JPH0410643A - 半導体パッケージおよびその製造方法 - Google Patents
半導体パッケージおよびその製造方法Info
- Publication number
- JPH0410643A JPH0410643A JP2114124A JP11412490A JPH0410643A JP H0410643 A JPH0410643 A JP H0410643A JP 2114124 A JP2114124 A JP 2114124A JP 11412490 A JP11412490 A JP 11412490A JP H0410643 A JPH0410643 A JP H0410643A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- semiconductor package
- sealing
- curved surface
- insulating base
- lid
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/851—Dispositions of multiple connectors or interconnections
- H10W72/874—On different surfaces
- H10W72/884—Die-attach connectors and bond wires
Landscapes
- Piezo-Electric Or Mechanical Vibrators, Or Delay Or Filter Circuits (AREA)
- Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は半導体素子を収納するための半導体パッケージ
およびその製造方法に関する。
およびその製造方法に関する。
半導体素子を収納するためのパッケージは、短辺にそっ
た横断面を第８図に示すように、アルミナなどのセラミ
ック材からなる絶縁基体２１と蓋体２２、および外部リ
ード端子２３により構成されている。そして、絶縁基体
２１のキャビティ部２１ａ底面に、金（Ａｕ）などの固
着用材料２５を塗布して、半導体素子２４を固着し、該
半導体素子２４の各電極をワイヤ２６によって外部リー
ド端子２３に接続した後、蓋体２２をかぶせて、互いの
ガラス層２７ａ、 ２７ｂを加熱溶融させ、一体止する
ことによって気密封止するようになっていた。
た横断面を第８図に示すように、アルミナなどのセラミ
ック材からなる絶縁基体２１と蓋体２２、および外部リ
ード端子２３により構成されている。そして、絶縁基体
２１のキャビティ部２１ａ底面に、金（Ａｕ）などの固
着用材料２５を塗布して、半導体素子２４を固着し、該
半導体素子２４の各電極をワイヤ２６によって外部リー
ド端子２３に接続した後、蓋体２２をかぶせて、互いの
ガラス層２７ａ、 ２７ｂを加熱溶融させ、一体止する
ことによって気密封止するようになっていた。
上記半導体パッケージにおいて、外部リード端子２３の
数は２８本程度であったが、近年４０本あるいは４８本
と多くなっている。それに伴い、半導体パッケージを構
成する絶縁基体２１、蓋体２２の長辺方向の長さが５０
ｍｍ以上と長いものが必要となっている。
数は２８本程度であったが、近年４０本あるいは４８本
と多くなっている。それに伴い、半導体パッケージを構
成する絶縁基体２１、蓋体２２の長辺方向の長さが５０
ｍｍ以上と長いものが必要となっている。
ところが、上記５０ｍｍ以上の長辺長さを持つ絶縁基体
２１、蓋体２２をセラミックスで形成すると、焼成時に
±７０μｍ程度のソリが発生することは避けられなかっ
た。
２１、蓋体２２をセラミックスで形成すると、焼成時に
±７０μｍ程度のソリが発生することは避けられなかっ
た。
そのため、第９図に長辺方向の断面図を示すように、絶
縁基体２１、蓋体２２の封止面側が凸状となるようにソ
リが発生すると、ガラス封止時に両端部分でガラス層２
７が開きやすく、シール不良が発生しやすいという問題
点があった。
縁基体２１、蓋体２２の封止面側が凸状となるようにソ
リが発生すると、ガラス封止時に両端部分でガラス層２
７が開きやすく、シール不良が発生しやすいという問題
点があった。
上記に鑑みて本発明は、セラミックパッケージを構成す
