JPH04120701A - Ｎｔｃサーミスタの製造方法 - Google Patents
Ｎｔｃサーミスタの製造方法Info
- Publication number
- JPH04120701A JPH04120701A JP24185990A JP24185990A JPH04120701A JP H04120701 A JPH04120701 A JP H04120701A JP 24185990 A JP24185990 A JP 24185990A JP 24185990 A JP24185990 A JP 24185990A JP H04120701 A JPH04120701 A JP H04120701A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- film
- conductive material
- electrodes
- batio3
- plasma
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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- Apparatuses And Processes For Manufacturing Resistors (AREA)
- Thermistors And Varistors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野］
本発明は温度センサや温度補償素子として用いられるＮ
ＴＣサーミスタの製造方法に関する。
ＴＣサーミスタの製造方法に関する。
［従来の技術］
ＮＴＣサーミスタは、その抵抗値が温度の上昇にともな
って減少する負の抵抗温度係数を持つ感温半導体として
、温度センサーや温度補償素子などに広く用いられてい
る。これらのうちＭｎ、Ｎｉなとの遷移金属の酸化物を
主体としたものは低温測定用に使用され、ＳｉＣ系、コ
ランダム、ジルコニア系酸化物を主体としたものは高温
測定用に使用されている。
って減少する負の抵抗温度係数を持つ感温半導体として
、温度センサーや温度補償素子などに広く用いられてい
る。これらのうちＭｎ、Ｎｉなとの遷移金属の酸化物を
主体としたものは低温測定用に使用され、ＳｉＣ系、コ
ランダム、ジルコニア系酸化物を主体としたものは高温
測定用に使用されている。
これらのサーミスタを製造する方法としては、サーミス
タ材料をプレス成形方法または押出成形方法で成形し、
焼成する方法や、サーミスタペーストをスクリーン印刷
により設置し、焼き付ける方法、あるいはサーミスタ材
料をスパッタリングにより薄膜状に形成する方法がある
。
タ材料をプレス成形方法または押出成形方法で成形し、
焼成する方法や、サーミスタペーストをスクリーン印刷
により設置し、焼き付ける方法、あるいはサーミスタ材
料をスパッタリングにより薄膜状に形成する方法がある
。
［発明が解決しようとする課題］
しかしながら、プレス成形方法または押出成形方法を用
いる方法においては高温焼成が必要であり、スクリーン
印刷を用いる方法においては、電極及びサーミスタをス
クリーン印刷により作製するための印刷及び焼成の工程
か各々必要であって、製造工程が煩雑になり、スパッタ
リングを用いる方法においては高真空中にて行わなけれ
ばならない。従って、上記の従来の方法では製造に要す
るコストが高くなってしまうという欠点があった。
いる方法においては高温焼成が必要であり、スクリーン
印刷を用いる方法においては、電極及びサーミスタをス
クリーン印刷により作製するための印刷及び焼成の工程
か各々必要であって、製造工程が煩雑になり、スパッタ
リングを用いる方法においては高真空中にて行わなけれ
ばならない。従って、上記の従来の方法では製造に要す
るコストが高くなってしまうという欠点があった。
本発明は上述した問題点を解決するためになされたもの
であり、簡単な製造工程で安価で、信頼性の高いＮＴＣ
サーミスタの製造方法を提供することを目的としている
。
であり、簡単な製造工程で安価で、信頼性の高いＮＴＣ
サーミスタの製造方法を提供することを目的としている
。
［課題を解決するための手段］
