JPH04103186A - 半導体レーザ及びその製造方法 - Google Patents
半導体レーザ及びその製造方法Info
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- JPH04103186A JPH04103186A JP22369190A JP22369190A JPH04103186A JP H04103186 A JPH04103186 A JP H04103186A JP 22369190 A JP22369190 A JP 22369190A JP 22369190 A JP22369190 A JP 22369190A JP H04103186 A JPH04103186 A JP H04103186A
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- B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
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- H01S5/2054—Methods of obtaining the confinement
- H01S5/2059—Methods of obtaining the confinement by means of particular conductivity zones, e.g. obtained by particle bombardment or diffusion
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/30—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region
- H01S5/34—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region comprising quantum well or superlattice structures, e.g. single quantum well [SQW] lasers, multiple quantum well [MQW] lasers or graded index separate confinement heterostructure [GRINSCH] lasers
- H01S5/3413—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region comprising quantum well or superlattice structures, e.g. single quantum well [SQW] lasers, multiple quantum well [MQW] lasers or graded index separate confinement heterostructure [GRINSCH] lasers comprising partially disordered wells or barriers
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野］
この発明は半導体レーザ及びその製造方法に関し、特に
屈折率導波型の半導体レーザ及びその製造方法に関する
ものである。
屈折率導波型の半導体レーザ及びその製造方法に関する
ものである。
第３図は従来の半導体レーザを示す断面図であり、図に
おいて１はＧａＡｓ基板、２はＡｆｆｉｘＧａｌ−ｘＡ
ｓ下クラりド層、３はＡｆＧａＡｓ系多重量子井戸活性
層、４はＡｆｆｉｘＣａ＋−ｘＡｓ上クラット層、５は
ＧａＡｓコンタクト層、６は５ｉＯ８膜、７．８は電極
、１０はＳｉＯ□開口部である。
おいて１はＧａＡｓ基板、２はＡｆｆｉｘＧａｌ−ｘＡ
ｓ下クラりド層、３はＡｆＧａＡｓ系多重量子井戸活性
層、４はＡｆｆｉｘＣａ＋−ｘＡｓ上クラット層、５は
ＧａＡｓコンタクト層、６は５ｉＯ８膜、７．８は電極