る絶縁基体および／または蓋体の封止面をあらかじめ凹
曲面としておくことによって、ガラス封止時に端部が開
くことを防止したものである。
る絶縁基体および／または蓋体の封止面をあらかじめ凹
曲面としておくことによって、ガラス封止時に端部が開
くことを防止したものである。
なお、本発明における凹曲面とは、中央部が端部にくら
べてなめらかに窪んだ形状のことであるが、長方形のパ
ッケージの場合は、少なくとも長辺方向に沿って中央部
が窪んだ形状となっていればよい。
べてなめらかに窪んだ形状のことであるが、長方形のパ
ッケージの場合は、少なくとも長辺方向に沿って中央部
が窪んだ形状となっていればよい。
以下、本発明実施例を図によって説明する。
第１図に長辺方向の断面図を示すように、本発明の半導
体パッケージを構成する絶縁基体１はキャビティ部１ａ
を形成した側の封止面１ｂが深さＸの凹曲面となってい
る。一方蓋体２の封止面２ａも深さｙの凹曲面となって
おり、両者をガラス封止すると、端部が開くことはない
。
体パッケージを構成する絶縁基体１はキャビティ部１ａ
を形成した側の封止面１ｂが深さＸの凹曲面となってい
る。一方蓋体２の封止面２ａも深さｙの凹曲面となって
おり、両者をガラス封止すると、端部が開くことはない
。
また、上記実施例では絶縁基体ｌと蓋体２の両方の封止
面１ｂ、 ２ａを凹曲面としたが、いずれが−方のみを
凹曲面とし、他方を平坦な面としてもよい。
面１ｂ、 ２ａを凹曲面としたが、いずれが−方のみを
凹曲面とし、他方を平坦な面としてもよい。
さらに、上記凹曲面の深さｘ、 ｙについては、それ
ぞれ０〜１００μｍの範囲内とすればよく、絶縁基体ｌ
と蓋体２の両方の封止面１ｂ、 ２ａを凹曲面とする場
合は、深さｘ、 ｙの和が０〜１００μｍとなるよう
にすれば良い。
ぞれ０〜１００μｍの範囲内とすればよく、絶縁基体ｌ
と蓋体２の両方の封止面１ｂ、 ２ａを凹曲面とする場
合は、深さｘ、 ｙの和が０〜１００μｍとなるよう
にすれば良い。
＝ ３
また、第１図に示す形状の絶縁基体１、蓋体２を製造す
るためには、第２図に示すように、ダイ１１１上パンチ
１２、第１下パンチ１３、第２下パンチ１４からなるプ
レス成形装置において、第１下パンチ１３の押圧面を凸
状としておき、セラミック原料粉末１５をプレス成形し
、得られた成形体を焼成することによって製造すること
ができる。
るためには、第２図に示すように、ダイ１１１上パンチ
１２、第１下パンチ１３、第２下パンチ１４からなるプ
レス成形装置において、第１下パンチ１３の押圧面を凸
状としておき、セラミック原料粉末１５をプレス成形し
、得られた成形体を焼成することによって製造すること
ができる。
次に本考案の他の実施例を説明する。
第３図に長辺方向の断面図を示すように、本考案の半導
体パッケージを構成する絶縁基体１は、キャビティ部１
ａを形成した側の封止面１ｂが、深さＸの凹曲面となっ
ており、この封止面１ｂのキャビティ部１ａ周辺に、高
さ１００μｍ以下の微小な突起１ｃが複数個形成しであ
る。一方蓋体２の封止面２ａは平坦な面となっており、
両者を、ガラス封止すると、端部が開くことはない。
体パッケージを構成する絶縁基体１は、キャビティ部１
ａを形成した側の封止面１ｂが、深さＸの凹曲面となっ
ており、この封止面１ｂのキャビティ部１ａ周辺に、高
さ１００μｍ以下の微小な突起１ｃが複数個形成しであ
る。一方蓋体２の封止面２ａは平坦な面となっており、
両者を、ガラス封止すると、端部が開くことはない。
また、前記実施例と同様に、絶縁基体１と蓋体２の両方
の封止面１ｂ、 ２ａを凹曲面としたり、あるいは蓋体
２の封止面２ａのみを凹曲面として、絶縁基体ｌの封止
面１ｂを平坦面とすることもできる。
の封止面１ｂ、 ２ａを凹曲面としたり、あるいは蓋体
２の封止面２ａのみを凹曲面として、絶縁基体ｌの封止
面１ｂを平坦面とすることもできる。
この場合の凹曲面の深さＸについても前記実施例と同様
に０〜１００μｍとすればよく、絶縁基体１と蓋体２の
両方の封止面１ｂ、 ２ａを凹曲面とする場合は、両方
の深さの和が０〜１００μｍとなるようにすれば良い。
に０〜１００μｍとすればよく、絶縁基体１と蓋体２の
両方の封止面１ｂ、 ２ａを凹曲面とする場合は、両方
の深さの和が０〜１００μｍとなるようにすれば良い。