この目的を達成するために本発明のＮＴＣサーミスタの
製造方法はＡｒ−Ｈ，ガスを用いたプラズマ溶射により
、チタン酸バリウムを主成分とする皮膜を導電性材料製
の基材上に形成する工程と、前記皮膜の上方に導電性材
料の皮膜を形成する工程と、前記導電性材料製の基材と
、前記導電性材料の皮膜に各々リード線を接続する工程
と、前記チタン酸バリウムを主成分とする皮膜と、前記
導電性材料の基材と前記導電性材料の皮膜と、リード線
と各導電製材料との接続部とを、ガラスを加熱溶着させ
ることにより封止する工程とからなる。
製造方法はＡｒ−Ｈ，ガスを用いたプラズマ溶射により
、チタン酸バリウムを主成分とする皮膜を導電性材料製
の基材上に形成する工程と、前記皮膜の上方に導電性材
料の皮膜を形成する工程と、前記導電性材料製の基材と
、前記導電性材料の皮膜に各々リード線を接続する工程
と、前記チタン酸バリウムを主成分とする皮膜と、前記
導電性材料の基材と前記導電性材料の皮膜と、リード線
と各導電製材料との接続部とを、ガラスを加熱溶着させ
ることにより封止する工程とからなる。
［実施例］
以下、本発明を具体化した一実施例を図面を参照して説
明する。
明する。
第１図に示すように任意形状のＡＩ基板電極２上に、造
粒もしくは粉砕により、粒径が５〜１２５μｍになるよ
うに調整された、ＢａとＴｉの比が１：１であるＢ ａ
Ｔ ｉＯｓ粉末を、Ｈ２を５〜５０％含むＡｒＨ２プ
ラズマガスを用いた強還元性を示すプラズマ溶射炎を発
生するプラズマ溶射ガン１により溶射し、３００μｍの
膜厚でＢａＴｉＯ３皮膜３を作製することによりＢ ａ
Ｔ ｉＯ３皮膜３を還元して半導体化する。この時の
プラズマ溶射条件を第５図に示す。この時Ｈ２が５％以
下では還元性が弱く半導体化が低下し、５０％以上では
プラズマ溶射ガン１のノズルの消耗が激しくなってしま
う虞れかある。従って、Ｈ２を５〜５０％含むＡｒＨ２
プラズマガスを用いたブラスマ溶射により作製するのか
良い。
粒もしくは粉砕により、粒径が５〜１２５μｍになるよ
うに調整された、ＢａとＴｉの比が１：１であるＢ ａ
Ｔ ｉＯｓ粉末を、Ｈ２を５〜５０％含むＡｒＨ２プ
ラズマガスを用いた強還元性を示すプラズマ溶射炎を発
生するプラズマ溶射ガン１により溶射し、３００μｍの
膜厚でＢａＴｉＯ３皮膜３を作製することによりＢ ａ
Ｔ ｉＯ３皮膜３を還元して半導体化する。この時の
プラズマ溶射条件を第５図に示す。この時Ｈ２が５％以
下では還元性が弱く半導体化が低下し、５０％以上では
プラズマ溶射ガン１のノズルの消耗が激しくなってしま
う虞れかある。従って、Ｈ２を５〜５０％含むＡｒＨ２
プラズマガスを用いたブラスマ溶射により作製するのか
良い。
更に第２図に示すようにＢａＴｉ０．皮膜３の上方より
電極としてのＡＩを５０〜１００μｍ程度の膜厚で溶射
する。この時のＡｌ溶射の粉末及び溶射条件は一般的に
用いられている溶射粉末及び溶射条件でよい。
電極としてのＡＩを５０〜１００μｍ程度の膜厚で溶射
する。この時のＡｌ溶射の粉末及び溶射条件は一般的に
用いられている溶射粉末及び溶射条件でよい。
次に第３図に示すようにＢ ａ Ｔ ｉ Ｏａ溶射皮膜
３をはさんでいるＡＩ電極２，４に、耐熱接合導電材６
ａ、６ｂを用いて各々リード線５ａ、！５ｂを接続する
。このリード線５ａ、５ｂとしては、ジュメット線、Ｃ
ｕ合金線、Ｆｅ−Ｎｉ系合金線。
３をはさんでいるＡＩ電極２，４に、耐熱接合導電材６
ａ、６ｂを用いて各々リード線５ａ、！５ｂを接続する
。このリード線５ａ、５ｂとしては、ジュメット線、Ｃ
ｕ合金線、Ｆｅ−Ｎｉ系合金線。
Ｆ ｅ −Ｎ ｉ −Ｃｏ系合金線、Ｎｉ−Ｃｒ合金線
などを芯線とし、その表面にＣｒ−Ｎｉ系やＮｉ系のメ
ツキが被着されているものを用いればよく、耐熱性を高
める目的でＰｔなどの貴金属線を用いても良い。
などを芯線とし、その表面にＣｒ−Ｎｉ系やＮｉ系のメ
ツキが被着されているものを用いればよく、耐熱性を高
める目的でＰｔなどの貴金属線を用いても良い。
次に第４図に示すようにＢ ａ Ｔ ｉ ０３皮膜３、
ＡＩ電極２，４、及びＡＩ電極２，４とリード線５ａ、
５ｂとの接続部６ａ、６ｂとをガラス７を加熱溶着して
気密封止する。このことにより皮膜が酸化されるのを防
