くなるので好ましくない(試料番号9参照)。
(31CaTjOゴの添加が3.2重量%未満では、誘
電損失が1.5%を超えるので好ましくない(試料番号
IO参照)。また、CaTiO,が33.9重量%を超
えると誘電率が500未満となり好ましくない(試料番
号1l参照)。
電損失が1.5%を超えるので好ましくない(試料番号
IO参照)。また、CaTiO,が33.9重量%を超
えると誘電率が500未満となり好ましくない(試料番
号1l参照)。
(4)Bi20+の添加が4.4重量%未満では、誘電
率が500未満となり好ましくない(試料番号I2参照
)。また、BjzOzの添加が35.2重量%を超える
と誘電損失が1.5%を超えるので好ましくない(試料
番号l3参照〉。
率が500未満となり好ましくない(試料番号I2参照
)。また、BjzOzの添加が35.2重量%を超える
と誘電損失が1.5%を超えるので好ましくない(試料
番号l3参照〉。
f5)TiO,の添加が2.5重量%未満では、誘電率
が500未満となり好ましくない(試料番号I4参照)
。また、T i ozの添加が13.6重量%を超える
と誘電填失が1,5%を超えるので好ましくない(試料
番号15参照)。
が500未満となり好ましくない(試料番号I4参照)
。また、T i ozの添加が13.6重量%を超える
と誘電填失が1,5%を超えるので好ましくない(試料
番号15参照)。
(6) S n O zの添加が0.2重量%未満で
は、誘電堝失が1.5%を超えるとともに歪率が大きく
なるので好ましくない(試料番号l6参照)。
は、誘電堝失が1.5%を超えるとともに歪率が大きく
なるので好ましくない(試料番号l6参照)。
また、SnOtの添加が12重量%を超えると誘電損失
が1.5%を超えるので好ましくない(試料番号17参
照)。
が1.5%を超えるので好ましくない(試料番号17参
照)。
(71Re.O.の添加が0.1重量%未満では、誘電
損失が1.5%を超えるので好ましくない(試料番号1
8参照)。また、RetO,の添加が5重量%を超える
と誘電率が500未満となり好ましくない(試料番号l
9参照)。
損失が1.5%を超えるので好ましくない(試料番号1
8参照)。また、RetO,の添加が5重量%を超える
と誘電率が500未満となり好ましくない(試料番号l
9参照)。
(8)ガラス成分の添加が主成分に対して0. 2重
量%未満では、焼結温度が高くなるので好ましくない(
試料番号20参照)。また、ガラス成分の添加が主成分
に対して15重量%を超えると焼結体が多孔質となりか
つ誘電率が500未満となり好ましくない(試料番号2
】参照)。
量%未満では、焼結温度が高くなるので好ましくない(
試料番号20参照)。また、ガラス成分の添加が主成分
に対して15重量%を超えると焼結体が多孔質となりか
つ誘電率が500未満となり好ましくない(試料番号2
】参照)。
(9)添加するガラス戒分中のLizOがlOモル%未
満では、焼結温度が高くなるので好ましくない(試料番
号22参照)。また、LiZOが45モル%を超えると
、ガラス成分の溶融温度が800℃未満となり、ガラス
戒分が焼結助剤としての役割を果たせないとともに誘電
損失が1,5%を超えるので好ましくない(試料番号2
3参照)。
満では、焼結温度が高くなるので好ましくない(試料番
号22参照)。また、LiZOが45モル%を超えると
、ガラス成分の溶融温度が800℃未満となり、ガラス
戒分が焼結助剤としての役割を果たせないとともに誘電
損失が1,5%を超えるので好ましくない(試料番号2
3参照)。
0ω 添加するガラス威分中に、BaO,MgO,Ca
OおよびSrOのうち少なくともl種が含まれる場合、
これらが5モル%未満あるいは40モル%を超えると焼
結温度が高くなるので好ましくない(試料番号24およ
び試料番号25参照)。
OおよびSrOのうち少なくともl種が含まれる場合、
これらが5モル%未満あるいは40モル%を超えると焼
結温度が高くなるので好ましくない(試料番号24およ
び試料番号25参照)。
aυ 添加するガラス戒分中のSiOz,MnO2およ
びTiO1が合わせて30モル%未満か70モル%を超
える場合、S s O z単独で15モル%未満の場合
、または、’riozあるいはMn○,が含まれない場
合には、焼結温度が高くなるので好ましくない(試料番
号26,試料番号27試料番号28および試料番号29
参照)。
びTiO1が合わせて30モル%未満か70モル%を超
える場合、S s O z単独で15モル%未満の場合
、または、’riozあるいはMn○,が含まれない場
合には、焼結温度が高くなるので好ましくない(試料番
号26,試料番号27試料番号28および試料番号29
参照)。
a乃 ガラス威分中にCuOを添加すると、誘電損失お
よび温度特性を減少させることができる。
よび温度特性を減少させることができる。
しかし、CuOの添加が1モル%未満では、誘電頃失が
1.5%を超えるので好ましくない(試料番号30参照
)。また、CuOの添加が35モル%を超えると、デー
タとしては示さなかったが絶縁抵抗が小さくなるので好
ましくない。
1.5%を超えるので好ましくない(試料番号30参照
)。また、CuOの添加が35モル%を超えると、デー
タとしては示さなかったが絶縁抵抗が小さくなるので好
ましくない。
Q31 添加するガラス成分中のA l z O 3
が0.2モル%未満の場合、または、これがIoモル%
を超える場合には、 焼結温度が高くなるので好ま しくない (試料番号3 1および試料番号32参照 )
が0.2モル%未満の場合、または、これがIoモル%
を超える場合には、 焼結温度が高くなるので好ま しくない (試料番号3 1および試料番号32参照 )
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 SrTiO_3が20.0〜50.0重量%、PbTi
O_3が8.0〜37.6重量%、CaTiO_3が3
.2〜33.9重量%、Bi_2O_3が4.4〜35
.2重量%、TiO_2が2.5〜13.6重量%、お
よびSnO_2が0.2〜12.0重量%からなる主成
分100重量部に、 副成分として希土類酸化物をRe_2O_3(ただし、
ReはNd,La,Ce,Pr,Smの中から選ばれる
少なくとも1種以上の希土類元素)に換算して0.1〜