ここで、第３図に示す絶縁基体１の製造方法を説明する
。
。
まず、第４図に示すように、ダイ１１、上パンチ１２、
第１下パンチ１３、第２下パンチ１４によって構成され
るプレス成形装置を用いてセラミック原料粉末１５をプ
レス成形する（第３図と上下方同道になっている）。こ
のとき、第１下パンチ１３の押圧面は平坦面で、中央部
に微小な凹部１３ａを形成している。
第１下パンチ１３、第２下パンチ１４によって構成され
るプレス成形装置を用いてセラミック原料粉末１５をプ
レス成形する（第３図と上下方同道になっている）。こ
のとき、第１下パンチ１３の押圧面は平坦面で、中央部
に微小な凹部１３ａを形成している。
したがって、このようにしてプレス成形された成形体は
、第５図（ａ）に示すように封止面１ｂが平坦で、かつ
中央部に突起１ｃを有する形状となる。
、第５図（ａ）に示すように封止面１ｂが平坦で、かつ
中央部に突起１ｃを有する形状となる。
そして、この未焼成の絶縁基体１を、突起１ｃを下にし
て棚板１６上に載置し、焼成すると、焼成中に端部がた
れ下がるため、第５図（ｂ）に示すように、絶縁基体ｌ
の封止面１ｂは凹曲面となる。なお、このときの凹曲面
の深さＸは、突起１ｃの高さと同じになるため、突起Ｉ
Ｃの高さを調節することによって、自由に凹形状の深さ
Ｘを調整できる。
て棚板１６上に載置し、焼成すると、焼成中に端部がた
れ下がるため、第５図（ｂ）に示すように、絶縁基体ｌ
の封止面１ｂは凹曲面となる。なお、このときの凹曲面
の深さＸは、突起１ｃの高さと同じになるため、突起Ｉ
Ｃの高さを調節することによって、自由に凹形状の深さ
Ｘを調整できる。
また、上に突起１ｃが封止面に残るが、この突起ｌｃの
高さ以上にガラスを塗布するため、封止時に問題が生じ
ることはない。むしろ、ガラスのスクリーン印刷時に、
上記突起１ｃが高さの目安となり、ガラス厚みのバラつ
きを少なくできるという効果がある。
高さ以上にガラスを塗布するため、封止時に問題が生じ
ることはない。むしろ、ガラスのスクリーン印刷時に、
上記突起１ｃが高さの目安となり、ガラス厚みのバラつ
きを少なくできるという効果がある。
さらに、この実施例では、第３図に示すように、絶縁基
体ｌのキャビティ部１ａの裏面１ｄは凸曲面となるが、
これは、キャビティ部１ａに半導体素子を固着する際に
、固着用材料を溶融させるために下から接触させるヒー
タの熱が伝わり゛やすくなり、非常に好都合である。
体ｌのキャビティ部１ａの裏面１ｄは凸曲面となるが、
これは、キャビティ部１ａに半導体素子を固着する際に
、固着用材料を溶融させるために下から接触させるヒー
タの熱が伝わり゛やすくなり、非常に好都合である。
また、この実施例では第５図（ａ） （ｂ）に示すよう
に焼成時にキャビティ部１ａが下面となるため、キャビ
ティ部ｌａ内にゴミなどが付着することを防止できると
ともに、キャビティ部１ａの裏面１ｄが棚板１６と接触
しないため、キズがつきにくく、さらに、複数の成形体
を重ねて焼成できるなどの効果がある。
に焼成時にキャビティ部１ａが下面となるため、キャビ
ティ部ｌａ内にゴミなどが付着することを防止できると
ともに、キャビティ部１ａの裏面１ｄが棚板１６と接触
しないため、キズがつきにくく、さらに、複数の成形体
を重ねて焼成できるなどの効果がある。
なお、上記突起ＩＣの形状は、第６図（ａ）に示すよう
に、丸型の突起１ｃをキャビティ部１ａの周囲に４個形
成したり、あるいは第６図（ｂ）に示すように、長円形
の突起１ｃをキャビティ部１ａの両側に２個形成すれば
良い。
に、丸型の突起１ｃをキャビティ部１ａの周囲に４個形
成したり、あるいは第６図（ｂ）に示すように、長円形
の突起１ｃをキャビティ部１ａの両側に２個形成すれば
良い。
さらに、本発明の他の実施例を説明する。
上記第３図に示す実施例では、絶縁基体】のキャビティ
部１ａの周囲に突起１ｃを形成したが、逆にキャビティ
部１ａの裏面１ｄの端部に突起を形成することもできる
。たとえば、第７図（ａ）に示すように、絶縁基体１の
裏面１ｄの端部に突起１ｃを有するようにプレス成形し
、この成形体を、突起１ｃを下側にして棚板１６上に載
置し、焼成すれば、中央部が窪むことによって封止面１
ｂを凹曲面とできる。
部１ａの周囲に突起１ｃを形成したが、逆にキャビティ