、１０はＳｉＯ□開口部である。
次に動作について説明する。
ＣｙａＡｓ基板１上に下クラッド層２．多重量子井戸活
性層３．上クラッド層４．コンタクト層５を順次形成し
、該コンタクト層５上に部分的に５ｔＯＷ膜６を形成し
、半導体の上端と下端に電極７．８を形成し、該電極７
．８間に電圧をかけると、電流はＳｔｏｗ開口部１０で
狭窄され、数μｍの幅で流れる。また、上記多重量子井
戸活性層３と上記下クラッドｌ１ｉ２と上記上クラッド
層４はダブルへテロ構造をなしており、注入された電流
により上記多重量子井戸活性層３内で誘導放出が生じ、
レーザ発振する。
性層３．上クラッド層４．コンタクト層５を順次形成し
、該コンタクト層５上に部分的に５ｔＯＷ膜６を形成し
、半導体の上端と下端に電極７．８を形成し、該電極７
．８間に電圧をかけると、電流はＳｔｏｗ開口部１０で
狭窄され、数μｍの幅で流れる。また、上記多重量子井
戸活性層３と上記下クラッドｌ１ｉ２と上記上クラッド
層４はダブルへテロ構造をなしており、注入された電流
により上記多重量子井戸活性層３内で誘導放出が生じ、
レーザ発振する。
従来の半導体レーザは以上のように構成されているので
、横方向（接合面に平行方間）には光の閉じ込め機構が
ないため、横モード不安定を生じやすく、発振に到るし
きい値電流が高いなどの問題点があり、またレーザ光を
レンズで照射した場合の焦点のぶれ（非点隔差）が大き
い等の問題点があった。
、横方向（接合面に平行方間）には光の閉じ込め機構が
ないため、横モード不安定を生じやすく、発振に到るし
きい値電流が高いなどの問題点があり、またレーザ光を
レンズで照射した場合の焦点のぶれ（非点隔差）が大き
い等の問題点があった。
この発明は上記のような問題点を解消するためになされ
たもので、横方向に光の閉じ込めが生じ、簡単なプロセ
スで製造できる屈折率導波型の半導体レーザ及びその製
造方法を提供することを目的とする。
たもので、横方向に光の閉じ込めが生じ、簡単なプロセ
スで製造できる屈折率導波型の半導体レーザ及びその製
造方法を提供することを目的とする。
この発明に係る半導体レーザは、量子井戸層上に半導体
結晶を介して３３０ｇ膜を形成し、上記量子井戸層をア
ニールにより上記３３０ｇ膜から拡散された空孔によっ
て無秩序化させて形成した光導波路を備えたものである
。
結晶を介して３３０ｇ膜を形成し、上記量子井戸層をア
ニールにより上記３３０ｇ膜から拡散された空孔によっ
て無秩序化させて形成した光導波路を備えたものである
。
この発明に係る半導体レーザの製造方法は、量子井戸層
上に半導体結晶を介してＳｉｎ、膜を形成し、量子井戸
層をアニールにより上記Ｓｉｎ。
上に半導体結晶を介してＳｉｎ、膜を形成し、量子井戸
層をアニールにより上記Ｓｉｎ。
膜から拡散された空孔によって無秩序化させ、光導波路
を形成するようにしたものである。
を形成するようにしたものである。
この発明に係る半導体レーザにおいては、量子井戸層を
アニールにより３３０ｇ膜がら拡散された空孔によって
無秩序化するようにしたから、上記無秩序化した量子井
戸層は、無秩序化されていない量子井戸活性層よりも屈
折率が小さくなることにより、横方向に光の閉じ込めが
生じ、これにより屈折率導波機構を形成できる。
アニールにより３３０ｇ膜がら拡散された空孔によって
無秩序化するようにしたから、上記無秩序化した量子井
戸層は、無秩序化されていない量子井戸活性層よりも屈
折率が小さくなることにより、横方向に光の閉じ込めが
生じ、これにより屈折率導波機構を形成できる。
この発明に係る半導体レーザの製造方法においては、量
子井戸層をアニールにより上記Ｓｔｏｗ膜から拡散され
た空孔によって無秩序化するようにしたから、上記無秩
序化した量子井戸層は、無秩序化されていない量子井戸
活性層よりも屈折率が小さくなることにより、横方向に
光の閉じ込めが生じ、これにより簡単なプロセスで製造
できる屈折率導波機構を形成することができる。
子井戸層をアニールにより上記Ｓｔｏｗ膜から拡散され
た空孔によって無秩序化するようにしたから、上記無秩
序化した量子井戸層は、無秩序化されていない量子井戸