止することかできるため、耐候性が高くなり、従って、
信頼性の高いサーミスタとなる。
ＡＩ電極２，４、及びＡＩ電極２，４とリード線５ａ、
５ｂとの接続部６ａ、６ｂとをガラス７を加熱溶着して
気密封止する。このことにより皮膜が酸化されるのを防
止することかできるため、耐候性が高くなり、従って、
信頼性の高いサーミスタとなる。
以上のように作製されたサーミスタは、室温における比
抵抗が２６００にΩ、Ｂ定数が１５７６Ｋを示した。比
抵抗を低下させたい場合はＩ−１２の割合を増加させて
ＢａＴｉＯ３皮膜の還元性を高めてやればよく、Ｂ定数
を変化させる場合はＢａＴ ｉ ０３のＢａとＴｉの比
を変化させるか、微量添加物として遷移金属の酸化物を
用いればよい。
抵抗が２６００にΩ、Ｂ定数が１５７６Ｋを示した。比
抵抗を低下させたい場合はＩ−１２の割合を増加させて
ＢａＴｉＯ３皮膜の還元性を高めてやればよく、Ｂ定数
を変化させる場合はＢａＴ ｉ ０３のＢａとＴｉの比
を変化させるか、微量添加物として遷移金属の酸化物を
用いればよい。
以上、詳述したことから明らかなように本実施例のＮＴ
Ｃサーミスタの製造方法においては、高温焼成を行った
り、高真空中での処理を必要とせず、従って、製造か容
易となり、またコストも低く抑えることが可能となる。
Ｃサーミスタの製造方法においては、高温焼成を行った
り、高真空中での処理を必要とせず、従って、製造か容
易となり、またコストも低く抑えることが可能となる。
そしてまた、ブラスマ溶射により任意形状の導電性部材
にサーミスタを作製することが可能であるために、サー
ミスタの形状すなわち面積や厚みか自由に設定できる。
にサーミスタを作製することが可能であるために、サー
ミスタの形状すなわち面積や厚みか自由に設定できる。
尚、本実施例においては電極材料にＡＩを用いたが、そ
の他、Ｎｉなどのオーム性接触か得られる材料ならすべ
てよい。
の他、Ｎｉなどのオーム性接触か得られる材料ならすべ
てよい。
［発明の効果コ
以上、詳述したことから明らかなように本発明のＮＴＣ
サーミスタの製造方法においては、高温焼成を行ったり
、高真空中での処理を必要とせす、従って、製造が容易
となり、またコストも低く抑えることが可能となる。そ
してまた、プラズマ溶射により任意形状の導電性部材に
サーミスタを作製することが可能であるために、サーミ
スタの形状すなわち面積や厚みが自由に設定できる。
サーミスタの製造方法においては、高温焼成を行ったり
、高真空中での処理を必要とせす、従って、製造が容易
となり、またコストも低く抑えることが可能となる。そ
してまた、プラズマ溶射により任意形状の導電性部材に
サーミスタを作製することが可能であるために、サーミ
スタの形状すなわち面積や厚みが自由に設定できる。
第１図から第５図までは本発明を具体化した実施例を示
すもので、第１図はＡＩ電極基材にプラズマ溶射により
ＢａＴｉ０ａ皮膜を形成している状態の斜視図、第２図
はＢ ａ Ｔ ｉ Ｏａ皮膜の上方にＡＩ主電極形成し
た状態の断面図、第３図はＡＩ主電極リード線を取り付
けた状態の断面図、第４図はガラス封止した状態の断面
図、第５図はプラズマ溶射の条件を示す表である。 図中、１はプラズマ溶射ガン、２はＡ１電極基材、３は
ＢａＴｉＯ３皮膜、４はＡｌ溶射電極、！５ａ、５ｂは
リード線、６ａ、６ｂは耐熱接合導電材、７はガラスで
ある。
すもので、第１図はＡＩ電極基材にプラズマ溶射により
ＢａＴｉ０ａ皮膜を形成している状態の斜視図、第２図
はＢ ａ Ｔ ｉ Ｏａ皮膜の上方にＡＩ主電極形成し
た状態の断面図、第３図はＡＩ主電極リード線を取り付
けた状態の断面図、第４図はガラス封止した状態の断面
図、第５図はプラズマ溶射の条件を示す表である。 図中、１はプラズマ溶射ガン、２はＡ１電極基材、３は
ＢａＴｉＯ３皮膜、４はＡｌ溶射電極、！５ａ、５ｂは
リード線、６ａ、６ｂは耐熱接合導電材、７はガラスで
ある。
Claims (1)
- １．Ａｒ−Ｈ＿２ガスを用いたプラズマ溶射により、チ
タン酸バリウムを主成分とする皮膜を導電性材料製の基
材上に形成する工程と、 前記皮膜の上方に導電性材料の皮膜を形成する工程と、 前記導電性材料製の基材と、前記導電性材料の皮膜に各
々リード線を接続する工程と、 前記チタン酸バリウムを主成分とする皮膜と、前記導電
