JPH0410619Y2 - - Google Patents
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- JPH0410619Y2 JPH0410619Y2 JP15749285U JP15749285U JPH0410619Y2 JP H0410619 Y2 JPH0410619 Y2 JP H0410619Y2 JP 15749285 U JP15749285 U JP 15749285U JP 15749285 U JP15749285 U JP 15749285U JP H0410619 Y2 JPH0410619 Y2 JP H0410619Y2
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- Japan
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- integrated circuit
- film
- anisotropic conductive
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- Expired
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Landscapes
- Liquid Crystal (AREA)
- Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
Description
【考案の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この考案は、液晶表示板に表示用信号を供給す
る集積回路（以下ICと略す）を、液晶表示板上
に実装する構造に関する。
る集積回路（以下ICと略す）を、液晶表示板上
に実装する構造に関する。
この考案は、液晶表示板のガラス基板上に設置
した金属配線パターン上に、異方性導電膜を介し
てICをフエースダウンで実装する構造において、
ICのバンプ部分を開孔した高分子絶縁フイルム
を、ICのフエース面と、異方性導電膜の間に挿
入することにより、異方性導電膜中の導電物質お
よび接着剤をICのフエース面に接することを防
止し、信頼性を向上させるようにしたものであ
る。
した金属配線パターン上に、異方性導電膜を介し
てICをフエースダウンで実装する構造において、
ICのバンプ部分を開孔した高分子絶縁フイルム
を、ICのフエース面と、異方性導電膜の間に挿
入することにより、異方性導電膜中の導電物質お
よび接着剤をICのフエース面に接することを防
止し、信頼性を向上させるようにしたものであ
る。
従来、液晶表示板の表示用信号ICの実装は、
ガラスエポキシ基板上に設置し、フレキシブル基
板を用いて、液晶表示板へ電気的に接続する方式
が採用されていた。この方法では表示用画素のピ
ツチの微細化に対応しきれなくなりつつある。そ
こで、第２図のごとく、液晶表示板のガラス基板
８上にIC５を設置し、IC５のバンプ２とガラス
基板８上に設置したリード電極７の間に、接着剤
に導電体を分散させた異方性導電膜１を介して、
電気的に導通させ、IC５の外側に枠６を設置し、
モールド剤４をコーテイングする実装方式が進め
られている。
ガラスエポキシ基板上に設置し、フレキシブル基
板を用いて、液晶表示板へ電気的に接続する方式
が採用されていた。この方法では表示用画素のピ
ツチの微細化に対応しきれなくなりつつある。そ
こで、第２図のごとく、液晶表示板のガラス基板
８上にIC５を設置し、IC５のバンプ２とガラス
基板８上に設置したリード電極７の間に、接着剤
に導電体を分散させた異方性導電膜１を介して、
電気的に導通させ、IC５の外側に枠６を設置し、
モールド剤４をコーテイングする実装方式が進め
られている。
しかし従来の方法は、異方性導電膜１に使用さ
れる導電体の大きさが、IC５のバンプ２の凸高
さより小でなければ、IC５を背面より加熱、加
圧し、異方性導電膜１を硬化させる際、IC５の
フエース面とガラス基板８の間の導電体が、IC
５のパツシベーシヨン膜を破壊する現象が生ず
る。また、IC５のパツシベーシヨン膜に直接、
異方性導電膜１の接着剤が接触しているため信頼
性を低下させてしまう。
れる導電体の大きさが、IC５のバンプ２の凸高
さより小でなければ、IC５を背面より加熱、加
圧し、異方性導電膜１を硬化させる際、IC５の
フエース面とガラス基板８の間の導電体が、IC
５のパツシベーシヨン膜を破壊する現象が生ず
る。また、IC５のパツシベーシヨン膜に直接、
異方性導電膜１の接着剤が接触しているため信頼
性を低下させてしまう。
前記問題点を解決するためIC５のパツシベー
シヨン膜を厚くし、導電体により破壊されないよ
うにすることが考えられるが、ICコストが高く、
かつ使用する材料の制約を受ける。そこで本考案
は、IC５は一般の金バンプを使用し、高分子絶
縁フイルム３をあらかじめバンプ２部分を開孔
し、ガラス基板８上に異方性導電膜１を設置し、
前記高分子絶縁フイルム３を設置した後、IC５
をセツトし、高分子絶縁フイルム３の開孔部の異
方性導電膜１で、バンプ２と電気的に導通させ
た。
シヨン膜を厚くし、導電体により破壊されないよ
うにすることが考えられるが、ICコストが高く、
かつ使用する材料の制約を受ける。そこで本考案
は、IC５は一般の金バンプを使用し、高分子絶
縁フイルム３をあらかじめバンプ２部分を開孔
し、ガラス基板８上に異方性導電膜１を設置し、
前記高分子絶縁フイルム３を設置した後、IC５
をセツトし、高分子絶縁フイルム３の開孔部の異
方性導電膜１で、バンプ２と電気的に導通させ
た。
本考案は上記のように構成するため、異方性導
電膜１の導電体により、IC５のパツシベーシヨ
ン膜が破壊されることがなく、一般のバンプIC
が使用できる。また高分子絶縁フイルム３のため
直接IC５のパツシベーシヨン膜に接触しても信
頼性を低下させることがなく、使用する異方性導
電膜１の導電体の大きさのバラツキをあまり気に
することなくできるので異方性導電膜１の自由度
が高くなる。
電膜１の導電体により、IC５のパツシベーシヨ
ン膜が破壊されることがなく、一般のバンプIC
が使用できる。また高分子絶縁フイルム３のため
直接IC５のパツシベーシヨン膜に接触しても信
頼性を低下させることがなく、使用する異方性導
電膜１の導電体の大きさのバラツキをあまり気に
することなくできるので異方性導電膜１の自由度
が高くなる。
以下に本考案の実施例を図面にもとづいて説明
する。第１図は本考案の断面を示す略図である。
第１図において、ガラス基板８に異方性導電膜１
を貼り付け、保護フイルムをハクリする。あらか
じめバンプ２部のみ開孔した高分子絶縁フイルム
３を、異方性導電膜１上にセツトし、貼り付け
る。IC５をフエースダウンで、前記高分子絶縁
フイルム３の開孔部とIC５のバンプ２を合わせ
セツトし、IC５の背面より、温度130℃〜170℃、
圧力５Kg／cm2〜50Kg／cm2で、数秒〜十数秒保持
し、異方性導電膜１を硬化させ、リード電極７と
IC５のバンプ２を導電体で電気的に接続した。
動作テスト後、シリコン樹脂でIC５の外周部に
枠６を印刷で形成し、モールド剤４をコーテイン
グして表示用信号ICをガラス基板８上に実装し
た。なお高分子絶縁フイルム３のバンプ部の開孔
はドライフイルムのソルダーレジストやメツキマ
スクフイルムで、フオトレジスト法により容易に
作れる。また別方法として、炭酸ガスレーザー
や、YAGレーザーを用いて、能率良く開孔する
ことが可能で、後者の場合は高分子絶縁フイルム
３の材料の自由度が高い利点を持つ。
する。第１図は本考案の断面を示す略図である。
第１図において、ガラス基板８に異方性導電膜１
を貼り付け、保護フイルムをハクリする。あらか
じめバンプ２部のみ開孔した高分子絶縁フイルム
３を、異方性導電膜１上にセツトし、貼り付け
る。IC５をフエースダウンで、前記高分子絶縁
フイルム３の開孔部とIC５のバンプ２を合わせ
セツトし、IC５の背面より、温度130℃〜170℃、
圧力５Kg／cm2〜50Kg／cm2で、数秒〜十数秒保持
し、異方性導電膜１を硬化させ、リード電極７と
IC５のバンプ２を導電体で電気的に接続した。
動作テスト後、シリコン樹脂でIC５の外周部に
枠６を印刷で形成し、モールド剤４をコーテイン
グして表示用信号ICをガラス基板８上に実装し
た。なお高分子絶縁フイルム３のバンプ部の開孔
はドライフイルムのソルダーレジストやメツキマ
スクフイルムで、フオトレジスト法により容易に
作れる。また別方法として、炭酸ガスレーザー
や、YAGレーザーを用いて、能率良く開孔する
ことが可能で、後者の場合は高分子絶縁フイルム
３の材料の自由度が高い利点を持つ。
この考案は以上説明したように、IC５とガラ
ス基板８の間に高分子絶縁フイルム３を設置して
いるので、異方性導電膜１が直接IC５のフエー
ス面に触れないので信頼性もあり、また高分子絶
縁フイルム３によりIC５のパツシベーシヨン膜
が破壊されることがなくなり信頼性を向上させる
ことができる。
ス基板８の間に高分子絶縁フイルム３を設置して
いるので、異方性導電膜１が直接IC５のフエー
ス面に触れないので信頼性もあり、また高分子絶
縁フイルム３によりIC５のパツシベーシヨン膜
が破壊されることがなくなり信頼性を向上させる
ことができる。
第１図は本考案の断面を示す略図で、第２図は
従来の構造を示す断面を示す略図である。 １……異方性導電膜、２……バンプ、３……高
分子絶縁フイルム、４……モールド剤、５……
IC、６……枠、７……リード電極、８……ガラ
ス基板。
従来の構造を示す断面を示す略図である。 １……異方性導電膜、２……バンプ、３……高
分子絶縁フイルム、４……モールド剤、５……
IC、６……枠、７……リード電極、８……ガラ
ス基板。
Claims (1)
- 【実用新案登録請求の範囲】 (1) 液晶表示板のリード電極部に集積回路をフエ
ースダウンで実装する構造において、 液晶表示板の集積回路を設置する部分に接着
剤に導電体物質を分散させた異方性導電膜を設
置し、 前記集積回路の電極部のみ開口した開口部を
有する高分子絶縁フイルムを、前記開口部の位
置に前記集積回路の電極パツトを合わせて、前
記異方性導電膜の上に設置し、 集積回路の電極パツトと液晶表示板を前記導
電体物質を介して電気的に接続する液晶表示板
の集積回路実装構造。 (2) 前記集積回路の電極パツトに、金のバンプを
設置し、バンプの高さが、前記高分子絶縁フイ
ルムの厚さと同等以上である実用新案登録請求
の範囲第(1)項記載の集積回路実装構造。 (3) 前記高分子絶縁フイルムの厚さが10μm以上
ある実用新案登録請求の範囲第(1)項記載の集積
回路実装構造。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15749285U JPH0410619Y2 (ja) | 1985-10-15 | 1985-10-15 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15749285U JPH0410619Y2 (ja) | 1985-10-15 | 1985-10-15 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6265679U JPS6265679U (ja) | 1987-04-23 |
| JPH0410619Y2 true JPH0410619Y2 (ja) | 1992-03-16 |
Family
ID=31080089
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP15749285U Expired JPH0410619Y2 (ja) | 1985-10-15 | 1985-10-15 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0410619Y2 (ja) |
-
1985
- 1985-10-15 JP JP15749285U patent/JPH0410619Y2/ja not_active Expired
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6265679U (ja) | 1987-04-23 |
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