活性層よりも屈折率が小さくなることにより、横方向に
光の閉じ込めが生じ、これにより簡単なプロセスで製造
できる屈折率導波機構を形成することができる。
以下、この発明の実施例を図について説明する。
第１図は本発明の第１の実施例による半導体レーザを示
す図であり、図において、第３図と同一符号は同−又は
相当部分を示し、９はＧａ空孔拡散部、１１は多重量子
井戸活性層３内の無秩序化部である。
す図であり、図において、第３図と同一符号は同−又は
相当部分を示し、９はＧａ空孔拡散部、１１は多重量子
井戸活性層３内の無秩序化部である。
次に製造工程について説明する。
半絶縁性ＧａＡｓ基板１上にＭＯＣＶＤ法によりＡｆｘ
Ｇａ、−１Ａｓクラッド層２、Ａｊ！ＧａＡＳ多重量
子井戸活性層３、Ａ ｌ ｗ Ｇ ａ ｌ−Ｘ Ａ ｓ
クラ９１層４からなるダブルへテロ構造を含み、ＧａＡ
ｓコンタクト層５までを成長させる。その後、上記多重
量子井戸活性層３上に半導体結晶を介して部分的にＳｔ
ｏ、膜６を形成する。５ｉＣｈにはＧａを吸い取る性質
があり、上記Ｓｔｏｗ膜６直正６直下Ａｓ、：２ンタク
トＪｉ５中に１０１７ＣＩ１１−３程度の濃度のＧａ空
孔が生じる。次いで、例えば９５０℃１５秒間のアニー
ルによりＧａ空孔の拡散を行う。上記アニールでは上記
３３０ｇ膜６と上記ＧａＡｓ５．Ａ、ｇＧａＡｓ結晶２
．３． ４間で生じる熱膨張係数の違いによるストレス
が上記Ｇａ空孔の拡散を加速し、上記Ｇａ空孔がウェハ
中に９５０ ’ＣＩ ５秒で約０．５μｍ拡散し、Ｇａ
空孔拡散部９を形成する。最後に、電極７，８を形成し
てウェハプロセスが終了する。
Ｇａ、−１Ａｓクラッド層２、Ａｊ！ＧａＡＳ多重量
子井戸活性層３、Ａ ｌ ｗ Ｇ ａ ｌ−Ｘ Ａ ｓ
クラ９１層４からなるダブルへテロ構造を含み、ＧａＡ
ｓコンタクト層５までを成長させる。その後、上記多重
量子井戸活性層３上に半導体結晶を介して部分的にＳｔ
ｏ、膜６を形成する。５ｉＣｈにはＧａを吸い取る性質
があり、上記Ｓｔｏｗ膜６直正６直下Ａｓ、：２ンタク
トＪｉ５中に１０１７ＣＩ１１−３程度の濃度のＧａ空
孔が生じる。次いで、例えば９５０℃１５秒間のアニー
ルによりＧａ空孔の拡散を行う。上記アニールでは上記
３３０ｇ膜６と上記ＧａＡｓ５．Ａ、ｇＧａＡｓ結晶２
．３． ４間で生じる熱膨張係数の違いによるストレス
が上記Ｇａ空孔の拡散を加速し、上記Ｇａ空孔がウェハ
中に９５０ ’ＣＩ ５秒で約０．５μｍ拡散し、Ｇａ
空孔拡散部９を形成する。最後に、電極７，８を形成し
てウェハプロセスが終了する。
次に動作について説明する。上記コンタクト層５の厚み
が０．３μｍ、上記上クラッドＮ４の厚みが０．７μｍ
程度なので、６０秒程度のアニールでＧａ空孔を拡散す
ることにより、上記多重量子井戸活性層３を無秩序化す
ることができ、該無秩序化したＧａ空孔拡散部９は、無
秩序化されていない多重量子井戸活性層３よりも屈折率
が小さくなるので、上記多重量子井戸活性層３中に屈折
率導波機構が形成される。
が０．３μｍ、上記上クラッドＮ４の厚みが０．７μｍ
程度なので、６０秒程度のアニールでＧａ空孔を拡散す
ることにより、上記多重量子井戸活性層３を無秩序化す
ることができ、該無秩序化したＧａ空孔拡散部９は、無
秩序化されていない多重量子井戸活性層３よりも屈折率
が小さくなるので、上記多重量子井戸活性層３中に屈折
率導波機構が形成される。
以上は最も単純な構造の例として第１の実施例を挙げた
が、コンタクト層５と電極８とをアロイ化してオーミン
クを取るためには、Ｃ＋ａＡｓコンタクト層５の膜厚は
０．３μｍ程度以上必要であり、また多重量子井戸活性
層３から上クラッド層４内へ光が０．６〜０．７μｍ染
み出すので、上記上クラッド層４が０．７μｍ以下では
光がＧａＡｓコンタクト層５まで染み出し、該コンタク
ト層５に吸収されて損失が増え、レーザの特性が悪化す
るという理由により、上記ＳｉＯ□膜６と上記多重量子
井戸活性層３間の距離を１．０μｍ以下にできないので
、アニールによる拡散時間が長くなり、各層内のドーパ
ントの拡散によるドーピングプロファイルの変化等の悪
影響を及ぼす可能性がある。
が、コンタクト層５と電極８とをアロイ化してオーミン