部１ａの裏面１ｄの端部に突起を形成することもできる
。たとえば、第７図（ａ）に示すように、絶縁基体１の
裏面１ｄの端部に突起１ｃを有するようにプレス成形し
、この成形体を、突起１ｃを下側にして棚板１６上に載
置し、焼成すれば、中央部が窪むことによって封止面１
ｂを凹曲面とできる。
この場合も、前記実施例と同様に、複数の成形体を重ね
て焼成することが可能であり、また、半導体パッケージ
として使用する際に、裏面１ｄに形成したマーキングが
はがれにくいという効果を奏する。
て焼成することが可能であり、また、半導体パッケージ
として使用する際に、裏面１ｄに形成したマーキングが
はがれにくいという効果を奏する。
さらに、第７図（ｂ）に示すように、絶縁基体１の裏面
１ｄの端部が突起状となるように、裏面１ｄ全体を凹曲
面に成形し、この面を下にして焼成すると、中央部が窪
んで、封止面１ｂを凹曲面とすることもできる。
１ｄの端部が突起状となるように、裏面１ｄ全体を凹曲
面に成形し、この面を下にして焼成すると、中央部が窪
んで、封止面１ｂを凹曲面とすることもできる。
次に第３図に示す本発明の半導体パッケージを試作し、
絶縁基体１の封止面１ｂの凹曲面の深さＸをさまざまに
変化させて、蓋体２をガラス封止し、ヘリウムリークテ
ストを行ったときの不良発・生率を調べた。なお、絶縁
基体ｌは黒色アルミナセラミックスからなり、長辺の長
さ５２ｍｍのものを用いた。
絶縁基体１の封止面１ｂの凹曲面の深さＸをさまざまに
変化させて、蓋体２をガラス封止し、ヘリウムリークテ
ストを行ったときの不良発・生率を調べた。なお、絶縁
基体ｌは黒色アルミナセラミックスからなり、長辺の長
さ５２ｍｍのものを用いた。
結果は第１表に示す通り、凹曲面の深さＸを０〜１００
μｍとしたものは優れた結果を示した。
μｍとしたものは優れた結果を示した。
第１表
また、以上の実施例で示したものは長方形のパッケージ
であり、少な（とも長辺方向について封止面が凹曲面と
なっていれば良いが、正方形のパッケージの場合は、互
いに垂直な２辺方向について封止面を凹曲面としておく
必要がある。一般に辺の長さが３０ｍｍ以上ある場合は
その辺方向につぃ−〇 − て封止面を凹曲面とすればよい。
であり、少な（とも長辺方向について封止面が凹曲面と
なっていれば良いが、正方形のパッケージの場合は、互
いに垂直な２辺方向について封止面を凹曲面としておく
必要がある。一般に辺の長さが３０ｍｍ以上ある場合は
その辺方向につぃ−〇 − て封止面を凹曲面とすればよい。
以上のように本発明によれば、半導体パッケージを構成
する絶縁基体および／または蓋体の封止面を凹曲面とし
たことによって、ガラス封止時に端部が開くことによる
シール不良を完全に防止することができる。また、上記
絶縁基体、蓋体の製造方法として、封止面の中央部また
は裏面の端部に突起を有するように成形し、この成形体
を突起が下となるように載置して焼成することよって、
容易に、かつ複数積み重ねて焼成できることから効率的
に、上記凹曲面を形成することができる。
する絶縁基体および／または蓋体の封止面を凹曲面とし
たことによって、ガラス封止時に端部が開くことによる
シール不良を完全に防止することができる。また、上記
絶縁基体、蓋体の製造方法として、封止面の中央部また
は裏面の端部に突起を有するように成形し、この成形体
を突起が下となるように載置して焼成することよって、
容易に、かつ複数積み重ねて焼成できることから効率的
に、上記凹曲面を形成することができる。
第１図は本発明実施例に係る半導体パッケージを構成す
る絶縁基体および蓋体を示す断面図である。第２図は第
１図に示す絶縁基体または蓋体を成形するためのプレス
成形装置を示す断面図である。 第３図は本発明の他の実施例に係る半導体パッケージを
構成する絶縁基体および蓋体を示す断面図である。第４
図は第３図に示す絶縁基体を成形するためのプレス成形
装置を示す断面図である。 第５図（ａ） （−ｂ）は第３図に示す絶縁基体の焼成
工程を示す図、第６図（ａ） （ｂ）は同じく絶縁基体
の平面図である。 第７図（ａ） （ｂ）は本発明のさらに他の実施例に係
る半導体パッケージを構成する絶縁基体の未焼成時の形
状を示す断面図である。 第８図は一般的な半導体パッケージの短辺方向断面図で
ある。第９図は従来の半導体パッケージの長辺方向断面
図である。 １：絶縁基体 １ａ：キャビティ部１ｂ：封止面
１ｃ：突起 １ｄ：裏面 ２：蓋体 ２ａ：封止面
る絶縁基体および蓋体を示す断面図である。第２図は第
１図に示す絶縁基体または蓋体を成形するためのプレス
成形装置を示す断面図である。 第３図は本発明の他の実施例に係る半導体パッケージを
構成する絶縁基体および蓋体を示す断面図である。第４
図は第３図に示す絶縁基体を成形するためのプレス成形
装置を示す断面図である。 第５図（ａ） （−ｂ）は第３図に示す絶縁基体の焼成
工程を示す図、第６図（ａ） （ｂ）は同じく絶縁基体
の平面図である。 第７図（ａ） （ｂ）は本発明のさらに他の実施例に係
る半導体パッケージを構成する絶縁基体の未焼成時の形
状を示す断面図である。 第８図は一般的な半導体パッケージの短辺方向断面図で
ある。第９図は従来の半導体パッケージの長辺方向断面
図である。 １：絶縁基体 １ａ：キャビティ部１ｂ：封止面
１ｃ：突起 １ｄ：裏面 ２：蓋体 ２ａ：封止面
Claims (3)
- （１）半導体素子を収納するためのキャビティ部が形成
された絶縁基体と、前記キャビティ部を封止する蓋体か
らなる半導体パッケージにおいて、前記絶縁基体および
／または蓋体の封止面を凹曲面としたことを特徴とする
半導体パッケージ。 - （２）上記絶縁基体および／または蓋体の、封止面のキ
ャビティ周辺部または封止面の裏面端部に複数個の微小
な突起を備えたことを特徴とする請求項第１項記載の半
導体パッケージ。 - （３）板状体の片面側にキャビティ部を有し、該キャビ
ティ部の周辺部またはキャビティ部の裏面の端部に突起
を有するように、セラミック原料粉末をプレス成形し、
得られた成形体を、前記突起が下になるように棚板上に
載置して焼成することにより、絶縁基体または蓋体の封
止面を凹曲面としたことを特徴とする半導体パッケージ
の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2114124A JP2811021B2 (ja) | 1990-04-27 | 1990-04-27 | 半導体パッケージおよびその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2114124A JP2811021B2 (ja) | 1990-04-27 | 1990-04-27 | 半導体パッケージおよびその製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0410643A true JPH0410643A (ja) | 1992-01-14 |
| JP2811021B2 JP2811021B2 (ja) | 1998-10-15 |
Family
ID=14629738
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2114124A Expired - Fee Related JP2811021B2 (ja) | 1990-04-27 | 1990-04-27 | 半導体パッケージおよびその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2811021B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2005037383A (ja) * | 2003-06-26 | 2005-02-10 | Kyocera Corp | セラミックダイアフラム及びその製法並びに圧力センサ |
-
1990
- 1990-04-27 JP JP2114124A patent/JP2811021B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2005037383A (ja) * | 2003-06-26 | 2005-02-10 | Kyocera Corp | セラミックダイアフラム及びその製法並びに圧力センサ |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2811021B2 (ja) | 1998-10-15 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US4105861A (en) | Hermetically sealed container for semiconductor and other electronic devices | |
