JPH04103577A - 液晶性化合物およびその用途 - Google Patents
液晶性化合物およびその用途Info
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Landscapes
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
(産業上の利用分野)
本発明は表示素子、あるいは電気光学素子に用いること
のできる新規な液晶性化合物及びこれを含む液晶組成物
とその用途に関する。
のできる新規な液晶性化合物及びこれを含む液晶組成物
とその用途に関する。
(従来の技術)
液晶は表示材料として広く用いられるようになってきた
が、現在のところ表示方式としてTN(Twisted
Nematic)型を一般的に採用している。
が、現在のところ表示方式としてTN(Twisted
Nematic)型を一般的に採用している。
このTN型表示方式は消費電力が少なくてすみ、また受
光型で目が疲れないなどの長所がある一方、駆動が基本
的に比誘電率の異方性に基いているためその力が弱く応
答速度が遅いという欠点があって高速応答が必要とされ
る分野には応用上の制限を受けていた。
光型で目が疲れないなどの長所がある一方、駆動が基本
的に比誘電率の異方性に基いているためその力が弱く応
答速度が遅いという欠点があって高速応答が必要とされ
る分野には応用上の制限を受けていた。
強誘電性液晶は、1975年にR,B、Meyerらに
よって初めて見出されたものであるが(J、Physi
que、 36. L −69(1975))、この
ものは自発分極に由来する比較的大きな力が駆動力とな
るため応答速度が極めて速(、かつメモリー性を持つと
いう優れた性能があり、新しい表示素子として注目され
ている。
よって初めて見出されたものであるが(J、Physi
que、 36. L −69(1975))、この
ものは自発分極に由来する比較的大きな力が駆動力とな
るため応答速度が極めて速(、かつメモリー性を持つと
いう優れた性能があり、新しい表示素子として注目され
ている。
液晶が強誘電性を示す条件としてはカイラルスメクティ
ックC相(Ss+C”相)を示すことが必要であり、こ
のため分子中に不斉炭素を含まなければならない、また
分子の長軸に対して垂直方向に双極子モーメントを持つ
ことが必要である。
ックC相(Ss+C”相)を示すことが必要であり、こ
のため分子中に不斉炭素を含まなければならない、また
分子の長軸に対して垂直方向に双極子モーメントを持つ
ことが必要である。
Meyer等の合成した強誘電性液晶DOBAMBCは
次のような構造をしており 上記の条件を満足しているが、シップ塩基を含むため化
学的に不安定であり、自発分極も3 X 10−9C/
c m tと小さかった。その後多くの*誘電性液晶
化合物が合成されたが十分に高速応答するものはまだ見
付かっておらず、したがって実用化には至っていない。
次のような構造をしており 上記の条件を満足しているが、シップ塩基を含むため化
学的に不安定であり、自発分極も3 X 10−9C/
c m tと小さかった。その後多くの*誘電性液晶
化合物が合成されたが十分に高速応答するものはまだ見
付かっておらず、したがって実用化には至っていない。
これら従来のiMM電性液晶化合物を比較してみると、
例えばDOBA?lBCの不斉炭素原子の位置がひとつ
カルボニル基に近づいたDOBA4−MBCH3 C2山、0(シCl2N(CかC)l=cH−Co□C
H−C,H。
例えばDOBA?lBCの不斉炭素原子の位置がひとつ
カルボニル基に近づいたDOBA4−MBCH3 C2山、0(シCl2N(CかC)l=cH−Co□C
H−C,H。
では自発分極が5X 10−”C7cm”であり、DO
BAMBCよりも大きくなっている。これは、強誘電性
の出現に重要な要素である不斉炭素と双極子の位置が近
づいたために、分子の双極子部分の自由回転が抑えられ
、双極子の配向性が向上したものと考えられる。すなわ
ち、不斉部分は分子の自由回転を束縛する働きをしてお
り、従来の強誘電性液晶化合物のほとんどは不斉部分が
直鎖上にあるため、分子の自由回転を完全には抑えるこ
とができず、双極子部分を固定できないために満足な自
発分極および高速応答が得られなかったと考えられる。
BAMBCよりも大きくなっている。これは、強誘電性
の出現に重要な要素である不斉炭素と双極子の位置が近
づいたために、分子の双極子部分の自由回転が抑えられ
、双極子の配向性が向上したものと考えられる。すなわ
ち、不斉部分は分子の自由回転を束縛する働きをしてお
り、従来の強誘電性液晶化合物のほとんどは不斉部分が
直鎖上にあるため、分子の自由回転を完全には抑えるこ
とができず、双極子部分を固定できないために満足な自
発分極および高速応答が得られなかったと考えられる。
(発明が解決しようとする課題)
本発明者らは、上記問題点のない強誘電性液晶化合物を
得るべく鋭意研究の結果、従来の強誘電性液晶化合物の
双極子部分の自由回転を抑えるための手段として、不斉
部分を5員環ラクトンに直結させた構造とすることによ
り、自由回転を束縛し、しかも化学的に安定な光学活性
γ−ラクトン環を有する新規な強誘電性液晶化合物を見
出したものであり、本発明はこの化合物、この化合物を
