JPH0410616Y2

JPH0410616Y2 -

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Publication number: JPH0410616Y2
Application number: JP17622085U
Authority: JP
Priority date: 1985-11-15
Filing date: 1985-11-15
Publication date: 1992-03-16
Also published as: JPS6284085U

Description

【考案の詳細な説明】産業上の利用分野本考案は薄膜ELパネルに関し、詳しくは各種
情報のデイスプレイをEL〔電界発光〕で行う薄膜
ELマトリクス型デイスプレイパネルに関するも
のである。

従来の技術薄膜ELマトリクス型デイスプレイパネルは、
ガラスパツケージ構造のものが一般的で、その構
造例を第８図及び第９図を参照しながら説明す
る。尚、第８図の左半分はＸ方向の断面図、右半
分はＸ方向と直交するＹ方向の断面図を示す。同
図において、１は透光性を有するガラス基板、２
は該ガラス基板１上に形成されたマトリクス型の
薄膜EL素子である。上記薄膜EL素子２におい
て、３はガラス基板１上にI.T.0.を蒸着法やスパ
ツタ法でＸ方向に沿つて所定のピツチで形成した
多数のストライプ状の透明電極、４は透明電極３
上を覆うY₂O₃等の透明な第１の誘電体層、５は
第１の誘電体層４上に積層形成したZnS：Mn等
の発光層、６は該発光層５上を覆うY₂O₃等の透
明な第２の誘電体層、７は第２の誘電体層６上に
Ｙ方向に沿つて所定ピツチで多数のストライプ状
に形成したAl蒸着膜による背面電極である。８
はガラス基板１上にエポキシ樹脂等の接着剤９を
介して固着されて前記薄膜EL素子２を気密封止
する逆皿状のカバーガラスで、ガラス基板１と共
働して薄膜EL素子２を封入する外囲器１０を構
成する。１１は薄膜EL素子２の耐湿性を向上さ
せるため、外囲器１０の内部空間に充填された絶
縁性保護流体のシリコンオイルで、カバーガラス
８の一部に形成された穴１２から注入され、注入
後、上記穴１２は蓋板１３で密閉される〔特公昭
59−2157号公報〕。

ところで、上記透明電極３と背面電極７の各一
端部は、ガラス基板１の周辺部に延設されて、
各々の延設端部はガラス基板１の周辺部上に形成
された端子部１４，１５に重畳接続される。これ
らの端子部１４，１５は同一の構造を有し、例え
ば、端子部１５は、第９図に示すように金属の多
層体で、例えばガラスとなじみの良いTiからな
る最下層１５ａ、Alからなる中間層１５ｂ、及
び半田となじみの良いNiからなる最上層１５ｃ
の３層構造である。そして、第８図Ｘ方向に沿つ
て配設された透明電極３側の端子部１４は、透明
電極３の延設端部上に重畳して形成され、一方、
Ｙ方向に沿つて配設された背面電極７側の端子部
１５上には、背面電極７の延設端部が重畳して形
成される。１６は薄膜EL素子２の電極外部引出
し用のフレキシブルリードで、プラスチツクフイ
ルム１７に銅箔等の外部リード１８を多数被着形
成したものであり、外囲器１０から露出する多数
の端子部１４，１５上に対応する外部リード１８
の端部が半田にて電気的及び機械的に接続される
〔特開昭60−15682号公報〕。

考案が解決しようとする問題点ところで、上記薄膜EL素子２の周縁部では、
第１０図に示すように、第１の誘電体層４及び第
２の誘電体層６の厚みのため、ガラス基板１に対
して段差ｈが生じる。また、上記発光層５の形成
に際しては、耐湿性の向上を図るため、該発光層
５の面積が第１の誘電体層４の面積よりも小さく
なるように発光層５を第１の誘電体層４上に積層
し、更に上記発光層５を覆うように第２の誘電体
層６を発光層５上に形成している。そのため、上
記第２の誘電体層６の周縁部で段差h′が生じる。
この場合、特に薄膜EL素子２の背面電極側周縁
部では、第２の誘電体層６上にストライプ状に多
数の背面電極７が蒸着形成されているため、この
部分で段差ｈ，h′が生じていると、第１０図に示
すように、背面電極７が段切れ状態となつて薄膜
EL素子２への通電が不能となり、信頼性も大幅
に低下するという問題点があつた。

問題点を解決するための手段本考案は上記問題点に鑑みて提案されたもの
で、この問題点を解決するための技術的手段は、
透光性基板上に、透明電極、第１の誘電体層、発
光層、第２の誘電体層及び背面電極を順次積層し
てなる薄膜EL素子を形成し、上記透明電極及び
背面電極を外部に引出す端子部を透光性基板の周
辺部に形成し、前記透明電極及び背面電極を前記
端子部に夫々接続した薄膜ELパネルにおいて、
上記薄膜EL素子の高さに、端子部の高さを略一
致させ、薄膜EL素子と端子部間に絶縁体を埋込
み形成すると共に、該絶縁体上に、薄膜EL素子
の第２の誘電体層と端子部とに跨がる背面電極を
形成したものである。

