JPH01130405A - 誘電体磁器組成物 - Google Patents
誘電体磁器組成物Info
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- JPH01130405A JPH01130405A JP62287670A JP28767087A JPH01130405A JP H01130405 A JPH01130405 A JP H01130405A JP 62287670 A JP62287670 A JP 62287670A JP 28767087 A JP28767087 A JP 28767087A JP H01130405 A JPH01130405 A JP H01130405A
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- Japan
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- dielectric
- dielectric constant
- less
- cuo
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- Inorganic Insulating Materials (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
く産業上の利用分野〉
この発明は低損失で比誘電率の高い誘電体磁器組成物に
関するものである。
関するものである。
〈従来の技術とその問題点〉
従来から、低損失を目的とし、しかも比較的比誘電率の
高い誘電体磁器材料として、Ｓｒ ｎ Ｏｓ −ＣａＴ
ＬＯｓ−ＰｂＴＬＯｇ Ｂｙｅｓ ”ｌｏｇ、ある
いはＳｒ ＴＬ ０３− ｒ Ｔ、Ｏｓ Ｐｂ ｎ
Ｏｓ −ＢＬ ２０ ｓ−孔Ｏｔを主成分とした材料が
用いられている。
高い誘電体磁器材料として、Ｓｒ ｎ Ｏｓ −ＣａＴ
ＬＯｓ−ＰｂＴＬＯｇ Ｂｙｅｓ ”ｌｏｇ、ある
いはＳｒ ＴＬ ０３− ｒ Ｔ、Ｏｓ Ｐｂ ｎ
Ｏｓ −ＢＬ ２０ ｓ−孔Ｏｔを主成分とした材料が
用いられている。
しかしながら、これらの材料の比誘電率の温度変化率は
、−２５℃から８５℃の温度範囲内で±１０％以上と大
きくなる場合が多く、比誘電率の温度変化率が±１０％
以内となる場合では比誘電率が１０００以下と低下して
しまう。
、−２５℃から８５℃の温度範囲内で±１０％以上と大
きくなる場合が多く、比誘電率の温度変化率が±１０％
以内となる場合では比誘電率が１０００以下と低下して
しまう。
また、低損失材料とはいっても比誘電率が１０００以下
である場合を除いて１ＭＨｚの交流電場中の誘電正接は
２．５％以上と大きく、高周波、高電圧を印加した場合
の電力損失はかなり大きい。
である場合を除いて１ＭＨｚの交流電場中の誘電正接は
２．５％以上と大きく、高周波、高電圧を印加した場合
の電力損失はかなり大きい。
これに対して、Ｓｒ ＴＬ Ｏｓ Ｃａ ＴＬ Ｏ３
−Ｐｂ ＴＬ ０ｓ−ａＬ２ｏ ３ Ｔｂ Ｏｔを主
成分とし、これニｃＩＬＯと他の副成分を添加した材料
が前記の問題をある程度まで解消することは特公昭５６
−５１４４３号はかによって知られている。
−Ｐｂ ＴＬ ０ｓ−ａＬ２ｏ ３ Ｔｂ Ｏｔを主
成分とし、これニｃＩＬＯと他の副成分を添加した材料
が前記の問題をある程度まで解消することは特公昭５６
−５１４４３号はかによって知られている。
しかしながら、ＣＬＬＯを添加することにより、８５℃
を越える温度域では、比抵抗が低下してしまい、比較的
低い電界強度で絶縁破壊が起こりやすい欠点がある。ま
た比誘電率を５００から１２００までの範囲に限定した
場合、比誘電率の温度変化率が±５％以内になるような
材料が望まれている。
を越える温度域では、比抵抗が低下してしまい、比較的
低い電界強度で絶縁破壊が起こりやすい欠点がある。ま
た比誘電率を５００から１２００までの範囲に限定した
場合、比誘電率の温度変化率が±５％以内になるような
材料が望まれている。
〈発明の目的〉
この発明は上記した従来の誘電体磁器組成物の問題点に
鑑みて、・比誘電率が５００〜１２００の範囲内で、 ＋１１ １ Ｍ ＨＺの交流電場中での誘電正接が２．
５％以下と小さい。
鑑みて、・比誘電率が５００〜１２００の範囲内で、 ＋１１ １ Ｍ ＨＺの交流電場中での誘電正接が２．
５％以下と小さい。
（２比誘電率の温度変化率が一２５℃から８５℃の温度
範囲内で±５％以内と小さい。
範囲内で±５％以内と小さい。
＋３１ ８５℃での比抵抗が１０１１０・α以上である
。
。
などの特徴を有する誘電体磁器組成物を提供することを