性材料の基材と前記導電性材料の皮膜と、リード線と各
導電製材料との接続部とを、ガラスを加熱溶着させるこ
とにより封止する工程とからなることを特徴とするＮＴ
Ｃサーミスタの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24185990A JPH04120701A (ja) | 1990-09-12 | 1990-09-12 | Ｎｔｃサーミスタの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24185990A JPH04120701A (ja) | 1990-09-12 | 1990-09-12 | Ｎｔｃサーミスタの製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04120701A true JPH04120701A (ja) | 1992-04-21 |
Family
ID=17080579
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP24185990A Pending JPH04120701A (ja) | 1990-09-12 | 1990-09-12 | Ｎｔｃサーミスタの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04120701A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE102009044370A1 (de) | 2008-10-31 | 2010-05-12 | Suzuki Motor Corporation | Harz-Zusammensetzung, Harz-Formteil und Herstellungsverfahren der Harz-Zusammensetzung |
| DE102010017254A1 (de) | 2009-06-25 | 2011-01-13 | Suzuki Motor Corporation, Hamamatsu-Shi | Gießform zum Spritzgießen und Verfahren zur Herstellung eines Spitzgussproduktes |
| US20130256945A1 (en) * | 2012-03-30 | 2013-10-03 | Nike, Inc. | Method Of Making A Golf Ball |
-
1990
- 1990-09-12 JP JP24185990A patent/JPH04120701A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE102009044370A1 (de) | 2008-10-31 | 2010-05-12 | Suzuki Motor Corporation | Harz-Zusammensetzung, Harz-Formteil und Herstellungsverfahren der Harz-Zusammensetzung |
| DE102010017254A1 (de) | 2009-06-25 | 2011-01-13 | Suzuki Motor Corporation, Hamamatsu-Shi | Gießform zum Spritzgießen und Verfahren zur Herstellung eines Spitzgussproduktes |
| DE102010017254B4 (de) * | 2009-06-25 | 2019-09-12 | Suzuki Motor Corporation | Gießform zum Spritzgießen |
| US20130256945A1 (en) * | 2012-03-30 | 2013-10-03 | Nike, Inc. | Method Of Making A Golf Ball |
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