作用本考案に係る薄膜ELパネルによれば、薄膜EL
素子と端子部との高さを略一致させた上で、該薄
膜EL素子と端子部間に絶縁体を、上記薄膜EL素
子及び端子部と略同一高さで埋込み形成すること
により、上記薄膜EL素子、絶縁体及び端子部に
形成される略平面上に、背面電極が段差なく蒸着
形成される。

実施例本考案を第８図に示す薄膜ELマトリクス型デ
イスプレイパネルに適用した実施例を、第１図乃
至第７図を参照しながら説明する。第１図及び第
２図において、２０はガラス基板、２１は該ガラ
ス基板２０上に形成されたマトリクス型の薄膜
EL素子である。この薄膜EL素子２１における、
２２はガラス基板２０上にI.T.O.を蒸着法やスパ
ツタ法でＸ方向に沿つて所定のピツチで形成した
多数のストライプ状の透明電極、２３は透明電極
２２上を覆うY₂O₃等の透明な第１の誘電体層、
２４は第１の誘電体層２３上に積層形成した
ZnS：Mn等の発光層、２５は該発光層２４上に
積層形成したY₂O₃等の透明な第２の誘電体層で
ある。上記第１の誘電体層２３、発光層２４及び
第２の誘電体層２５は、同一のマスクを利用して
外形寸法に順次蒸着形成される。２６は上記第２
の誘電体層２５上にＹ方向に沿つて所定ピツチで
多数のストライプ状に形成したAl蒸着膜による
背面電極、２７，２８は上記透明電極２２及び背
面電極２６を外部に引出すため、ガラス基板２０
の周辺部上に形成された端子部で、従来と同様、
Ti等の最下層２７ａ，２８ａ、Al等の中間層２
７ｂ，２８ｂ及びNi等の最上層２７ｃ，２８ｃ
からなる３層構造の金属多層体である。この端子
部２７，２８の高さは、薄膜EL素子２１、即ち
第２の誘電体層２５までの高さに略一致するよう
設定される。２９，３０は薄膜EL素子２１と端
子部２７，２８間にCVD法や蒸着法で埋込み形
成されたSiO₂やAl₂O₃等の絶縁体で、後述するよ
うに上記薄膜EL素子２１及び端子部２７，２８
の高さと略一致するように形成する。上記薄膜
EL素子２１の周端面に露呈した発光層２４は、
この絶縁体２９，３０によつて保護される。上記
透明電極２２と背面電極２６の各一端部は、ガラ
ス基板２０の周辺部に延設され、第１図Ｘ方向に
沿つて配設された透明電極側の端子部２７は、透
明電極２２の延設端部上に重畳される。一方、背
面電極２６の延設端部は、絶縁体３０を介して、
第１図Ｙ方向に沿つて配設された背面電極側の端
子部２８上に跨がつて重畳される。

３１は従来と同様に、薄膜EL素子２１を気密
封止するカバーガラスで、ガラス基板２０と共働
して上記薄膜EL素子２１の外囲器３２を構成す
る。３３は外囲器３２の内部空間に充填された絶
縁性保護流体の一例としてのシリコンオイルで、
カバーガラス３１の一部に形成された穴３４から
注入され、注入後に上記穴３４は蓋板３５で密閉
される。また、３６も従来と同様に、薄膜EL素
子２１の電極外部引出し用のフレキシブルリード
で、プラスチツクフイルム３７に銅箔等の外部リ
ード３８を多数被着形成したものであり、前記端
子部２７，２８上に対応する外部リード３８の端
部が半田にて電気的及び機械的に接続される。

