JPH04106893A - Ｐｔｃ面状発熱体の製造方法 - Google Patents
Ｐｔｃ面状発熱体の製造方法Info
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- JPH04106893A JPH04106893A JP22310390A JP22310390A JPH04106893A JP H04106893 A JPH04106893 A JP H04106893A JP 22310390 A JP22310390 A JP 22310390A JP 22310390 A JP22310390 A JP 22310390A JP H04106893 A JPH04106893 A JP H04106893A
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Landscapes
- Surface Heating Bodies (AREA)
- Resistance Heating (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野］
本発明はＰＴＣ面状発熱体の製造方法に関するものであ
る。
る。
［従来の技術］
従来、ＰＴＣ面状発熱体の製造方法としては例えば、Ｂ
ａ Ｔ ｉ Ｏｓ粉末にＣｅ、 Ｌａ、 Ｎｂ、
Ｔａなどの元素が添加された複合粉末をプレス機で加圧
成形した後、焼成する方法や、真空蒸着法により基板上
に薄膜を形成する方法、あるいはＢａＴｉＯ３系半導体
粉末に導電性の添加剤とガラスフリットを加えてペース
ト状として基板上にスクリーン印刷した後、焼成する方
法等がある。
ａ Ｔ ｉ Ｏｓ粉末にＣｅ、 Ｌａ、 Ｎｂ、
Ｔａなどの元素が添加された複合粉末をプレス機で加圧
成形した後、焼成する方法や、真空蒸着法により基板上
に薄膜を形成する方法、あるいはＢａＴｉＯ３系半導体
粉末に導電性の添加剤とガラスフリットを加えてペース
ト状として基板上にスクリーン印刷した後、焼成する方
法等がある。
［発明が解決しようとする課題］
しかしながら、プレス機を用いる方法においては、プレ
ス成形のために薄膜及び複雑な形状や大面積の形状は得
にくい。また、真空蒸着法を用いる方法においては、真
空チャンバー内で行なうために操作が難しく、薄膜形成
は可能であるか大面積化は難しく、またコストも高くな
ってしまう。
ス成形のために薄膜及び複雑な形状や大面積の形状は得
にくい。また、真空蒸着法を用いる方法においては、真
空チャンバー内で行なうために操作が難しく、薄膜形成
は可能であるか大面積化は難しく、またコストも高くな
ってしまう。
更にスクリーン印刷を用いる方法では比抵抗が高くなり
やすく、また、ガラスフリットを加えることによりＢ
ａ Ｔ ｉ Ｏｓ系半導体とガラスフリットの耐熱性、
熱膨張係数の差から熱処理時等に生じる熱衝撃に弱いと
いう欠点があった。
やすく、また、ガラスフリットを加えることによりＢ
ａ Ｔ ｉ Ｏｓ系半導体とガラスフリットの耐熱性、
熱膨張係数の差から熱処理時等に生じる熱衝撃に弱いと
いう欠点があった。
本発明は上述した問題点を解決するためになされたもの
であり、薄型で大面積形状のＰＴＣ面状発熱体を安価に
かつ安易に製造できる製造方法を提供することを目的と
している。
であり、薄型で大面積形状のＰＴＣ面状発熱体を安価に
かつ安易に製造できる製造方法を提供することを目的と
している。
［課題を解決するための手段］
この目的を達成するために本発明のＰＴＣ面状発熱体の
製造方法は、ＢａＴｉＯ３粉末にＣｅ。
製造方法は、ＢａＴｉＯ３粉末にＣｅ。
Ｌａ、Ｎｂ、Ｔａなどの元素が添加された複合粉末を酸
化物セラミックス基板上に溶射し、該基板上に皮膜を形
成する工程と、前記溶射皮膜を熱処理する工程とからな
る。
化物セラミックス基板上に溶射し、該基板上に皮膜を形