目的とするものである。
目的とするものである。
く問題点を解決するための手段〉
上記の目的を達成するために、この発明はＳｒ ＴＬ
Ｏｓ、Ｃａ ＴＬ （ｈ、ＰｂＴｉＯ３、［１，、Ｏｍ
、Ｔ、Ｏｚ、ＣＩＬＯから構成され、その成分比が重
量比率でＳｒＴｉＯ３：２０．０〜２７．５％、Ｃａ
Ｔｉ Ｏｓ ： ６． Ｏｍ２６．０％、ＰｂＴＬＯ
ｘ：１２．０〜２６．０％、ＢＬ２０ｓ ：１９．Ｏｍ
３２．０％、Ｔｌｚ：８．０〜１５．０％、ＣＬＯ：
０．０５〜０．５％であること、あるいは、さらにこれ
らの組成に５ｎａ２： １．０〜３．５％、酸化マン
ガンを１１ｎ０２に換算して０．０５〜０．３％、Ｌｈ
２０ ｓ 、ＮＪ ２０３などの希土類酸化物を０．１
〜０．６％添加した誘電体磁器組成物を提供するもので
ある。
Ｏｓ、Ｃａ ＴＬ （ｈ、ＰｂＴｉＯ３、［１，、Ｏｍ
、Ｔ、Ｏｚ、ＣＩＬＯから構成され、その成分比が重
量比率でＳｒＴｉＯ３：２０．０〜２７．５％、Ｃａ
Ｔｉ Ｏｓ ： ６． Ｏｍ２６．０％、ＰｂＴＬＯ
ｘ：１２．０〜２６．０％、ＢＬ２０ｓ ：１９．Ｏｍ
３２．０％、Ｔｌｚ：８．０〜１５．０％、ＣＬＯ：
０．０５〜０．５％であること、あるいは、さらにこれ
らの組成に５ｎａ２： １．０〜３．５％、酸化マン
ガンを１１ｎ０２に換算して０．０５〜０．３％、Ｌｈ
２０ ｓ 、ＮＪ ２０３などの希土類酸化物を０．１
〜０．６％添加した誘電体磁器組成物を提供するもので
ある。
〈作用〉
この発明の誘電体磁器組成物を構成するＳｒ ＴＬ Ｏ
ｓ、Ｃａ ＴＬ （ｈ、Ｐｂ Ｔ＝ Ｏ，、Ｂ＝ ２０
３ 、Ｔ＝ Ｏｔ、ＣＵＬＯなどの組成範囲の限定理由
について説明すると、Ｓｒ ＴＬ （ｈを２０．０〜２
７．５重量％とするのは、Ｓｒ Ｔｉ ｏ！の量がこの
範囲以外では比誘電率が５００以下となり、比誘電率の
温度変化率が±５％以内にならない。
ｓ、Ｃａ ＴＬ （ｈ、Ｐｂ Ｔ＝ Ｏ，、Ｂ＝ ２０
３ 、Ｔ＝ Ｏｔ、ＣＵＬＯなどの組成範囲の限定理由
について説明すると、Ｓｒ ＴＬ （ｈを２０．０〜２
７．５重量％とするのは、Ｓｒ Ｔｉ ｏ！の量がこの
範囲以外では比誘電率が５００以下となり、比誘電率の
温度変化率が±５％以内にならない。
Ｃａ ＴＬ ０３が２６，０重量％を越えると、比誘電
率が５００以下となり、また６、０重量％以下であると
比誘電率が１２００以上となり、１ＭＨｚでの誘電損失
が２．５％以上となるうえ、さらに比誘電率の温度変化
率が±５％以内にならない。
率が５００以下となり、また６、０重量％以下であると
比誘電率が１２００以上となり、１ＭＨｚでの誘電損失
が２．５％以上となるうえ、さらに比誘電率の温度変化
率が±５％以内にならない。
Ｐｂ ＴＬ Ｏｓについては、この量が２６．０重量％
を越えると、比誘電率が１２００以上となり、かつ比誘
電率の温度変化率が±５％以内にならない。また１２，
０重量％以下では比誘電率が５００以下となる。
を越えると、比誘電率が１２００以上となり、かつ比誘
電率の温度変化率が±５％以内にならない。また１２，
０重量％以下では比誘電率が５００以下となる。
Ｂｉ ２０ ｓの量が３２．０重量％を越えるとＩＭＨ
ｚでの誘電損失が２．５％以上となり、また１９．０重
量％以下では比誘電率の温度変化率が±５％以内になら
ない。
ｚでの誘電損失が２．５％以上となり、また１９．０重
量％以下では比誘電率の温度変化率が±５％以内になら
ない。
■、０２の量は、１５．０重量％を越えるとＩＭＨｚで
の誘電損失が２．５％以上となり、また８、０重量％以
下では安定した焼結体が得られない場合があり、仮に安
定した磁器が得られたとしても比誘電率が５００以下と
なり、８５℃での比抵抗が１０１１Ω・ｃ！ｎ以下とな
るので好ましくない。
の誘電損失が２．５％以上となり、また８、０重量％以
下では安定した焼結体が得られない場合があり、仮に安
定した磁器が得られたとしても比誘電率が５００以下と
なり、８５℃での比抵抗が１０１１Ω・ｃ！ｎ以下とな
るので好ましくない。
ＣＩＬＯの吊は、０．５１ｆｆｉ％を越えると８５℃で
の比抵抗が１０１１Ω・ｃｔｎ以下となり、０．０５重
量％以下ではＩＭＨｚでの誘電正接が２．５％以上とな
り、また比誘電率の温度変化率が±５％以内にならない
。
の比抵抗が１０１１Ω・ｃｔｎ以下となり、０．０５重
量％以下ではＩＭＨｚでの誘電正接が２．５％以上とな
り、また比誘電率の温度変化率が±５％以内にならない
。
次に、Ｓｎ ＯＨと希土類酸化物（例えばＬＩＬ２０３
、■、０．など）には、ＣＩＬＯの添加によって低下し
た高温での比抵抗を上げる効果が認められる。
、■、０．など）には、ＣＩＬＯの添加によって低下し
た高温での比抵抗を上げる効果が認められる。