一成分として含む液晶組成物及び該組成物を用いてなる
電気光学素子を提供するものである。
得るべく鋭意研究の結果、従来の強誘電性液晶化合物の
双極子部分の自由回転を抑えるための手段として、不斉
部分を5員環ラクトンに直結させた構造とすることによ
り、自由回転を束縛し、しかも化学的に安定な光学活性
γ−ラクトン環を有する新規な強誘電性液晶化合物を見
出したものであり、本発明はこの化合物、この化合物を
一成分として含む液晶組成物及び該組成物を用いてなる
電気光学素子を提供するものである。
(課題を解決するための手段)
本発明は、下記一般式(1)
(式(1)中、RI 、 Rtはそれぞれ独立して炭素
数1〜15のアルキル基又は炭素数2〜15のアルケニ
ル基であって、それぞれ不斉炭素原子を含んでいてもよ
い基、Xは水素原子又はメチル基、を表わし、本の符号
は不斉炭素原子を表わす)で表わされる光学活性γ−ラ
クトン環を有する化合物、この化合物の少なくとも1種
を含有する液晶組成物及びこの組成物を用いてなる電気
光学素子である。
数1〜15のアルキル基又は炭素数2〜15のアルケニ
ル基であって、それぞれ不斉炭素原子を含んでいてもよ
い基、Xは水素原子又はメチル基、を表わし、本の符号
は不斉炭素原子を表わす)で表わされる光学活性γ−ラ
クトン環を有する化合物、この化合物の少なくとも1種
を含有する液晶組成物及びこの組成物を用いてなる電気
光学素子である。
上記一般式CI)において、R1及びR2のアルキル基
としては、例えばメチル、エチル、 n −プロピル
、n−ブチル、n−ペンチル、n−ヘキシル、n−へブ
チル、n−オクチル、n−ノニル。
としては、例えばメチル、エチル、 n −プロピル
、n−ブチル、n−ペンチル、n−ヘキシル、n−へブ
チル、n−オクチル、n−ノニル。
n−デシル、n−ウンデシル、n−ドデシル、n−トリ
デシル、n−テトラデシル、n−ペンタデシル、イソプ
ロピル、 tert−ブチル、2−メチルプロピル、1
−メチルプロピル、3−メチルブチル、2−メチルブチ
ル、1−メチルブチル、4−メチルペンチル、3−メチ
ルペンチル、2−メチルペンチル、1−メチルペンチル
、5−メチルヘキシル、4−メチルヘキシル、3−メチ
ルヘキシル、2−メチルヘキシル、1−メチルヘキシル
。
デシル、n−テトラデシル、n−ペンタデシル、イソプ
ロピル、 tert−ブチル、2−メチルプロピル、1
−メチルプロピル、3−メチルブチル、2−メチルブチ
ル、1−メチルブチル、4−メチルペンチル、3−メチ
ルペンチル、2−メチルペンチル、1−メチルペンチル
、5−メチルヘキシル、4−メチルヘキシル、3−メチ
ルヘキシル、2−メチルヘキシル、1−メチルヘキシル
。
6−メチルへブチル、5−メチルへブチル、4−メチル
へブチル、3−メチルヘプチル、2−メチルへブチル、
1−メチルへブチル、7−メチルオクチル、6−メチル
オクチル、5−メチルオクチル、4−メチルオクチル、
3−メチルオクチル。
へブチル、3−メチルヘプチル、2−メチルへブチル、
1−メチルへブチル、7−メチルオクチル、6−メチル
オクチル、5−メチルオクチル、4−メチルオクチル、
3−メチルオクチル。
2−メチルオクチル、1−メチルオクチル、8メチルノ
ニル、7−メチルノニル、6−メチルノニル、5−メチ
ルノニル、4−メチルノニル、3−メチルノニル、2−
メチルノニル、1−メチルノニル、3,7−シメチルオ
クチル、 3,7.11− トリメチルドデシルなど
の基が挙げられ、またアルケニル基としては、エチニル
、1−プロペニル。
ニル、7−メチルノニル、6−メチルノニル、5−メチ
ルノニル、4−メチルノニル、3−メチルノニル、2−
メチルノニル、1−メチルノニル、3,7−シメチルオ
クチル、 3,7.11− トリメチルドデシルなど
の基が挙げられ、またアルケニル基としては、エチニル
、1−プロペニル。
2−プロペニル、1−ブテニル、2−ブテニル。
3−ブテニル、1−ペンテニル、2−ペンテニル。
3−ペンテニル、4−ペンテニル、1−へキセニル、2
−ヘキセニル、3−へキセニル、4−ヘキセニル 5−
へキセニル、1−オクテニル、2−オクテニル、3−オ
クテニル、4−オクテニル。
−ヘキセニル、3−へキセニル、4−ヘキセニル 5−
へキセニル、1−オクテニル、2−オクテニル、3−オ
クテニル、4−オクテニル。
5−オクテニル、6−オクテニル、7−オクテニル、1
−メチル−エチニル、1−メチル−1−プロペニル、1
−メチル−2−7”ロイニル。2−メチルー1−プロペ
ニル、2−メチル−2−プロペニル、1−メチル−1−
ブテニル、1−メチル−2−ブテニル、1−メチル−3
−ブテニル、2−メチル−1−ブテニル、2−メチル−
2−ブテニル、2−メチル−3−ブテニル、3−メチル
−1−フチニル、3−メチル−2−ブテニル、3−メチ
ル−3−ブテニル、1−メチル−1−ペンテニル、1−
メチル−2−ペンテニル、1−メチル−3−ペンテニル
、1−メチル−4−ペンテニル。
−メチル−エチニル、1−メチル−1−プロペニル、1
−メチル−2−7”ロイニル。2−メチルー1−プロペ
ニル、2−メチル−2−プロペニル、1−メチル−1−
ブテニル、1−メチル−2−ブテニル、1−メチル−3
−ブテニル、2−メチル−1−ブテニル、2−メチル−