ところで、前記絶縁体２９，３０は、フオトリ
ソグラフイーのリフトオフ法を利用して、第３図
乃至第６図に示す要領にて形成される。まず、第
３図に示すようにガラス基板２０上に薄膜EL素
子２１及び端子部２８を形成した上で、該薄膜
EL素子２１、端子部２８及びガラス基板２０上
にレジスト膜３９を被着形成する。そしてこのレ
ジスト膜３９の所定部位、即ち薄膜EL素子２１
と端子部２８間を、マスク〔図示せず〕を利用し
て、第４図に示すように窓明けする。このレジス
ト膜３９の窓明けは、例えば１種類のレジスト材
を使用してその上層部のみにクロルベンゼン等の
有機溶剤を含浸させ、その部分での現像液に対す
る溶解速度を、下層部の溶解時間よりも遅らせる
ことにより、薄膜EL素子２１と端子部２８間の
寸法l₁よりも小さい寸法l₂の開口部４０を形成し
て段差を設ける。或いはレジスト膜３９の上層部
と下層部とで、現像液に対する溶解速度が異なる
２種類のレジスト材を使用することも可能であ
る。上記レジスト膜３９の窓明け後、第５図に示
すように薄膜EL素子２１と端子部２８間のガラ
ス基板２０上、及びレジスト膜３９上にSiO₂や
Al₂O₃等の絶縁体３０を電子ビーム蒸着法やCVD
法により被着形成する。この時、レジスト膜３９
の開口部４０に段差があるため、絶縁体３０がガ
ラス基板２０上に形成される部分とレジスト膜３
９上に形成される部分との間で確実に段切れ状態
となり、後述するレジスト膜３９及びその上の絶
縁体３０の除去が容易となる。そして上記絶縁体
３０を薄膜EL素子２１及び端子部２８と略同一
高さに形成した後、有機溶剤中に浸漬して、第６
図に示すようにレジスト膜３９を、その上の絶縁
体３０と共に除去する。その後、前述の背面電極
２６を、絶縁体３０上に、第２の誘電体層２５及
び端子部２８間に跨がつてAlによる電子ビーム
蒸着や抵抗線加熱蒸着により被着形成する。上記
背面電極２６は、第２の誘電体層２５、絶縁体３
０及び端子部２８によつて形成される略平面上に
段差を生じることなく被着される。尚、透明電極
側の端子部２７と薄膜EL素子２１間の絶縁体２
９も、上述した絶縁体３０の形成と同時に形成さ
れる。

また上記実施例では、第１の誘電体層２３、発
光層２４及び第２の誘電体層２５を同一形状のマ
スクで積層形成した薄膜EL素子２１について説
明したが、本考案はこれに限定されることなく、
例えば第７図に示すように従来と同一構造の薄膜
EL素子２、即ち発光層５の面積を、第１、第２
の誘電体層４，６よりも小さく形成して、該発光
層５が第１、第２の誘電体層４，６によつて完全
に囲繞されるようにした薄膜EL素子２について
も適用可能である。この場合も、前述と同一要領
で上記薄膜EL素子２と端子部２８間のガラス基
板１上に絶縁体３０′を埋込み形成し、該絶縁体
３０′上に第２の誘電体層６と端子部２８に跨が
るように背面電極２６′を被着形成する。この場
合、上記薄膜EL素子２の透明電極側周縁部では、
発光層５の端面が第２の誘電体層６で覆われてい
るため、薄膜EL素子２と端子部〔図示せず〕間
には必ずしも絶縁体を必要としない。しかし、絶
縁体を設けた方が、カバーガラスの取付けに際し
て、ガラス基板の透明電極側と背面電極側の周縁
部で絶縁体３０′の有無で段差を生じることがな
く、カバーガラスをガラス基板上に固着する際に
有利である。

なお以上、薄膜EL素子が一層形成した例につ
いて説明したが、本考案は、これに限定されるこ
となく、例えば異色の薄膜EL素子を多層形成し
た多色発光ELパネルに適用した場合は非常に有
効である。

考案の効果本考案に係る薄膜ELパネルによれば、薄膜EL
素子と端子部の高さを略一致させ、薄膜EL素子
と端子部間に両者と略同一高さの絶縁体を埋込み
形成すると共に、該絶縁体上に、上記薄膜EL素
子と端子部とに跨がる背面電極を形成したから、
上記背面電極が段切れ状態となることなく、背面
電極の断線を未然に防止することが可能となつ
て、信頼性の高い薄膜ELパネルを提供すること
が実現容易となる。

【図面の簡単な説明】

第１図は本考案に係る薄膜ELパネルの一実施
例を示す断面図、第２図は第１図の要部拡大断面
図、第３図乃至第６図は絶縁体の形成要領を説明
するための各工程の要部拡大断面図、第７図は本
考案の他の実施例を示す要部拡大断面図である。
第８図は薄膜ELパネルの従来例を示す断面図、
第９図は第８図の要部拡大断面図、第１０図は背
面電極の断切れ状態を説明するための要部拡大断
面図である。２０……透光性〔ガラス〕基板、２１……薄膜
EL素子、２２……透明電極、２３……第１の誘
電体層、２４……発光層、２５……第２の誘電体
層、２６……背面電極、２７，２８……端子部、
２９，３０……絶縁体。

Claims

【実用新案登録請求の範囲】透光性基板上に、透明電極、第１の誘電体層、
発光層、第２の誘電体層及び背面電極を順次積層
してなる薄膜EL素子を形成し、上記透明電極及
び背面電極を外部に引出す端子部を透光性基板の
周辺部に形成した薄膜ELパネルにおいて、上記薄膜EL素子の高さに、端子部の高さを略
一致させ、薄膜EL素子と端子部間に絶縁体を埋
込み形成すると共に、該絶縁体上に、薄膜EL素
子の第２の誘電体層と端子部とに跨がる背面電極
を形成したことを特徴とする薄膜ELパネル。