JPH0410211B2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPH0410211B2 JPH0410211B2 JP57217962A JP21796282A JPH0410211B2 JP H0410211 B2 JPH0410211 B2 JP H0410211B2 JP 57217962 A JP57217962 A JP 57217962A JP 21796282 A JP21796282 A JP 21796282A JP H0410211 B2 JPH0410211 B2 JP H0410211B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- photoresist
- layer
- nitride film
- covered
- film pattern
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/26—Processing photosensitive materials; Apparatus therefor
- G03F7/36—Imagewise removal not covered by groups G03F7/30 - G03F7/34, e.g. using gas streams, using plasma
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Application Of Or Painting With Fluid Materials (AREA)
- Drying Of Semiconductors (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は半導体素子の製造において、イオン注
入時のストツパーとしてのフオトレジストの多層
塗布における密着性の向上をもたらす半導体装置
の製造方法に関する。
入時のストツパーとしてのフオトレジストの多層
塗布における密着性の向上をもたらす半導体装置
の製造方法に関する。
半導体素子の製造工程の中で、シリコン（Si）
基板中へのイオンの拡散方法として、近年イオン
注入法が実用化されている。イオン注入時のスト
ツパーとしてはチツ化膜、酸化膜、アルミニウム
フオトレジスト等が用いられるが、ドーズ量が高
く、パターン精度が要求されるプロセスではしば
しばフオトレジストを多層塗布することによりイ
オン注入時のストツパーとする方法が用いられ
る。この場合、次層目のフオトレジストを塗布し
た場合に前層目のフオトレジストとの密着性が問
題となり、特に前層目のフオトレジストをCF4と
O2の混合ガスを用いたプラズマ中にさらすと次
層目のフオトレジストが剥がれることが知られて
いる。
基板中へのイオンの拡散方法として、近年イオン
注入法が実用化されている。イオン注入時のスト
ツパーとしてはチツ化膜、酸化膜、アルミニウム
フオトレジスト等が用いられるが、ドーズ量が高
く、パターン精度が要求されるプロセスではしば
しばフオトレジストを多層塗布することによりイ
オン注入時のストツパーとする方法が用いられ
る。この場合、次層目のフオトレジストを塗布し
た場合に前層目のフオトレジストとの密着性が問
題となり、特に前層目のフオトレジストをCF4と
O2の混合ガスを用いたプラズマ中にさらすと次
層目のフオトレジストが剥がれることが知られて
いる。
本発明は、かかる問題を除去できる有効な半導
体装置の製造方法を提供する。
体装置の製造方法を提供する。
本発明の特徴は、フオトレジストの多層塗布を
用いる半導体装置の製造方法において、窒化膜に
被着せる前層目のフオトレジストをマスクとして
該窒化膜を選択的にプラズマエツチングを行つて
窒化膜パターンを形成する際に水素入りガスを用
い、しかる後に前記窒化膜のプラズマエツチング
に用いた前層目のフオトレジストのマスクの表面
を剥離することなくそのまま該マスクのうちの一
部のマスクの該表面に次層目のフオトレジストを
被着して、前記窒化膜パターンの上面が前層目及
び次層目のフオトレジストが積層されたものでお
おわれかつ側面が次層目のフオトレジストのみで
おおわれた前記窒化膜パターンを形成し、上面が
前層目のフオトレジストのみでおおわれた前記窒
化膜パターンの側面と、上面が前層目及び次層目
のフオトレジストが積層されたものでおおわれた
前記窒化膜パターンの側面をおおう次層目のフオ
トレジストとが所定間隔をもつて隣接している半
導体装置の製造方法にある。
用いる半導体装置の製造方法において、窒化膜に
被着せる前層目のフオトレジストをマスクとして
該窒化膜を選択的にプラズマエツチングを行つて
窒化膜パターンを形成する際に水素入りガスを用
い、しかる後に前記窒化膜のプラズマエツチング
に用いた前層目のフオトレジストのマスクの表面
を剥離することなくそのまま該マスクのうちの一
部のマスクの該表面に次層目のフオトレジストを
被着して、前記窒化膜パターンの上面が前層目及
び次層目のフオトレジストが積層されたものでお
おわれかつ側面が次層目のフオトレジストのみで
おおわれた前記窒化膜パターンを形成し、上面が
前層目のフオトレジストのみでおおわれた前記窒
化膜パターンの側面と、上面が前層目及び次層目
のフオトレジストが積層されたものでおおわれた
前記窒化膜パターンの側面をおおう次層目のフオ
トレジストとが所定間隔をもつて隣接している半
導体装置の製造方法にある。
したがつて、たとえば上記の所定間隔をもつた
フオトレジストでおおわれていない領域にイオン
注入を行うことにより高精度かつ高密度なパター
ン形成が容易となる。
フオトレジストでおおわれていない領域にイオン
注入を行うことにより高精度かつ高密度なパター
ン形成が容易となる。
すなわち本発明はより具体的には、前層目のフ
オトレジストを用いてプラズマエツチングを行う
際に、反応ガスとしてCF4＋H2又はCHF3等を用
い、特にCF4＋H2混合ガスを用いた場合にはH2
の流量を変えることにより次層目を塗布した時の
密着性を向上させる方法である。
オトレジストを用いてプラズマエツチングを行う
際に、反応ガスとしてCF4＋H2又はCHF3等を用
い、特にCF4＋H2混合ガスを用いた場合にはH2
の流量を変えることにより次層目を塗布した時の
密着性を向上させる方法である。
以下、本発明の実施例を第１図乃至第３図を用
いながら説明する。Si基板１上熱酸化膜２を約
700Å、CVD窒化膜３を約1200Åを形成し、その
上に１層目のフオトレジスト４をパターニングし
た。次に、窒化膜のプラズマエツチングを行つ
た。この場合、エツチング装置は平行平板型のプ
ラズマエツチング装置を用い、エツチング条件は
反応ガスCF4＋H2（全流量10〜150c.c.／min流量比