2−ブテニル、2−メチル−3−ブテニル、3−メチル
−1−フチニル、3−メチル−2−ブテニル、3−メチ
ル−3−ブテニル、1−メチル−1−ペンテニル、1−
メチル−2−ペンテニル、1−メチル−3−ペンテニル
、1−メチル−4−ペンテニル。
2−メチル−1−ペンテニル、2−メチル−2=ペンテ
ニル、2−メチル−3−ペンテニル、2−メチル−4−
ペンテニル、3−メチル−1−ペンテニル、3−メチル
−2−ペンテニル、3−メチル−3−ペンテニル、3−
メチル−4−ペンテニル、4−メチル−1−ペンテニル
、4−メチル−2−ペンテニル、4−メチル−3−ペン
テニル。
ニル、2−メチル−3−ペンテニル、2−メチル−4−
ペンテニル、3−メチル−1−ペンテニル、3−メチル
−2−ペンテニル、3−メチル−3−ペンテニル、3−
メチル−4−ペンテニル、4−メチル−1−ペンテニル
、4−メチル−2−ペンテニル、4−メチル−3−ペン
テニル。
4−メチル−4−ペンテニルなどの基が挙げられる。
本発明に係る上記の新規化合物は強誘電性を発生させる
ための双極子モーメントを持つ部分としてのカルボニル
基を5員環の内部に位置させ、さらに環上に1つ又は2
つの不斉炭素を持たせることにより、この部分の自由回
転を不可能にし、全体として双極子部分を一方向に向わ
せることができ、自発分極を大きくし、延いては高速応
答を実現できるものである。また上記−船人(1)の化
合物でXがメチル基である場合においてRtがメチル基
である場合は1種類であるが、R2がメチル基以外の化
合物ではγ−ラクトン環に不斉炭素を2個含んでいるた
め、2種類のジアステレオマーが存在する。これらは全
て双極子部分の自由回転を抑えるという目的に合致した
構造をしているので、それぞれを単独で用いてもあるい
はそれぞれの混合物として用いても液晶性化合物として
有用である。
ための双極子モーメントを持つ部分としてのカルボニル
基を5員環の内部に位置させ、さらに環上に1つ又は2
つの不斉炭素を持たせることにより、この部分の自由回
転を不可能にし、全体として双極子部分を一方向に向わ
せることができ、自発分極を大きくし、延いては高速応
答を実現できるものである。また上記−船人(1)の化
合物でXがメチル基である場合においてRtがメチル基
である場合は1種類であるが、R2がメチル基以外の化
合物ではγ−ラクトン環に不斉炭素を2個含んでいるた
め、2種類のジアステレオマーが存在する。これらは全
て双極子部分の自由回転を抑えるという目的に合致した
構造をしているので、それぞれを単独で用いてもあるい
はそれぞれの混合物として用いても液晶性化合物として
有用である。
本発明において、上記液晶性化合物とは単独で液晶状態
が観察できる物質のみでなく、それ自身が液晶相を示さ
なくても液晶組成物の構成成分として有用な化合物をも
含んでいる。
が観察できる物質のみでなく、それ自身が液晶相を示さ
なくても液晶組成物の構成成分として有用な化合物をも
含んでいる。
本発明の一般式(1)で表わされる化合物のうち、Xが
水素原子の化合物((I)−1)は、下記の方法によっ
て製造することができる。
水素原子の化合物((I)−1)は、下記の方法によっ
て製造することができる。
下記−船人(If)で表わされる光学活性グリシジルエ
ーテル (式(If)中、R’、A及び本の符号は式(1)中の
R’、A及び*の符号と同様の意味を表わす)と下記−
船人(III)で表わされるカルボン酸HOOCCHz
B R” (III)(弐(I[[
)中、R2及びBは式(1)中のR2及びBと同様の意
味を表わす) を有機溶媒中2〜3当量の塩基を加えて反応させ(第一
工程)、次いで酸性条件下で分子内環化させる(第2工
程)ことにより製造することができる。
ーテル (式(If)中、R’、A及び本の符号は式(1)中の
R’、A及び*の符号と同様の意味を表わす)と下記−
船人(III)で表わされるカルボン酸HOOCCHz
B R” (III)(弐(I[[
)中、R2及びBは式(1)中のR2及びBと同様の意
味を表わす) を有機溶媒中2〜3当量の塩基を加えて反応させ(第一
工程)、次いで酸性条件下で分子内環化させる(第2工
程)ことにより製造することができる。
上記第1工程において用いられる塩基としては、水素化
ナトリウム、水素化カリウム、リチウムイソプロとルア
ミド、リチウムへキサメチルジシラジド、ナトリウムヘ
キサメチルジシラジド、カリウムへキサメチルジシラジ
ドなどが好ましく、また有機溶媒としては、ジエチルエ
ーテル、テトラヒドロフラン、ジメトキシエタン、ジエ
チレングリコールジメチルエーテル、ジオキサン、ベン
ゼン、トルエンなどの単独又はこれらの混合物が好まし
く用いられる。第1工程の反応は、1当量の一般式(I
Iり化合物に対して、有機溶媒中、2〜3当量の塩基を
作用させて一般式CI[[)化合物のジアニオンを発生
させ、このものに1当量の一般式(n)化合物を反応さ
せることにより達成される。反応温度はジアニオンを発
生させる段階では一78〜0℃、−船人(II)化合物
を加えてからは一30〜20℃の範囲が好ましく、反応
時間はジアニオン発生のために5〜60分間必要とする
ら5時間かけて徐々に温度を上昇させて20℃付近まで
もっていくか、どちらの方法でも反応は完了する。上記
第2工程の反応は、第1工程で得られた反応溶液に0.