5.0重量部、および ガラス成分を0.2〜15重量%添加してなり、かつ、 前記ガラス成分は Li_2Oを10〜45モル%、 BaO,MgO,CaOおよびSrOのうち少なくとも
1種を5〜40モル%、 Al_2O_3を0.2〜10モル%、 SiO_2,MnO_2およびTiO_2のうち少なく
とも2種を合わせて30〜70モル%(ただし、SiO
_2は15モル%以上含まれる)、および CuOを1〜35モル%含む、誘電体磁器組成物。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1234388A JPH0745337B2 (ja) | 1989-09-07 | 1989-09-07 | 誘電体磁器組成物 |
| US07/578,629 US5073523A (en) | 1989-09-07 | 1990-09-06 | Dielectric ceramic composition |
| DE4028279A DE4028279C2 (de) | 1989-09-07 | 1990-09-06 | Dielektrische keramische Zusammensetzung |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1234388A JPH0745337B2 (ja) | 1989-09-07 | 1989-09-07 | 誘電体磁器組成物 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0397669A true JPH0397669A (ja) | 1991-04-23 |
| JPH0745337B2 JPH0745337B2 (ja) | 1995-05-17 |
Family
ID=16970218
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1234388A Expired - Lifetime JPH0745337B2 (ja) | 1989-09-07 | 1989-09-07 | 誘電体磁器組成物 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5073523A (ja) |
| JP (1) | JPH0745337B2 (ja) |
| DE (1) | DE4028279C2 (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6335302B1 (en) | 1999-01-14 | 2002-01-01 | Tdk Corporation | Dielectric composition and ceramic capacitor using the same |
| US6645895B2 (en) | 2000-03-30 | 2003-11-11 | Tdk Corporation | Method of producing ceramic composition and method of producing electronic device |
| US6946418B2 (en) | 2002-12-03 | 2005-09-20 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Dielectric ceramic and ceramic electronic component |
Families Citing this family (43)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE4215638C2 (de) * | 1991-05-13 | 1997-04-10 | Murata Manufacturing Co | Dielektrische, keramische Zusammensetzung |
| US5264403A (en) * | 1991-09-27 | 1993-11-23 | Ngk Insulators, Ltd. | Dielectric ceramic composition containing ZnO-B2 O3 -SiO2 glass |
| JP2613722B2 (ja) * | 1991-09-27 | 1997-05-28 | 日本碍子株式会社 | 低温焼成用誘電体磁器組成物の製造法 |
| US5479140A (en) * | 1991-09-27 | 1995-12-26 | Ngk Insulators, Ltd. | Dielectric ceramic composition containing ZnO-B2 O3 -SiO2 glass, method of preparing the same, and resonator and filter using the dielectric ceramic composition |
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| JP2711618B2 (ja) * | 1992-06-30 | 1998-02-10 | ティーディーケイ株式会社 | 誘電体組成物、多層配線基板および積層セラミックコンデンサ |
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| US6606011B2 (en) * | 1998-04-07 | 2003-08-12 | X2Y Attenuators, Llc | Energy conditioning circuit assembly |
| US6018448A (en) | 1997-04-08 | 2000-01-25 | X2Y Attenuators, L.L.C. | Paired multi-layered dielectric independent passive component architecture resulting in differential and common mode filtering with surge protection in one integrated package |
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