成する工程と、前記溶射皮膜を熱処理する工程とからな
る。
［作用コ
上記の構成を有する本発明のＰＴＣ面状発熱体において
は、溶射法により酸化物セラミックス基板上に、Ｃｅ、
Ｌａ、Ｎｂ、Ｔａ等のＰＴＣ特性を発現させる元素が添
加されたＢａＴｉ０．粒子を半溶融状態で堆積させた後
、熱処理によりＰＴＣ面状発熱体を製造する。
は、溶射法により酸化物セラミックス基板上に、Ｃｅ、
Ｌａ、Ｎｂ、Ｔａ等のＰＴＣ特性を発現させる元素が添
加されたＢａＴｉ０．粒子を半溶融状態で堆積させた後
、熱処理によりＰＴＣ面状発熱体を製造する。
［実施例コ
以下、本発明を具体化した実施例を図面を参照して説明
する。
する。
まず第１の実施例について第１図から第５図までを参照
して説明する。
して説明する。
半導体化剤として、Ｌａが０．２ａｔ ％添加された
ＢａＴｉ０．粉末を１１００°Ｃで６０分間焼成した後
、粉砕することにより粒径が５〜１２５μｍの粉末を作
製する。この粉末を第１図に示すように、板厚５ｍｍの
ＭｇＯ基板２上に第５図に示す条件で０． １〜１ｍｍ
の膜厚でブラスマ溶射ガン１によりプラズマ溶射を行な
う。次に、ＢａＴｉｅ３皮膜３が作製されたＭｇＯ基板
２を空気中において、３００℃／ ｈ ｒの速度で昇温
し、１３４０℃の温度で０，５ｈｒ保持した後、３００
’Ｃ／ ｈ ｒの速度で降温した。この熱処理により、
Ｂ ａ Ｔ ｉ Ｏｓの皮膜３は半導体化されてＰＴＣ
特性を示すＰＴＣ面状発熱体４となる。このＰＴＣ面状
発熱体に第２図に示すように溶射によりＡＩ電極５を作
製して、温度−比抵抗の関係を測定した結果を第３図に
示す。１１０°Ｃぐらいから比抵抗の急激な上昇がみら
れ、ＰＴＣ特性を示していることが理解される。ここで
電極５はＡ１溶射により作製したが、作製方法としてス
パッタリング、スクリーン印刷等を用いても良く、電極
材料もオーム性接触を示す材料ならすべて良い。また、
電極形状も第４図に示されるように櫛形にしても良い。
ＢａＴｉ０．粉末を１１００°Ｃで６０分間焼成した後
、粉砕することにより粒径が５〜１２５μｍの粉末を作
製する。この粉末を第１図に示すように、板厚５ｍｍの
ＭｇＯ基板２上に第５図に示す条件で０． １〜１ｍｍ
の膜厚でブラスマ溶射ガン１によりプラズマ溶射を行な
う。次に、ＢａＴｉｅ３皮膜３が作製されたＭｇＯ基板
２を空気中において、３００℃／ ｈ ｒの速度で昇温
し、１３４０℃の温度で０，５ｈｒ保持した後、３００
’Ｃ／ ｈ ｒの速度で降温した。この熱処理により、
Ｂ ａ Ｔ ｉ Ｏｓの皮膜３は半導体化されてＰＴＣ
特性を示すＰＴＣ面状発熱体４となる。このＰＴＣ面状
発熱体に第２図に示すように溶射によりＡＩ電極５を作
製して、温度−比抵抗の関係を測定した結果を第３図に
示す。１１０°Ｃぐらいから比抵抗の急激な上昇がみら
れ、ＰＴＣ特性を示していることが理解される。ここで
電極５はＡ１溶射により作製したが、作製方法としてス
パッタリング、スクリーン印刷等を用いても良く、電極
材料もオーム性接触を示す材料ならすべて良い。また、
電極形状も第４図に示されるように櫛形にしても良い。
次に第２の実施例について第６図を参照して説明する。
Ｂ ａ Ｔ ｉ Ｏａと１３００°Ｃ以上で反応性のあ
るＡｌ２０１１．ＺｒＣＬ等の酸化物セラミックスを基
板に用いる場合は、高温で安定性が高（ＢａＴｉＯ３と
無反応である導電性材料、例えばＰｔ電極６を第６図に
示すように基板にスクリーン印刷で設けて焼き付けてお
き、その上方に第１の実施例と同様に作製されたＢａＴ
ｉ０．粉末を第５図の条件で０． １〜１ｍｍの膜厚で
プラズマ溶射を行なう。次に、第１の実施例と同様の条
件で熱処理を行なってＰＴＣ特性を発現させる。このＰ
ＴＣ特性が発現したＢ ａ Ｔ ｉ Ｏｓ皮膜４の上方
から電極２５を第６図に示すようにＢａＴｉ０．皮膜下
の電極と接続しないように設置する。電極作製方法とし
ては溶射、スパッタリングなどを用いれば良い。また、
