JPS599807A - 誘電体磁器組成物 - Google Patents
誘電体磁器組成物Info
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- JPS599807A JPS599807A JP57119476A JP11947682A JPS599807A JP S599807 A JPS599807 A JP S599807A JP 57119476 A JP57119476 A JP 57119476A JP 11947682 A JP11947682 A JP 11947682A JP S599807 A JPS599807 A JP S599807A
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B35/00—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
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- H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
- H01G4/00—Fixed capacitors; Processes of their manufacture
- H01G4/002—Details
- H01G4/018—Dielectrics
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- H01G4/12—Ceramic dielectrics
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
仁の発明は高誘電率系の誘電体磁器組成物に関するもの
である。
である。
従来、誘電率が１０００以上の磁器組成物としＣは、Ｂ
ａＴｉＯ３またはＢａＴｉＯ３を変成したものが実用化
されＣきた。しかしながら、このような材料からなる磁
器に厚み１０当り２〜４ＫＶの高圧直流電圧を印加する
と、静電容量の電圧依存性が大きく、静電容量が一２０
％〜−５０係も変化するとＩＱう欠点が見られた。
ａＴｉＯ３またはＢａＴｉＯ３を変成したものが実用化
されＣきた。しかしながら、このような材料からなる磁
器に厚み１０当り２〜４ＫＶの高圧直流電圧を印加する
と、静電容量の電圧依存性が大きく、静電容量が一２０
％〜−５０係も変化するとＩＱう欠点が見られた。
一方、近年５ｒＴｉＯ，−ＬａＴｉＯ３−Ｂｉ２０．、
−Ｔｉｅ。
−Ｔｉｅ。
などを基体成分とする磁器組成物が実用ｆヒされＣＩ０
る。この系は磁器、組成物は（＾わゆる緩和型強誘電体
と呼ばれるもので、室温で５００〜２０００の誘電率を
有し、かつその電圧依存性が９ａＴｉ０３系にくらべＣ
小さくへと亀＾う特徴を有し゛口＾る。しかしながら、
最適な誘電特性を得るための焼成温度が１２２０〜１３
２ Ｄ ”Ｃと高ＩＱため、焼成中にＭ発しゃすいｐｂ
ｏやＢｉ、Ｏ，を多ｔＫ含むこの系にお鬼＾′Ｃは、鉛
やビスマスの焼成算囲気を制御しなければ、均一な磁器
素体を得ることができず、量産性１品質の上で解決しな
ければならない問題が残されＣ１＾る。
る。この系は磁器、組成物は（＾わゆる緩和型強誘電体
と呼ばれるもので、室温で５００〜２０００の誘電率を
有し、かつその電圧依存性が９ａＴｉ０３系にくらべＣ
小さくへと亀＾う特徴を有し゛口＾る。しかしながら、
最適な誘電特性を得るための焼成温度が１２２０〜１３
２ Ｄ ”Ｃと高ＩＱため、焼成中にＭ発しゃすいｐｂ
ｏやＢｉ、Ｏ，を多ｔＫ含むこの系にお鬼＾′Ｃは、鉛
やビスマスの焼成算囲気を制御しなければ、均一な磁器
素体を得ることができず、量産性１品質の上で解決しな
ければならない問題が残されＣ１＾る。
したかつ−Ｕｓ この発明は上・へした糧々の問題点を
解決できる誘電体磁器組成物を提供することを目的とす
る。
解決できる誘電体磁器組成物を提供することを目的とす
る。
また、この発明は誘電率が１０００以上でその直流電圧
依存性が小さ＼＾誘電体磁器組成物を提供することを目
的とする。
依存性が小さ＼＾誘電体磁器組成物を提供することを目
的とする。
さらに、この発明は低−＾温度で焼結が可能な誘電体磁
器組成物を提供することを目的とする。
器組成物を提供することを目的とする。
以下この発明を実施例にもとづ（＾て詳細に説明する。
純度９９チ以上の工業用原料であるＰｂ０．１３ｒＣｏ
＠、 ＣａＣ０，、ｍｑｃｏ、、 Ｂ１．ｏ、、 ’ｒ
ｉｏ、、 ＺｎＯ。
＠、 ＣａＣ０，、ｍｑｃｏ、、 Ｂ１．ｏ、、 ’ｒ
ｉｏ、、 ＺｎＯ。
