JPH04102377A - 半導体受光素子 - Google Patents
半導体受光素子Info
- Publication number
- JPH04102377A JPH04102377A JP2221869A JP22186990A JPH04102377A JP H04102377 A JPH04102377 A JP H04102377A JP 2221869 A JP2221869 A JP 2221869A JP 22186990 A JP22186990 A JP 22186990A JP H04102377 A JPH04102377 A JP H04102377A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- layer
- light
- junction
- semiconductor
- insulating
- Prior art date
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- Pending
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- Liquid Deposition Of Substances Of Which Semiconductor Devices Are Composed (AREA)
- Light Receiving Elements (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明は、低コス１−な液相成長法（以下、ＬＰＥ法
と略す）を用い、制御の困難な不純物拡散工程を用いず
低暗電流および高速応答を可能にした半導体受光素子（
以下、ＰＤと略す）に関するものである。
と略す）を用い、制御の困難な不純物拡散工程を用いず
低暗電流および高速応答を可能にした半導体受光素子（
以下、ＰＤと略す）に関するものである。
第２図は従来のＰＤの構造断面図である。この例は、Ｌ
ＰＥ法で全半導体層を形成し、メサエッチ、グにより受
光部を作製したもので、メサ形ＰＤと呼ばれる。この図
において、１はｎ＋−ＩｎＰ基板、２はｎ−Ｉ ｎ Ｐ
バｙ’） ７−７層、３はｎＩｎＧａＡｓ光吸収層、４
はｐ＋−ＩｎＧａＡｓ層、５はｐ′″−ＩｎＰ窓層、７
はｐｎ接合、９は表面電極、１０は裏面電極、ａは受光
部である。
ＰＥ法で全半導体層を形成し、メサエッチ、グにより受
光部を作製したもので、メサ形ＰＤと呼ばれる。この図
において、１はｎ＋−ＩｎＰ基板、２はｎ−Ｉ ｎ Ｐ
バｙ’） ７−７層、３はｎＩｎＧａＡｓ光吸収層、４
はｐ＋−ＩｎＧａＡｓ層、５はｐ′″−ＩｎＰ窓層、７
はｐｎ接合、９は表面電極、１０は裏面電極、ａは受光
部である。
上記の構造においては、バンドギャップの小さなＩｎＧ
ａＡｓのｐｎ接合端が表面に露出するために、この部分
におけるリーク電流が大きく、受光部外に光吸収層がな
いため、高速応答性は良好であったが、暗電流の非常に
多いデバイスであった。
ａＡｓのｐｎ接合端が表面に露出するために、この部分
におけるリーク電流が大きく、受光部外に光吸収層がな
いため、高速応答性は良好であったが、暗電流の非常に
多いデバイスであった。
この発明は、上記の問題点を解決するためになされたも
ので、低暗電流および高速応答を可能にした半導体受光
素子を得ることを目的とするものである。
ので、低暗電流および高速応答を可能にした半導体受光
素子を得ることを目的とするものである。
この発明に係る半導体受光素子は、絶縁性半導体層に形
成した溝にｐ型およびｎ型の光吸収層となる半導体層を
ＬＰＥ法により埋め込んだものである。
成した溝にｐ型およびｎ型の光吸収層となる半導体層を
ＬＰＥ法により埋め込んだものである。
この発明においては、ｐｎ接合部を絶縁性半導体層中に
埋め込んだため、ｐｎ接合端が表面に露出しない。
埋め込んだため、ｐｎ接合端が表面に露出しない。
以下、この発明について説明する。
第１図はこの発明の一実施例によるＰＤの断面構造図で
ある。この図において、１はｎ“−ＩｎＰ基板、２はｎ
−Ｉ ｎ Ｐバッファ層、３はｎＩｎＧａＡｓ光吸収
層、４はｐ”−ＩｎＧａＡｓ層、５はｐ”−ＩｎＰ窓層
、６は半絶縁性ＩｎＰ層、７はｐｎ接合、８は前記半絶
縁性ＩｎＰ層６に形成した溝、９は表面電極、１ｏは裏
面電極、ａは受光径である。
ある。この図において、１はｎ“−ＩｎＰ基板、２はｎ
−Ｉ ｎ Ｐバッファ層、３はｎＩｎＧａＡｓ光吸収
層、４はｐ”−ＩｎＧａＡｓ層、５はｐ”−ＩｎＰ窓層
、６は半絶縁性ＩｎＰ層、７はｐｎ接合、８は前記半絶