第６図に示される電極２５は高温でさらされないため、
ＡＩ、Ｃｕ、Ａｇなど一般に用いられる電極材料でオー
ム性接触が得られるものならすべて良い。
るＡｌ２０１１．ＺｒＣＬ等の酸化物セラミックスを基
板に用いる場合は、高温で安定性が高（ＢａＴｉＯ３と
無反応である導電性材料、例えばＰｔ電極６を第６図に
示すように基板にスクリーン印刷で設けて焼き付けてお
き、その上方に第１の実施例と同様に作製されたＢａＴ
ｉ０．粉末を第５図の条件で０． １〜１ｍｍの膜厚で
プラズマ溶射を行なう。次に、第１の実施例と同様の条
件で熱処理を行なってＰＴＣ特性を発現させる。このＰ
ＴＣ特性が発現したＢ ａ Ｔ ｉ Ｏｓ皮膜４の上方
から電極２５を第６図に示すようにＢａＴｉ０．皮膜下
の電極と接続しないように設置する。電極作製方法とし
ては溶射、スパッタリングなどを用いれば良い。また、
第６図に示される電極２５は高温でさらされないため、
ＡＩ、Ｃｕ、Ａｇなど一般に用いられる電極材料でオー
ム性接触が得られるものならすべて良い。
次に第３の実施例について説明する。
ＢａＴｉＯ３と１３００℃以上で反応性のあるＡ１□Ｏ
ａ、ＺｒＯ２等の酸化物セラミックスを基板２に用いる
場合には、第７図に示すようにＭｇＯ□を０．１〜１ｍ
ｍ溶射した後、第１の実施例と同様に作製されたＢａＴ
ｉＯｓ粉末を第１の実施例と同様に溶射、熱処理、電極
作製を行なう。このようにＰＴＣ面状発熱体の作製を行
なうと基板２にＢａＴｉ０．と反応しにくい材料、例え
ば。
ａ、ＺｒＯ２等の酸化物セラミックスを基板２に用いる
場合には、第７図に示すようにＭｇＯ□を０．１〜１ｍ
ｍ溶射した後、第１の実施例と同様に作製されたＢａＴ
ｉＯｓ粉末を第１の実施例と同様に溶射、熱処理、電極
作製を行なう。このようにＰＴＣ面状発熱体の作製を行
なうと基板２にＢａＴｉ０．と反応しにくい材料、例え
ば。
ＭｇＯを用いる必要はなく、基板材料が限定されない。
以上、詳述したことから明らかなように本実施例のＰＴ
Ｃ面状発熱体の製造方法においては、溶射法を用いるこ
とにより所望する形状の酸化物セラミックス基板にＣｅ
、Ｌａ、Ｎｂ、ＴａなどのＰＴＣ特性を発現させる元素
が添加されたＢａＴｔＯＳの皮膜３を形成することが可
能となるために、薄型で大面積形状のＰＴＣ面状発熱体
４が安価に且つ容易に製造することができる。
Ｃ面状発熱体の製造方法においては、溶射法を用いるこ
とにより所望する形状の酸化物セラミックス基板にＣｅ
、Ｌａ、Ｎｂ、ＴａなどのＰＴＣ特性を発現させる元素
が添加されたＢａＴｔＯＳの皮膜３を形成することが可
能となるために、薄型で大面積形状のＰＴＣ面状発熱体
４が安価に且つ容易に製造することができる。
［発明の効果］
以上、詳述したことから明らかなように本発明のＰＴＣ
面状発熱体の製造方法においては、溶射法を用いること
により所望する形状の酸化物セラミックス基板にＣｅ、
Ｌａ、Ｎｂ、ＴａなどのＰＴＣ特性を発現させる元素か
添加されたＢａＴｉＯ３皮膜を形成することが可能とな
るために、薄型で大面積形状のＰＴＣ面状発熱体が安価
に且つ容易に製造することかできる。
面状発熱体の製造方法においては、溶射法を用いること
により所望する形状の酸化物セラミックス基板にＣｅ、
Ｌａ、Ｎｂ、ＴａなどのＰＴＣ特性を発現させる元素か
添加されたＢａＴｉＯ３皮膜を形成することが可能とな
るために、薄型で大面積形状のＰＴＣ面状発熱体が安価
に且つ容易に製造することかできる。
第１図から第７図までは本発明を具体化した実施例を示
すもので、第１図はＭｇＯ基板へＢａＴｉＯ３を溶射す
る状態の説明図、第２図は第１の実施例のＰＴＣ面状発
熱体の斜視図、第３図はＰＴＣ面状発熱体の温度と比抵
抗の関係を示すグラフ、第４図は櫛形電極を設置した状
態の斜視図、第５図はプラズマ溶射の条件を示す表、第
６図は第２の実施例のＰＴＣ面状発熱体の断面図、第７