Ｎｂ、ｏ、、 ＡｕｔｏｓおよびＣｅＯ，を素原料とし
Ｃ用（へた。
Ｃ用（へた。
まず、ｐｂｏとＴｉＯ２，５ｒＣＯ，とＴｉｅ、、Ｃａ
Ｃ０゜とＴ ｉ Ｏ＊ ｍ オよびＭｇＣＯ３とＴ１０
．をそれぞれ等モル量調合し、１０００〜１１５０での
温度で仮焼することにより、ＰｂＴｉ０．．５ｒＴｉＯ
，、ＣａＴｉ０．。
Ｃ０゜とＴ ｉ Ｏ＊ ｍ オよびＭｇＣＯ３とＴ１０
．をそれぞれ等モル量調合し、１０００〜１１５０での
温度で仮焼することにより、ＰｂＴｉ０．．５ｒＴｉＯ
，、ＣａＴｉ０．。
Ｍ９ＴｉＯ，を合成した。このほか、Ｂｉ、Ｏ，、Ｔｉ
ｅ、。
ｅ、。
Ｚｎ０．１１ ＪＯｓ、 Ａ ｊ’ｔＯ，およびＣｅＯ
，とともに、第１表に示す組成比率の磁器が得られるよ
うに秤量した。この秤量原料を酢酸ビニール系バインダ
３重量％とともにポリエチレン製のボットミルに入れ、
アルミナボールを用箋へ−ｒ、１２時間湿式混合。
，とともに、第１表に示す組成比率の磁器が得られるよ
うに秤量した。この秤量原料を酢酸ビニール系バインダ
３重量％とともにポリエチレン製のボットミルに入れ、
アルミナボールを用箋へ−ｒ、１２時間湿式混合。
粉砕を行った。そののち蒸発乾燥し、８５メツシユの篩
を通し・Ｃ整粒し、オイルプレスを用１へＣ１ｄ当り１
０００すの圧力で、直径１７ａ＋、厚みｔ２Ｕの円板に
成形した。
を通し・Ｃ整粒し、オイルプレスを用１へＣ１ｄ当り１
０００すの圧力で、直径１７ａ＋、厚みｔ２Ｕの円板に
成形した。
この成形物をジルコニア質の匣に入れ、１０００〜１５
２０ｔ の温度で２時間焼成した。焼成し”Ｃ得られ
た磁器素体の両面に銀ペーストを塗布し。
２０ｔ の温度で２時間焼成した。焼成し”Ｃ得られ
た磁器素体の両面に銀ペーストを塗布し。
８００ｔ″で焼付けして電極を形成し、これを試料とし
た。
た。
得られた試料につき、周波数Ｉ ＫＫ２＋で誘電率（ε
）と誘電損失正接（ｔａｎδ）を測定した。また試料に
４ＫＶ／ｍの直流電圧を重畳したときの誘電率変化（バ
イアス特性）を測定し、その結果を第２表に示した。
）と誘電損失正接（ｔａｎδ）を測定した。また試料に
４ＫＶ／ｍの直流電圧を重畳したときの誘電率変化（バ
イアス特性）を測定し、その結果を第２表に示した。
なお、第２表中１焼成温度１とは、焼成温度を変化させ
たとき、最高の誘電率を得ることのできる温度を意味し
、この温度以下では十分に焼結した磁器が得られな偽。
たとき、最高の誘電率を得ることのできる温度を意味し
、この温度以下では十分に焼結した磁器が得られな偽。
また１焼成温度１以上の温度で焼成すると、温度の上昇
とともに誘電率は低ＦＬ、試料間または匣との融着反応
が生じる。
とともに誘電率は低ＦＬ、試料間または匣との融着反応
が生じる。
＠１表、第２表中、試料番号１〜１１はこの発明範囲の
ものであり、※印を付し走試料番号１２〜２９はこの発
明範囲外のものである。
ものであり、※印を付し走試料番号１２〜２９はこの発
明範囲外のものである。
□
ｌ
第１表、第２表から明らかなように、この発明範囲内の
ものによれば、最適な焼成温度が１０５０〜１１６０ｔ
’と従来にくらべ−〔１００〜２００Ｃ低込にもかかわ
らず、誘電率は１０００以上の高（へ値を示し、ｔａｎ
δも１チ以下とすぐれた値を示し゛〔いる。また、４Ｋ
Ｖ／馴の直流電圧を重畳印加したときの誘電率の変化率
は−２０チ以内の範囲に入り、変化率が小さいと１八う
すぐれた特性を有する。
ものによれば、最適な焼成温度が１０５０〜１１６０ｔ
’と従来にくらべ−〔１００〜２００Ｃ低込にもかかわ
らず、誘電率は１０００以上の高（へ値を示し、ｔａｎ
δも１チ以下とすぐれた値を示し゛〔いる。また、４Ｋ
Ｖ／馴の直流電圧を重畳印加したときの誘電率の変化率
は−２０チ以内の範囲に入り、変化率が小さいと１八う
すぐれた特性を有する。
ここで１組成範囲を限定した理由は次のとおシである。
Ｐｔ）ＴｉＯ，が３６重量％未満になると、誘電率が１
０００未満となり、４０重量％を越えると。
０００未満となり、４０重量％を越えると。
ｔａｎδが１ｔＩ６を越え、バイアス特性が悪くなる。
５ｒＴｉＯｊが６重量係未満になると、 ｔａｎδが１
チを越えるとともに、バイアス特性が一２０俤を越え、
５５重量％を越えると誘電率が１０００未満と小さくな
る。ＣａＴｉＯｓが６重量−未満ではｔａｎδが１％を
越えるとともに、バイアス特性が一２０チを越え、１８
重量％を越えると１２７０ｔ’以上で焼成しな１八と焼
結が不十分になる。Ｍｇ’ｒ１ｏｓが０５重量％未満に
なると誘電率が１０００未満となり、１０重量％を越え
ると焼成ｌ温度が高くなり。
チを越えるとともに、バイアス特性が一２０俤を越え、