H2／CF4＋H2＝０〜0.8）又はCHF3（流量10〜
100c.c.／min）、RF電力1000W、圧力5.0Paであつ
た。次に２層目のフオトレジスト５によるパター
ニングを行い、密着性を観察した。実験の結果
CF4＋H2混合ガスを用いた場合にはH2／CF4＋
H2＝0.05〜0.75の範囲で全流量に関係なく２層目
のフオトレジストの剥れは観察されなかつた。
CHFI3ガスを用いた場合にも流量に関係なく同様
の結果を得た。
いながら説明する。Si基板１上熱酸化膜２を約
700Å、CVD窒化膜３を約1200Åを形成し、その
上に１層目のフオトレジスト４をパターニングし
た。次に、窒化膜のプラズマエツチングを行つ
た。この場合、エツチング装置は平行平板型のプ
ラズマエツチング装置を用い、エツチング条件は
反応ガスCF4＋H2（全流量10〜150c.c.／min流量比
H2／CF4＋H2＝０〜0.8）又はCHF3（流量10〜
100c.c.／min）、RF電力1000W、圧力5.0Paであつ
た。次に２層目のフオトレジスト５によるパター
ニングを行い、密着性を観察した。実験の結果
CF4＋H2混合ガスを用いた場合にはH2／CF4＋
H2＝0.05〜0.75の範囲で全流量に関係なく２層目
のフオトレジストの剥れは観察されなかつた。
CHFI3ガスを用いた場合にも流量に関係なく同様
の結果を得た。
本実施例は窒化膜のプラズマエツチング後の２
層目の塗布に適用した例であるが、被エツチング
物の種類によらず、上記の処理を行えば次層目の
フオトレジストの密着性が向上することは言うま
でもない。
層目の塗布に適用した例であるが、被エツチング
物の種類によらず、上記の処理を行えば次層目の
フオトレジストの密着性が向上することは言うま
でもない。
以上、詳細に説明したように、本発明の方法に
よれば多層塗布における密着性を向上させること
ができる。
よれば多層塗布における密着性を向上させること
ができる。
第１図乃至第３図は本発明の実施例の処理手順
を示す断面図である。第１図……１層目のフオト
レジストによるパターニング後。第２図……プラ
ズマエツチング後。第３図……２層目のフオトレ
ジストによるパターニング後。 尚、図において、１……シリコン基板、２……
熱酸化膜、３……CVD窒化膜、４……１層目の
フオトレジスト、５……２層目のフオトレジス
ト。
を示す断面図である。第１図……１層目のフオト
レジストによるパターニング後。第２図……プラ
ズマエツチング後。第３図……２層目のフオトレ
ジストによるパターニング後。 尚、図において、１……シリコン基板、２……
熱酸化膜、３……CVD窒化膜、４……１層目の
フオトレジスト、５……２層目のフオトレジス
ト。
Claims (1)
- １ フオトレジストの多層塗布を用いる半導体装
置の製造方法において、窒化膜に被着せる前層目
のフオトレジストをマスクとして該窒化膜を選択
的にプラズマエツチングを行つて窒化膜パターン
を形成する際に水素入りガスを用い、しかる後に
前記窒化膜のプラズマエツチングに用いた前層目
のフオトレジストのマスクの表面を剥離すること
なくそのまま該マスクのうちの一部のマスクの該
表面に次層目のフオトレジストを被着して、前記
窒化膜パターンの上面が前層目及び次層目のフオ
トレジストが積層されたものでおおわれかつ側面
が次層目のフオトレジストのみでおおわれた前記
窒化膜パターンを形成し、上面が前層目のフオト
レジストのみでおおわれた前記窒化膜パターンの
側面と、上面が前層目及び次層目のフオトレジス
トが積層されたものでおおわれた前記窒化膜パタ
ーンの側面をおおう次層目のフオトレジストとが
所定間隔をもつて隣接していることを特徴とする
半導体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57217962A JPS59107516A (ja) | 1982-12-13 | 1982-12-13 | 半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57217962A JPS59107516A (ja) | 1982-12-13 | 1982-12-13 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS59107516A JPS59107516A (ja) | 1984-06-21 |
| JPH0410211B2 true JPH0410211B2 (ja) | 1992-02-24 |
Family
ID=16712449
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57217962A Granted JPS59107516A (ja) | 1982-12-13 | 1982-12-13 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS59107516A (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2913987B2 (ja) * | 1992-03-19 | 1999-06-28 | ヤマハ株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
Family Cites Families (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| FR2342544A1 (fr) * | 1975-05-28 | 1977-09-23 | Pechiney Aluminium | Procede de fabrication de fils en alliage al-mg-si destines a la fabrication de cables aeriens de transport d'energie |
| JPS5454578A (en) * | 1977-10-11 | 1979-04-28 | Fujitsu Ltd | Gas plasma etching method |
| JPS56135928A (en) * | 1980-03-27 | 1981-10-23 | Fujitsu Ltd | Forming method for pattern of silicone resin |
-
1982
- 1982-12-13 JP JP57217962A patent/JPS59107516A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS59107516A (ja) | 1984-06-21 |
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