JPS594870B2 - 半導体発光装置 - Google Patents
半導体発光装置Info
- Publication number
- JPS594870B2 JPS594870B2 JP53153561A JP15356178A JPS594870B2 JP S594870 B2 JPS594870 B2 JP S594870B2 JP 53153561 A JP53153561 A JP 53153561A JP 15356178 A JP15356178 A JP 15356178A JP S594870 B2 JPS594870 B2 JP S594870B2
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- JP
- Japan
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- light emitting
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- emitting device
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Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、二重ヘテロ接合ストライプ構造の半導体発光
装置に関するものである。
装置に関するものである。
光通信等に使用する光ファイバは、波長０．８５μｍ帯
、１．０５μｍ帯、１．３μｍ帯、１．６μｍ帯等に於
いて低い伝送損失特性を示すものである。
、１．０５μｍ帯、１．３μｍ帯、１．６μｍ帯等に於
いて低い伝送損失特性を示すものである。
従つて光源としては前述の波長帯の光を発生する発光装
置が採用されている。例えばＩｎＧａＡｓＰ・ を用い
た工重ヘテロ接合ストライプ構造の半導体発光装置は長
波長のレーザ光を発生し得るもので好適である。このよ
うな従来の二重ヘテロ接合ストライプ構造に於いては、
電流注入領域を発光領域としているものであり、横モー
ドの単一化を図０ るように考慮されているが、安定な
単一モードとすることは困難であつた。本発明は、Ｉｎ
Ｐ（５ＩｎＧａＡｓＰの二重ヘテロ接合ストライプ構造
であると共に、横モードを単一化且つ安定化し、基板側
に損失領域を有する損失７５導波形の半導体発光装置を
提供することを目的とするものである。
置が採用されている。例えばＩｎＧａＡｓＰ・ を用い
た工重ヘテロ接合ストライプ構造の半導体発光装置は長
波長のレーザ光を発生し得るもので好適である。このよ
うな従来の二重ヘテロ接合ストライプ構造に於いては、
電流注入領域を発光領域としているものであり、横モー
ドの単一化を図０ るように考慮されているが、安定な
単一モードとすることは困難であつた。本発明は、Ｉｎ
Ｐ（５ＩｎＧａＡｓＰの二重ヘテロ接合ストライプ構造
であると共に、横モードを単一化且つ安定化し、基板側
に損失領域を有する損失７５導波形の半導体発光装置を
提供することを目的とするものである。
以下実施例について詳細に説明する。図は本発明の実施
例の説明図であり、１はｎ−ＩｎＰの基板、２はｎ−１
ｎＧａＡｓＰの損失ク０ 層、３はｎ−ＩｎＰ又はｎ−
ＩｎＧａＡｓＰのクラッド層、４はＩｎＧａＡｓＰの活
性層、５はｐ−ＩｎＰのクラッド層、６、□は電極、２
ａはＺｎ拡散によるｐ領域、２ｂはｎ領域である。
例の説明図であり、１はｎ−ＩｎＰの基板、２はｎ−１
ｎＧａＡｓＰの損失ク０ 層、３はｎ−ＩｎＰ又はｎ−
ＩｎＧａＡｓＰのクラッド層、４はＩｎＧａＡｓＰの活
性層、５はｐ−ＩｎＰのクラッド層、６、□は電極、２
ａはＺｎ拡散によるｐ領域、２ｂはｎ領域である。
電流は幅Ｓのｎ領域２ｂを介して流れ、又クラッド層３
は幅Ｗ２５は厚いが、幅１の部分は薄く形成されている
。従つて幅Ｗの部分が導波領域となり、幅ｌの部分が損
失領域となる。即ち電流注入領域は幅Ｓとなるが、発光
領域はそれより狭い幅ｗとなる。このような構成により
誘導放出によつて中心部３０の注入キャリア分布に空間
的なホールバーニング（ｈｏｌｅｂｕｒｎｉｎｇ）が生
じ、これによつて中心部の等価的な屈折率が上昇し、キ
ャリア分布によるフォーカシング（ｆｏｃｕｓｉｎｇ）
効果を利用することができる。
は幅Ｗ２５は厚いが、幅１の部分は薄く形成されている
。従つて幅Ｗの部分が導波領域となり、幅ｌの部分が損
失領域となる。即ち電流注入領域は幅Ｓとなるが、発光
領域はそれより狭い幅ｗとなる。このような構成により
誘導放出によつて中心部３０の注入キャリア分布に空間
的なホールバーニング（ｈｏｌｅｂｕｒｎｉｎｇ）が生
じ、これによつて中心部の等価的な屈折率が上昇し、キ
ャリア分布によるフォーカシング（ｆｏｃｕｓｉｎｇ）
効果を利用することができる。
従つて横モードの単一化並びに安定３５化を実現するこ
とができ、光出力特性を改善することができる。なおり
ラット層５をＩｎＰとした場合、電極６とのオーミック
コンタクトを良好にする為にＩｎＧａＡｓＰのコンタク
ト層を形成することが好適である。前述の如き構成は、
ｎ−ＮＰの基板１上に１μｍ以上の厚さのｎ−１ｎＧａ
ＡｓＰの損失層２を液相エピタキシヤル成長法により形
成し、幅Ｓのマスクを施してＺｎ拡散を行なつて電流阻
止領域としてのｐ領域２ａを形成し、又幅１のマスクを
施してｎ領域２ｂをエツチングし、幅Ｗの溝を形成する
。
とができ、光出力特性を改善することができる。なおり
ラット層５をＩｎＰとした場合、電極６とのオーミック
コンタクトを良好にする為にＩｎＧａＡｓＰのコンタク
ト層を形成することが好適である。前述の如き構成は、
ｎ−ＮＰの基板１上に１μｍ以上の厚さのｎ−１ｎＧａ
ＡｓＰの損失層２を液相エピタキシヤル成長法により形
成し、幅Ｓのマスクを施してＺｎ拡散を行なつて電流阻
止領域としてのｐ領域２ａを形成し、又幅１のマスクを
施してｎ領域２ｂをエツチングし、幅Ｗの溝を形成する
。
ｐ領域２ａの深さは基板１と損失層２との境界又は基板
１に一部入る程度とし、又幅Ｗの溝はクラツド層３の導
波領域が１μｍ以上となるような深さとするもので、基
板１に到達する深さでも支障はない。次にｎ−１ｎＰ又
はｎ−１ｎＧａＡｓＰのクラツド層３を液相エピタキシ
ヤル成長法により成長させ、幅１の範囲の厚さが０．３
μｍ程度になるようにする。
１に一部入る程度とし、又幅Ｗの溝はクラツド層３の導
波領域が１μｍ以上となるような深さとするもので、基
板１に到達する深さでも支障はない。次にｎ−１ｎＰ又
はｎ−１ｎＧａＡｓＰのクラツド層３を液相エピタキシ
ヤル成長法により成長させ、幅１の範囲の厚さが０．３
μｍ程度になるようにする。
このクラツド層３上に０．１〜０．３μｍの厚さＩｎＧ
ａＡｓＰの活性層４を液相エピタキシヤル成長法により
形成し、更に１μｍ以上の厚さにｐ−１ｎＰのクラツド
層５を液相エピタキシヤル成長法で形成する。そして電
極６，７を形成して完成するもので、電極７は各層を形
成する前に基板１に形成することができる。又各層の組
成は、各層のバンドギヤツプエネルギＥｇに各層の符号
を（）内で示したとき、Ｅｇ（２）くＥｇ（３）、Ｅｇ
（３）〉Ｅｇ（４）、Ｅｇ（４）くＥｇ（５）の関係が
得られるように選定するものである。
ａＡｓＰの活性層４を液相エピタキシヤル成長法により
形成し、更に１μｍ以上の厚さにｐ−１ｎＰのクラツド
層５を液相エピタキシヤル成長法で形成する。そして電
極６，７を形成して完成するもので、電極７は各層を形
成する前に基板１に形成することができる。又各層の組
成は、各層のバンドギヤツプエネルギＥｇに各層の符号
を（）内で示したとき、Ｅｇ（２）くＥｇ（３）、Ｅｇ
（３）〉Ｅｇ（４）、Ｅｇ（４）くＥｇ（５）の関係が
得られるように選定するものである。
以上説明したように、本発明は、ＩｎＰとＩｎＧａＡｓ
Ｐの二重ヘテロ接合を有する半導体発光装置に於いて、
クラツド層３に導波領域と損失領域とを形成し、このク
ラツド層３とＩｎＰの基板１との間にＮＧａＡｓＰの損
失層２を形成して損失導波形とし、その損失層２に導波
領域の幅Ｗより広い幅Ｓ以外の部分、即ち幅ｌの部分の
電流阻止領域を形成したものであり、それにより電流注
入領域の幅より狭い幅の発光領域とすることができるも
のであつて、横モードの安定化、単一モード化を実現す
ることができる。
Ｐの二重ヘテロ接合を有する半導体発光装置に於いて、
クラツド層３に導波領域と損失領域とを形成し、このク
ラツド層３とＩｎＰの基板１との間にＮＧａＡｓＰの損
失層２を形成して損失導波形とし、その損失層２に導波
領域の幅Ｗより広い幅Ｓ以外の部分、即ち幅ｌの部分の
電流阻止領域を形成したものであり、それにより電流注
入領域の幅より狭い幅の発光領域とすることができるも
のであつて、横モードの安定化、単一モード化を実現す
ることができる。
なお発光領域の幅を電流注入領域の幅以上とした場合は
、閾値電流を減少させることができるが、光出力特性に
曲がり、所謂キックが生じ易い欠点がある。しかし、本
発明のように、発光領域の幅を電流注入領域の幅より狭
くしたことにより、横モードが安定化され、光出力特性
の直線性が改善される利点がある。又損失層２がバツフ
ア層の役目を果たすので、基板１の欠陥が波及しないこ
とになり、これによつても安定な発光特性を得ることが
できる利点がある。
、閾値電流を減少させることができるが、光出力特性に
曲がり、所謂キックが生じ易い欠点がある。しかし、本
発明のように、発光領域の幅を電流注入領域の幅より狭
くしたことにより、横モードが安定化され、光出力特性
の直線性が改善される利点がある。又損失層２がバツフ
ア層の役目を果たすので、基板１の欠陥が波及しないこ
とになり、これによつても安定な発光特性を得ることが
できる利点がある。
図は本発明の実施例の説明図である。
１は基板、２は損失層、３，５はクラツド層、４は活性
層、６，７は電極である。
層、６，７は電極である。
Claims (1)
- １ ＩｎＰとＩｎＧａＡｓＰの二重ヘテロ接合を有する
半導体発光装置に於いて、ＩｎＧａＡｓＰの活性層の上
下のクラッド層の中の基板側のクラッド層に導波領域と
損失領域とを形成し、該クラッド層と基板との間にＩｎ
ＧａＡｓＰの損失層を設け、該損失層の前記導波領域の
幅より広い幅以外の部分を電流阻止領域としたことを特
徴とする半導体発光装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP53153561A JPS594870B2 (ja) | 1978-12-11 | 1978-12-11 | 半導体発光装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP53153561A JPS594870B2 (ja) | 1978-12-11 | 1978-12-11 | 半導体発光装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5580388A JPS5580388A (en) | 1980-06-17 |
| JPS594870B2 true JPS594870B2 (ja) | 1984-02-01 |
Family
ID=15565179
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP53153561A Expired JPS594870B2 (ja) | 1978-12-11 | 1978-12-11 | 半導体発光装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS594870B2 (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CH659834A5 (en) * | 1982-07-02 | 1987-02-27 | Huemer Franz Xaver | Circular weaving machine |
| JP3525257B1 (ja) * | 2002-11-01 | 2004-05-10 | アンリツ株式会社 | 半導体発光素子 |
-
1978
- 1978-12-11 JP JP53153561A patent/JPS594870B2/ja not_active Expired
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5580388A (en) | 1980-06-17 |
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