５５重量％を越えると誘電率が１０００未満と小さくな
る。ＣａＴｉＯｓが６重量−未満ではｔａｎδが１％を
越えるとともに、バイアス特性が一２０チを越え、１８
重量％を越えると１２７０ｔ’以上で焼成しな１八と焼
結が不十分になる。Ｍｇ’ｒ１ｏｓが０５重量％未満に
なると誘電率が１０００未満となり、１０重量％を越え
ると焼成ｌ温度が高くなり。
誘電率は低下する。Ｂｉ、Ｏ，が６重量％未満になると
、誘電率が１０００未満となり、２６重ｔチを越えると
、 ｔａｎδが１％を越え、バイアス特性が悪くなる
。ＴｌＯ２が６重量％未満になると、誘電率が１０００
未満となり、１５重量％を越えると。
、誘電率が１０００未満となり、２６重ｔチを越えると
、 ｔａｎδが１％を越え、バイアス特性が悪くなる
。ＴｌＯ２が６重量％未満になると、誘電率が１０００
未満となり、１５重量％を越えると。
ｔａｎδが１チを越え、バイアス特性が悪くなる。
ＺｎＯが０．２重１％未満になると、焼成温度が高くな
り、 ｔａｎδが１％を越え、 ４重敏チを越えると誘
電率が１０００未満となる。Ｎｔ）、Ｏ，が０．２重＃
、チ未満になると、焼成温度が高くなり、 ｔａｎδが
１チを越え、５重ｔチを越えると誘電率が１０００未満
となる。ＣｅＯ，が０．１重量％になると、焼成温度が
高くなり、 ｔａｎδが１俤を越え、４重なり、 ｔａ
ｎδが１チを越え、２重量％を越えると誘電率が１００
０未満となる。
り、 ｔａｎδが１％を越え、 ４重敏チを越えると誘
電率が１０００未満となる。Ｎｔ）、Ｏ，が０．２重＃
、チ未満になると、焼成温度が高くなり、 ｔａｎδが
１チを越え、５重ｔチを越えると誘電率が１０００未満
となる。ＣｅＯ，が０．１重量％になると、焼成温度が
高くなり、 ｔａｎδが１俤を越え、４重なり、 ｔａ
ｎδが１チを越え、２重量％を越えると誘電率が１００
０未満となる。
以上の説明から明らかなように、この発明にかかる誘電
体磁器組成物によれば、誘電率が１０００以上、 ｔａ
ｎδが１９ＩＩ未満、バイアス特性が一２０係以下の特
性を有するものが得られ、また焼成温度が低（０ため、
焼成雰囲気のコントロールを厳密に行わすに均一な磁器
が得られると（八う利点を有する。
体磁器組成物によれば、誘電率が１０００以上、 ｔａ
ｎδが１９ＩＩ未満、バイアス特性が一２０係以下の特
性を有するものが得られ、また焼成温度が低（０ため、
焼成雰囲気のコントロールを厳密に行わすに均一な磁器
が得られると（八う利点を有する。
特許出願人
株式会社 打出製作所
３８−
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 ＰｂＯ，ＳｒＯ，Ｃａｂ、 Ｍ２Ｏ，Ｔｉｅ、、 Ｂｉ
、０．、 ＺｎＯ。 Ｎｂ、Ｏ，、Ｃ，ｅＯ，およびＡｅｔＯｘ を各構成成
分とし。 これをＰｂＴｉ０１，５ｒＴｉＯ，、（ａＴｉｏ、、Ｍ
ｇＴｉ０Ｉｌ樽」、 Ｔｉｅ、、 ＺｎＯ，Ｎｂ、Ｏ，
、Ｃｅ’Ｏ，およびＡ ｅ ｚ Ｏｓとし゛〔表わした
とき、各組成が次に示される範囲にあることを特徴とす
る誘電体磁器組成物。 ＰｂＴｉ０１ ： ５５〜４０重量％ＥｌｒＴｉＯ３
： ６〜５５重量係 Ｃ屹ＴｉＯ３： ３〜１８重量％ＭｇＴｉ０．＝
０．５〜１０重量％Ｂｉ、０３ ： ６〜２６
重量％ ＴｉＯ之 ： ３〜１５順１ ＺｎＯ： ０．２〜４重Ｊｉ１％ Ｎｔ）２０． ： リ、２〜 ５重１１％Ｃ
ｅ Ｏ＊ ： Ｑ、 １〜４重量慢Ａｌ２Ｏ５：
Ｑ、１〜２重量％
Priority Applications (5)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57119476A JPS599807A (ja) | 1982-07-08 | 1982-07-08 | 誘電体磁器組成物 |
| US06/504,972 US4485181A (en) | 1982-07-08 | 1983-06-16 | Dielectric ceramic composition |
| DE19833321913 DE3321913A1 (de) | 1982-07-08 | 1983-06-16 | Dielektrische keramische masse |
| GB08318074A GB2123400B (en) | 1982-07-08 | 1983-07-04 | Dielectric ceramic composition |
| CA000432111A CA1198277A (en) | 1982-07-08 | 1983-07-08 | Dielectric ceramic composition |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57119476A JPS599807A (ja) | 1982-07-08 | 1982-07-08 | 誘電体磁器組成物 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS599807A true JPS599807A (ja) | 1984-01-19 |
| JPH0332164B2 JPH0332164B2 (ja) | 1991-05-10 |
Family
ID=14762243
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57119476A Granted JPS599807A (ja) | 1982-07-08 | 1982-07-08 | 誘電体磁器組成物 |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4485181A (ja) |
| JP (1) | JPS599807A (ja) |
| CA (1) | CA1198277A (ja) |
| DE (1) | DE3321913A1 (ja) |
| GB (1) | GB2123400B (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH04296508A (ja) * | 1991-03-25 | 1992-10-20 | Tahei Sakaguchi | 建材用加工木材およびその製造方法 |
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| JPS60124306A (ja) * | 1983-12-06 | 1985-07-03 | 京セラ株式会社 | 誘電体磁器組成物 |
| JPS62295304A (ja) * | 1986-06-14 | 1987-12-22 | 株式会社村田製作所 | 誘電体磁器組成物 |
| US4820670A (en) * | 1986-11-26 | 1989-04-11 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Dielectric ceramic composition |
| US4988650A (en) * | 1989-06-23 | 1991-01-29 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Auxiliary agent for sintering ceramic material |
| JPH0745337B2 (ja) * | 1989-09-07 | 1995-05-17 | 株式会社村田製作所 | 誘電体磁器組成物 |
| US5340784A (en) * | 1992-08-03 | 1994-08-23 | Ngk Spark Plug Company, Ltd. | Microwave dielectric ceramic composition |
| JP3767377B2 (ja) * | 1999-12-27 | 2006-04-19 | 株式会社村田製作所 | 誘電体磁器組成物 |
| EP1724244B1 (en) * | 2004-03-05 | 2013-07-03 | Ube Industries, Ltd. | Dielectric particle aggregate, low temperature sinterable dielectric ceramic composition using same, low temperature sintered dielectric ceramic produced by using same |
| KR101496448B1 (ko) * | 2014-06-12 | 2015-03-03 | 에코디엠랩 주식회사 | 온도 안정성이 우수한 중유전율 유전체 및 이를 이용한 플라즈마 광원 |
| CN105924152A (zh) * | 2016-05-06 | 2016-09-07 | 电子科技大学 | 一种多层陶瓷电容器用微波介质陶瓷材料及其制备方法 |
| CN106631001A (zh) * | 2016-11-18 | 2017-05-10 | 电子科技大学 | Mg‑Ca‑Ti基微波多层陶瓷电容器用介质材料及其制备方法 |
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