しかし、Ｓｎ Ｏｅの量が３．５重量％を越えると比誘
電率が５００以下となり、比誘電率の温度変化率が±５
％以内にならない。
電率が５００以下となり、比誘電率の温度変化率が±５
％以内にならない。
また、希土類元素の酸化物の量が０．６重量％を越える
と、比誘電率が５００以下となる。
と、比誘電率が５００以下となる。
酸化マンガンは比誘電率を極端に下げることなく、１Ｍ
’Ｈｚでの誘電正接を低下させる効果があるが、−０２
に換算して０．３重量％を越えると高温での比抵抗が低
下する。
’Ｈｚでの誘電正接を低下させる効果があるが、−０２
に換算して０．３重量％を越えると高温での比抵抗が低
下する。
次に、この発明で得られる誘電体磁器組成物の比誘電率
の範囲を５００〜１２００と限定した理由について述べ
ると、機械による部品の自動挿入が普及してきており、
それに合わせて部品の外観形状を統一する必要が生じで
きた。これに伴ない、１種類のみの誘電体材料では広範
囲な静電容量を得ることができなくなっている。従って
、広範囲な静電容量を得るために比誘電率の異なる数種
類の誘電体材料を用意する必要がある。
の範囲を５００〜１２００と限定した理由について述べ
ると、機械による部品の自動挿入が普及してきており、
それに合わせて部品の外観形状を統一する必要が生じで
きた。これに伴ない、１種類のみの誘電体材料では広範
囲な静電容量を得ることができなくなっている。従って
、広範囲な静電容量を得るために比誘電率の異なる数種
類の誘電体材料を用意する必要がある。
この発明はその目的のために比誘電率の範囲を上記のよ
うに限定するのである。
うに限定するのである。
〈実施例〉
次に、この発明を実施例により詳細に説明する。
まず、原料として５ｒＣ０３、ＣａＣＯ３、Ｐｂ３Ｏ４
、■、０８、Ｓｎ Ｏｅ 、 Ｂｔ ２０ｓ 、
ＣＬＬＯ、ＭＩＩＣＯ３、Ｌａ２０３ 、ＮＪ２（ｈ
を用いた。これらの原料を第１表に示す粗成となる
ように秤量した。次いで秤量した原料をアルミナボール
ととも嶋ホットに入れ、１６時間混合した。
、■、０８、Ｓｎ Ｏｅ 、 Ｂｔ ２０ｓ 、
ＣＬＬＯ、ＭＩＩＣＯ３、Ｌａ２０３ 、ＮＪ２（ｈ
を用いた。これらの原料を第１表に示す粗成となる
ように秤量した。次いで秤量した原料をアルミナボール
ととも嶋ホットに入れ、１６時間混合した。
得られたスラリーを脱水乾燥したのち、匣に入れ９００
℃で２時間仮焼した。
℃で２時間仮焼した。
これをポリエチレンポットにアルミナボール、バインダ
ーとともに入れ、１６時間の混合、粉砕をしたのち、蒸
発乾燥し、篩を用いて造粒した。
ーとともに入れ、１６時間の混合、粉砕をしたのち、蒸
発乾燥し、篩を用いて造粒した。
得られた粉末を油圧プレス機により直径１２．、、厚さ
１．２ｍｍとなるように成形した。
１．２ｍｍとなるように成形した。
なお、この成形体の密度は３．５ｇＪであった。
この成形体を匣に入れ、大気中で１１００〜１２００℃
の温度で２時間焼成した。
の温度で２時間焼成した。
このようにして作製した試料の両端面に銀ペーストを塗
布し、８００℃で焼付けて電極とした。
布し、８００℃で焼付けて電極とした。
かくして得られた試料について、比誘電率、誘電正接、
静電容量の温度変化率（−２５℃〜８５℃で２０℃を基
準とした最大変化率、最小変化率）、８５℃での絶縁抵
抗値を測定したところ、第２表に示す結果が得られた。
静電容量の温度変化率（−２５℃〜８５℃で２０℃を基
準とした最大変化率、最小変化率）、８５℃での絶縁抵
抗値を測定したところ、第２表に示す結果が得られた。
なお、比誘電率および誘電正接はインピーダンスアナラ
イザーを用い、１ＫＨｚと１ＭＨｚの周波数で測定した
。また静電容量の温度変化率は一２５℃〜８５℃の温度
範囲で２０℃での静電容量を基準とした容量変化率［１
００×（Ｃ−Ｃ１６℃）／Ｃ２ｏ℃％１の最大値、最小
値を測定した。
イザーを用い、１ＫＨｚと１ＭＨｚの周波数で測定した
。また静電容量の温度変化率は一２５℃〜８５℃の温度
範囲で２０℃での静電容量を基準とした容量変化率［１
００×（Ｃ−Ｃ１６℃）／Ｃ２ｏ℃％１の最大値、最小
値を測定した。
表中＊印を付した試料番号は、この発明の請求範囲外で
ある。
ある。
第 １ 表
第 ２ 表
〈発明の効果〉
以上の実施例から明らかなように、この発明によれば比
誘電率が５００〜１２００の範囲内で１Ｍｌ−１２の交
流電場中での誘電正接が２．５％以下と小さく、比誘電
率の温度変化率が一２５℃〜８５°Ｃの温度範囲内で±
５％以内と小さい値を示す誘電体磁器組成物を提供する
ことができるのである。
誘電率が５００〜１２００の範囲内で１Ｍｌ−１２の交
流電場中での誘電正接が２．５％以下と小さく、比誘電
率の温度変化率が一２５℃〜８５°Ｃの温度範囲内で±
５％以内と小さい値を示す誘電体磁器組成物を提供する
ことができるのである。
Claims (2)
- （１）ＳｒＴｉＯ＿３、ＣａＴｉＯ＿３、ＰｂＴｉＯ＿
３、Ｂｉ＿２Ｏ＿３、ＴｉＯ＿２、ＣｕＯから構成され
、その成分比が重量比率で ＳｒＴｉＯ＿３：２０．０〜２７．５％ ＣａＴｉＯ＿３：６．０〜２６．０％ ＰｂＴｉＯ＿３：１２．０〜２６．０％ Ｂｉ＿２Ｏ＿３：１９．０〜３２．０％ ＴｉＯ＿２：８．０〜１５．０％ ＣｕＯ：０．０５〜０．５％ であることを特徴とする誘電体磁器組成物。 - （２）特許請求の範囲第１項で示した組成にさらに重量
比率でＳｎＯ＿２：１．０〜３．５％、酸化マンガンを
ＭｎＯ＿２に換算して０．０５〜０．３％、希土類元素
の酸化物を０．１〜０．６％添加したことを特徴とする
特許請求の範囲第１項記載の誘電体磁器組成物。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62287670A JP2643197B2 (ja) | 1987-11-13 | 1987-11-13 | 誘電体磁器組成物 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62287670A JP2643197B2 (ja) | 1987-11-13 | 1987-11-13 | 誘電体磁器組成物 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01130405A true JPH01130405A (ja) | 1989-05-23 |
| JP2643197B2 JP2643197B2 (ja) | 1997-08-20 |
Family
ID=17720199
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62287670A Expired - Fee Related JP2643197B2 (ja) | 1987-11-13 | 1987-11-13 | 誘電体磁器組成物 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2643197B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6451721B2 (en) * | 1999-12-27 | 2002-09-17 | Murata Manufacturing Co. Ltd. | Dielectric ceramic composition |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5329599A (en) * | 1976-08-30 | 1978-03-18 | Taiyo Yuden Kk | Dielectric ceramic composition |
| JPS5651443A (en) * | 1979-10-01 | 1981-05-09 | Mitsubishi Chem Ind Ltd | Preparation of methylenedicarbanilate |
-
1987
- 1987-11-13 JP JP62287670A patent/JP2643197B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5329599A (en) * | 1976-08-30 | 1978-03-18 | Taiyo Yuden Kk | Dielectric ceramic composition |
| JPS5651443A (en) * | 1979-10-01 | 1981-05-09 | Mitsubishi Chem Ind Ltd | Preparation of methylenedicarbanilate |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6451721B2 (en) * | 1999-12-27 | 2002-09-17 | Murata Manufacturing Co. Ltd. | Dielectric ceramic composition |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2643197B2 (ja) | 1997-08-20 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |