JPS6161418A - パタ−ン合わせ方法 - Google Patents
パタ−ン合わせ方法Info
- Publication number
- JPS6161418A JPS6161418A JP59183391A JP18339184A JPS6161418A JP S6161418 A JPS6161418 A JP S6161418A JP 59183391 A JP59183391 A JP 59183391A JP 18339184 A JP18339184 A JP 18339184A JP S6161418 A JPS6161418 A JP S6161418A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- pattern
- mask
- alignment
- mark
- alignment mark
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
技術分野
本発明は、半導体装置の製造工程にＪゴけるパターン合
わせ方法に関する。
わせ方法に関する。
１１えＬ
半導体装置の製造工程では、数回のフォトエツチング工
程を行なうため、マスクのパターンと半導体基板（以下
ウェーハど称する）上のパターンとの相対的な位置を合
わせる必要がある。このパターン合わ眩の従来例を第１
図に示Ｊ”。
程を行なうため、マスクのパターンと半導体基板（以下
ウェーハど称する）上のパターンとの相対的な位置を合
わせる必要がある。このパターン合わ眩の従来例を第１
図に示Ｊ”。
第１図において、あるマスク（層）には所定のパターン
と共に第１図（Δ）に示ず毎き矩形形状の第１の合わせ
マーク１ｂ形成されており、このマスクのパターンがウ
ェーハに転写されるときには、第１の合わせマーク１も
同時に転写される。
と共に第１図（Δ）に示ず毎き矩形形状の第１の合わせ
マーク１ｂ形成されており、このマスクのパターンがウ
ェーハに転写されるときには、第１の合わせマーク１も
同時に転写される。
このウェーハ上に更に、他のマスクに形成されたパター
ンを転写り”るに際しては、このマスクには第１図（Ｂ
）に示ずｈｊ ＊矩形枠状の第２の合わせマーク２が形
成されてＪ３す、この第２の合わせマーク２とウェーハ
上の第１の合わせマーク１との位置合わせをすることに
よってウェーハ上のパターンと上記他のマスクのパター
ンとの相対的な位置合わせが行なわれるのである。第１
の合わせマ−り１は通常、上記マスクに形成された複数
のパターン群に対応して複数個設けられている。そして
、この複数のパターン群叫対応したパターン形状を有す
る他の複数のマスクを、上記パターン合わせ方法により
複数のパターン群の各々に合わせることによって全体の
相対的な位置精度を保−ｆしている。
ンを転写り”るに際しては、このマスクには第１図（Ｂ
）に示ずｈｊ ＊矩形枠状の第２の合わせマーク２が形
成されてＪ３す、この第２の合わせマーク２とウェーハ
上の第１の合わせマーク１との位置合わせをすることに
よってウェーハ上のパターンと上記他のマスクのパター
ンとの相対的な位置合わせが行なわれるのである。第１
の合わせマ−り１は通常、上記マスクに形成された複数
のパターン群に対応して複数個設けられている。そして
、この複数のパターン群叫対応したパターン形状を有す
る他の複数のマスクを、上記パターン合わせ方法により
複数のパターン群の各々に合わせることによって全体の
相対的な位置精度を保−ｆしている。
複数のパターン群の各々に、各パターン形状に対応した
マスクを合わせる作業を容易にするために、ウェーハ上
に最初に転写するマスクには、第１図（Ａ）に示すよう
に、第１の合わせマーク１と共に、合わせられるべきマ
スクを示す記号或は番号等の識別マーク３が形成されて
おり、ウェーハへのパターンの転写時に、第１の合わせ
マーク１と共に転写される。従って、他のマスクのパタ
ーンをウェーハに転写するとぎには、ウェーハ上に予め
転写されている識別マーク３に対応したマスクを選び、
そのマスクに形成されている第２の合わせマーク２の位
置をウェーハ上の第１の合わせマーク１に相対的に合わ
せることにより、パターン合わせ作業を容易に行なえる
のである。転写後の第１．第２の合わせマーク１．２及
び識別マーク３の形状を第１図（Ｃ）に示す。
マスクを合わせる作業を容易にするために、ウェーハ上
に最初に転写するマスクには、第１図（Ａ）に示すよう
に、第１の合わせマーク１と共に、合わせられるべきマ
スクを示す記号或は番号等の識別マーク３が形成されて
おり、ウェーハへのパターンの転写時に、第１の合わせ
マーク１と共に転写される。従って、他のマスクのパタ
ーンをウェーハに転写するとぎには、ウェーハ上に予め
転写されている識別マーク３に対応したマスクを選び、
そのマスクに形成されている第２の合わせマーク２の位
置をウェーハ上の第１の合わせマーク１に相対的に合わ
せることにより、パターン合わせ作業を容易に行なえる
のである。転写後の第１．第２の合わせマーク１．２及
び識別マーク３の形状を第１図（Ｃ）に示す。
ウェーハ上に予め転写されている識別マークに対応した
マスクを容易に選ぶ方法どしては、上述の識別マーク３
を第１の合わせマーク１とは別体で転写する方法の他に
、第１の合わせマーク主の形状をマスクのパターン形状
に応じた種別毎に変えることによってマスクの特定を行
なう方法もあるが、作業性の点において、識別マーク３
を用いる方法の方が好ましいとされている。
マスクを容易に選ぶ方法どしては、上述の識別マーク３
を第１の合わせマーク１とは別体で転写する方法の他に
、第１の合わせマーク主の形状をマスクのパターン形状
に応じた種別毎に変えることによってマスクの特定を行
なう方法もあるが、作業性の点において、識別マーク３
を用いる方法の方が好ましいとされている。
ところが、識別マークを用いた従来方法では、識別マー
ク３が第１の合わせマーク１とは別体で形成されていた
ので、識別マーク３を転写する領域が必要であり、チッ
プサイズの増大を招くという欠点があった。
ク３が第１の合わせマーク１とは別体で形成されていた
ので、識別マーク３を転写する領域が必要であり、チッ
プサイズの増大を招くという欠点があった。
Ｌ匪１」Ｌ
本発明は、上記のＪ：うな従来のものの欠点を除去すべ
くなされたもので、作業性を損うことなく、パターン合
わせに必要な転写領域の面積の削減を可能としたパター
ン合わせ方法を提供することを目的とする。
くなされたもので、作業性を損うことなく、パターン合
わせに必要な転写領域の面積の削減を可能としたパター
ン合わせ方法を提供することを目的とする。
本発明によるパターン合わせ方法は、マスクのパターン
形状に応じた種別を表ね！ｊ識別マークを第１の合わせ
マークの領域内に形成し、この識別マークを第１の合わ
せマークと共にウェーハ上に転写することを特徴として
いる。
形状に応じた種別を表ね！ｊ識別マークを第１の合わせ
マークの領域内に形成し、この識別マークを第１の合わ
せマークと共にウェーハ上に転写することを特徴として
いる。
実 施 例
以下、本発明の実施例を図に基づいて詳細に説明する。
本発明では、第１の合わせマーク１はその外周形状が重
要であるのに対し、その中心部領域が無効領域となって
いることに竹目し、第２図（Δ）に示すように、識別マ
ーク３を第１の合わせマーク１の該無効領域内に形成し
た構成となっている。
要であるのに対し、その中心部領域が無効領域となって
いることに竹目し、第２図（Δ）に示すように、識別マ
ーク３を第１の合わせマーク１の該無効領域内に形成し
た構成となっている。
これによれば、パターン合わせに必要な転写領域の面積
として、従来は第１図（Ｃ）の一点鎖線で凹まれた領域
程度必要であったのに対し、本発明では、第２図（Ｃ）
の一点ｇ１ｉ’、ｉｆで凹まれた領域程度、すなわち第
２の合わせマーク２の外周領域程度で良いのである。そ
の結果、チップサイズを小さくできることになる。また
、識別マーク３を用いたパターン合わせ方法であるから
、作業性を損うこともないのである。
として、従来は第１図（Ｃ）の一点鎖線で凹まれた領域
程度必要であったのに対し、本発明では、第２図（Ｃ）
の一点ｇ１ｉ’、ｉｆで凹まれた領域程度、すなわち第
２の合わせマーク２の外周領域程度で良いのである。そ
の結果、チップサイズを小さくできることになる。また
、識別マーク３を用いたパターン合わせ方法であるから
、作業性を損うこともないのである。
なお、上記実施例では、識別マーク３を第１の合わけマ
ーク１にｍ畳して形成したが、第１の合わせマーク１を
例えば第２の合わせマーク２と同様に枠状とし、その中
に識別マーク３を形成することも可能である。また、識
別マーク３として番号を用いたが、記号或は形状変化に
よる識別マークであっても良い。
ーク１にｍ畳して形成したが、第１の合わせマーク１を
例えば第２の合わせマーク２と同様に枠状とし、その中
に識別マーク３を形成することも可能である。また、識
別マーク３として番号を用いたが、記号或は形状変化に
よる識別マークであっても良い。
発明の詳細
な説明したように、本発明によれば、マスクのパターン
形状に応じた種別を表わす識別マークを第１の合わせマ
ークの領域内に形成したので、作業性を損うことなく、
パターン合わせに必要な転写領域の面積の削減し、チッ
プサイズを縮小化できるのである。
形状に応じた種別を表わす識別マークを第１の合わせマ
ークの領域内に形成したので、作業性を損うことなく、
パターン合わせに必要な転写領域の面積の削減し、チッ
プサイズを縮小化できるのである。
第１図（Ａ）〜（Ｃ）は従来例によるマーク形状を示す
図、第２図（Ａ）〜（Ｃ）は本発明によるマーク形状を
示づ図である。 主要部分の符号の説明 １・・・・・・第１の合わけマーク ２・・・・・・第２の合わぼン一り ３・・・・・・識別マーク
図、第２図（Ａ）〜（Ｃ）は本発明によるマーク形状を
示づ図である。 主要部分の符号の説明 １・・・・・・第１の合わけマーク ２・・・・・・第２の合わぼン一り ３・・・・・・識別マーク
Claims (1)
- 第１のマスクに形成されたパターンと共に第１の合わ
せマークが転写された半導体基板上に、更に第２のマス
クに形成されたパターンを転写するに際し、前記第２の
マスクに形成された第２の合わせマークと前記第１の合
わせマークとの位置合わせをすることによって前記半導
体基板上のパターンと前記第２のマスクのパターンとの
相対的な位置合わせをなすパターン合わせ方法であって
、前記第２のマスクのパターン形状に応じた種別を表わ
す識別マークが前記第１の合わせマークの領域内に形成
されたことを特徴とするパターン合わせ方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59183391A JPS6161418A (ja) | 1984-08-31 | 1984-08-31 | パタ−ン合わせ方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59183391A JPS6161418A (ja) | 1984-08-31 | 1984-08-31 | パタ−ン合わせ方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6161418A true JPS6161418A (ja) | 1986-03-29 |
Family
ID=16134951
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59183391A Pending JPS6161418A (ja) | 1984-08-31 | 1984-08-31 | パタ−ン合わせ方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6161418A (ja) |
-
1984
- 1984-08-31 JP JP59183391A patent/JPS6161418A/ja active Pending
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US5837404A (en) | Fabrication of zero layer mask | |
| US6828071B2 (en) | Method of aligning a wafer and masks | |
| JPS5968928A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPS6334266Y2 (ja) | ||
| JP2002507840A (ja) | 二重フィールド酸化プロセスにおけるステッパー・アライメントマークの形成 | |
| JPS59134825A (ja) | 半導体装置およびそのための半導体ウエ−ハ | |
| JPH05341499A (ja) | 縮小投影露光装置用レチクル | |
| JPS62235952A (ja) | 半導体装置用マスク | |
| JPH1195407A (ja) | フォトマスク | |
| JPS6161419A (ja) | パタ−ン合わせ方法 | |
| JPH0399453A (ja) | 半導体集積回路用スクライブデータ | |
| JPH0523490B2 (ja) | ||
| KR100204808B1 (ko) | 반도체장치 제조방법 | |
| JPH0247821A (ja) | 半導体集積回路装置の製造方法 | |
| JPH0629176A (ja) | 半導体素子の露光方法 | |
| JPS6341020A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPS61166026A (ja) | 位置合わせ方法 | |
| JPS5875836A (ja) | 集積回路のマスク合せ方法 | |
| JPH04148529A (ja) | 半導体ウエハとフォトマスクとの位置合せ方法 | |
| JPS6216524A (ja) | アライメント方法 | |
| JPS60224224A (ja) | マスクアライメント方法 | |
| JPS58184149A (ja) | 半導体装置製造用ホトマスク | |
| JPH0336290B2 (ja) | ||
| JPH0330332A (ja) | パターン形成方法 | |
| JPH04124881A (ja) | 半導体圧力センサの製造方法 |