5〜6Nの塩酸もしくは硫酸を加えて酸性とした後溶媒
を留去させ、次いで有機溶媒の存在下で触媒量の酸を加
えて加熱することにより達成される。上記有機溶媒とし
ては、ベンゼン、トルエン、キシレンなどが好ましく、
触媒量の酸としては、澹fL酸、p−トルエンスルホン
酸、ベンゼンスルホン酸等を0.001〜0.1当!用
いることが好ましい。この反応は、分子内縮合反応であ
るので、生成した水を除去するために一ディーン・スタ
ーク装置等で加熱還流することが好ましい。反応は、溶
媒によって異なるが、30℃乃至それぞれの溶媒の沸点
の範囲で0.5〜3時間反応させることによって完了す
る。
ナトリウム、水素化カリウム、リチウムイソプロとルア
ミド、リチウムへキサメチルジシラジド、ナトリウムヘ
キサメチルジシラジド、カリウムへキサメチルジシラジ
ドなどが好ましく、また有機溶媒としては、ジエチルエ
ーテル、テトラヒドロフラン、ジメトキシエタン、ジエ
チレングリコールジメチルエーテル、ジオキサン、ベン
ゼン、トルエンなどの単独又はこれらの混合物が好まし
く用いられる。第1工程の反応は、1当量の一般式(I
Iり化合物に対して、有機溶媒中、2〜3当量の塩基を
作用させて一般式CI[[)化合物のジアニオンを発生
させ、このものに1当量の一般式(n)化合物を反応さ
せることにより達成される。反応温度はジアニオンを発
生させる段階では一78〜0℃、−船人(II)化合物
を加えてからは一30〜20℃の範囲が好ましく、反応
時間はジアニオン発生のために5〜60分間必要とする
ら5時間かけて徐々に温度を上昇させて20℃付近まで
もっていくか、どちらの方法でも反応は完了する。上記
第2工程の反応は、第1工程で得られた反応溶液に0.
5〜6Nの塩酸もしくは硫酸を加えて酸性とした後溶媒
を留去させ、次いで有機溶媒の存在下で触媒量の酸を加
えて加熱することにより達成される。上記有機溶媒とし
ては、ベンゼン、トルエン、キシレンなどが好ましく、
触媒量の酸としては、澹fL酸、p−トルエンスルホン
酸、ベンゼンスルホン酸等を0.001〜0.1当!用
いることが好ましい。この反応は、分子内縮合反応であ
るので、生成した水を除去するために一ディーン・スタ
ーク装置等で加熱還流することが好ましい。反応は、溶
媒によって異なるが、30℃乃至それぞれの溶媒の沸点
の範囲で0.5〜3時間反応させることによって完了す
る。
本発明の一般式(1)で表わされる化合物のうち、Xが
メチル基の化合物((1)−2)は、上記(I)−1化
合物を塩基性条件下でCH,Iと反応させることにより
製造することができる。
メチル基の化合物((1)−2)は、上記(I)−1化
合物を塩基性条件下でCH,Iと反応させることにより
製造することができる。
すなわち、(1)−1化合物とこの化合物に対して1〜
1.5当量の塩基を反応させて得られる(1)−1化合
物のエノラートアニオンに1〜5当量のcH,Iを反応
させることにより達成される。
1.5当量の塩基を反応させて得られる(1)−1化合
物のエノラートアニオンに1〜5当量のcH,Iを反応
させることにより達成される。
上記塩基としては、リチウムジイソプロピルアミド、ナ
トリウムジイソプロピルアミド、カリウムジイソプロピ
ルアミド、リチウム1.1.1.3.3.3〜へキサメ
チルジシラジド、ナトリウムl、 1.1.3゜3.3
−ヘキサメチルジシラジド、カリウム1.1.1゜3、
3.3 =へキサメチルジシラジド、リチウム1,1゜
1、3.3.3−へキサエチルジシラジド、ナトリウム
1、1.1.3.3.3−へキサエチルジシラジド、カ
リウム1.1.1.3.3.3−ヘキサエチルジシラジ
ド、カリウムt−ブトキシド等が好ましい。また上記反
応は有機溶媒中で行われるが、塩基としてカリウムt−
ブトキシドを用いる場合、有機溶媒はt−ブチルアルコ
ールが好ましく、上記塩基以外の場合の有機溶媒として
は、通常テトラヒドロフラン。
トリウムジイソプロピルアミド、カリウムジイソプロピ
ルアミド、リチウム1.1.1.3.3.3〜へキサメ
チルジシラジド、ナトリウムl、 1.1.3゜3.3
−ヘキサメチルジシラジド、カリウム1.1.1゜3、
3.3 =へキサメチルジシラジド、リチウム1,1゜
1、3.3.3−へキサエチルジシラジド、ナトリウム
1、1.1.3.3.3−へキサエチルジシラジド、カ
リウム1.1.1.3.3.3−ヘキサエチルジシラジ
ド、カリウムt−ブトキシド等が好ましい。また上記反
応は有機溶媒中で行われるが、塩基としてカリウムt−
ブトキシドを用いる場合、有機溶媒はt−ブチルアルコ
ールが好ましく、上記塩基以外の場合の有機溶媒として
は、通常テトラヒドロフラン。
エチルエーテル、ジメトキシエタン、ジエチレングリコ
ールジメチルエーテル、ジオキサン等のエーテル類、ジ
メチルホルムアミド、ジメチルスルホキシド、ジメチル
アセトアミド、ヘキサメチルホスホリックトリアミド等
の非プロトン性溶媒又はこれらの混合溶媒が用いられる
。
ールジメチルエーテル、ジオキサン等のエーテル類、ジ
メチルホルムアミド、ジメチルスルホキシド、ジメチル
アセトアミド、ヘキサメチルホスホリックトリアミド等
の非プロトン性溶媒又はこれらの混合溶媒が用いられる
。
上記反応において、塩基としてカリウムt−ブトキシド
を用いた場合は、反応温度30〜90℃。
を用いた場合は、反応温度30〜90℃。
反応時間15分〜5時間の範囲で行われ、上記塩基以外
の場合は使用する塩基によって若干反応温度が異なるが
、通常−80〜30℃で直ちに又は遅くとも2時間以内
に反応が終了する。
の場合は使用する塩基によって若干反応温度が異なるが
、通常−80〜30℃で直ちに又は遅くとも2時間以内
に反応が終了する。
上記原料化合物である一般式(If)の光学活性グリシ
ジルエーテルは以下の方法によって製造することができ
る。
ジルエーテルは以下の方法によって製造することができ
る。
(式中、R’、A及び*の符号は一般式(1)のR’1