クを取るためには、Ｃ＋ａＡｓコンタクト層５の膜厚は
０．３μｍ程度以上必要であり、また多重量子井戸活性
層３から上クラッド層４内へ光が０．６〜０．７μｍ染
み出すので、上記上クラッド層４が０．７μｍ以下では
光がＧａＡｓコンタクト層５まで染み出し、該コンタク
ト層５に吸収されて損失が増え、レーザの特性が悪化す
るという理由により、上記ＳｉＯ□膜６と上記多重量子
井戸活性層３間の距離を１．０μｍ以下にできないので
、アニールによる拡散時間が長くなり、各層内のドーパ
ントの拡散によるドーピングプロファイルの変化等の悪
影響を及ぼす可能性がある。
第２図はアニール時間を短くした本発明の第２の実施例
による半導体レーザを示す図であり、図において、第１
図と同一符号は同−又は相当部分を示す。また、４ａは
厚みが０．３μｍのクラッド層、４ｂは厚みが０．２μ
ｍのクラッロＬ１２は厚みが０．１〜０．２μｍのＡｊ
！ＧａＡｓ系多重量子井戸光ガイド層である。
による半導体レーザを示す図であり、図において、第１
図と同一符号は同−又は相当部分を示す。また、４ａは
厚みが０．３μｍのクラッド層、４ｂは厚みが０．２μ
ｍのクラッロＬ１２は厚みが０．１〜０．２μｍのＡｊ
！ＧａＡｓ系多重量子井戸光ガイド層である。
次に、動作について説明する。
多重量子井戸光ガイド層１２上に半導体結晶を介して部
分的に形成した５ｉＯｚ膜６のＧａを吸い取る性質によ
り上記５ｉＯ７！１９６直下のコンタクト層５中にＧａ
空孔が生じ、アニールによりＧａ空孔の拡散を行う。上
記Ｇａ空孔が多重量子井戸光ガイド層１２内に拡散する
ことにより無秩序化が生じる。無秩序化したＳｉｎ、膜
６下の多重量子井戸光ガイド層１２の屈折率は、無秩序
化されていないＳｉＯ□開口部１０下の多重量子井戸光
ガイド層１２の屈折率より小さくなる。量子井戸活性層
３で発生した光の一部は多重量子井戸光ガイド層１２に
まで染み出すので多重量子井戸光ガイド層１２の５ｉｆ
ｔ膜６下部と５ｆＣ）ｚ開口部ｌＯ下部との屈折率差に
より、光の閉じ込めが住しる。従って、屈折率導波型と
なる。
分的に形成した５ｉＯｚ膜６のＧａを吸い取る性質によ
り上記５ｉＯ７！１９６直下のコンタクト層５中にＧａ
空孔が生じ、アニールによりＧａ空孔の拡散を行う。上
記Ｇａ空孔が多重量子井戸光ガイド層１２内に拡散する
ことにより無秩序化が生じる。無秩序化したＳｉｎ、膜
６下の多重量子井戸光ガイド層１２の屈折率は、無秩序
化されていないＳｉＯ□開口部１０下の多重量子井戸光
ガイド層１２の屈折率より小さくなる。量子井戸活性層
３で発生した光の一部は多重量子井戸光ガイド層１２に
まで染み出すので多重量子井戸光ガイド層１２の５ｉｆ
ｔ膜６下部と５ｆＣ）ｚ開口部ｌＯ下部との屈折率差に
より、光の閉じ込めが住しる。従って、屈折率導波型と
なる。
このように第２の実施例では、多重量子井戸活性層３で
はなくて多重量子井戸光ガイド層１２を無秩序化させる
。また、この構造ではＳｉＯ□膜６から０．６μｍ、Ｇ
ａ空孔を拡散させればよいのでアニールによる拡散時間
は短くて済む。
はなくて多重量子井戸光ガイド層１２を無秩序化させる
。また、この構造ではＳｉＯ□膜６から０．６μｍ、Ｇ
ａ空孔を拡散させればよいのでアニールによる拡散時間
は短くて済む。
このように第１．第２の実施例によれば、５ｉ０２膜６
下の多重量子井戸活性層あるいは上記ＳｉＯ２膜６下の
多重量子井戸光ガイド層１２をアニールにより上記Ｓｉ
０ｇ膜６から拡散された空孔によって無秩序化させて光
導波路を形成するようにしたので、不純物拡散源の成膜
やバターニング等の複雑な工程を必要とせず屈折率導波
機構を形成できる。
下の多重量子井戸活性層あるいは上記ＳｉＯ２膜６下の
多重量子井戸光ガイド層１２をアニールにより上記Ｓｉ
０ｇ膜６から拡散された空孔によって無秩序化させて光
導波路を形成するようにしたので、不純物拡散源の成膜
やバターニング等の複雑な工程を必要とせず屈折率導波
機構を形成できる。
なお、上記実施例では多重量子井戸活性層３を設けたも
のを示したが、単一量子井戸活性層を設けてもよい。
のを示したが、単一量子井戸活性層を設けてもよい。
また、上記実施例ではＡｌ１ＧａＡｓ系材料を例にとっ
て説明したが、Ａｆ！Ｇａ Ｉ ｎＰ系材料であっても
よく、上記実施例と同様の効果を奏する。
て説明したが、Ａｆ！Ｇａ Ｉ ｎＰ系材料であっても
よく、上記実施例と同様の効果を奏する。
以上のように、本発明の半導体レーザによれば、５ｉＯ
１！下の多重量子井戸活性層あるいは上記Ｓｉｎ、膜下
の多重量子井戸光ガイド層を上記Ｓｉｏ□膜から拡散さ
れた空孔によって無秩序化させて先導波路を形成したの
で、屈折率導波型の半導体レーザを得ることができる効
果がある。
１！下の多重量子井戸活性層あるいは上記Ｓｉｎ、膜下
の多重量子井戸光ガイド層を上記Ｓｉｏ□膜から拡散さ
れた空孔によって無秩序化させて先導波路を形成したの
で、屈折率導波型の半導体レーザを得ることができる効
果がある。
また、本発明の半導体レーザの製造方法によれば、５ｉ
Ｏｚ膜下の多重量子井戸活性層あるいは上記Ｓｉ０ｇ膜
下の多重量子井戸光ガイド層を上記５ｉ０２膜から拡散
された空孔によって無秩序化させて光導波路を形成する
ようにしたので、不純物拡散源の成膜やバターニング等
の複雑な工程を必要とせず、簡単なプロセスで半導体レ
ーザを製造することが可能となる効果がある。
Ｏｚ膜下の多重量子井戸活性層あるいは上記Ｓｉ０ｇ膜
下の多重量子井戸光ガイド層を上記５ｉ０２膜から拡散
された空孔によって無秩序化させて光導波路を形成する
ようにしたので、不純物拡散源の成膜やバターニング等
の複雑な工程を必要とせず、簡単なプロセスで半導体レ
ーザを製造することが可能となる効果がある。
第１図はこの発明の第１の実施例による半導体レーザの
断面構造図、第２図はこの発明の第２の実施例による半
導体レーザの断面構造図、第３図は従来の半導体レーザ
の断面構造図である。 図において、１はＧａＡｓ基板、２はＡｆｘＧａ １−
Ｘ Ａ Ｓクラッド層、３は量子井戸活性層、４はＡｊ
２ｘＧａ、−ｘＡｓＡｓクララ、４ａ、４ｂはＡｆｆｉ
ｘＧａｔ−、Ａｓクラッド層、５はＧａＡｓコンタクト
層、６はＳｉｎ、膜、７，８は電極、９はＧａ空孔拡散
部、１ｏはＳｉｎ、開口部、１１は無秩序化部、１２は
多重量子井戸光ガイド層である。 なお図中同一符号は同−又は相当部分を示す。
断面構造図、第２図はこの発明の第２の実施例による半
導体レーザの断面構造図、第３図は従来の半導体レーザ
の断面構造図である。 図において、１はＧａＡｓ基板、２はＡｆｘＧａ １−
Ｘ Ａ Ｓクラッド層、３は量子井戸活性層、４はＡｊ
２ｘＧａ、−ｘＡｓＡｓクララ、４ａ、４ｂはＡｆｆｉ
ｘＧａｔ−、Ａｓクラッド層、５はＧａＡｓコンタクト
層、６はＳｉｎ、膜、７，８は電極、９はＧａ空孔拡散
部、１ｏはＳｉｎ、開口部、１１は無秩序化部、１２は
多重量子井戸光ガイド層である。 なお図中同一符号は同−又は相当部分を示す。
Claims (2)
- （１）量子井戸層を含む半導体レーザにおいて、上記量
子井戸層上に半導体結晶を介して部分的に形成したＳｉ
Ｏ＿２膜と、 該ＳｉＯ＿２膜下の上記量子井戸層をアニールにより上
記ＳｉＯ＿２膜から拡散された空孔によって無秩序化さ
せて形成した光導波路とを備えたことを特徴とする半導
体レーザ。 - （２）量子井戸層を含む半導体レーザの製造方法におい
て、 上記量子井戸層上に半導体結晶を介してＳｉＯ＿２膜を
部分的に形成する工程と、 熱アニールにより上記ＳｉＯ＿２膜から拡散された空孔
によって上記量子井戸層を無秩序化させ光導波路を形成
する工程とを含むことを特徴とする半導体レーザの製造
方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22369190A JPH04103186A (ja) | 1990-08-22 | 1990-08-22 | 半導体レーザ及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22369190A JPH04103186A (ja) | 1990-08-22 | 1990-08-22 | 半導体レーザ及びその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04103186A true JPH04103186A (ja) | 1992-04-06 |
Family
ID=16802139
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP22369190A Pending JPH04103186A (ja) | 1990-08-22 | 1990-08-22 | 半導体レーザ及びその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04103186A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0689253A1 (fr) * | 1994-06-22 | 1995-12-27 | France Telecom | Procédé de réalisation d'une matrice de composants à puits quantiques de structure verticale commandable électriquement |
| DE19615193A1 (de) * | 1995-07-05 | 1997-01-16 | Mitsubishi Electric Corp | Halbleiterlaservorrichtung und Verfahren zu deren Herstellung |
| EP0818860A1 (en) * | 1996-07-08 | 1998-01-14 | Xerox Corporation | Multiple wavelength, surface emitting laser with broad bandwidth distributed Bragg reflectors |
-
1990
- 1990-08-22 JP JP22369190A patent/JPH04103186A/ja active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0689253A1 (fr) * | 1994-06-22 | 1995-12-27 | France Telecom | Procédé de réalisation d'une matrice de composants à puits quantiques de structure verticale commandable électriquement |
| FR2721752A1 (fr) * | 1994-06-22 | 1995-12-29 | Yves Nissim | Procédé de réalisation d'une matrice de composants à puits quantiques de structure verticale cmmandable électriquement. |
| DE19615193A1 (de) * | 1995-07-05 | 1997-01-16 | Mitsubishi Electric Corp | Halbleiterlaservorrichtung und Verfahren zu deren Herstellung |
| US5764669A (en) * | 1995-07-05 | 1998-06-09 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Semiconductor laser including disordered window regions |
| EP0818860A1 (en) * | 1996-07-08 | 1998-01-14 | Xerox Corporation | Multiple wavelength, surface emitting laser with broad bandwidth distributed Bragg reflectors |
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