縁性ＩｎＰ層６に形成した溝、９は表面電極、１ｏは裏
面電極、ａは受光径である。
次に、作製法について述へる。
まず、ｎ”−ＩｎＰ基板１上に半絶縁性ＩｎＰ層６をフ
ラットに成長し、受光径ａサイズの溝８をエツチングに
より形成する。次にＬＰＥ法により、２〜５の各層を連
続して形成する。
ラットに成長し、受光径ａサイズの溝８をエツチングに
より形成する。次にＬＰＥ法により、２〜５の各層を連
続して形成する。
図中の上方より入射した光は必ず溝８中のｎＩ ｎ Ｇ
ａ Ａ ｓ光吸収層３中で吸収され光起電力を発生す
る。したがって、背景光による高速性の劣化はない。
ａ Ａ ｓ光吸収層３中で吸収され光起電力を発生す
る。したがって、背景光による高速性の劣化はない。
以上説明したように、この発明は、半導体基板上に絶縁
性半導体層を形成し、この絶縁性半導体層に形成した溝
中にｐｎ接合端が露出しないようにｐｎ接合を構成する
半導体層を液相成長法により埋め込んだので、ｐｎ接合
端が表面に露出しないため暗電流が抑えられ、高速応答
可能な半導体受光素子が得られる効果がある。
性半導体層を形成し、この絶縁性半導体層に形成した溝
中にｐｎ接合端が露出しないようにｐｎ接合を構成する
半導体層を液相成長法により埋め込んだので、ｐｎ接合
端が表面に露出しないため暗電流が抑えられ、高速応答
可能な半導体受光素子が得られる効果がある。
第１図はこの発明の一実施例によるＰＤの構造断面図、
第２図は従来のＰＤの構造断面図である。 図において、１はｎ′″−ＩｎＰ基板、２はｎＩｎＰバ
・ソファ層、３はｎ −ＩｎＧａＡｓ光吸収層、４は
ｐ”−ＩｎＧａＡｓ層、５はｐ”−１ｎＰ窓層、６は半
絶縁性ＩｎＰ層、７ばｐｎ接合、８は溝、９は表面電極
、１０は裏面電極である。 なお、各図中の同一符号は同一または相当部分を示す。
第２図は従来のＰＤの構造断面図である。 図において、１はｎ′″−ＩｎＰ基板、２はｎＩｎＰバ
・ソファ層、３はｎ −ＩｎＧａＡｓ光吸収層、４は
ｐ”−ＩｎＧａＡｓ層、５はｐ”−１ｎＰ窓層、６は半
絶縁性ＩｎＰ層、７ばｐｎ接合、８は溝、９は表面電極
、１０は裏面電極である。 なお、各図中の同一符号は同一または相当部分を示す。
Claims (1)
- 半導体基板上に絶縁性半導体層を形成し、この絶縁性半
導体層に形成した溝中にｐｎ接合端が露出しないように
前記ｐｎ接合を構成する半導体層を液相成長法により埋
め込んだことを特徴とする半導体受光素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2221869A JPH04102377A (ja) | 1990-08-22 | 1990-08-22 | 半導体受光素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2221869A JPH04102377A (ja) | 1990-08-22 | 1990-08-22 | 半導体受光素子 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04102377A true JPH04102377A (ja) | 1992-04-03 |
Family
ID=16773456
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2221869A Pending JPH04102377A (ja) | 1990-08-22 | 1990-08-22 | 半導体受光素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04102377A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH06224460A (ja) * | 1993-01-26 | 1994-08-12 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 半導体光検出器およびその製造方法 |
-
1990
- 1990-08-22 JP JP2221869A patent/JPH04102377A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH06224460A (ja) * | 1993-01-26 | 1994-08-12 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 半導体光検出器およびその製造方法 |
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