A及び*の符号と同様な意味を表わす)上記R’ −A
−OHで表わされる化合物に塩基の存在下で光学活性エ
ピクロルヒドリンを反応させることにより一般式(n)
化合物は得られる。
A及び*の符号と同様な意味を表わす)上記R’ −A
−OHで表わされる化合物に塩基の存在下で光学活性エ
ピクロルヒドリンを反応させることにより一般式(n)
化合物は得られる。
光学活性エピクロルヒドリンは、原料R’ −A−OH
に対して1〜10当量が好ましく、また反応に用いられ
る塩基は、原料R’ −A−OHに対して1〜5当量が
好ましい。塩基としては、水酸化ナトリウム、水酸化カ
リウム、カリウムt−ブトキシドなどが挙げられる。反
応は無触媒でも円滑に進行するが、N、N−ジメチルア
ミノピリジン又は第四級アンモニウム塩、例えばベンジ
ルトリエチルアンモニウムクロリド、ベンジルトリエチ
ルアンモニウムプロミド、ベンジルトリメチルアンモニ
ウムクロリド、ベンジルトリメチルアンモニウムプロミ
ドなどの触媒を原料R’ −A−OHに対して0.01
〜0.1当量加えることもできる。
に対して1〜10当量が好ましく、また反応に用いられ
る塩基は、原料R’ −A−OHに対して1〜5当量が
好ましい。塩基としては、水酸化ナトリウム、水酸化カ
リウム、カリウムt−ブトキシドなどが挙げられる。反
応は無触媒でも円滑に進行するが、N、N−ジメチルア
ミノピリジン又は第四級アンモニウム塩、例えばベンジ
ルトリエチルアンモニウムクロリド、ベンジルトリエチ
ルアンモニウムプロミド、ベンジルトリメチルアンモニ
ウムクロリド、ベンジルトリメチルアンモニウムプロミ
ドなどの触媒を原料R’ −A−OHに対して0.01
〜0.1当量加えることもできる。
光学活性エピクロルヒドリンを溶媒として反応させるこ
とができるが、必要な場合はジメチルホルムアミド、ジ
メチルスルホキシド、ジメチルアセトアミド、アセトニ
トリル、t−ブチルアルコール及び水などの極性溶媒を
用いることもできる。
とができるが、必要な場合はジメチルホルムアミド、ジ
メチルスルホキシド、ジメチルアセトアミド、アセトニ
トリル、t−ブチルアルコール及び水などの極性溶媒を
用いることもできる。
反応は50〜80℃で0.5〜3時間反応させることに
より終了する。
より終了する。
原料の光学活性エビクロロヒドリンは、高純度のものと
しては、8体は本出願人の出願に係る特公平1−356
40号公報及び特公平155879号公報記載の方法、
8体は同じく特開平1−230567号公報記載の方法
によって得られたものを用いることができる。
しては、8体は本出願人の出願に係る特公平1−356
40号公報及び特公平155879号公報記載の方法、
8体は同じく特開平1−230567号公報記載の方法
によって得られたものを用いることができる。
本発明の液晶組成物は、上記の方法で得られる一般式(
I)化合物の少なくとも1種と他の強誘電性液晶又は非
カイラルな液晶、あるいはこれらの混合物とを混ぜ合わ
せることにより形成することができる。
I)化合物の少なくとも1種と他の強誘電性液晶又は非
カイラルな液晶、あるいはこれらの混合物とを混ぜ合わ
せることにより形成することができる。
上記他の強誘電性液晶としては、従来知られているもの
を含む総ての強誘電性液晶が適用でき、また非カイラル
な液晶としては、不斉炭素原子を持たない液晶であって
混合後スメクティックC相を示すものであれば何でもよ
い。
を含む総ての強誘電性液晶が適用でき、また非カイラル
な液晶としては、不斉炭素原子を持たない液晶であって
混合後スメクティックC相を示すものであれば何でもよ
い。
上記非カイラルな液晶の具体例としては下記式(J)で
表わされる混合物が挙げられる。
表わされる混合物が挙げられる。
から選ばれた環状基を表わしており、これら環状基中の
水素原子はハロゲン原子、シアノ基又はニトロ基で置換
されていてもよい、a、bは0.1又は2、Cは1又は
2であり且つ2+b+c=2〜4である。W、 Mは単
結合であるか、又は−C−(式(J)中E、F及びGは
それぞれ独立に〇− S −CH=CH−C−0− −O−C−CH=CH−、−cHt O−及びocHz
−から選ばれた基を表わす。a=0のときKは単結合を
表わし、b=oのときLは単結合を表わす。a又はbが
Oでないときに、 Lはそれぞれ独立に単結合であるか
、又は O0 −C−0、OC、CHzO− −ocHz −、−CH,CH,−+ −CH=N
−−N=CH−−CH=CH−、−CミCl −0−C−CH=CH− から選ばれた基を表わし、R3,R4は炭素数1〜15
のアルキル基を表わす) 本発明の液晶組成物に透明電極を付し、ポリエチレン、
ポリエステル、ナイロン、ポリビニルアルコール、ポリ
イミド等で表面配向処理した2枚のガラス板に封入し、
偏光子を設けた複屈折モード及びホスト−ゲストモード
の液晶セルは表示素子又は電気光学素子として使用する
ことができる。
水素原子はハロゲン原子、シアノ基又はニトロ基で置換
されていてもよい、a、bは0.1又は2、Cは1又は
2であり且つ2+b+c=2〜4である。W、 Mは単
結合であるか、又は−C−(式(J)中E、F及びGは
それぞれ独立に〇− S −CH=CH−C−0− −O−C−CH=CH−、−cHt O−及びocHz
−から選ばれた基を表わす。a=0のときKは単結合を
表わし、b=oのときLは単結合を表わす。a又はbが
Oでないときに、 Lはそれぞれ独立に単結合であるか
、又は O0 −C−0、OC、CHzO− −ocHz −、−CH,CH,−+ −CH=N
−−N=CH−−CH=CH−、−CミCl −0−C−CH=CH− から選ばれた基を表わし、R3,R4は炭素数1〜15
のアルキル基を表わす) 本発明の液晶組成物に透明電極を付し、ポリエチレン、
ポリエステル、ナイロン、ポリビニルアルコール、ポリ
イミド等で表面配向処理した2枚のガラス板に封入し、
偏光子を設けた複屈折モード及びホスト−ゲストモード
の液晶セルは表示素子又は電気光学素子として使用する
ことができる。
(実施例)
以下の各側において、本発明の一般式(1)で表わされ
る光学活性化合物のR,S表示は、下記の化学式の位置
番号に基いて行った。
る光学活性化合物のR,S表示は、下記の化学式の位置
番号に基いて行った。
また実施例中に記載した相転移温度はDSCおよび偏光
顕微鏡観察により決定した。また相転移温度の項に示し
た記号は以下の相を表わす。
顕微鏡観察により決定した。また相転移温度の項に示し
た記号は以下の相を表わす。
C:結晶相
S+sA :スメクティソクA相
S+aC” :カイラルスメクティソクC相■ :等方
性液体相 実施例1 p−へブチルフェノール(38,5g、200mm0J
)、(R)−エピクロロヒドリン(55,5g。
性液体相 実施例1 p−へブチルフェノール(38,5g、200mm0J
)、(R)−エピクロロヒドリン(55,5g。
600mmo/)、カリウムt−ブトキシド(24,7
g、220mmoIり、N、N−ジメチルアミノピリジ
ン(244mg、2mmo l)をtフ゛チJレアルコ
ール250mj!にi?r%Eさせ30℃で8時間撹拌
した。減圧上溶媒を留去した後、残渣にクロロホルムを
加え、2N塩酸を約pH7になるまで加えた後、クロロ
ホルムで抽出し、無水硫酸マグネシウムで乾燥後、セラ
イト濾過した。
g、220mmoIり、N、N−ジメチルアミノピリジ
ン(244mg、2mmo l)をtフ゛チJレアルコ
ール250mj!にi?r%Eさせ30℃で8時間撹拌
した。減圧上溶媒を留去した後、残渣にクロロホルムを
加え、2N塩酸を約pH7になるまで加えた後、クロロ
ホルムで抽出し、無水硫酸マグネシウムで乾燥後、セラ
イト濾過した。
減圧上溶媒を留去し、残渣をシリカゲルカラムクロマト
グラフィーにより分離精製して油状の(S)−p−へブ
チルフェニルグリシジルエーテルを得た。(42,03
g、84.6%) [α]F 6.33° (C=1.358.CHzC
lt)’HNMRCCDC15)δ: 0.87 (3H,t、J=6.63Hz)1.27−
1.30 (8H,m) 1.57 1.59 (2H,m) 2.53 (2H,t、J=7.62H2)2.74
(11(、dd、J=2.65゜4.92Hz) 2.88 (IH,t、J=4.54Hz)3.32−
3.35 (I H,m) 3.95 (IH,dd、J=5.49゜10.98H
z) 4.17 (IH,dd、J=3.32゜11.08H
z) 6.95 (4H,dd、J=8.43゜67.30
Hz) ジイソプロピルアミン(1830mg、 18.1m
moIl)、1.5N n−ブチルリチウム/n−ヘ
キサン溶液(9,7mj!、14.5mmo J)、テ
トラヒドロフラン20mj!より調製したリチウムジイ
ソプロピルアミド溶液を一78℃で撹拌し、これにp−
ペンチルフェニル酢酸(1,24g、 6.03mm
01)のテトラヒドロフラン(10mjり溶液を滴下し
た後、反応溶液を0℃にして35分撹拌した。反応溶液
を一78℃にした後(S)−p−1ブチルベンジルグリ
シジルエーテル(1,5g。
グラフィーにより分離精製して油状の(S)−p−へブ
チルフェニルグリシジルエーテルを得た。(42,03
g、84.6%) [α]F 6.33° (C=1.358.CHzC
lt)’HNMRCCDC15)δ: 0.87 (3H,t、J=6.63Hz)1.27−
1.30 (8H,m) 1.57 1.59 (2H,m) 2.53 (2H,t、J=7.62H2)2.74
(11(、dd、J=2.65゜4.92Hz) 2.88 (IH,t、J=4.54Hz)3.32−
3.35 (I H,m) 3.95 (IH,dd、J=5.49゜10.98H
z) 4.17 (IH,dd、J=3.32゜11.08H
z) 6.95 (4H,dd、J=8.43゜67.30
Hz) ジイソプロピルアミン(1830mg、 18.1m
moIl)、1.5N n−ブチルリチウム/n−ヘ
キサン溶液(9,7mj!、14.5mmo J)、テ
トラヒドロフラン20mj!より調製したリチウムジイ
ソプロピルアミド溶液を一78℃で撹拌し、これにp−
ペンチルフェニル酢酸(1,24g、 6.03mm
01)のテトラヒドロフラン(10mjり溶液を滴下し
た後、反応溶液を0℃にして35分撹拌した。反応溶液
を一78℃にした後(S)−p−1ブチルベンジルグリ
シジルエーテル(1,5g。
6、03 m
m o 1! )のテトラヒドロフラン(10m1)’
R液を滴下し、反応溶液を1時間かけて室温に戻し、2
N塩酸をpH1になるまで加えた後、減圧上溶媒を留去
し、ヘンゼア50m1.濃fL酸10mgを加え2.5
時間ディーン・スターク装置で加熱還流を行った。
R液を滴下し、反応溶液を1時間かけて室温に戻し、2
N塩酸をpH1になるまで加えた後、減圧上溶媒を留去
し、ヘンゼア50m1.濃fL酸10mgを加え2.5
時間ディーン・スターク装置で加熱還流を行った。
減圧上溶媒を留去した後エチルエーテルで抽出。
飽和食塩水で洗浄、無水硫酸マグネシウムで乾燥し、減
圧上溶媒を留去して得られた残渣をシリカゲルカラムク
ロマトグラフィーにより分離精製し、さらにn−ヘキサ
ンで再結晶することにより、T−ラクトン(2S、4S
)体800mg、 (2R。
圧上溶媒を留去して得られた残渣をシリカゲルカラムク
ロマトグラフィーにより分離精製し、さらにn−ヘキサ
ンで再結晶することにより、T−ラクトン(2S、4S
)体800mg、 (2R。
4S)体995mgを得た。(68%)(2S、 4S
)体 6.82−7.25 (8H,m) IR(KBr) 1756 Cm−’(2R,
4S)体 mp 110℃ [α]乙’ 61.03”(cm1.097゜CH
zCI J ’HNMRCCDCl5)δ : 0.85−0.92 (6H,m) 1.27−1.34 (12H,m)1.55−1.
66 (4H,m) 2.52−2.62 (5H,m) 2.72−2.82 (I H,m)4.07−4.
25 (3H,m) 4.89−4.97 (IH,m) mp 105℃ [cr]o’ 16.75 @ (cm1.099
゜CHtCIZ) ’H−NMR(CD Cl s)δ :0.85−0.
9 1 (6H,m)1.27−1.34 (12
H,m)1.55−1.66 (4H,m) 2.36−2.49 (IH−、m)2.5 1−2
.62 (4H,m)2.74−2.85 (IH
,m) 3.91 (IH,dd、 J=9.19゜12.
03Hz) 4.1 2−4.24 (2H,m)4.79−4.
88 (LH,m) 6.80−7.25 (8H,m) IR(KBr) 1764 cm−’実施例2 ジイソプロピルアミン372mg (3,68mmo
l)、n−ブチルリチウム(1,5moji!/j!i
n n−ヘキサン> 1.96mA (2,94mm
old、テトラヒドロフランl Qmj2から常法によ
り調製したリチウムジイソプロピルアミド溶液に、−7
8℃でヘキサメチルホスホリックトリアミド659mg
(3,68mmo 1)を加え、さらに実施例1で得
られたT−ラクトン誘導体の(2S、4S)体と(2R
,4S)体の混合物735mg (1,68mmo 1
)のテトラヒドロフラン溶液(5mjりを滴下した。同
温で40分間撹拌した後、ヨウ化メチル696mg(4
,9mmojりを滴下し、さらに2時間撹拌した0反応
溶液に飽和塩化アンモニウム水溶液を加えて室温に戻し
、エーテル抽出を2回行った後、無水硫酸マグネシウム
で乾燥させ溶媒を留去させた。残渣をシリカゲルカラム
クロマトグラフィーで分離精製し、下記で示されるγ−
ラクトン誘導体の(23,43)体130mg、(2R
,4S)体490mgを得た。
)体 6.82−7.25 (8H,m) IR(KBr) 1756 Cm−’(2R,
4S)体 mp 110℃ [α]乙’ 61.03”(cm1.097゜CH
zCI J ’HNMRCCDCl5)δ : 0.85−0.92 (6H,m) 1.27−1.34 (12H,m)1.55−1.
66 (4H,m) 2.52−2.62 (5H,m) 2.72−2.82 (I H,m)4.07−4.
25 (3H,m) 4.89−4.97 (IH,m) mp 105℃ [cr]o’ 16.75 @ (cm1.099
゜CHtCIZ) ’H−NMR(CD Cl s)δ :0.85−0.
9 1 (6H,m)1.27−1.34 (12
H,m)1.55−1.66 (4H,m) 2.36−2.49 (IH−、m)2.5 1−2
.62 (4H,m)2.74−2.85 (IH
,m) 3.91 (IH,dd、 J=9.19゜12.
03Hz) 4.1 2−4.24 (2H,m)4.79−4.
88 (LH,m) 6.80−7.25 (8H,m) IR(KBr) 1764 cm−’実施例2 ジイソプロピルアミン372mg (3,68mmo
l)、n−ブチルリチウム(1,5moji!/j!i
n n−ヘキサン> 1.96mA (2,94mm
old、テトラヒドロフランl Qmj2から常法によ
り調製したリチウムジイソプロピルアミド溶液に、−7
8℃でヘキサメチルホスホリックトリアミド659mg
(3,68mmo 1)を加え、さらに実施例1で得
られたT−ラクトン誘導体の(2S、4S)体と(2R
,4S)体の混合物735mg (1,68mmo 1
)のテトラヒドロフラン溶液(5mjりを滴下した。同
温で40分間撹拌した後、ヨウ化メチル696mg(4
,9mmojりを滴下し、さらに2時間撹拌した0反応
溶液に飽和塩化アンモニウム水溶液を加えて室温に戻し
、エーテル抽出を2回行った後、無水硫酸マグネシウム
で乾燥させ溶媒を留去させた。残渣をシリカゲルカラム
クロマトグラフィーで分離精製し、下記で示されるγ−
ラクトン誘導体の(23,43)体130mg、(2R
,4S)体490mgを得た。
(2S、 4S)体
’HNMR(CDCf3)δ:
0.85−0.91 (6H,m)
1.27−1.38 (12H,m)1.54−1.
62 (4H,m) 1.62 (3H,s) 2.30 (IH,dd、 J=10.61゜12
.88Hz) 2.45−2.63 (4H,m) 2.76 (IH,dd、 J=5.59゜12.
98Hz) 4.04−4.14 (2H,m) 4.52−4.62 (I H,m)6.94 (
4H,dd、J=8.52゜71.75Hz) 7.23 (4H,dd、 J=8.24゜35.
12Hz) IR(neat) 1770 cm−’(2R
,43)体 7.28 (4H,dd、 J=8.15゜57.
37Hz) IR(neat) 1774 cm−’実施例
3 実施例1で得られた下記式で示されるT−ラクトン誘導
体の(2S、4S)体 CHzCl 2) [αコ B’ 31.q 7° (cm1,17
3’H−NMR(CD(43)δ : 0.85−0.92 (6H,m) 1.27−1.34 (12H,m)1.58−1.
63 (4H,m) 1.67 (3H,s) 2.47−2.73 (6H,m) 4.05 (2H,d、J=4.73Hz’)4.8
3−492 (LH,m) 6.90 (4H,dd、J=8.33゜85.76
Hz) と下記式(IV)で示される化合物 とを1:19(重量)の比率で混合した組成物の相転移
温度はDSC測定、偏光顕微鏡による観察の結果以下の
ようであることがわかった。
62 (4H,m) 1.62 (3H,s) 2.30 (IH,dd、 J=10.61゜12
.88Hz) 2.45−2.63 (4H,m) 2.76 (IH,dd、 J=5.59゜12.
98Hz) 4.04−4.14 (2H,m) 4.52−4.62 (I H,m)6.94 (
4H,dd、J=8.52゜71.75Hz) 7.23 (4H,dd、 J=8.24゜35.
12Hz) IR(neat) 1770 cm−’(2R
,43)体 7.28 (4H,dd、 J=8.15゜57.
37Hz) IR(neat) 1774 cm−’実施例
3 実施例1で得られた下記式で示されるT−ラクトン誘導
体の(2S、4S)体 CHzCl 2) [αコ B’ 31.q 7° (cm1,17
3’H−NMR(CD(43)δ : 0.85−0.92 (6H,m) 1.27−1.34 (12H,m)1.58−1.
63 (4H,m) 1.67 (3H,s) 2.47−2.73 (6H,m) 4.05 (2H,d、J=4.73Hz’)4.8
3−492 (LH,m) 6.90 (4H,dd、J=8.33゜85.76
Hz) と下記式(IV)で示される化合物 とを1:19(重量)の比率で混合した組成物の相転移
温度はDSC測定、偏光顕微鏡による観察の結果以下の
ようであることがわかった。
C;エコ二S m C” ;==S m A ;::
1またこの組成物をITO膜を付してポリイミドを塗布
しラビングした2枚のガラス基板で構成した厚さ2μm
のセルに注入してVP−P=20Vを印加したときの0
−50%の透過光強度の変化により求めた応答速度は3
0℃で300μsecであった。
1またこの組成物をITO膜を付してポリイミドを塗布
しラビングした2枚のガラス基板で構成した厚さ2μm
のセルに注入してVP−P=20Vを印加したときの0
−50%の透過光強度の変化により求めた応答速度は3
0℃で300μsecであった。
実施例4
実施例1で得られた下記式で示されるγ−ラクトン誘導
体の(2R,4S)体 と実施例3の式(■)化合物とを1:19(重量)の比
率で混合した組成物の相転移温度と応答速度は実施例3
と同様に測定した結果、以下のようであることがわかっ
た。
体の(2R,4S)体 と実施例3の式(■)化合物とを1:19(重量)の比
率で混合した組成物の相転移温度と応答速度は実施例3
と同様に測定した結果、以下のようであることがわかっ
た。
C,23m C”、=?: SmA−、−−1140
μ5ec(3Q℃) 実施例5 実施例2で得られた下記式で示されるγ−ラクトン(2
S、 4S)体 と実施例3の式(IV)化合物とを1:19(重量)の
比率で混合した組成物の相転移温度と応答速度は実施例
3と同様に測定した結果、以下のようであることがわか
った。
μ5ec(3Q℃) 実施例5 実施例2で得られた下記式で示されるγ−ラクトン(2
S、 4S)体 と実施例3の式(IV)化合物とを1:19(重量)の
比率で混合した組成物の相転移温度と応答速度は実施例
3と同様に測定した結果、以下のようであることがわか
った。
C、== S m C” ;=:S m A ;ニー1
150μ5ec(39℃) (発明の効果) 本発明に係る新規な液晶性化合物は、従来の液晶材料と
比較して熱、光に対する安定性がよく、化学的にも安定
であって強誘電性液晶として優れた性質を有し、応答速
度の著しく速い液晶材料を与える。
150μ5ec(39℃) (発明の効果) 本発明に係る新規な液晶性化合物は、従来の液晶材料と
比較して熱、光に対する安定性がよく、化学的にも安定
であって強誘電性液晶として優れた性質を有し、応答速
度の著しく速い液晶材料を与える。
Claims (3)
- (1)一般式( I ) ▲数式、化学式、表等があります▼( I ) (式( I )中、R^1、R^2はそれぞれ独立して炭
素数1〜15のアルキル基又は炭素数2〜15のアルケ
ニル基であって、それぞれ不斉炭素原子を含んでいても
よい基、Xは水素原子又はメチル基、A、Bはそれぞれ
独立して▲数式、化学式、表等があります▼又は▲数式
、化学式、表等があります▼を表わし、*の符 号は不斉炭素原子を表わす) で表わされる光学活性T−ラクトン環を有する化合物。 - (2)請求項1記載の化合物の少なくとも1種を含有す
ることを特徴とする液晶組成物。 - (3)請求項2記載の液晶組成物を用いてなる電気光学
素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2223183A JPH04103577A (ja) | 1990-08-24 | 1990-08-24 | 液晶性化合物およびその用途 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2223183A JPH04103577A (ja) | 1990-08-24 | 1990-08-24 | 液晶性化合物およびその用途 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04103577A true JPH04103577A (ja) | 1992-04-06 |
Family
ID=16794108
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2223183A Pending JPH04103577A (ja) | 1990-08-24 | 1990-08-24 | 液晶性化合物およびその用途 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04103577A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100445477B1 (ko) * | 2001-12-20 | 2004-08-21 | 주식회사 엘지이아이 | 냉장고용 제빙트레이 장치 |
-
1990
- 1990-08-24 JP JP2223183A patent/JPH04103577A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100445477B1 (ko) * | 2001-12-20 | 2004-08-21 | 주식회사 엘지이아이 | 냉장고용 제빙트레이 장치 |
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