図は第３の実施例のＰＴＣ面状発熱体の断面図である。 図中、１はプラズマ溶射ガン、２は基板、３は皮膜、４
はＰＴＣ面状発熱体、５，１５，２５゜３５は電極、６
はｐｔ電極、７はＭｇＯの溶射層である。
すもので、第１図はＭｇＯ基板へＢａＴｉＯ３を溶射す
る状態の説明図、第２図は第１の実施例のＰＴＣ面状発
熱体の斜視図、第３図はＰＴＣ面状発熱体の温度と比抵
抗の関係を示すグラフ、第４図は櫛形電極を設置した状
態の斜視図、第５図はプラズマ溶射の条件を示す表、第
６図は第２の実施例のＰＴＣ面状発熱体の断面図、第７
図は第３の実施例のＰＴＣ面状発熱体の断面図である。 図中、１はプラズマ溶射ガン、２は基板、３は皮膜、４
はＰＴＣ面状発熱体、５，１５，２５゜３５は電極、６
はｐｔ電極、７はＭｇＯの溶射層である。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、ＢａＴｉＯ＿３粉末にＣｅ、Ｌａ、Ｎｂ、Ｔａなど
の元素が添加された複合粉末を酸化物セラミックス基板
上に溶射し、該基板上に皮膜を形成する工程と、 前記溶射皮膜を熱処理する工程と からなることを特徴とするＰＴＣ面状発熱体の製造方法
。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22310390A JPH04106893A (ja) | 1990-08-24 | 1990-08-24 | Ｐｔｃ面状発熱体の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22310390A JPH04106893A (ja) | 1990-08-24 | 1990-08-24 | Ｐｔｃ面状発熱体の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04106893A true JPH04106893A (ja) | 1992-04-08 |
Family
ID=16792876
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP22310390A Pending JPH04106893A (ja) | 1990-08-24 | 1990-08-24 | Ｐｔｃ面状発熱体の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04106893A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN102685942A (zh) * | 2012-05-29 | 2012-09-19 | 王克政 | 一种ptc稀土厚膜电路智能电热元件及其制备方法 |
| JP2015512121A (ja) * | 2012-02-16 | 2015-04-23 | ベバスト エスエー | 車両ヒータ及び車両ヒータを製造する方法 |
-
1990
- 1990-08-24 JP JP22310390A patent/JPH04106893A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2015512121A (ja) * | 2012-02-16 | 2015-04-23 | ベバスト エスエー | 車両ヒータ及び車両ヒータを製造する方法 |
| US10555378B2 (en) | 2012-02-16 | 2020-02-04 | Webasto SE | Vehicle heater and method for producing a vehicle heater |
| CN102685942A (zh) * | 2012-05-29 | 2012-09-19 | 王克政 | 一种ptc稀土厚膜电路智能电热元件及其制备方法 |
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