| TW200403818A (en) | Lid for use in packaging an electronic device and method of manufacturing the lid | |
| US3689336A (en) | Fabrication of packages for integrated circuits | |
| US3489845A (en) | Ceramic-glass header for a semiconductor device | |
| CN100562068C (zh) | 数码相机模组制作方法 | |
| JP2811021B2 (ja) | 半導体パッケージおよびその製造方法 | |
| US5059558A (en) | Use of venting slots to improve hermetic seal for semiconductor dice housed in ceramic packages | |
| JPH0955445A (ja) | 半導体装置およびその製造方法 | |
| US4165226A (en) | Process for preparing an element of a dual-in-line ceramic package provided with a layer of sealing glass | |
| JPS6389313A (ja) | 電子部品の金型樹脂成形法 | |
| US3482149A (en) | Sintered glass integrated circuit structure product and method of making the same | |
| JP2605865Y2 (ja) | Ｃｃｄ素子収納用パッケージ | |
| JPH0967169A (ja) | 焼成治具及びそれを用いたセラミック基板の製造方法 | |
| CN217280737U (zh) | 一种大尺寸陶瓷低温玻璃熔封结构 | |
| EP0347991A2 (en) | Use of venting slots to improve hermetic seal for semiconductor dice housed in ceramic packages | |
| JPH0540582Y2 (ja) | ||
| JPH05144976A (ja) | 表面実装用パツケ−ジの構造 | |
| JP2556487Y2 (ja) | 透光体を有する半導体パッケージ | |
| JPS613436A (ja) | 半導体素子搭載用パツケ−ジの製造方法 | |
| JPH05109918A (ja) | セラミツクパツケージ | |
| JP2006332685A (ja) | 固体撮像装置 | |
| JPH10258445A (ja) | 半導体装置の樹脂封止用金型 | |
| JPS6142156A (ja) | ガラス封止形半導体パツケ−ジ | |
| US5237206A (en) | Low-melting point glass sealed semiconductor device and method of manufacturing the same | |
| JP2892174B2 (ja) | 半導体パッケージおよびその製造方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080807 Year of fee payment: 10 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080807 Year of fee payment: 10 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090807 Year of fee payment: 11 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |