JPH04105336A - Ｔａｂ式半導体装置等の接続構造 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 ［産業上の利用分野］ 本発明は、ポリイミドフィルムの如き可撓性のフィルム
に、半導体素子を搭載してフィルムに設けたインナーリ
ードと接続してなるＴＡＢ式半導体装置、あるいは上記
のフィルムにリードを設けてなるフレキシブルテープを
、基板に設けたパターンに接続するＴＡＢ式半導体装置
等の接続構造に関するものである。

［従来の技術］ ポリイミドフィルムの如き可撓性のフィルムに、半導体
素子を搭載してフィルムに設けたリードと接続したいわ
ゆるＴＡＢ式半導体装置は広く実用に供されている。ま
た、上記のフィルムに多数のリードを設け、その可撓性
を利用して基板間等を接続するフレキシブルテープも実
用化されている。

第３図は従来のこの種接続構造の一例を示す模式図、第
４図はその要部の拡大図である。図において、（１）は
例えば液晶パネルを構成するガラス基板で、その外縁に
は多数の電極パターン（２）が設けられている。（１１
）はＴＡＢ式半導体装置で、可撓性のフィルム（１２）
の中央部には半導体素子（１３）が搭載され、その電極
はフィルム（１２）に形成したリード（１４）にそれぞ
れ接続されている。

なお、（５）は例えばプリント基板、（１５）は多数の
リード（ＩＢ）が形成され、ガラス基板（１）に設けら
れた電極パターンとプリント基板（５）に設けられた電
極パターンとを電気的に接続するフレキシプルテープで
ある。

上記のようなガラス基板（１）の電極パターン（２）に
半導体装置（１１）のリード（１４）を接続するには、
第５図に示すようにガラス基板（１）の電極パターン（
２）に半導体装置（１１）のリード（Ｉ４）を整合（位
置合せ）させて両者の間に異方性接着フィルム（４）を
介装し、フィルム（１２）を加熱かつ加圧して電極パタ
ーン（２）にリード（１４）を接続する。

ガラス基板（１）とプリント基板（５）に対するフレキ
シブルテープ（１５）の接続も上記と同様にして行なわ
れる。

［発明が解決しようとする課題］ 上記のようなガラス基板（１）やプリント基板（５）と
ＴＡＢ式半導体装置（１１）又はフレキシブルテープ（
１５）との接続構造においては、異方性接着フィルム（
４）で両者を接続する際、熱と圧力とによってフィルム
（１２）が伸びるため、電極パターン（２）とリード（
１４）との位置が整合しなくなり、第５図、第６図に示
すように両者の間に位置ずれ（α）が生じて一部の電極
パターン（２）とリード（１４）との間に充分な接続面
積か得られない場合か生し、ときとしてリード（１４）
が電極パターンク２）がら外れてしまい接続できなくな
ることもある。

また、接続後においても熱によって異方性接着フィルム
（４）がゆるみ、信頼性を損うことがあった。

このような位置ずれ傾向は、第７図に示すように接続ピ
ッチが小さくなるほど著しがった。

本発明は、上述の課題を解決すべくなされたもので、位
置ずれを生ずるおそれのないパターンとリードとの接続
構造を得ることを目的としたものである。

［課題を解決するための手段］ 本発明に係るＴＡＢ式半導体装置の接続構造は、基板の
パターンを形成する位置に、ＴＡＢ式半導体装置等のリ
ードと同じピッチでがっこのリードの幅より広い幅の凹
部を設け、この凹部の底部にパターンを形成したもので
ある。

［作　用コ 基板のパターンにＴＡＢ式半導体装置等のり一部を位置
合せしてリードを基板の凹部内にそれぞれ嵌入し、接合
材料によりパターンとリードを接続する。

［実施例］ 第１図は本発明実施例を模式的に示した断面図、第２図
はその一部拡大図である。なお、第５図で説明した従来
技術と同じ部分に同じ符号を付し、説明を省略する。（
３）はガラス基板（１）の電極パターン（２）を形成す
る位置に、リード（１４）と同じピッチでエツチング等
により形成した凹部で、実施例ではその深さ（ａ）を５
〜３５−１幅（ｂ）をリード（１４）の幅（ｅ）の１．
２〜１．５倍にした。この凹部（３）の底部には蒸着、
スパッタ等により電極パターン（２）が形成されている
。

上記のような凹部（３）内に電極パターン（２）を設け
たガラス基板（１）にＴＡＢ式半導体装置（ＩＩ）を接
続するには、先ず、ガラス基板（１）の電極パターン（
２）とＴＡＢ式半導体装置（１１）のリード（１４）と
の位置合せを行なったのち、ガラス基板（１）の凹部（
３）内に例えば異方性接着フィルム（４）を挿入する。

ついで、ＴＡＢ式半導体装置（１１）を下降させてその
リード（１４）をそれぞれ四部（３）内に嵌入し、フィ
ルム（１２）を加熱かつ加圧して電極パターン（２）に
リード（１４）を接続する。

この場合、四部（３〉の幅（ｂ）はリード（１４）の幅
（Ｃ）の１．２〜１．５倍程度に形成されているので、
電極パターン（２）とリード（１４）との位置合せは多
少ラフであっても両者を確実に接続できるため、位置合
せがきわめて容易になる。また、接続の際、加熱、加圧
によりフィルム（１２）が多少伸びても、上述のように
凹部（３）　、したがって電極パターン（２）の幅（ｂ
）をリード（１４）の幅（ｃ）より大きく形成して裕度
をもたせであるため充分にカバーでき、接続不良を生じ
るようなことはない。

さらに、リード（１４）の厚さ方向の大部分が凹部（３
）内に収容されるため、ガラス基板（１）とフィルム（
１２）との間に形成される空間が少なく、したがってこ
の空間に充填される異方性接着フィルム（４）の容積も
小さい。このため、若し熱によって異方性接着フィルム
（４）がゆるんでも信頼性を損うことはない。

ＴＡＢ式半導体装置（１１）又はフレキシブルテープ（
１５）に設けたリード（１４）と、ガラス基板（１）に
設けた電極パターン（２）の、ピッチごとの幅と間隔（
ギャップ）との関係の一例を表１に示す。

表１ 上記表１の各種のピッチごとに、従来技術と本発明とに
よってガラス基板（１）の電極パターン（２）にＴＡＢ
式半導体装置（１１）のリード（■４）を異方性接続フ
ィルム（４）を使用して接続し、その位置ずれ（α）を
調査した結果を第７図に示す。図から明らかなように、
従来技術では接続ピッチが小さくなる（ファインパター
ン）はど位置ずれ（α）が大きくなり、接続ピッチ１０
０Ｉａ＋の場合は３５１ａ１（電極パターン（２）の幅
５０−の７０％）に達することがあり、歩留りが低かっ
た。

これに対して本発明においては接続ピッチの大小にかか
わらず位置ずれは零であり、歩留り及び信頼性の高い接
続構造が得られた。

上記の説明では、ガラス基板（１）に凹部（３）を形成
し、この凹部（３）内に設けた電極パターン（２）に、
ＴＡＢ式半導体装置（１１）又はフレキシブルテープ（
Ｉ５）に設けたリード（１４）を接続する場合について
述べたが、ガラス基板以外の基板にも本発明を実施する
ことができる。

また、上記の実施例では電極パターン（２）とリード（
１４）とを異方性接着フィルム（４）で接続する場合に
ついて述べたが、本発明においては、はんだ、導電性接
着剤等、各種の接合材料を使用することができる。

［発明の効果］ 以上の説明から明らかなように、本発明は基板のパター
ンの位置にＴＡＢ式半導体装置等のリードの幅より広い
幅の四部を設け、各四部の底部にパターンを形成してＴ
ＡＢ式半導体装置等のリードを接続するようにしたので
、次のような効果を得ることができる。

（１）パターンとリードとの位置合せは多少ラフでも両
者を確実に接続することにかできる。

（２）リードをリードの幅より広い基板の凹部に嵌入し
てパターンと接続するので、加熱、加圧等によりフィル
ムが若干伸びても両者を確実に接続することができる。

（３）リードが基板の凹部内に収容されるので基板とフ
ィルムとの間に形成される空間が少なく、シたがってこ
の空間に充填される接合材料の容積もまた小さい。この
ため熱によって接合材料がゆるんでも信頼性を損うこと
はない。

（４）これらのことから、作業が容易でその上歩留り及
び信頼性が高く、ファインパターン化のできる接続構造
を得ることができる。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明実施例を模式的に示した断面図、第２図
はその一部拡大図、第３図はガラス基板等とＴＡＢ式半
導体装置等の接続例を示す模式図、第４図はその一部拡
大図、第５図は従来のガラス基板とＴＡＢ式半導体装置
との接続例を模式的に示した断面図、第６図は電極パタ
ーンとリードとの位置ずれ状態を示す説明図、第７図は
接続ピッチと位置ずれとの関係を示す線図である。 （１）ニガラス基板、（２）：電極パターン、（３）：
凹部、（５）ニブリント基板、（１１）：ＴＡＢ式半導
体装置、（１２）　：フィルム、（１４）　：リード、
（１５）　：フレキシブルテープ。 なお、図中同一符号は同一、又は相当部分を示す。

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 　ＴＡＢ式半導体装置、フレキシブルテープ等のリード
   を基板に設けたパターンに接続する接続構造において、 前記基板のパターンを形成する位置に前記リードと同じ
   ピッチでかつ該リードの幅より広い幅の凹部を設け、該
   凹部の底部にパターンを形成したことを特徴とするＴＡ
   Ｂ式半導体装置等の接続構造。